一种存储介质的擦除中断处理方法
【技术领域】
[0001]本发明实施例涉及存储技术领域，具体涉及一种存储介质的擦除中断处理方法。
【背景技术】
[0002]非易失闪存介质(norflash/nand flash)是一种很常见的存储芯片，兼有随机存储器(Random Access Memory，RAM)和只读存储器(Read Only Memory，ROM)的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。
[0003]Flash芯片是由内部成千上万个存储单元组成的，每个储存单元存储一位数据，多个存储单元构成页，多个页组成块，正是由于该特殊的物理结构，在nor flash/nand flash中是以页为单位进行读写数据，以块为单位进行擦除数据的。
[0004]但是在以块为单位进行擦除的过程中，用户可能会发出中断指令来中断擦除操作，这样在擦除的块中，就会有些存储单元处于过擦除状态，这些单元称为过擦除单元。过擦除单元的存在会导致一些存储单元发生读错误事件，因此有必要设计一种方法来减少读错误事件的发生。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种存储介质的擦除中断处理方法，以减少读错误事件的发生。
[0006]本发明实施例提供了一种存储介质的擦除中断处理方法，该方法包括:
[0007]S1、接收擦除指令，对目标存储单元开始执行擦除操作；
[0008]S2、接收中断指令并对所述存储介质执行下电操作；
[0009]S3、判断中断是否发生在擦除过程中，若是则执行步骤S4，否则结束本次操作；
[0010]S4、对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程。
[0011]优选的，所述接收中断指令并对所述存储介质执行下电操作包括:
[0012]接收中断指令并关闭所述存储介质的参考电路。
[0013]对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程包括:
[0014]如果识别到所述存储介质为norflash时，则对所述目标存储单元执行过擦除校正；
[0015]如果识别到所述存储介质为nandflash时，则对所述目标存储单元执行软编程。
[0016]进一步的，对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程包括:
[0017]改变目标存储单元的阈值电压。
[0018]本发明实施例提供了一种存储介质的擦除中断处理方法，通过判断中断是否发生在擦除过程中，如果是，则对目标存储单元执行过擦除校正或软编程，以减少存储单元的读错误事件的发生。
【附图说明】
[0019]图1是本发明实施例一中的一种存储介质的擦除中断处理方法流程图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
[0021 ] 实施例一
[0022]图1为本发明实施例一提供的一种存储介质的擦除中断处理方法流程图，本实施例可适用于在对存储芯片进行擦除的过程中突然接到中断指令的情况，该方法可以由擦除数据的装置来执行，该装置可以采用硬件和/或软件的形式实现。
[0023]该方法具体如下:
[0024]S1、接收擦除指令，对目标存储单元开始执行擦除操作；
[0025]S2、接收中断指令并对所述存储介质执行下电操作；
[0026]优选的，所述接收中断指令并对所述存储介质执行下电操作包括:
[0027]接收中断指令并关闭所述存储介质的参考电路。
[0028]中断指令是一个优先级很高的指令，当系统正在执行某一操作时，如果接收到中断指令，那么系统会立即停止所述操作，马上响应中断指令，去执行另一操作。例如，在norflash中，当系统正在执行擦除操作时，如果接收到中断指令即66H+99H，则系统将立即停止擦除操作去响应中断指令，那么参与擦除操作的一些参考电路等就没必要继续工作了，可以关闭，即接收中断指令并对所述存储介质执行下电操作。在nand flash中中断指令为FFH0
[0029]S3、判断中断是否发生在擦除过程中，若是则执行步骤S4，否则结束本次操作；
[0030]优选的，判断中断是否发生在擦除过程中，可以是通过设置标志位，当系统正在执行擦除操作时，标志位设置为I，当擦除操作完成后标志位设置为O，如果检测到标志位为I，则执行步骤S4—对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程，否则结束本次操作。
[0031]需要说明的是，擦除操作是把存储单元从O写成I，存储单元的阈值电压降低，由于擦除是以块为单位进行擦除，因此有些存储单元的阈值电压会被拉低到负值，这些阈值电压为负值的存储单元被称为过擦除单元。这些过擦除单元在字线电压为O时，位线上就会有漏电，正是由于漏电的存在，在进行读操作时，就会影响存储单元的读操作，把O误读成1，发生读错误事件。正常的擦除过程会把这些过擦除单元的阈值电压再抬高为正值，但是如果在擦除过程中发生中断，擦除操作会被中止，那么所述漏电就会存在，读错误事件就会发生，所以需要对所述过擦除单元执行过擦除校正或软编程。
[0032]S4、对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程。
[0033]优选的，对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程包括:
[0034]如果识别到所述存储介质为norflash时，则对所述目标存储单元执行过擦除校正；
[0035]如果识别到所述存储介质为nandflash时，则对所述目标存储单元执行软编程。
[0036]进一步的，对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程包括:改变目标存储单元的阈值电压。通过提高存储单元的阈值电压来消除漏电的存在，减少读错误事件的发生。
[0037]本发明实施例提供了一种存储介质的擦除中断处理方法，通过判断中断是否发生在擦除过程中，如果是，则对目标存储单元执行过擦除校正或软编程，通过提高所述存储单元的阈值电压来消除漏电的存在，以减少存储单元的读错误事件的发生。
[0038]注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种存储介质的擦除中断处理方法，其特征在于，包括: 51、接收擦除指令，对目标存储单元开始执行擦除操作； 52、接收中断指令并对所述存储介质执行下电操作； 53、判断中断是否发生在擦除过程中，若是则执行步骤S4，否则结束本次操作； 54、对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接收中断指令并对所述存储介质执行下电操作包括: 接收中断指令并关闭所述存储介质的参考电路。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程包括: 如果识别到所述存储介质为nor flash时，则对所述目标存储单元执行过擦除校正； 如果识别到所述存储介质为nand flash时，则对所述目标存储单元执行软编程。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程包括: 改变目标存储单元的阈值电压。
【专利摘要】本发明公开了一种存储介质的擦除中断处理方法，包括：S1、接收擦除指令，对目标存储单元开始执行擦除操作；S2、接收中断指令并对所述存储介质执行下电操作；S3、判断中断是否发生在擦除过程中，若是则执行步骤S4，否则结束本次操作；S4、对所述目标存储单元执行过擦除校正或软编程。本发明实施例提供了一种存储介质的擦除中断处理方法，通过判断中断是否发生在擦除过程中，如果是，则对目标存储单元执行过擦除校正或软编程，以减少存储单元的读错误事件的发生。
【IPC分类】G06F3/06
【公开号】CN105511803
【申请号】CN201510835180
【发明人】胡洪, 卜尔龙, 张建军, 程莹
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年11月26日