微电路与天线集成耦合的电子实体及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种微电路与天线集成禪合的电子实体，具体说是一种双接口电子实 体，即实体一方面具有接触通信模块，另一方面具有容纳该模块的主体，而该主体带有非接 触通信天线。运种实体可W是标准IS07816定义的一类微电路卡。
【背景技术】
[0002] 根据传统方式，具有运种双接口的实体包含两个电磁禪合线圈（或天线），分别位 于天线平面W及模块上；如图1，模块IOA由右边的元件示意，包括微电路11和禪合线圈12 (还有一些连接到外部阅读器的触点，但为了简化故此处未画出）；而主体IOB由左图示意， 带有天线13,通过电容14连接到第二禪合线圈15。微电路与天线之间的连接质量取决于线 圈12与15之间的禪合质量。
[0003] 例如，运种配置在关于微电路的文档US-6,378,774(或其欧洲版本EP-I 031 939) 中有描述。根据传统方式，该文档中的模块由支撑膜构成，其第一面(称作外表面)包括触点 组，第二面(称作内表面)上固定着微电路，微电路穿过支撑膜与触点组相连。该文档中卡的 主体包含一个支撑片，支撑片上制作了天线和禪合线圈，禪合线圈可W在天线之外也可W 在天线之内。卡的主体在支撑片两面由注模成型，其材料在实践中与支撑片相似;如此制作 主体之后，再制作一个空腔用于将模块固定于其中；根据该文档，当模块固定在空腔中之 后，支撑片上制作的禪合线圈的位置要靠近模块上的线圈。根据一种实施方式，支撑片位于 空腔下方，模块所带的禪合线圈就制作在该第二面上；因此两个禪合线圈之间的间距与空 腔的深度为同一个数量级。根据另一实施方式，模块所带的线圈环绕在微电路四周，而空腔 则至少部分地穿过天线的支撑片；因此支撑片中制作的禪合线圈基本处于模块的禪合线圈 的同一深度，但位于其侧面一定距离。
[0004] 根据另一种配置(见文档EP-2 525 304)，天线平面上的禪合线圈可W由天线的一 部分构成，其局部用恰当的方法制作。
[0005] 在实践中有两种制作卡体(更一般性地说，电子实体的主体）的方式，一种方式是 在支撑片上进行复制模型(实践中采用注塑），如前述文档US-6,378,774或EP-I 031 939所 提出的。另一种方式是进行多层层压(见图2所示），即两个补偿层27A、27B，用于补偿由于在 支撑片上制作天线23和禪合线圈25而形成的局部厚度变化;两个核屯、层28A、28B，分别位于 支撑片(或者补偿层）的两侧，并带有卡所需的视觉图案;两个覆盖层29AJ9B，保护其下各 层。
[0006] 在实践中，支撑片26的材料可W是聚对苯二甲酸乙二醇醋(缩写PET)，也可W是聚 氯乙締(PVC)或聚碳酸醋(缩写PC)。运些材料通常坚硬。补偿层27A和/或27B可W用上述材 料之一制作，与核屯、层相同；如果各层都由相同材料制作，那么各层之界面很难辨别。覆盖 层的主要功能是保护其下各层，通常是透明的。
[0007] 现有的各种方案实施起来都很复杂（层数多、注塑复制模型、由于采用传统的沉 积-蚀刻工艺而限制选材、环绕微电路制作线圈，等等），并且不能同时保证禪合线圈之间的 近距离（即有效禪合)和禪合线圈相对配置的可复制性。
[000引为此，可W考查一下如下各项：
[0009] -天线在支撑片上的定位公差通常为0.5mm左右；
[0010] -视觉图案的打印公差通常为0.1至0.2mm左右；
[0011] -各层的叠放公差通常为0.2至0.3mm左右；
[0012] -层压公差通常为0.1至0.2mm左右；
[0013] -冲压(使卡体轮廓成形)公差通常为0.3至0.5mm左右；
[0014] -空腔的机加工公差通常为0.05mm左右；
[0015] -将模块插入空腔中的公差通常为0.05mm左右。
