等效实现eeprom的仿真器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及仿真器领域，特别是涉及一种等效实现EEPROM的仿真器。
【背景技术】
[0002]处理器芯片内有用户开发的用户程序，在用户程序的编写和调试中，所使用的工具一般是仿真器。仿真器内使用包含产品处理器芯片各项功能的仿真芯片，用于模拟产品处理器芯片的工作行为，仿真芯片与仿真器其他部件(存放用户程序的程序存储器、存放数据的数据存储器，以及用户电脑上的集成开发环境等)配合实现用户程序的仿真运行和各项调试功能。由于芯片厂商的同一系列芯片产品的存储器特性和大小可能有所不同，同时考虑使用仿真器调试用户程序时主要关注功能调试，不关注存储器的性能，现有的针对同一系列芯片的仿真器通常是同一种仿真器系统，采用SRAM(StaticRandom Access Memory,静态随机存取存储器)来等效替代产品芯片中用作存储器的EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电可擦可编程只读存储器)，需要尽可能做到与真实EEPROM在功能上的等效。同时，由于SRAM的读写寿命一般都远大于EEPR0M，鉴于仿真器经常要下载和读取用户程序、读写数据的特点，在仿真器中使用SRAM等效替代产品芯片的EEPROM可以延长仿真器的使用寿命，同时SRAM读写速度一般要高于EEPR0M，也有助于提高调试效率(程序下载速度、执行速度、数据读写速度等)，因此，现有仿真器中都是以SRAM等效替代产品芯片的EEPROM作为程序存储器和数据存储器的，这种做法是合理的。
[0003]EEPROM具有字节读、写、页擦、页写的功能，且在页写前，必须先做页擦，如果没有完成页擦或没有擦干净(即全页数据为0)，是无法完成页写的。SRAM也具有字节读、写功能，故较容易模拟EEPROM的字节读、写。SRAM也可以采用对一页地址区域全写0和按字节写入一页数据来模拟页擦和页写，但是，由于SRAM不具有页擦特性，也不要求先页擦后页写，即使没有做页擦或擦干净，也能写入。故需要有一种等效实现EEPROM的仿真器，可以使用SRAM等效模拟EEPR0M，且可以模拟出EEPROM在页写前，必须先做页擦，如果没有完成页擦或没有擦干净，无法完成页写的特性。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种等效实现EEPROM的仿真器，使用SRAM替代芯片的EEPR0M，且能模拟等效实现EEPROM在页写前，必须先做页擦，如果没有完成页擦或没有擦干净，无法完成页写的特性。
[0005]为解决上述技术问题，本发明的等效实现EEPROM的仿真器，包括仿真芯片，SRAM存储器，监控模块；
[0006]仿真芯片通过第二标准数据/地址总线向监控模块发出要写的页地址和一页的数据，通过交互信号告知监控模块页写操作；监控模块通过第一标准数据/地址总线从SRAM存储器内读出或写入一页范围的数据，检查读出的一页数据是否是全0，通过交互信号告知仿真芯片不能页写或页写成功；仿真芯片能向用户程序给出页写失败标志或页写成功标志。
[0007]采用本发明的仿真器，在继续使用SRAM替代芯片的非易失性存储器的同时，又模拟等效实现了 EEPROM在页写前，必须先做页擦，如果没有完成页擦或没有擦干净，无法完成页写的特性。保证了仿真器整体的寿命的同时，又较为真实地模拟出EEPROM的操作特性。本发明方便了用户程序的开发、调试和测试，有助于提高代码开发效率。
【附图说明】
[0008]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0009]附图是等效实现EEPROM的仿真器结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]如图所示，所述等效实现EEPROM的仿真器1，包括仿真芯片2，SRAM存储器3，监控模块4。所述SRAM存储器3通过第一标准数据/地址总线5与监控模块4连接，监控模块4通过第二标准数据/地址总线6与仿真芯片2连接，所述监控模块4通过交互信号7与仿真芯片2进行信息传递。
[0011 ] 在做EEPROM页写时，仿真芯片2通过第二标准数据/地址总线6对监控模块4发出要写的页地址和一页的数据，同时通过交互信号7告知监控模块4是页写操作。监控模块4发现是页写操作后，通过第一标准数据/地址5总线先从SRAM存储器3内要写的目标页地址处读出一页的数据，检查该页数据是否是全0，如果不是全0，监控模块4通过交互信号告知仿真芯片2不能页写，仿真芯片2向用户程序给出页写失败标志。如果监控模块4发现是全0，监控模块4通过第一标准数据/地址总线5向SRAM存储器3内目标页地址处写入仿真芯片2传递过来的页数据，并通过交互信号7告知仿真芯片2页写成功。仿真芯片2向用户程序给出页写成功标志。
[0012]以上所述仅为本发明的【具体实施方式】和实施例，本发明保护范围并不局限于此。
【主权项】
1.一种等效实现EEPROM的仿真器，其特征在于:包括仿真芯片，SRAM存储器，监控模块；仿真芯片通过第二标准数据/地址总线向监控模块发出要写的页地址和一页的数据，通过交互信号告知监控模块页写操作；监控模块通过第一标准数据/地址总线从SRAM存储器内读出或写入一页范围的数据，检查读出的一页数据是否是全0，通过交互信号告知仿真芯片不能页写或页写成功；仿真芯片能向用户程序给出页写失败标志或页写成功标志。
【专利摘要】本发明公开了一种等效实现EEPROM的仿真器，包括仿真芯片，SRAM存储器，监控模块；仿真芯片通过第二标准数据/地址总线向监控模块发出要写的页地址和一页的数据，通过交互信号告知监控模块页写操作；监控模块通过第一标准数据/地址总线从SRAM存储器内读出或写入一页范围的数据，检查读出的一页数据是否是全0，通过交互信号告知仿真芯片不能页写或页写成功；仿真芯片能向用户程序给出页写失败标志或页写成功标志。本发明使用SRAM替代芯片的EEPROM，且能模拟等效实现EEPROM在页写前，必须先做页擦，如果没有完成页擦或没有擦干净，无法完成页写的特性。
【IPC分类】G06F11/36, G06F9/44
【公开号】CN105487968
【申请号】CN201410527431
【发明人】许国泰, 王孟, 郭忠元, 李效白, 郁青, 金雁, 王菊
【申请人】上海华虹集成电路有限责任公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年10月9日