一种实现忆容器电容特性的模拟电路的制作方法

文档序号:9616392阅读:753来源:国知局
一种实现忆容器电容特性的模拟电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于电路设计技术领域,涉及一种忆容器数学模型及其等效模拟电路,具 体涉及一种实现符合忆容器电压-电荷(伏-库)关系的模拟等效电路。
【背景技术】
[0002] 2008年美国HP实验室采用Ti02材料,使用纳米技术实现了具有记忆性能的电阻 元件,称之为忆阻器。2009年扩展了记忆元件的概念,在忆阻器的基础上提出了忆容器的概 念,即具有记忆特性的电容器。此类器件和忆阻器一样无需电源即可存储信息,可应用于非 易失性存储器以及对学习、适应和自发行为的仿真。
[0003] 目前,对忆阻器已经有大量的研究,而对忆容器的研究还很少,主要原因是忆容器 的数学模型还不够完善,物理可实现的实际忆容器尚未出现。因此,设计实现忆容器的等效 模型对忆容器研究具有重要应用。目前,虽已报道了少量的忆容器电路模型,但这些数学模 型和电路模型对应的是忆容器电容C的倒数,即Ci。这与一般电容器的电容参数不对应,也 给忆容器的理论和应用研究带来不便。因此,本发明提出了一种可用电容参数C描述的忆 容器数学模型,并设计实现了该模型的等效电路,该等效电路可作为忆容器的一种仿真器, 替代尚未实现的忆容器,在理论和应用研究中模拟实际忆容器器件的伏-库特性。