[0016] 因此，可W毫不夸张地得出结论:用均方表示的总公差为毫米数量级。
[0017] 无论电子实体实际上是否有接触型对外通信接口，都会呈现运样的复杂性弊端W 及禪合线圈间距不精确的弊端。
【发明内容】
[0018] 本发明的目的就是克服上述弊端，提出一种电子实体，该电子实体包括由支撑膜 构成的模块和主体;支撑膜的称为内表面的一面上带有微电路和第一禪合线圈；主体具有 空腔，在空腔中固定所述模块;支撑膜的称为外表面的一面至少大致沿着所述主体的称为 上表面的一面伸展;主体还包含天线和第二禪合线圈，第二禪合线圈连接到该天线并用于 通过与第一禪合线圈进行电磁禪合而与微电路禪合;所述第二禪合线圈的厚度至多几个微 米，所述第二禪合线圈所处平面距主体的上表面的距离小于其距主体上表面的对立面的距 离的一半。
[0019] 在本上下文中，微小厚度指的是厚度至多等于10微米，最好至多等于5微米、甚至2 微米，甚至至多等于1微米。
[0020] 尤其适用于微电路卡，例如符合现行标准（即IS07816)的卡，例如IFF、2FF、3FF、或 4FF格式的卡，也适用于其它格式的卡，根据需要选择。
[0021] 模块可W带有触点组，W便能根据现有配置与外部阅读器的触点组进行接触;于 是该实体就是双接口类型的了。
[0022] 天线与第二线圈最好制作在同一平面上。
[0023] 天线和/或第二线圈最好由导电墨水制作。
[0024] 根据一种有益的方式，第一禪合线圈由导电墨水制作；当天线和第二线圈也由运 种墨水制作时，即可大大简化制造工艺。
[0025] 根据一种有益的方式，天线和第二禪合线圈制作在两个核屯、层之间的界面上，位 于界面上面的层的厚度不超过位于界面下面的层的厚度的一半。
[0026] 根据一种有益的方式，天线和第二禪合线圈制作在最接近主体上表面的核屯、层的 上表面，并被掩膜。
[0027] 根据一种有益的方式，主体只包含一个核屯、层。
[0028] 天线和第二禪合线圈最好由不导电墨水掩膜层覆盖。
[0029] 实体最好包括一个中间覆盖层，位于带天线和第二禪合线圈的表面与上覆盖层之 间，该中间覆盖层上制作有装饰性图案。
[0030] 根据一种有益的方式，第一禪合线圈沿主体厚度方向与第二禪合线圈相对。
[0031] 根据一种有益的方式，作为对上一段落的变型，第一禪合线圈沿主体上表面的平 行方向与第二禪合线圈相对。
[0032] 例如，模块的支撑膜在其外表面带有触点组，W便能根据现有配置与外部设备的 触点组进行接触。
[0033] 为了制造上述类型的电子实体，本发明还提出一种方法，包括如下步骤：
[0034] -制作模块，该模块包括支撑膜，支撑膜在一个面(称作内表面)上带有微电路和第 一禪合线圈；
[00巧]-制作至少一个核屯、层；
[0036] -在该核屯、层的表面上制作第二禪合线圈，其厚度至多几个微米；
[0037] -至少将该核屯、层层压在两个覆盖层之间，W便形成主体，该主体具有上表面和下 表面，并使得第二禪合线圈所处的平面距上表面的距离至多等于该平面距该下表面的距离 的一半，该主体包含一个天线，天线连接到该第二线圈；
[0038] -在该主体上制作空腔；
[0039] -将所述模块固定在该空腔中，使得第二线圈能通过电子禪合与第一线圈配合，从 而将天线与微电路禪合。
[0040] 所提到的关于实体的优点可W从该方法中反映出来;尤其，制作模块可W包含制 作触点组，W便形成双接口；同样也适用于主体，W便实体符合现行标准。
[0041] 例如，第二线圈和天线都是通过沉积导电墨水来制作的。
【附图说明】
[0042] 本发明的目的、特征、优点展示于下文中作为说明性、非限制性实例的描述，并参 照如下附图：
[0043] -图1是双接口电子实体的原理图；
[0044] -图2是根据现有技术的电子实体的横剖面图，有7层；
[0045] -图