电容提取的方法和装置的制造方法

电容提取的方法和装置的制造方法【专利摘要】本发明提供一种方法，包括处理集成电路的布局，以确定集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性。方法还包括从与制造集成电路相关联的工艺文件中提取一个或多个工艺参数。基于包括在工艺文件中的一个或多个逻辑函数，从工艺文件中提取一个或多个工艺参数。计算基于一种或多种属性。方法还包括：基于包括在工艺文件中的一个或多个工艺参数和电容确定规则，计算集成电路的至少两个部件之间的电容值。基于用户输入，可编辑一个或多个工艺参数、一个或多个逻辑函数和电容确定规则中的至少一个。本发明还提供了电容提取的方法和装置。【专利说明】电容提取的方法和装置
技术领域：
[0001]本发明的实施例一般地涉及半导体
技术领域：
，更具体地，涉及半导体器件的制造方法。【
背景技术：
】[0002]半导体器件用于多种电子应用，诸如个人计算机、手机、数码相机、其他电子设备或其他合适的器件。半导体器件包括集成电路(1C)，集成电路包括诸如晶体管、二极管、电阻器、电容器的部件或其他合适的电路部件。例如，一些晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或鳍式场效应晶体管(FinFET)。随着IC复杂性的增加，IC设计者和制造者面临的挑战是生产具有期望功能的1C。【
发明内容】[0003]为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种方法，包括:处理集成电路的布局，以确定所述集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性;从与制造所述集成电路相关联的工艺文件中提取一个或多个工艺参数，其中，基于一个或多个逻辑函数的计算，从所述工艺文件中提取所述一个或多个工艺参数，所述一个或多个逻辑函数中的至少一个包括在所述工艺文件中，并且所述计算基于所述一种或多种属性；以及基于包括在所述工艺文件中的一个或多个工艺参数和电容确定规则，计算所述集成电路的至少两个部件之间的电容值，其中，基于用户输入来编辑所述一个或多个工艺参数、所述一个或多个逻辑函数和所述电容确定规则中的至少一个，并且通过硬件计算机来实施上述步骤中的至少一个。[0004]根据本发明的另一方面，提供了一种生成描述集成电路的网表的方法，所述方法包括:处理集成电路的布局，以确定所述集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性;从与制造所述集成电路相关联的工艺文件中提取第一工艺参数，其中，基于包括在所述工艺文件中的第一逻辑函数的计算，从所述工艺文件中提取所述第一工艺参数，并且所述计算基于所述一种或多种属性;执行具有与制造所述集成电路相关联的第二工艺参数的加密数据文件，其中，所述第二工艺参数是加密的；基于所述第二工艺参数，使用执行的加密数据文件的输出来计算所述集成电路的至少两个部件之间的电容值；以及生成描述所述一个或多个部件之间的一个或多个连接的网表，其中，所述网表包括所述电容值，并且通过硬件计算机来实施上述步骤中的至少一个。[0005]根据本发明的又一方面，提供了一种生成电阻电容技术文件的方法，所述方法包括:处理集成电路的布局，以确定所述集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性;从与制造集成电路相关联的工艺文件中提取第一工艺参数，其中，基于包括在所述工艺文件中的第一逻辑函数的计算，从所述工艺文件中提取所述第一工艺参数，并且所述计算基于所述一种或多种属性;通过用户输入的方式将第二工艺参数添加至所述工艺文件，其中，通过电阻电容工具来读取所述第二工艺参数;执行具有与制造所述集成电路相关联第三工艺参数的加密数据文件，其中，所述第三工艺参数是加密的;基于所述第三工艺参数和所述第一工艺参数，使用执行的加密数据文件的输出来计算所述集成电路的至少两个部件之间的电容值；以及生成所述电阻电容技术文件，其中，所述电阻电容技术文件包括所述第一工艺参数、所述第二工艺参数、所述第三工艺参数和所述电容值，并且通过硬件计算机来实施上述步骤中的至少一个。