一种提高数据存储稳定性的缓存方法

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一种提高数据存储稳定性的缓存方法
【技术领域】
[0001]本发明提供了一种提高数据存储稳定性的缓存方法,涉及数据存储领域,用于系统存储过程进行数据的缓存。通过对储存芯片的读写功能交替使用以提高缓存的性能和效率。
【背景技术】
[0002]在LED大屏的FPGA驱动电路中,通常需要利用大容量的两片存储芯片作为缓冲,即一片进行存储时另一片进行读取并移位上屏。存储芯片一般使用SRAM或SDRAM。
[0003]然而现有技术不管使用SRAM还是SDRAM,都需要利用帧同步信号vsync来进行读写切换,进而相应的每次大屏刷新操作需要由vsync来同步,这导致灵活性差;同时因为需要vsync的同步,不仅仅每次刷新要控制在一个vsync周期内部,因此时间分配需要小心仔细设计;而且,LED大屏的刷新率受到vsync频率的直接影响。

【发明内容】

[0004]由于现有数据缓存技术需要vsync的同步,会导致灵活性差、易出错、影响刷新频率等问题,所以先提出一种稳定性数据存储器的缓存方法
本发明提供的一种稳定性数据存储器的缓存方法,能够在保证数据缓存成功的同时提高稳定性、可靠性、灵活性。主要包括以下模块:读写选择模块、地址映射模块、数据输出模块、读写切换模块。
[0005]进一步的,所述的读写选择模块,即通过设置读写切换信号sel的值,来确定芯片的读写状态,具体来讲,当sel的值等于O时芯片A处于写状态,芯片B处于读状态;当sel的值等于I时芯片A处于读状态,芯片B处于写状态;
进一步的,所述的地址映射模块,即设置模块写地址WADR和模块读地址RADR,当sel的值等于O时WADR被映射道芯片A的地址上,RADR被映射道芯片B的地址上。当sel的值等于I是情况相反;
进一步的,所述的数据输出模块,即设置数据输入DI和数据输出D0,当信号sel的值等于O时DI送入芯片A的数据线,而芯片B的数据线上的内容被输送道DO上;当信号sel的值等于I时情况相反;
进一步的,所述的读写切换模块,即当每一帧结束后,信号sel的值都要进行翻转,以实现读写切换,重点在信号sel的值的翻转使用读写时钟elk同步,该信号为读和写共用时钟来,即统一在elk信号脉冲的上升沿或下降沿对信号sel的值进行翻转更新;
本发明提供的一种稳定性数据存储器的缓存方法,选取两片SRAM作为储存器,首先通过设置读写切换信号来确定该芯片为读状态或者写状态,将读、写地址映射到对应的读、写芯片地址上,再将数据通过对应的数据线输入到芯片内部,当一帧数据传输完毕后翻转读写切换信号,将储存器读写状态进行交换,如此更替。外界在写此模块时,只要送入写地址和要写入的数据即可,不必关心具体写入了哪个芯片中;外界在读取模块时,只需要送入读地址同时取走相应的数据即可,而不必担心具体从哪个芯片中读出来的。与现有技术相比,能够在保证数据缓存成功的同时提高稳定性、可靠性、灵活性。
【具体实施方式】
[0006]下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0007]本发明实施例提供一种提高LED显示屏灰度等级的方法,包括:
101采用两片SRAM,作为读写缓冲存储芯片,并分别用A和B来命名;
102设置读写切换信号信号sel的值,sel的值等于O时芯片A处于写状态,芯片B处于读状态;
103设置模块写地址WADR和模块读地址RADR,当sel的值等于O时WADR被映射道芯片A的地址上,RADR被映射道芯片B的地址上。当sel的值等于I是情况相反;
104设置数据输入DI和数据输出D0,当sel的值等于O时DI送入芯片A的数据线,而芯片B的数据线上的内容被输送道DO上;当sel的值等于I时情况相反;
105当每一帧结束后,sel的值都要进行翻转,以实现读写切换,重点在sel的值的翻转使用读写时钟elk来同步,该信号为读和写共用时钟,即统一在elk信号脉冲的上升沿或下降沿对sel的值进行翻转更新。
[0008]本发明提供的一种稳定性数据存储器的缓存方法,选取两片SRAM作为储存器,首先通过设置读写切换信号来确定该芯片为读状态或者写状态,将读、写地址映射到对应的读、写芯片地址上,再将数据通过对应的数据线输入到芯片内部,当一帧数据传输完毕后翻转读写切换信号,将储存器读写状态进行交换,如此更替。外界在写此模块时,只要送入写地址和要写入的数据即可,不必关心具体写入了哪个芯片中;外界在读取模块时,只需要送入读地址同时取走相应的数据即可,而不必担心具体从哪个芯片中读出来的。与现有技术相比,能够在保证数据缓存成功的同时提高稳定性、可靠性、灵活性。
[0009]以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的。
【主权项】
1.本发明提供的一种提高数据存储稳定性的缓存方法,其特征是主要包括以下模块:读写选择模块、地址映射模块、数据输出模块、读写切换模块。2.根据权利要求1所述的读写选择模块,其特征在于,通过设置读写切换信号sel的值,来确定芯片的读写状态,进一步的,当sel的值等于O时芯片A处于写状态,芯片B处于读状态;当sel的值等于I时芯片A处于读状态,芯片B处于写状态。3.根据权利要求1所述的地址映射模块,其特征在于设置模块写地址WADR和模块读地址RADR,当sel的值等于O时WADR被映射道芯片A的地址上,RADR被映射道芯片B的地址上;当sel的值等于I是情况相反。4.根据权利要求1所述的数据输出模块,其特征是,设置数据输入DI和数据输出D0,当sel的值等于O时DI送入芯片A的数据线,而芯片B的数据线上的内容被输送道DO上;当sel的值等于I时情况相反。5.根据权利I要求所述的读写切换模块,其特征在于当每一帧结束后,信号sel的值都要进行翻转,以实现读写切换,重点在信号sel的值的翻转使用读写时钟elk同步,该信号为读和写共用时钟来,即统一在elk信号脉冲的上升沿或下降沿对信号sel的值进行翻转更新。
【专利摘要】本发明提供了一种提高数据存储稳定性的缓存方法,涉及数据存储领域。本发明的技术方案是,选取两片SRAM作为储存器,首先通过设置读写切换信号来确定该芯片为读状态或者写状态,将读、写地址映射到对应的读、写芯片地址上,再将数据通过对应的数据线输入到芯片内部,当一帧数据传输完毕后翻转读写切换信号,将储存器读写状态进行交换,如此更替。本发明的有益效果是:通过存储芯片的读写功能的轮流使用,客户不必再关心具体芯片的读写状态,只需确定读写数据以及相应的读写地址,从而在确保了数据存储的可靠性的基础上,提高了数据缓存的便利性。
【IPC分类】G06F12/08, G09G3/32, G06F12/02
【公开号】CN105005533
【申请号】CN201410158100
【发明人】魏巍, 杨海舟
【申请人】西安光向信息科技有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2014年4月21日
再多了解一些
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