用于flash存储器的数据处理方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及数据处理领域，具体而言，涉及一种用于FLASH存储器的数据处理方法和装置。
【背景技术】
[0002]目前，集装箱空调中通常配备有数据记录设备，比如FLASH存储器，在集装箱空调运行过程中，需要用FLASH存储器存储集装箱空调的运行状态、报警状态或者配置参数等数据。FLASH存储器中包括多个扇区，数据存储需要对扇区进行数据擦除后才能写入新的数据，但是，每个扇区只能进行10万次的数据擦写。由于集装箱空调运行状态、报警状态或者配置参数的不确定性，容易造成单个扇区的数据擦写次数过多，将会导致FLASH存储器过早报废，无法使用，严重降低了 FLASH存储器的使用寿命。
[0003]针对相关技术中由于单个扇区的数据擦写次数过多导致的FLASH存储器使用寿命降低的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供了一种用于FLASH存储器的数据处理方法和装置，以至少解决相关技术中由于单个扇区的数据擦写次数过多导致的FLASH存储器使用寿命降低的技术问题。
[0005]根据本发明实施例的一个方面，提供了一种用于FLASH存储器的数据处理方法，包括:检测第一扇区的数据擦写次数是否超过预设阈值；在检测到第一扇区的数据擦写次数超过预设阈值时，生成偏移量；将第一地址加上偏移量得到第二地址，其中，第一地址为第一扇区的地址；以及在第二地址对应的第二扇区进行数据擦写。
[0006]进一步地，在检测第一扇区的数据擦写次数是否超过预设阈值之后，用于FLASH存储器的数据处理方法还包括:在检测到第一扇区的数据擦写次数未超过预设阈值时，在第一扇区进行数据擦写，并对数据擦写次数进行计数。
[0007]进一步地，在检测到第一扇区的数据擦写次数未超过预设阈值时，在第一扇区进行数据擦写，并对数据擦写次数进行计数包括:擦除第一扇区的数据，并将数据擦写次数加1 ;检测计数之后的数据擦写次数是否达到预设阈值；在检测到计数之后的数据擦写次数未达到预设阈值时，在第一扇区写入数据；在检测到计数之后的数据擦写次数达到预设阈值时，生成偏移量，将第一地址加上偏移量得到第二地址，在第二地址对应的第二扇区进行数据擦写。
[0008]进一步地，在检测到第一扇区的数据擦写次数超过预设阈值时，将第一扇区的计数标识符标记为预设标识符，其中，预设标识符用于标识第一扇区的数据擦写次数达到预设阈值。
[0009]进一步地，第一扇区包括:第一区域，用于存储第一扇区的数据擦写次数；第二区域，用于存储数据；以及第三区域，用于存储计数标识符。
[0010]进一步地，FLASH存储器中扇区的地址与日期存在对应关系。
[0011]进一步地，第一日期对应第一地址，其中，在检测到第一日期内生成偏移量时，将第一日期对应的地址修改为第二地址。
[0012]根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种用于FLASH存储器的数据处理装置，包括:第一检测模块，用于检测第一扇区的数据擦写次数是否超过预设阈值；第一生成模块，用于在检测到第一扇区的数据擦写次数超过预设阈值时，生成偏移量；第二生成模块，用于将第一地址加上偏移量得到第二地址，其中，第一地址为第一扇区的地址；以及第一数据擦写模块，用于在第二地址对应的第二扇区进行数据擦写。
[0013]进一步地，用于FLASH存储器的数据处理装置还包括:第二数据擦写模块，用于在检测到第一扇区的数据擦写次数未超过预设阈值时，在第一扇区进行数据擦写，并对数据擦写次数进行计数。
[0014]进一步地，第二数据擦写模块包括:擦除模块，用于擦除第一扇区的数据，并将数据擦写次数加1 ;第二检测模块，用于检测计数之后的数据擦写次数是否达到预设阈值；写入模块，用于在检测到计数之后的数据擦写次数未达到预设阈值时，在第一扇区写入数据；第三生成模块，用于在检测到计数之后的数据擦写次数达到预设阈值时，生成偏移量，将第一地址加上偏移量得到第二地址，在第二地址对应的第二扇区进行数据擦写。