【附图说明】[0006]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。[0007]图1是根据一个或多个实施例使用可编程电阻电容(RC)技术文件来提取所设计的集成电路(IC)的至少两个部件之间的电容值的方法的流程图。[0008]图2是根据一个或多个实施例的通过用户接口的方式编辑的工艺文件的示图。[0009]图3是根据一些实施例的由计算机通过应用程序接口接收工艺文件的流程图。[0010]图4是根据一些实施例的工艺文件的示图。[0011]图5是根据一些实施例的通过用户接口编辑的工艺文件的示图。[0012]图6是根据一些实施例的用于执行宽度表格(ToW)函数的计算机可用的表格。[0013]图7是根据一些实施例的RC工具可编程接口用于生成RC技术文件的表格的方法的流程图。[0014]图8是根据一些实施例的使用RC技术文件的表格来生成网表的方法的流程图。[0015]图9是根据一些实施例的RC工具可编程接口用于生成RC技术文件的表格的方法的流程图。[0016]图10是根据一些实施例的使用RC技术文件的表格生成网表的方法的流程图。[0017]图11是在其上或通过其实施至少一个实施例的计算机或基于处理器的系统的功能框图。【具体实施方式】[0018]以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述部件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。[0019]通常通过开始于电路功能的软件描述(如，使用诸如C或VHDL的程序语言)的设计工艺来创建集成电路(1C)。然后，软件描述综合到互连的门级硬件元件。接下来，在几何学上设计硬件元件和连接，被表示为在要在半导体晶圆上所制造的各个层上放置几何形状，这通常被称为IC布局。通常通过在半导体晶圆上方沉积许多类型的薄膜材料在半导体晶圆上形成1C。图案化薄膜以形成诸如晶体管、二极管、电阻器、电容器的IC部件，或其他合适的电路部件。通常，几何形状是具有各种尺寸的多边形，代表IC位于半导体晶圆上方的不同层中的导电或非导电部件。然后，IC布局经受设计规则检查(DRC)并且经由布局与原理图(LVS)检查被验证为与期望的设计原理图等效。[0020]随着IC复杂性的增加和物理尺寸变得更小，IC部件相互靠的更近。通常与各个IC部件的相互接近有关的寄生电路元件会影响IC的性能。在DRC和LVS检查之后，通常实施电阻和电容(RC)提取步骤(也称为寄生提取)，以提取布局的电特性。RC提取步骤将布局转变回代表性的电路元件，并且测量布局的多层中的实际形状和间隔，以预测所制造芯片的最终电特性。通常从布局中所提取的电特性包括IC部件以及部件之间的各个互连(其通常被称为“网”)的电容和电阻。该网电连接IC部件。[0021]电子设计自动化(“EDA”)工具通常用于IC设计工艺，以处理(handle)设计的复杂性，并且用于实施DRC、LVS和RC提取。用于RC提取的一些EDA工具或RC提取工具具有精确度和速度的问题。一些EDA工具同样具有处理FinFET设计的困难。RC提取工具通常与RC技术文件协作，以从IC布局中提取RC值。然后，实施布局后仿真以验证电路性能和/或功能。例如，一些布局后仿真对IC部件之间的寄生电容、电感和电阻(如，如IC的互连件所表示的)建模，使得能够精确地评估诸如定时、噪声和稳定性的一些性能问题。