触摸屏的加工方法及触摸屏的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电子设备领域，尤其是涉及触摸屏的加工方法及触摸屏。
【背景技术】
[0002]常见的单层ΙΤ0导电膜触摸屏，一般都是在ΙΤ0导电膜的基础上蚀刻ΙΤ0导电图案后，再在ΙΤ0导电图案四周丝印导电银浆线路，其导电银浆线路分别和ΙΤ0导电图案相连接。ΙΤ0导电图案通过导电银浆线路连接到屏体驱动芯片，从而实现触摸功能。
[0003]现有的单层ΙΤ0导电膜触摸屏一般制作流程为:在ΙΤ0导电膜上丝印蚀刻膏通过曝光显影工艺制作出ΙΤ0图案，再在四周丝印多个独立的导电银浆线路连接每个通道的ΙΤ0图案。这种方式制作出来的ΙΤ0导电触摸屏，压贴ACF后其边缘与干刻区重叠，在电场作用下，金球、粒子、异物、水汽等使地线与干刻线之间形成微短路，屏体会产生跳点的现象。
[0004]另一种制作流程为:在ΙΤ0导电图案四周丝印导电银浆块，再通过激光干刻设备将导电银浆块干刻成多个独立的导电银浆线路，从而使导电银浆线路连接到屏体驱动芯片，从而实现触摸功能。如果是窄边框的屏体，一般走线空间不足，没有办法满足工艺条件。
【发明内容】
[0005]本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
[0006]为此，本发明的一个目的在于提出一种触摸屏的加工方法，避免外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路。
[0007]本发明的另一个目的在于提出一种触摸屏，避免外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路。
[0008]根据本发明实施例的触摸屏的加工方法，包括如下步骤:S1:在ΙΤ0导电膜上制作出ΙΤ0图案；S2:在所述ΙΤ0导电膜的位于所述ΙΤ0图案的外围的空白区域上同时丝印外围银浆地线和银浆块，所述外围银浆地线位于所述银浆块的外侧；S3:对所述银浆块进行干亥IJ，以形成各个独立的导电银浆线，多个独立的所述导电银浆线与所述ΙΤ0图案相连。
[0009]根据本发明实施例的触摸屏的加工方法，通过同时丝印出来外围银浆地线和银浆块，并通过干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线，从而可以有效的拉大外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离，可以避免压贴ACF后ACF的边缘与干刻区重叠，从而可以避免因重叠而导致金球、粒子、异物、水汽等使外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路，可以避免触摸屏发生跳点不良现象，同时通过采用干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线的加工方式，可以有效解决了窄边框走线空间不足的问题。
[0010]根据本发明实施例的触摸屏，包括ΙΤ0导电膜，所述ΙΤ0导电膜上形成有ΙΤ0图案、多个导电银浆线和外围银浆地线，所述多个导电银浆线分布在所述ΙΤ0图案的外围，所述外围银浆地线分布在所述多个导电银浆线的外围，其中所述多个导电银浆线通过对银浆块干刻而成，所述银浆块和所述外围银浆地线丝印在所述ΙΤ0导电膜上。
[0011]根据本发明实施例的触摸屏，通过独立丝印出外围银浆地线，可以有效的拉大外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离，可以避免压贴ACF后ACF的边缘与干刻区重叠，从而可以避免因重叠而导致金球、粒子、异物、水汽等使外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路，可以避免触摸屏发生跳点不良现象，同时通过干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线，可以有效解决了窄边框走线空间不足的问题。
