显示装置以及使用掩模制造显示装置的方法

文档序号:9631268阅读:484来源:国知局
显示装置以及使用掩模制造显示装置的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置以及使用掩模制造显示装置的方法。更具体地讲,本公开涉及一种包括连续、单件、环形导电通路的显示装置。
【背景技术】
[0002]目前,有两种方式来形成连续环形的金属布线。
[0003]第一种方法是喷墨方法,其中利用喷嘴将金属颗粒或颜料印刷在目标表面上。这种方法以下称作“喷射”。在该方法中,期望的形状可通过调节喷嘴的位置和移动速度以及喷射率来自由地形成。各种因素可影响金属颜料在目标表面上的粘附性。因此,喷射方法常常需要通过应用热能来保持粘附在目标表面上的金属颜料的诸如固化或烘干的附加工艺。然而,在一些情况下,可能即使使用固化或烘干工艺也无法获得期望的粘附性,在随后的多个工艺期间利用金属颜料形成的金属布线可能从表面剥离。另外,喷射方法中使用的喷孔的大小可限制金属布线的宽度,使得难以从金属布线获得期望的电性质。
[0004]第二种方式是利用溅射现象将导电材料沉积到基板的表面上。这种方式以下称作溅射。溅射是一种物理气相沉积(PVD)方法。溅射涉及通过高能粒子(例如,等离子体的正离子)来轰击源材料,使得原子从源材料被逐出(eject)并沉积在目标表面上。
[0005]通常,从源材料逐出的原子被沉积到基板的通过掩模的开口暴露的区域上。在该方法中,可通过在进行溅射工艺的同时调节掩模距目标表面的距离来控制金属布线的宽度和厚度。尽管溅射方法使得能够提供比喷射方法更宽的金属布线,但是溅射方法的图案化机制使得难以形成连续环形图案的金属布线。