布局后仿真的精确度取决于具有精确的RC技术文件。[0022]通常基于从IC代工厂接收的集成电路通用模拟程序(SPICE)模拟文件由EDA工具生成RC技术文件。EDA工具通过场求解器来计算与每一个互连件有关的寄生电容值。场求解器的结果被保存为RC技术文件。[0023]RC技术文件的生成是耗时的。另外，对于IC代工厂来说，不同的客户通常具有稍微不同的互连结构。所以，即使一些互连结构之间的差别极小，IC代工厂也通常致力于每一个互连结构的一种RC技术文件。例如，在利用两个或多个掩模来制造IC的层的多重图案化技术中，一些工艺行为灵敏度(sensitivity)在不同的技术节点中是不同的。有时，通过由颜色A代表的掩模形成的金属图案和通过由颜色B代表的掩模形成的金属图案有时具有不同的金属厚度，该不同的金属厚度对RC模拟具有不同的灵敏度影响。因为为IC代工厂定制RC技术文件，并且单独的RC技术文件专用于每一个互连结构，所以通常针对诸如颜色A和/或颜色B金属厚度的改变的新的工艺效果，生成新的RC技术文件。然而，生成新的RC技术文件所需要的时间拖慢了IC设计工艺以及IC生产周期。[0024]图1是根据一个或多个实施例的使用可编程RC技术文件来提取所设计的IC的至少两个部件之间的电容值的方法100的流程图。[0025]通过诸如基于处理器的系统1100(图11)的至少一个计算机来实施方法100。在一些实施例中，计算机是EDA工具。在一些实施例中，计算机是RC工具。在其他实施例中，计算机通过处理器被配置为执行EDA工具和/或RC工具。[0026]方法100开始于步骤101，其中计算机处理IC布局，以确定一个或多个IC部件的一种或多种属性。例如，这种部件包括晶体管、电容器、电阻器、二极管或IC的其他合适的电部件。IC布局限定IC部件的和/或其子部件(诸如，栅极、阱、扩散区域、氧化区域、电容器、接触件、通孔、钝化开口、隔离区域、互连件和/或其他的器件元件)的具体尺寸。例如，布局通常将IC部件表示为由EDA工具创建的多边形或其他几何形状。通过计算机所处理的IC布局是布局文件。[0027]—种或多种属性包括一个或多个部件中的至少一个部件的布局尺寸。例如，布局尺寸是IC部件的长度、宽度或厚度、两个IC部件之间的距离或间隔、IC部件在晶圆或衬底上的位置或与代表所设计的IC的布局相关联的一些其他合适的尺寸。在一些实施例中，布局尺寸是IC部件的理想测量值、两个IC部件之间的理想距离或IC部件的理想的位置描述。为了便于讨论，在本文中通过符号“_id”来表示布局尺寸。例如，布局宽度在本文中被称为“W_id”。在一些实施例中，通过不同的符号标记来表不布局尺寸。[0028]在一些实施例中，一种或多种属性包括可用于制造一个或多个IC部件的掩模图案。例如，如果IC布局需要使用掩模A和掩模B中的一个或两个掩模，则布局图案或IC布局中的掩模A和掩模B的布置表示为AAA、BBB、ABA、BAB或掩模A和掩模B的一些其他合适的组合。[0029]在步骤103中，计算机从与制造IC相关联的工艺文件中提取一个或多个工艺参数。工艺文件包括信息，诸如与基于IC布局、结构轮廓、限定电容、电感和电阻的电路或器件制造IC相关联的制造工艺；或其他合适的工艺参数信息，诸如制造工艺期间可用的工艺控制参数和工艺属性;或制造IC所需要的任何其他合适的信息。[0030]在一些实施例中，工艺文件还包括一个或多个部件中的至少一个的工艺尺寸。例如，工艺尺寸是基于IC的物理制造的实际尺寸，诸如长度、宽度、厚度或两个IC部件之间的距离或间隔。例如，基于所制造的IC的工艺尺寸是实际硅尺寸或与物理材料相关联的其他尺寸，其中由该物理材料制造一个或多个IC部件。如此，在一些实施例中，一个或多个工艺参数包括诸如长度、宽度、厚度的工艺尺寸或诸如间隔的其他合适的尺寸，或诸如与制造一个或多个部件中的每一个相关联的工艺变化信息的其他合适的工艺参数。