一种gf单层多点无边框触摸屏及其制备工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触摸屏技术领域，尤其涉及一种GF单层多点无边框触摸屏及其制备工艺。
【背景技术】
[0002]触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用。但目前电容式触摸屏大多使用多层ΙΤ0结构，制造工艺复杂。因此，单层ΙΤ0触摸屏，特别是能够实现多点触摸的触摸屏，已成为电容式触摸屏的一个发展方向。
[0003]一般来说，触摸屏包含有连接触控电极与外部的处理器的信号导线，其用以传递触控电极与处理器之间的电信号。为了掩盖信号导线，触摸屏的盖板部分必须增加一个不透明的边框，以用来遮盖走线区。边框的存在使得便携式电子设备的屏幕可视区范围减小。随着消费者对电子设备外观和使用体验的要求越来越高，需减小信号导线所占据的边框面积，在便携式电子装置有限的尺寸上尽可能地增大屏幕可视区的范围，有效解决大显示屏与机身尺寸的矛盾，极力营造无视界的显示效果。无边框触摸屏对其制备工艺提出了更高的要求，因此需改进制备工艺，保证触摸屏的光电性能及生产稳定性，同时具有良好的防震抗爆性能提出了更高的要求，以提高产品的市场竞争力，同时触摸屏的无边框也对。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种GF单层多点无边框触摸屏及其制备工艺。为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下。
[0005]一种GF单层多点无边框触摸屏，包括从上往下依次设置的钢化玻璃盖板、透明光学胶层及ΙΤ0导电膜，所述ΙΤ0导电膜的边框为走线区，所述走线区包括设置于触摸屏一端的横向走线区，所述ΙΤ0导电膜设有单端出线的单层多点电极图案，ΙΤ0导电膜的引出线对应设置于横向走线区，所述横向走线区压合FPC，ΙΤ0导电膜的弓|出线通过FPC连接有一1C芯片。
[0006]进一步地，单层多点电极图案包括感应通道和驱动通道，感应通道和驱动通道彼此分离，不产生交错。
[0007]进一步地，钢化玻璃盖板的上表面为向上突起的弧形曲面。钢化玻璃盖板采用弧形曲面设计，更加符合人体工程学原理，不但可以缓解长时间打电话面部紧贴屏幕时产生的肌肉酸痛疲劳感，还可增加触摸屏的可视角度，提高触摸屏的反光效果。
[0008]进一步地，所述防反光层为纳米二氧化钛和纳米砸化镉混合层。纳米砸化镉和纳米二氧化钛可用于吸收可见光，同时，纳米二氧化钛还可进行光催化反应清除触摸屏上的指纹，提升触摸屏的抗指纹能力。进一步地，纳米二氧化钛的粒径为10-20nm,，纳米砸化镉的粒径为5-10nm。在此范围内，对可见光的吸收效果良好。
[0009]进一步地，所述防反光层为纳米氧化钛硅层，纳米氧化钛硅层可降低触摸屏的反射现象并增加了钢化玻璃盖板的透光量。
[0010]进一步地，所述1C芯片固定于一补强片，所述FPC连接于所述补强片。
[0011]进一步地，所述补强片设有固定卡座，所述FPC的末端卡设于所述固定卡座。
[0012]进一步地，所述FPC包括FPC主体区及连接于FPC主体区末端的FPC延长区，FPC主体区距离FPC的距离为3-8mm。在此范围内，FPC主体区与FPC的边缘有一定的距离，可更好地防止FPC主体区的线路被损害且不占用较大的空间。
[0013]进一步地，所述钢化玻璃盖板分为黑框区和视窗区，所述黑框区包括纵向黑框区和横向黑框区，所述横向黑框区对应于横向走线区设置，所述ΙΤ0导电膜超出视窗区的横向边界0.5mm-0.8mm，可改善边界的视觉效果。
[0014]进一步地，所述纵向黑框区的宽度为0-0.8_。由于本发明未设置纵向走线区，所以纵向黑框区的宽度可以设置得很窄或可以完全不用设置。
[0015]一种GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，包括以下步骤:
前段工序
