用于闪存的页面分配的制作方法
【专利说明】
【背景技术】
[0001]除非在此另行指出，否则本部分中描述的资料对于本申请中的权利要求而言不是现有技术，并且不通过被包括在本部分中而被认为是现有技术。
[0002]在闪存中，可以通过改变闪存内的一个或更多个存储单元的阈值电压电平来记录信息。在写操作期间，第一存储单元的阈值电压电平的修正可能导致对附近的第二存储单元的阈值电压电平的干扰。即，第二存储单元的阈值电压电平可能无意地改变，当对第二存储单元进行解码时，可能导致错误。这些干扰可以被称为单元间干扰。
[0003]解决由单元间干扰导致的解码错误的一些方法涉及联合解码决策的使用。在联合解码决策中，可以读取所请求的存储单元以及未请求的相邻存储单元的阈值电压电平。联合解码决策可以利用相邻存储单元的阈值电压电平，以便对所请求的存储单元进行准确的解码。特别是，相邻存储单元的阈值电压电平可以用于补偿对所请求的存储单元的潜在干扰。然而，联合解码决策的实现可能导致使用针对闪存的传统页面分配方案的系统中的无效率。
【发明内容】
[0004]本发明总体上描述了用于在闪存中分配页面的技术。一些示例性方法可以接收多个数据元素和写请求，以将多个数据元素写入闪存。示例性方法可以基于相关性准则来识别数据元素的子集之间的相关性。示例性方法可以分配闪存的相邻页面以用于存储数据元素的子集。示例性方法可以将数据元素的子集写入所分配的页面。
[0005]本公开总体上还描述了一些计算机可读介质，所述计算机可读介质上存储有计算机可执行指令，当所述计算机可执行指令由计算机执行时，使得该计算机执行用于在闪存中分配页面的一个或更多个操作。一些示例性操作可以包括:接收多个数据元素和写请求，以将多个数据元素写入闪存。示例性操作可以包括:基于相关性准则，识别数据元素的子集之间的相关性。示例性操作可以包括:分配闪存的相邻页面，用于存储数据元素的子集。示例性操作可以包括:将数据元素的子集写入所分配的页面中。
[0006]本公开总体上还描述适于在闪存中分配页面的一些计算装置。这些计算装置可以包括闪存和操作系统。闪存可以包括被布置为形成多个存储页面的多个存储单元。操作系统可以连接至闪存，并且可以被配置为执行一个或更多个操作。一些示例性操作可以包括:接收多个数据元素和写请求，以将多个数据元素写入闪存。示例性操作可以包括:基于相关性准则，识别数据元素的子集之间的相关性。示例性操作可以包括:分配闪存的相邻页面，用于存储数据元素的子集。示例性操作可以包括:将数据元素的子集写入所分配的页面。
[0007]以上
【发明内容】
仅是示例性的，并且不旨在以任何方式进行限制。除了以上描述的说明性方面、实施方式和特征之外，进一步的方面、实施方式和特征将通过参照附图和以下详细说明而变得明显。
【附图说明】
[0008]本公开的以上和其它特征将从以下详细说明、附图和所附权利要求书而变得更加明显。将理解，这些附图仅示出根据本公开的多个实施方式，并且因此不被认为是对其范围的限制，将参照附图利用附加的具体内容和细节来描述本公开，附图中:
[0009]图1是示出适于在闪存中分配页面的计算机的示例性架构的视图；
[0010]图2是示出闪存的存储块中的页面的示例性布置的视图；
[0011]图3是示出适于在闪存中分配页面的示例性处理的流程图；
[0012]图4是示出用于示例性计算系统的计算机硬件架构的框图；以及
[0013]图5是示出计算机程序产品的示意图，该计算机程序产品包括用于在计算装置上执行计算机处理的计算机程序；
[0014]所有附图根据这里呈现的至少一些实施方式来布置。
【具体实施方式】
[0015]在本【具体实施方式】中，参照形成其一部分的附图。在附图中，除非上下文另行指出，否则类似的符号通常标识类似的组件。【具体实施方式】和附图中描述的示例性实施方式不意味着是限制性的。在不脱离本文呈现的主题的精神或范围的情况下，可以利用其它实施方式，并且可以进行其它改变。将容易理解，在此总体描述和在附图中例示的本公开的方面可以按照各种不同的配置来布置、替换、组合、分离和设计，所有布置在此被明确地考虑。
[0016]本公开总体上被描绘为尤其涉及适于实现用于闪存的页面分配方案的技术。该技术可以适于识别高度相关的文件、文件段或其它数据元素。如这里使用的，高度相关的数据元素可以指同时地、顺序地和/或在阈值时间量内被访问的数据元素。这些技术可以适于在闪存中分配相邻存储页面，用于存储高度相关的数据元素。高度相关的数据元素可以被写入所分配的相邻存储页面。