[0031]在一些实施例中，工艺参数包括限定工艺尺寸(如，物理制造的IC部件的尺寸)如何不同于对应的布局尺寸的工艺变化信息。例如，基于包括在工艺文件中的工艺变化信息，IC设计者能够理解X的布局尺寸在代工厂是否被制造为X，或者代工厂是否制造尺寸为X+Y的部件，其中Y是由制造工艺引入的变化。当从所设计的IC中提取电容值以在设计工艺中仿真电路性能时，该工艺变化信息是有用的。为了便于讨论，本文中通过符号标记“_si”来表示工艺尺寸。例如，工艺宽度在本文中被称为“W_si”。在一些实施例中，通过不同的符号标记来表示工艺尺寸。[0032]在一些实施例中，基于第一参数提取规则或第二参数提取规则来提取一个或多个工艺参数中的至少一个工艺参数。第一参数提取规则命令计算机使用查找表格确定至少一个工艺参数。第二工艺参数提取规则命令计算机使用工艺参数确定函数来确定至少一个工艺参数。[0033]例如，查找表格包括与给定数据组相匹配的一组可搜索解。例如，工艺参数确定函数使用给定值作为输入来计算输出。例如，给定值是通过计算机通过IC布局所确定的IC中一个或多个电路部件的属性。[0034]在一些实施例中，给定值基于用户输入。在一些实施例中，基于一个或多个逻辑函数，从工艺文件中提取一个或多个工艺参数。一个或多个逻辑函数中的至少一个包括在工艺文件中。在一些实施例中，计算基于IC中的一个或多个部件的一种或多种属性的至少一种。例如，用于确定工艺宽度W_si的一些示例性逻辑函数包括:[0035]Foff=ifwidthinreg1nl,thenff_si=Foff_l,elseFoff_2[0036]Foff_l=ifinx_direct1n,thenff_id+dff_sil,elseff_id,[0037]wheredff_sil=widthbiastable.[0038]在上述示例性逻辑函数中，FoW是可用于确定两个示例性逻辑函数FoW_l和FoW_2中的哪一个可被计算机用于确定电路部件的工艺宽度W_si的宽度函数的逻辑函数。在上述示例性逻辑函数中，为了确定讨论中的电路部件的工艺宽度W_si，计算机确定电路部件或至少电路部件的宽度是否在IC的第一区域(区域I)中。例如，区域I是半导体衬底的至少两个区域中的一个，其中，IC布置在该半导体衬底上方。如果电路部件的宽度在该区域I中，则计算机使用逻辑函数FoW_l来确定工艺宽度胃_^。在该实例中，如果计算机确定部件宽度不在区域I中，则计算机使用不同的逻辑函数FoW_2(未示出其具体细节)来确定工艺宽度评_Si。如果计算机确定:逻辑函数FoW_l可用于基于部件宽度在区域I中的判定，确定工艺宽度W_si，则计算机确定部件宽度是否在X方向上延伸。如果确定部件宽度在X方向上延伸，则计算机基于布局宽度W_id和从与用于制造电路部件的工艺相关联的查找表格中所查询到的工艺变量值dW_siI，来计算部件的工艺宽度胃_^。在该实例中，查找表格包括预定值，该预定值是如果电路部件宽度在IC的第一区域(区域I)中而被添加至布局宽度胃」(1的工艺变量。如果计算机确定部件宽度在与X方向不同的方向上延伸，则计算机确定工艺宽度W_si等于布局宽度W_id。[0039]在一些实施例中，工艺文件包括使用布局尺寸的指令，以用于提取一个或多个工艺参数中的至少一个或用于计算IC中的至少两个部件之间的电容值。如果工艺文件包括工艺尺寸，则工艺文件也包括使用工艺尺寸的指令，以用于提取一个或多个工艺参数中的至少一个或用于计算电容值。在一些实施例中，使用工艺尺寸的指令选择性地可用于替换使用布局尺寸的指令。例如，基于通过与计算机相关联的用户接口的方式接收的用户输入，选择工艺尺寸或布局尺寸，以用于计算电容值。[0040]在一些实施例中，基于工艺变化信息和布局尺寸来计算工艺尺寸。