【附图说明】
[0012]图1为根据本发明实施例的触摸屏的加工方法的流程图；
[0013]图2为根据本发明实施例的触摸屏的局部示意图；
[0014]图3为传统的触摸屏的示意图；
[0015]图4为传统的触摸屏和FPC板和ACF的分解示意图；
[0016]图5为传统的触摸屏和FPC板和ACF的装配示意图。
[0017]附图标记:
[0018]触摸屏100、
[0019]ΙΤ0导电膜1、IT0图案10、外围银浆地线2、导电银浆线3、FPC4、ACF5。
【具体实施方式】
[0020]下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
[0021]下面首先描述FPC (柔性电路板)热压绑定触摸屏的具体步骤和原理，同时简述传统的触摸屏容易短路的原因。
[0022]FPC4与触摸屏都是单个独体，两个独体通过ACF5 (即异方性导电胶)高温热压绑定，使之相互导通。操作步骤为:ACF5贴附于触摸屏的导电银浆线处，再通过热压设备对准FPC4与触摸屏的导电银浆线，将FPC4绑定到触摸屏上，其主要是通过高温(大于180°C )热压压爆ACF5中的金属粒子，使FPC4与触摸屏的导电银浆线通过金属粒子上下导通。
[0023]如图3所示，图3中的阴影区表示触摸屏100’容易发生短路的区域。结合图3和图5所示，贴附于触摸屏100’的导电银浆线3’上面的ACF5，和最外围的干刻线(如图3中阴影区域所示的线)部分重合在一起，这样就导致经高温高压压爆的ACF5金属离子会在干刻线之间，一般干刻线的宽度为0.06mm,金属粒子粒径常见在5?10 μ m之间，如果该干刻线区域有多个金属粒子聚集或者异物，使干刻线间隙较小，易形成电场。或者在高温高湿(60°C,95% RH)的条件下，易产生水汽，在电场作用下，水汽使地线2’与紧挨的导电银浆线3’之间形成微短路。
[0024]下面参考图1详细描述根据本发明实施例的触摸屏的加工方法。
[0025]根据本发明实施例的触摸屏的加工方法，包括如下步骤:
[0026]S1:在ΙΤ0导电膜上制作出ΙΤ0图案，需要进行说明的是，在该步骤S1中可以采用现有技术中的任何用于制作出ΙΤ0图案的加工方法在ΙΤ0导电膜上加工出ΙΤ0图案。在本发明的具体示例中，在步骤S1中，在ΙΤ0导电膜上丝印蚀刻膏并通过曝光显影工艺制作出ΙΤ0图案，从而降低了加工成本。其中在丝印蚀刻膏之前需将分切后的ΙΤ0导电膜进行缩7jc,以保证ΙΤ0导电膜的干燥性。
[0027]S2:在ITO导电膜的位于ΙΤ0图案的外围的空白区域上同时丝印外围银浆地线和银浆块，外围银浆地线位于银浆块的外侧，换言之，外围银浆地线是独立丝印出来的。其中丝印外围银浆地线和银浆块在工艺上方式都是一样的，并且都是同时进行丝印的，同时丝印指的是采用一张钢网一次在ΙΤ0导电膜上丝印出外围银浆地线和银浆块，丝印出来的外围银浆地线和银浆块分隔开，在丝印完成后，需要对外围银浆地线和银浆块进行烘干，例如可以在132°C，15ΗΖ的条件下进行烘烤。在本发明的一些具体示例中，外围银浆地线和银浆块的厚度为8-12um，外围银浆地线的宽度大于等于0.2mm。
[0028]S3:对银浆块进行干刻，以形成各个独立的导电银浆线，多个独立的导电银浆线与ΙΤ0图案相连。在本发明的具体示例中，在步骤S3中采用激光干刻机对银浆块进行干刻。
[0029]也就是说，根据本发明实施例的外围银浆地线，是独立丝印处来的，导电银浆线是在丝印出来的银浆块上进行干刻而成型的，这样可以有效的拉大外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离。
[0030]根据本发明实施例的触摸屏的加工方法，通过同时丝印出来外围银浆地线和银浆块，并通过干刻银浆块形成多个独立的导电银浆线，从而可以有效的拉大外围银浆地线与距离外围银浆地线最近的导电银浆线两者之间的距离，可以避免压贴ACF后ACF的边缘与干刻区重叠，从而可以避免因重叠而导致金球、粒子、异物、水汽等使外围银浆地线和导电银浆线之间形成微短路，可以避免触摸屏发生跳点不良现