[0015]进一步地，用于FLASH存储器的数据处理装置还包括:标记模块，用于在检测到第一扇区的数据擦写次数超过预设阈值时，将第一扇区的计数标识符标记为预设标识符，其中，预设标识符用于标识第一扇区的数据擦写次数达到预设阈值。
[0016]进一步地，第一扇区包括:第一区域，用于存储第一扇区的数据擦写次数；第二区域，用于存储数据；以及第三区域，用于存储计数标识符。
[0017]进一步地，FLASH存储器中扇区的地址与日期存在对应关系。
[0018]进一步地，第一日期对应第一地址，其中，装置还包括:修改模块，用于在检测到第一日期内生成偏移量时，将第一日期对应的地址修改为第二地址。
[0019]在本发明实施例中，通过检测扇区的数据擦写次数是否达到预设阈值，在超过预设阈值的情况下，通过偏移地址的形式对下一个扇区进行数据擦写，达到了平衡FLASH存储器中多个扇区的数据擦写次数的目的，从而实现了提高FLASH存储器使用寿命的技术效果，进而解决了相关技术中由于单个扇区的数据擦写次数过多导致的FLASH存储器使用寿命降低的技术问题。
【附图说明】
[0020]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0021]图1是根据本发明实施例的用于FLASH存储器的数据处理方法的流程图；
[0022]图2是根据本发明第一实施例的第一扇区结构示意图；
[0023]图3是根据本发明第二实施例的第一扇区结构示意图；
[0024]图4是根据本发明可选实施例的用于FLASH存储器的数据处理方法的流程图；以及
[0025]图5是根据本发明实施例的用于FLASH存储器的数据处理装置的示意图。
【具体实施方式】
[0026]为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
[0027]需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0028]根据本发明实施例，提供了一种用于FLASH存储器的数据处理方法的方法实施例，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
[0029]图1是根据本发明实施例的用于FLASH存储器的数据处理方法的流程图，如图1所示，该方法包括如下步骤:
[0030]步骤S102，检测第一扇区的数据擦写次数是否超过预设阈值；
[0031]步骤S104，在检测到第一扇区的数据擦写次数超过预设阈值时，生成偏移量；
[0032]步骤S106，将第一地址加上偏移量得到第二地址，其中，第一地址为第一扇区的地址；
[0033]步骤S108，在第二地址对应的第二扇区进行数据擦写。
[0034]通过上述步骤，通过检测扇区的数据擦写次数是否达到预设阈值，在检测到扇区的数据擦写次数超过预设阈值的情况下，通过偏移地址的形式对下一个扇区进行数据擦写，能够平衡FLASH存储器中多个扇区的数据擦写次数，解决相关技术中由于单个扇区的数据擦写次数过多导致的FLASH存储器使用寿命降低的技术问题，从而达到提高FLASH存储器使用寿命的技术效果。
[0035]FLASH存储器中包括一个或者多个扇区，每个扇区的数据擦写次数均有一个上限值，当扇区的数据擦写次数超过上限值时，将会导致FLASH存储器报废，无法使用。本发明实施例为FLASH存储器中的每个扇区设定有数据擦写次数阈值，该数据擦写次数阈值为步骤S102中的预设阈值，该预设阈值小于扇区的数据擦写次数的上限值，以达到提高FLASH存储器使用寿命的目的。
[0036]FLASH存储器中每个扇区均对应有一个唯一地址，比如第一扇区的地址为第一地址。可选地，FLASH存储器中扇区的地址与日期存在对应关系，比如，第一日期对应第一地址，即第一日期内的数据存储在第一地址对应的第一扇区内。FLASH存储器中扇区的地址与日期的对应关系受扇区的数据擦写次数的影响，比如，第一日期对应第一地址，但是，在第一日期内，如果第一地址对应的第一扇区的数据擦写次数超过预设阈值时，即在检测到第一日期内生成偏移量时，将会转移到第二地址对应的