【发明内容】

[0004] 针对现有技术存在的上述不足,本发明提供了一种实现忆容器特性的模拟电路, 用以模拟忆容器的伏库特性,替代实际忆容器进行实验和应用及研究。
[0005] 本发明解决技术问题所采取的技术方案如下:一种实现忆容器电容特性的模拟电 路,包括集成运算放大器U1、第二乘法器U2和第三乘法器U3,集成运算放大器U1实现积分 运算产生磁通,再通过加法运算实现加法电路,再通过反相比例运算实现信号的反相,最后 再和第二乘法器U2构成开方电路实现信号的开方,乘法器U3用于实现信号的相乘,将集成 运算放大器U1的输入信号和开方后的信号进行相乘,最终得到电荷量。
[0006] 进一步优选的,集成运算放大器U1采用LF347N;集成运算放大器U1的第1引脚 与第十电阻R10的一端、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端连接,第2引脚与第一电 阻R1的一端、第十电阻R10的另一端、第一电容C1的另一端连接,第6引脚与第三电阻R3 的一端、第四电阻R4的一端、第二电阻R2的另一端连接,第7引脚与第三电阻R3的一端、 第五电阻R5的一端连接,第8引脚与第六电阻R6的一端、第七电阻R7的一端连接,第9引 脚与第五电阻R5的另一端、第六电阻R的另一端连接,第13引脚与第七电阻R7的一端、第 八电阻R8的一端连接,第14引脚与第一二极管D1的正极连接,第3、5、10、12引脚接地,第 4引脚接电源VCC,第11引脚接电源VEE,第四电阻R4的另一端-5V电源;
[0007] 第二乘法器U2采用AD633JN;第二乘法器U2的1脚与第二乘法器U2的3脚、第 一二极管D1的负极、第三乘法器U3的3脚连接,2脚与第二乘法器U2的4脚、第二乘法器 U2的6脚连接并接地,5脚接电源VEE,7脚与第八电阻R8的另一端连接,8脚接电源VCC;
[0008] 第三乘法器U3采用AD633JN;第三乘法器U3的与第一电阻R1的另一端连接并接 正弦电压源,2脚与第三乘法器U3的4脚、第三乘法器U3的6脚连接并接地,5脚接电源 VEE,7脚接测试端,8脚接电源VCC;
[0009] 本发明设计了一种能够实现忆容器伏库特性的模拟等效电路,该模拟电路只含1 个集成运放和2个乘法器,结构简单,本发明利用集成运算电路实现忆容器特性中的相应 运算,其中,集成运算放大器U1主要用以实现电压的积分运算、电压加法运算、反相放大和 电压的开方运算,模拟乘法器U2用以和集成运算放大器U1组成开方电路,模拟乘法器U3 用以实现开方后的电压积分和电压的乘积。
【附图说明】
[0010] 图1是本发明的电路结构框图。
[0011] 图2是本发明实现忆容器特性的模拟电路原理图。
【具体实施方式】
[0012] 下面结合附图对本发明优选实施例作详细说明。
[0013] 本发明的理论出发点是忆容器伏库特性的一般表达式:
[0014]
[0015] 如图1所示,本实例忆容器模拟等效电路包括集成运算放大器U1、乘法器U2和乘 法器U3,集成运算放大器U1用于积分运算、求和运算、反相运算和开方运算;集成运算放大 器U1与乘法器U2、乘法器U3相连,乘法器U2和集成运算放大器U1组合实现开方运算,乘法 器U3实现信号的相乘。集成运算放大器采用LF347N,乘法器U2和乘法器U3采用AD633JN。 LF347N、AD633JN为现有技术。
[0016] 如图2所示,忆容器的电压u在测试端A通过第一电阻R1接入集成运算放大器U1 的引脚2,即积分器的输入端,忆容器的电荷量q的测试端B接乘法器U3的引脚W,即乘法 器的输出端。
[0017] 集成运算放大器U1内有4个运算放大器,其中第1、2、3引脚对应的运算放大器与 外围第一电阻R1、第十电阻R10和第一电容C1构成积分电路,来获得忆容器的磁通量免,设 输入的电压为uA,则U1引脚1的电压七为:
[0018]
[0019] 集成运算放大器U1的第5、6、7引脚对应的运算放大器,与外围第二电阻R2、第三 电阻R3、第四电阻R4构成反相求和电路,用以Ul和外围电压u2的求和,即U1引脚7的电 压u3为:
[0020]
[0021] 集成运算放大器U1的第8、9、10引脚与外围第五电阻R5和第六电阻R6构成反相 放大器,用以实现负的电压u3,并放大,即U1引脚8的电压1!4为:
[0022]
[0023] 第二乘法器U2的型号为AD633JN,集成运算放大器U1的第12、13、14引脚与外围 第七电阻R7、第八电阻R8相连,并和乘法器U2、二极管1N4009组合用以实现开方电路,即 乘法器U2的XI引脚电压u5为:
[0024]
[0025] 第三乘法器U3的型号为AD633JN,XI引脚与乘法器U2X引脚相连,Y1引脚与测试 端A相连,用以实现正弦电压与开方电路输出电压u5相乘,即乘法器W引脚的电压u6为:
[0026]
[0027] %即为忆容器的输入电压u,可将上式化简为:
[0028]
[0029] 忆容器模拟等效电路的伏库特性,与忆容器数学模型比较可知:
[0030]
[0031] 集成运算放大器U1采用LF347N;集成运算放大器U1的第1引脚与第十电阻R10 的一端、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端连接,第2引脚与第一电阻R1的一端、第 十电阻R10的另一端、第一电容C1的另一端连接,第6引脚与第三电阻R3的一端、第四电 阻R4的一端、第二电阻R2的另一端连接,第7引脚与第三电阻R3的一端、第五电阻R5的 一端连接,第8引脚与第六电阻R6的一端、第七电阻R7的一端连接,第9引脚与第五电阻 R5的另一端、第六电阻R的另一端连接,第13引脚与第七电阻R7的一端、第八电阻R8的一 端连接,第14引脚与第一二极管D1的正极连接,第3、5、10、12引脚接地,第4引脚接电源 VCC,第11引脚接电源VEE,第四电阻R4的另一端-5V电源;
[0032] 第二乘法器U2采用AD633JN;第二乘法器U2的1脚与第二乘法器U2的3脚、第 一二极管D1的负极、第三乘法器U3的3脚连接,2脚与第二乘法器U2的4脚、第二乘法器 U2的6脚连接并接地,5脚接电源VEE,7脚与第八电阻R8的另一端连接,8脚接电源VCC;
[0033] 第三乘法器U3采用AD633JN;第三乘法器U3的与第一电阻R1的另一端连接并接 正弦电压源,2脚与第三乘法器U3的4脚、第三乘法器U3的6脚连接并接地,5脚接电源 VEE,7脚接测试端,8脚接电源VCC;
[0034] 本领域的普通技术人员应当认识到,以上实施例仅是用来验证本发明,而并非作 为对本发明的限定,只要是在本发明的范围内,对以上实施例的变化、变形都将落在本发明 的保护范围内。
【主权项】
1. 一种实现忆容器电容特性的模拟电路,包括集成运算放大器U1、第二乘法器U2和第 三乘法器U3,其特征在于:集成运算放大器U1实现积分运算产生磁通,再通过加法运算实 现加法电路,再通过反相比例运算实现信号的反相,最后再和第二乘法器U2构成开方电路 实现信号的开方,乘法器U3用于实现信号的相乘,将集成运算放大器U1的输入信号和开方 后的信号进行相乘,最终得到电荷量。2. 根据权利要求1所述的一种实现忆容器电容特性的模拟电路,其特征在于:所述的 集成运算放大器U1采用LF347N;集成运算放大器U1的第1引脚与第十电阻R10的一端、第 一电容C1的一端、第二电阻R2的一端连接,第2引脚与第一电阻R1的一端、第十电阻R10 的另一端、第一电容C1的另一端连接,第6引脚与第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端、 第二电阻R2的另一端连接,第7引脚与第三电阻R3的一端、第五电阻R5的一端连接,第8 引脚与第六电阻R6的一端、第七电阻R7的一端连接,第9引脚与第五电阻R5的另一端、第 六电阻R的另一端连接,第13引脚与第七电阻R7的一端、第八电阻R8的一端连接,第14 引脚与第一二极管D1的正极连接,第3、5、10、12引脚接地,第4引脚接电源VCC,第11引脚 接电源VEE,第四电阻R4的另一端-5V电源; 第二乘法器U2采用AD633JN;第二乘法器U2的1脚与第二乘法器U2的3脚、第一二 极管D1的负极、第三乘法器U3的3脚连接,2脚与第二乘法器U2的4脚、第二乘法器U2的 6脚连接并接地,5脚接电源VEE,7脚与第八电阻R8的另一端连接,8脚接电源VCC; 第三乘法器U3采用AD633JN;第三乘法器U3的与第一电阻R1的另一端连接并接正弦 电压源,2脚与第三乘法器U3的4脚、第三乘法器U3的6脚连接并接地,5脚接电源VEE,7 脚接测试端,8脚接电源VCC。
【专利摘要】本发明公开了一种实现忆容器电容特性的模拟电路,该电路包括集成运算放大器U1、第二乘法器U2和第三乘法器U3,集成运算放大器U1实现积分运算产生磁通,再通过加法运算实现加法电路,再通过反相比例运算实现信号的反相,最后再和第二乘法器U2构成开方电路实现信号的开方,乘法器U3用于实现信号的相乘,将集成运算放大器U1的输入信号和开方后的信号进行相乘,最终得到电荷量。该模拟电路只含1个集成运放和2个乘法器,结构简单。
【IPC分类】G06F17/50
【公开号】CN105373679
【申请号】CN201510916745
【发明人】王光义, 臧寿池, 王晋
【申请人】杭州电子科技大学
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年12月10日
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