(Al)ITO镀膜:在PET基材层的正面沉积Si02阻挡层，采用磁控溅射法在已沉积Si02阻挡层的PET基材层正面镀ITO薄膜，在磁控溅射的同时采用紫外光照射；然后真空退火，得到ΙΤ0导电膜粗品；
(A2)清洗:对ΙΤ0导电膜粗品进行清洗；
(A3)蚀刻去除:采用激光蚀刻将ΙΤ0导电膜粗品位于预设视窗区之外的ΙΤ0薄膜除去;
(A4)印刷导电银浆:在ΙΤ0导电膜粗品的激光蚀刻区域印刷导电银楽，形成导电银浆层，对导电银浆进行激光蚀刻银浆线，形成横向走线区；
(A5)烘烤:对蚀刻有银浆线的ΙΤ0导电膜粗品进行烘烤；
(A6)蚀刻电极图案:对ΙΤ0导电膜粗品的预设视窗区进行激光蚀刻蚀刻电极图案； (A7)覆膜:在印刷导电银浆后的ΙΤ0导电膜粗品覆上保护膜；
(A8)裁切:裁切形成FILM功能片；
后端工序
(Bl)ACF绑定:对前段工序做好的FILM功能片绑定ACF导电胶；
(B2)FPC热压:对贴好的ACF导电胶的FILM功能片的横向走线区热压FPC ;
(B3)透明光学胶层贴合:对压合好FPC的FILM功能片贴合透明光学胶层；
(B4)组合:将贴好透明光学胶层的FILM功能片和钢化玻璃盖板进行组合，钢化玻璃盖板设置有防爆层和防反光层，得到一种GF单层多点无边框触摸屏。
[0016]在使用磁控溅射方法在PET基材层的正面镀ΙΤ0薄膜时，通常采用低温溅射沉积方式，所以ΙΤ0导电膜含很多低价的铟锡氧化物，紫外光源照射将制备环境中的氧气离化成臭氧，产生的臭氧，可以再次对ΙΤ0成份进一步氧化，形成电阻阻值更稳定，电阻率更低，透光性更好的高价氧化物ΙΤ0，从而提高了 ΙΤ0导电膜的光电性能。ΙΤ0导电膜的方阻越小，透光性更好，触摸屏的性能越佳。同时，紫外光照射还可利用有机化合物的光敏氧化作用去除黏附在材料表面上的有机污染物，对材料表面进行光清洗。优选地，本发明采用射频磁控溅射法。射频溅射法具有可作用靶材范围广，薄膜生长速度快等特点。
[0017]在PET基材层的正面沉积Si02阻挡层，可加强PET基材层与ΙΤ0薄膜的结合力，既可以作为扩散阻挡层，又可以消除磁控溅射过程中的部分干涉颜色。
[0018]本发明采用激光蚀刻导电银浆和电极图案，工艺稳定，蚀刻精度高，对环境友好。
[0019]进一步地，所述步骤A1中溅射功率为50W-300W。在此范围内，ΙΤ0薄膜的方阻随着溅射功率的增大而降低。在低溅射功率处理时，低能量溅射粒子在基材片表面的迀移速度小，薄膜的结晶粒径小；随着功率增大，溅射粒子迀移速度及再结晶程度增加，靶材表面电压增加，氩粒子经电场加速获得较高的能量，靶材原子在高能量粒子撞击下从靶材表面逃逸而成为溅射粒子，继而沉降于基材片反应生成ΙΤ0薄膜，形成的ΙΤ0薄膜具有较好的致密性和粘附力，晶体结构也得到显著改善，因此ΙΤ0薄膜的导电性。但过高的溅射功率下溅射出的高能量粒子会持续轰击到所沉积的Ι??薄膜表面，给ΙΤ0薄膜的晶体状态造成结构缺陷，溅射功率越大，电压越高，产生晶体结构缺陷也越严重，从而导致ΙΤ0薄膜的方阻增大。优选地，所述步骤A1中溅射功率为100W-250W。
[0020]进一步地，所述步骤B2热压温度为160_180°C、热压时间为10_20s，可达到良好的热压效果。
[0021]进一步地，所述步骤A4中银浆由以下重量百分比的原料组成:
银粉末60-70%
双酚A型环氧树脂4-10%
氯醋乙烯树脂2-6%
聚丙二醇二缩水甘油醚1-3%
石墨粉末1-2%
二氧化硅粉末1-2%
1，6-己二醇二丙烯酸酯15-25%
防沉降剂0.2-1.0%,
以上重量百分比之和为100%，所述银粉末由质量比为1:20-1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为30-50 μ m，所述纳米银粉末的粒径为20_50nm ;所述石墨粉末由质量比为1:20-1:30的微米石墨粉末和纳米石墨粉末组成，所述微米石墨粉末的粒径为30-50 μm，所述纳米石墨粉末的粒径为20_40nm ;所述二氧化娃粉末的粒径为10-30 nm ;所述防沉降剂为聚酰胺蜡或酰胺改性氢化蓖麻油。
[0022]防沉降剂可防止导电银浆