一种具有动态电阻失配调整功能的M-phy驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种驱动电路，特别涉及一种具有动态电阻失配调整功能的M-Phy驱动电路。
【背景技术】
[0002]M-phy是MIPI定义的一种高速通讯的物理层接口电路规范，随着智能终端设备的迅速发展，高速传输接口的需求愈加迫切。M-phy以其高速、低功耗的特点，正成为主流智能终端设备的物理层标准接口。低功耗的Driver部分是M-phy电路的核心技术之一，传统的驱动driver—般利用PMNOS管和NMOS管中串接电阻实现，但这种方法功耗较大。而基于双NMOS管的driver电路可有效地降低功耗。然而现有技术都没有很好的解决均衡模式下，上下NMOS管的Vgs动态变化引起的电阻失配问题，而电阻失配会引起共模电压的不稳定。共模电压抖动除了增加误码率外，还会向空间辐射电磁波，影响移动设备中的射频信号，所以开发具有动态电阻失配调整功能的driver电路显得尤为重要。
【发明内容】
[0003]针对以上缺陷，本发明目的在于如何实现在均衡模式下，动态调整上下匪OS端的电阻值使其匹配，从而实现共模电压的稳定。
[0004]为了解决以上问题本发明提出了一种具有动态电阻失配调整功能的M-phy驱动电路，包括m个主数据驱动模块和η个均衡模块，所述均衡模块采用4个阻值相同的均衡NMOS管结构的电路构成，其特征在于分别在于在均衡模块两个下拉NMOS管分别对地并联具有一定阻值的NMOS管，匹配NMOS管的栅极分别与均衡器控制信号相连。
[0005]所述的具有动态电阻失配调整功能的M-phy驱动电路，其特征在于所述均衡模块由均衡NMOS管Μ0、Μ1、Μ2和M3构成，MO和Ml的漏端与驱动供电DRV_AVDD相连接，MO的源端与M2的漏端相连，Ml的源端与M3的漏端相连，M2和M3的源端接地，MO和M3的栅端接均衡器控制信号dep，Ml和M2的栅端接均衡器控制信号den，匹配NMOS管M9与M2并联，M9的栅端与均衡器控制信号den相连，匹配NMOS管M8与M3并联，M8的栅端与均衡器控制信号dep相连。
[0006]本发明的电路，通过在现有的均衡器的输出端简单的增加电流分流匪OS管，将部分电流分流到地，下拉等效电阻降低，实现上下端电阻的匹配。本发明无需增加额外的复杂电路模块，具有面积小、功耗低、结构简单的特点，可实现共模电平稳定在电源中间。
【附图说明】
[0007]图1是具有动态电阻失配调整功能的M-phy驱动电路电路结构图；
[0008]图2是具有动态电阻失配调整功能的M-phy驱动电路应用拓扑图。
【具体实施方式】
[0009]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0010]图1是具有动态电阻失配调整功能的M-Phy驱动电路电路结构图;M-Phy驱动电路，包括m个主数据驱动模块和η个均衡模块，根据需要对与需要进行均衡处理的主数据驱动模块，配置一个均衡模块，将主数据驱动模块差分数据端口 Txp和Txn与均衡模块的差分数据端口Txp和Txn分别相连接，本发明的特点是为了实现共模电平稳定在电源中间，分别在于在均衡模块下拉NMOS管旁并联了一定阻值的NMOS管，用于舒缓均衡模块上过大的电流所带来的电阻不匹配的影响，匹配NMOS管的栅端分别与均衡器控制信号相连。
[0011]图2是具有动态电阻失配调整功能的M-Phy驱动电路应用拓扑图，D RV_A VDD =
0.4v。当不开启均衡模式时，均衡模块emphasis与主数据驱动模块main模块输入相同的信号，此时等效电阻Μ0 = Μ1=Μ2=Μ9=Μ3 = Μ8 = 50Ω，其中Μ9与M2并联，M3与Μ8并联。假设当均衡器控制信号(1叩=1，(1011 = 0，14的￥88=(￥(1(1-0.3)￥，通过调节宽长比将其阻值设置为50 Ω。那么Txn = 0.3v,Txp = 0.lv，共模电压为0.2ν。在6db均衡模式下，模块分为12组Maindata和4组Emphas is data开启，Vdd为dep和dop等数据的最大峰值。其中dep为dop的均衡模块数据。
[0012]当dep= CKdop = I，_6dB预加重Txn = 0.25v,Txp = 0.15v，对于Ml而言，Vgs= (Vdd-0.15)V，M4 的 Vgs = (Vdd-OJS)Vc3RmKSOQ ,Rm4<50Q。
[0013]当dep = 1、dop = 0，_6dB 预加重 Txn = 0.15v,Txp = 0.25v，对于 M5而言，Vgs= (Vdd-0.25)V，M0的Vgs = (Vdd-O-1S)Vc3RmSGOQ ,Rm0<50Q。
[0014]由于主要是电流增量发生在均衡模块内，综合考虑后，我们只在均衡模块加入了分流NMOS管。den = I时，M9开始工作。同理，den = 0时，M8开始工作。并联NMOS管使得整个下端的匪OS管的电阻降低，实现了与上端电阻的匹配，保证共模电压仍然为200mv范围内。共模电压的稳定可以减少误码率和屏蔽空间辐射的影响。由于只在均衡模块上增加了两个NMOS管，整体电路面积增加很小，功耗也较低。
[0015]以上所揭露的仅为本发明一种实施例而已，当然不能以此来限定本之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于本发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种具有动态电阻失配调整功能的M-Phy驱动电路，包括m个主数据驱动模块和η个均衡模块，所述均衡模块采用4个阻值相同的均衡NMOS管结构的电路构成，其特征在于分别在于在均衡模块两个下拉NMOS管分别对地并联具有一定阻值的NMOS管，匹配NMOS管的栅极分别与均衡器控制信号相连。2.根据权利要求1所述的具有动态电阻失配调整功能的M-phy驱动电路，其特征在于所述均衡模块由均衡匪OS管MO、M1、Μ2和M3构成，MO和Ml的漏端与驱动供电DRV_A VDD相连接，MO的源端与M2的漏端相连，Ml的源端与M3的漏端相连，M2和M3的源端接地，MO和M3的栅端接均衡器控制信号dep，M1和M2的栅端接均衡器控制信号den，匹配NMOS管M9与M2并联，M9的栅端与均衡器控制信号den相连，匹配匪OS管M8与M3并联，M8的栅端与均衡器控制信号dep相连。
【专利摘要】本发明公开了一种具有动态电阻失配调整功能的M-phy驱动电路，包括m个主数据驱动模块和n个均衡模块，所述均衡模块采用4个等效电阻相等的NMOS管做上拉下拉管。其特征在于分别在于在均衡模块两个下拉NMOS管分别对地并联具有一定阻值的NMOS管，匹配NMOS管的栅极分别与均衡器控制信号相连。其原理是，在开启均衡器模式时，均衡模块上拉管由于输出电压的变化，其NMOS管上流过的电流变大。通过并联的N管，将多余的电流流出去。从而减小主数据模块由于输出电压变化引起的等效电阻变化带来的影响，实现上下端电阻的匹配。本发明无需增加复杂电路，具有面积小、功耗低、结构简单的特点，可实现共模电平稳定在电源中间。
【IPC分类】G06F13/40
【公开号】CN105550150
【申请号】CN201511030335
【发明人】张薇薇
【申请人】记忆科技(深圳)有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月31日