在一些实施例中，如果工艺尺寸与对应的布局尺寸不同，则使用工艺尺寸来计算电容值。[0041]在步骤105中，计算机确定工艺文件是否包括至少一个工艺参数、逻辑函数、指令、规则、表格，或者电容值的索引是否是加密格式的。如果不是，则工艺继续进行至步骤107。如果是，则工艺继续进行至步骤109。[0042]在步骤107中，计算机基于包括在工艺文件中的工艺参数和电容确定规则，来计算IC中的至少两个部件之间的电容值。在一些实施例中，工艺文件包括电容确定函数和电容值的索引。用于确定电容值的电容确定规则是第一电容确定规则和第二电容确定规则中的一个。第一电容确定规则命令计算机使用电容确定函数来计算电容值。第二电容确定规则命令计算机基于电容值的索引来计算电容值。在一些实施例中，基于包括在工艺文件中的一个或多个逻辑函数的计算来应用第一电容确定规则或第二电容确定规则。例如，电容值的索引包括与给定数据组相匹配的一组可搜索解。例如，工艺参数确定函数使用给定值作为输入来计算输出。[0043]在一些实施例中，为了确定用于搜索电容值的索引的给定数据组，计算机将掩模图案与具有电容值的索引中的指定的电容值的掩模图案进行匹配。可选地，计算机将基于布局文件或工艺文件的部件的布局或工艺尺寸与存储在电容值的索引中的类似部件的布局或工艺尺寸进行比较，以查找用于该给定数据组的可用尺寸。如果查找到类似的部件，则计算机可使用类似的部件的布局或工艺尺寸来确定IC中的部件的预计算的电容值。[0044]在一些实施例中，用于确定电容值的电容确定规则命令计算机来应用电容确定方法，诸如一维(1D)方法、二维(2D)方法、三维(3D)方法、准三维(2.5D)方法或其他合适的方法。ID电容确定方法基于在单一方向(如，长度方向)上的线性关系式来计算电容。2D电容确定方法基于部件的平面区域来计算电容，其中该方法是比ID方法更精确的几何模拟技术和数字技术。2D方法忽略三维细节并且假定部件的几何尺寸在一个维度上是统一的。2.5D电容提取方法基于2D扫描方法。在2.5D方法中，沿着扫描方向将三维结构切割为2D滑块(slide)。一旦形成2D截面，就确定每一个截面上的2D电容。然后，基于2D截面电容信息来构造对应的2.5D或准3D电容。3D电容确定方法基于积分方程式或微分方程式，例如，使用根据从布局文件或工艺文件中提取的属性来描述IC的完整的三维几何信息。[0045]工艺参数、逻辑函数和电容确定规则中的一个或多个包括计算机可读的计算机代码和/或通过计算机所执行的RC工具。在一些实施例中，计算机外部的RC工具可以读取计算机代码。在一些实施例中，计算机可读代码包括:+、_、*、/、'入中的一个或多个;诸如“IF”、“THEN”、“ELSEIF”、“AND”、“OR”的逻辑操作；或其他合适的运算符或逻辑操作。基于通过与计算机相关联的用户接口的方式所接收的用户输入，可以选择性地编辑一个或多个工艺参数、一个或多个逻辑函数和电容确定规则中的至少一个。例如，用户与用户接口交互以通过编辑计算机可读代码的方式编辑工艺参数、逻辑函数和电容确定规则中的一个或多个，使得基于IC布局和/或可编程的工艺文件来生成工艺文件和/或RC技术文件。[0046]如果在步骤105中，计算机确定工艺参数、逻辑函数、指令、规则、电容值的表格或索引中的至少一个是加密格式的，则方法100在步骤107之前进行至步骤109。在一些实施例中，用于计算电容值的工艺参数、逻辑函数、指令和规则中的至少一个在用户定义的文件中是加密格式的。在一些实施例中，用户定义的文件是可执行的文件，并且当由计算机执行时，输出工艺参数、逻辑函数、指令、规则或计算机可以使用的一些其他的输出结果，以提取工艺参数、计算电容值或生成网表。在一些实施例中，用户定义的文件包括加密格式的电容值的索引，并且从加密的电容值的索引中提取计算的电容值。在一些实施例中，计算机基于包括在用户定义的文件中的工艺参数、逻辑函数、指令和/或规则来生成电容值的索引。