【发明内容】

[0006]因此,本发明涉及提供一种显示装置以及使用掩模制造该显示装置的方法,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
[0007]本发明的优点涉及提供一种包括连续、单件、环形导电通路的显示装置。
[0008]本发明的附加特征和优点将在以下描述中阐述,并且部分地将从所述描述而显而易见,或者可通过本发明的实践学习。本发明的这些和其它优点将通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和达到。
[0009]为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的,如具体实现并广义描述的,一种显示装置可例如包括:基板,其具有显示区域以及在所述显示区域外侧的非显示区域;单件环形导电通路,其在所述基板上的所述非显示区域中围绕所述显示区域;以及透明导电层,其连续地设置在所述显示区域和所述非显示区域中并且与所述单件环形导电通路直接接触,其中,所述单件环形导电通路包括由相同导电材料制成的第一部分和第二部分,其中,所述第二部分中的所述单件环形导电通路在厚度方向上具有所述导电材料的多个凹陷,并且其中,介于所述多个凹陷之间的所述导电材料的厚度基本上等于所述第一部分的厚度。
[0010]在本发明的另一方面,一种制造具有显示区域和非显示区域的显示装置的方法,该方法可例如包括以下步骤:使掩模在基板上方对准,该掩模包括中心屏蔽部分、在所述中心屏蔽部分外侧的周边屏蔽部分、在所述开口中的保持部分以及在所述保持部分下方的扩散区域,在所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分之间有开口,该保持部分将所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分连接,该扩散区域由所述掩模在所述中心屏蔽部分和所述周边屏蔽部分中的一个与所述保持部分之间的厚度差来限定;通过所述掩模在所述基板上沉积导电材料以在所述非显示区域中形成围绕所述显示区域的单件环形导电通路;以及在所述基板上形成透明导电层,该透明导电层连续地形成在所述显示区域和非显示区域中并且被形成为与所述单件环形导电通路直接接触。
[0011]将理解,以上总体描述和以下具体描述二者均是示例性和说明性的,旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
[0012]附记1、一种显示装置,该显示装置包括:
[0013]基板,该基板具有显示区域以及在该显示区域外侧的非显示区域;
[0014]单件环形导电通路,该单件环形导电通路在所述基板上的所述非显示区域中围绕所述显示区域;以及
[0015]透明导电层,该透明导电层被连续地设置在所述显示区域和所述非显示区域中并且与所述单件环形导电通路直接接触,
[0016]其中,所述单件环形导电通路包括由相同导电材料制成的第一部分和第二部分,
[0017]其中,所述第二部分中的所述单件环形导电通路在厚度方向上具有所述导电材料的多个凹陷,并且
[0018]其中,介于所述多个凹陷之间的所述导电材料的厚度基本上等于所述第一部分的厚度。
[0019]附记2、根据附记1所述的显示装置,其中,所述第二部分的薄层电阻大于所述第一部分的薄层电阻。
[0020]附记3、根据附记1所述的显示装置,其中,所述第一部分在所述单件环形导电通路中占据比所述第二部分大的面积。
[0021]附记4、根据附记1所述的显示装置,其中,所述第二部分具有带多个突起的波状表面。
[0022]附记5、根据附记1所述的显示装置,其中,所述单件环形导电通路在所述单件环形导电通路延伸的方向的横向方向上的宽度等于或小于所述第一部分在相同方向上的宽度。
[0023]附记6、根据附记1所述的显示装置,其中,所述单件环形导电通路具有从所述单件环形导电通路的环路突出的至少一个连接器部分。
[0024]附记7、根据附记1所述的显示装置,其中,所述单件环形导电通路连接到接地构件以对静电电荷进行放电。
[0025]附记8、根据附记1所述的显示装置,其中,所述导电层具有比所述单件环形导电通路低的导电性。
[0026]附记9、根据附记1所述的显示装置,其中,所述多个凹陷内的所述导电材料的厚度小于所述第一部分的厚度的2/3。
[0027]附记10、一种制造具有显示区域和非显示区域的显示装置的方法,该方法包括以下步骤:
[0028]使掩模在基板上方对准,该掩模包括
[0029]中心屏蔽部分,
[0030]所述中心屏蔽部分外侧的周边屏蔽部分,所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分之间有开口,
[0031]所述开口中的保持部分,该保持部分将所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分连接,以及
[0032]所述保持部分下方的扩散区域,该扩散区域由所述掩模在所述中心屏蔽部分和所述周边屏蔽部分中的一个与所述保持部分之间的厚度差来限定;
[0033]通过所述掩模在所述基板上沉积导电材料,以在所述非显示区域中形成围绕所述显示区域的单件环形导电通路;以及
[0034]在所述基板上形成透明导电层,该透明导电层被连续地形成在所述显示区域和所述非显示区域中,并且被形成为与所述单件环形导电通路直接接触。
[0035]附记11、根据附记10所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述基板的与形成有所述透明导电层的地方相对的表面上形成包括多个薄膜晶体管和多个像素电极的TFT元件层。
[0036]附记12、根据附记11所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述TFT元件层上形成液晶层。
[0037]附记13、根据附记12所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述液晶层上形成多个触摸电极。
[0038]附记14、根据附记10所述的方法,其中,所述保持部分具有条形图案、网状图案和网格图案中的一种。
[0039]附记15、根据附记10所述的方法,其中,所述保持部分具有多个开放通道。
[0040]附记16、根据附记10所述的方法,其中,所述保持部分下方的所述扩散区域以及所述基板与所述掩模之间的距离使得所述导电材料被沉积到所述保持部分下方的所述基板上。
[0041]附记17、根据附记10所述的方法,其中,所述保持部分处的所述掩模的厚度小于所述保持部分下方的所述扩散区域的深度。
[0042]附记18、根据附记10所述的方法,其中,所述导电材料是通过溅射来沉积的。
[0043]附记19、根据附记10所述的方法,其中,所述导电层由导电性低于所述单件环形导电通路的导电性的材料形成。
[0044]附记20、根据附记10所述的方法,其中,所述单件环形导电通路的薄层电阻大于所述透明导电层的薄层电阻。
【附图说明】
[0045]附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并且被并入本申请并构成本申请的一部分,附图示出了本发明的实施方式并且与说明书一起用来说明本发明的原理。附图中:
[0046]图1是根据本公开的示例性实施方式的掩模的平面图;
[0047]图2A是根据示例性实施方式的图1所示的掩模的部分X的放大平面图;
[0048]图2B是沿图2A的线A - A’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
[0049]图2C是沿图2A的线B - B’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
[0050]图3A是根据示例性实施方式的图1所示的掩模的部分X的放大平面图;
[0051]图3B是沿图3A的线A - A’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
[0052]图3C是沿图3A的线B - B’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
[0053]图3D是沿图3A的线B - B’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
[0054]图4是示意性地示出从靶逐出的溅射粒子所经过的路径的示图;
[0055]图5是根据本公开的示例性实施方式的被配置成单件的环形导电通路的平面图;
[0056]图6A是通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模溅射而沉积的导电通路的部分Y的放大平面图;
[0057]图6B是沿图6A的线A - A’截取的第一部分和第二部分的横截面图;
[0058]图6C是沿图6A的线B - B’截取的第一部分和第二部分的横截面图;
[0059]图6D是通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模溅射而
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