[0017]闪存中存在的共同缺点是单元间干扰。单元间干扰可以指当写入到期望的存储单元时导致的对附近存储单元的干扰。随着闪存技术继续演进，闪存中的各个存储单元的几何尺寸可能继续缩小，并且存储单元可以更紧密地布置在一起。这些进步可以允许在闪存上的相同面积内放置更多的存储单元。结果，单元间干扰在未来的闪存中可能变得更差。
[0018]解决单元间干扰的一些方法可能涉及联合解码决策的使用。在传统逐位解码处理中，各个请求的存储单元可以被独立地解码。然而，由于单元间干扰，导致从所请求的存储单元获取的解码结果可能不正确。在联合解码决策中，可以使用相邻的存储单元，以便对所请求的存储单元更准确地解码。相邻存储单元是在几何上彼此靠近的存储单元。如果一个存储页面中的至少一个存储单元与另一个存储页面中的至少一个存储单元相邻，则两个存储页面被称为邻居或相邻存储页面。相邻存储单元可以包括位于与所请求的存储单元相同的页面上的存储单元以及位于相邻页面上的存储单元。
[0019]传统闪存在变为可用时，可以分配页面。即，当请求页面时，传统闪存可以简单地分配下一个空白(clean)页面，而不考虑要存储在闪存上的数据元素的特性。下一个空白页面可以不是相邻的或者甚至靠近前一页面。结果，跨越多个页面的高度相关的数据可以被存储在非相邻或远处的页面上。
[0020]当实现联合解码决策时，对应于高度相关的数据元素的各个请求的存储单元的读取可以包括未请求的相邻存储单元的读取。相邻存储单元可以位于与包含所请求的存储单元的页面分离的页面中。在总读取速度、错误率、实现复杂性或者其组合方面，不包含所请求的存储单元的多个页面的读取可能导致各种性能无效率。
[0021]这里描述的各种实施方式提供用于分配相邻页面，用于存储高度相关的数据元素。通过将高度相关的数据元素存储在相邻页面上，当实现联合解码决策时，不包含请求的存储单元的页面的数量可以充分减少。例如，第一读请求和第二读请求可以请求高度相关的数据。读取的给定页面可以包括不是第一读请求的一部分但是是用于另一个页面上的存储单元的联合解码决策的一部分的存储单元。然而，给定页面还可以包括作为第二读请求的一部分的存储单元(其可以相同或者可以不同)。结果，当实现联合解码决策时，与传统页面分配方法相比，用于存储高度相关的数据元素的相邻页面的分配可以得到改进的性能效率。
[0022]图1是示出根据这里呈现的至少一些实施方式布置的适于在闪存中分配页面的计算机100的示例性架构的视图。计算机100可以包括闪存102。闪存102可以是关于计算机100的内部存储装置或外部存储装置。闪存102可以是与非(“NAND”)型闪存或者或非(“NOR”)型闪存。闪存102还可以是单级单元型闪存或多级单元型闪存。还可以使用其它类型的闪存装置。
[0023]图1中示出闪存102的示例性内部构造的一部分。闪存102可以包括多个字线，包括第一字线104A、第二字线104B和第三字线104C(共同称为字线104)。字线104有时通俗地称为闪存102中的“行”。闪存102还可以包括多个位线，包括第一位线106A、第二位线106B、第三位线106C、第四位线106D和第五位线106E(共同称为位线106)。位线106有时通俗地称为闪存102中的“列”。
[0024]闪存102还可以包括多个存储单元108A-1080(共同称为存储单元108)。各个存储单元108可以布置在字线104中的一个和位线106中的一个的交叉处。各个存储单元108可以包括布置在源极和漏极之间的沟道。浮置栅可以布置在沟道上，并且可以与沟道电分离。控制栅可以布置在浮置栅上，并且可以与浮置栅电分离。控制栅可以连接至字线104中的一个，并且源极和漏极可以连接至位线106中的一个。来自多个存储单元的控制栅可以共享给定的字线，来自多个存储单元的源极和漏极可以共享给定的位线。例如，存储单元108A-108E的控制栅可以共享第一字线104A，存储单元108A、108F、108K的源极和漏极可以共享第一位线106A。
[0025]各个存储单元可以通过将电荷存储在浮置栅上来编程。带电浮置栅可以表示第一逻辑状态(例如，逻辑“O”)，并且不带电浮置栅可以表示第二逻辑状态(例如，逻辑“I”)。存储单元可以通过将第一电压(例如，负电压)施加到对应位线并且将高于第一电压的第二电压(例如，正电压)施加到对应字线来编程。在已知为隧道注入的整个处理中，对应于交叉位线和字线的浮置栅可以累积并且捕获负电荷。浮置栅中累积的负电荷可以有效地增加存储单元的阈值电压电平。从而，通过读取给定存储单元的阈值电压电平，可以通过确定阈值电压电平是否增加来对被编程到存储单元中的逻辑状态进行解码。
[0026]由于寄生电容親合效应，对期望存储单元施加电压可能无意地影响相邻存储单元的控制栅、源极和/或漏极的电压电平。相邻存储单元可以包括与期望存储单元直接相邻