[0047]在步骤109中，计算机基于至少一个加密的工艺参数和可执行的文件的输出结果来生成电容值的索引。因此，基于包括在用户定义的文件中的电容值的索引，步骤107中用来确定电容值的电容确定规则命令计算机计算电容值。在一些实施例中，如果电容值的索引仍然保持加密格式并且基于可执行的文件的输出结果来计算电容值，则基于电容确定函数来计算电容值。[0048]在一些实施例中，用于提取一个或多个工艺参数中的至少一个的至少一个逻辑函数是加密格式的。例如，如果一个或多个工艺参数或一个或多个逻辑函数是加密格式的，则IC设计者能够保持特定工艺或IC设计信息对IC代工厂保密。可选地包括在用户定义的文件中的一些示例性逻辑函数包括密度函数FoD的逻辑函数、厚度函数FoT的逻辑函数、厚度表格ToT的逻辑函数，其命令计算机使用查找表格，以用于确定ToT函数或其他合适的逻辑函数的输出。[0049]—些示例性FoD逻辑函数包括:[0050]全局绘制密度:FoD_GiD=D_id[0051]全局娃密度:FoD_Gsi=D_id*(l+dW_sil+dff_siI'2)[0052]局部绘制密度:FoD_Lid=W_id/(W_id+S_id)[0053]局部硅密度$00_1^1=￥_81/(￥_1(1+5_1(1)[0054]一些FoT逻辑函数包括:[0055]全局绘制密度:FoD_GiD=D_id[0056]全局娃密度:FoD_Gsi=D_id*(l+dW_sil+dff_siI'2)[0057]局部绘制密度:FoD_Lid=W_id/(W_id+S_id)[0058]局部硅密度$00_1^1=￥_81/(￥_1(1+5_1(1)[0059]一些ToT逻辑函数包括:[0060]全局绘制密度:FoD_GiD=D_id[0061]全局娃密度:FoD_Gsi=D_id*(l+dW_sil+dff_siI'2)[0062]局部绘制密度:FoD_Lid=W_id/(W_id+S_id)[0063]局部硅密度$00_1^1=￥_81/(￥_1(1+5_1(1)[0064]在一些实施例中，被认为包括在工艺文件或用户定义的文件中的上述示例性逻辑函数中的一个或多个包括在非加密格式的工艺文件中。在一些实施例中，被认为包括在工艺文件或用户定义的文件中的上述示例性逻辑函数中的一个或多个包括在加密格式的用户定义的文件中。在一些实施例中，作为默认函数或基于用户输入，工艺文件和用户定义的文件中的一个或多个包括不同的逻辑函数，其包括在工艺文件中或者包括在用户定义的文件中。例如，在一些实施例中，不同的工艺参数是IC设计者的兴趣，所IC设计者修改工艺文件以包括计算机可读逻辑函数，该计算机可读逻辑函数用于基于部件的工艺宽度、部件的位置、用于制作部件的掩模图案和蚀刻深度来确定IC部件的厚度。如此，只要RC工具能够读取和处理所写的逻辑函数，包括在工艺文件中的逻辑函数、规则和指令就能够采取任何形式，获得任何期望的结果并且基于任何输入值以得到期望的结果。[0065]在步骤111中，基于从IC布局中提取的一种或多种属性和/或从工艺参数中提取的一个或多个工艺参数，计算机生成RC技术文件。因为通过用户输入可以选择性地编辑工艺参数、逻辑函数和电容确定规则中的一个或多个，所以生成的RC技术文件是可编程的RC技术文件。生成的RC技术文件包括一个或多个工艺参数中的一个或多个工艺参数或计算的电容值。[0066]在步骤113中，计算机生成描述集成电路中的至少两个部件之间的一个或多个连接的网表。生成的网表包括电容值。在一些实施例中，包括在网表中的电容值基于生成的RC技术文件。在一些实施例中，基于在步骤111中生成的RC技术文件来生成另一IC中部件的网表。除了其他的RC技术文件，在步骤111中生成的RC技术文件选择性地存储在与计算机相关联的存储器中。然后从存储的RC技术文件中提取将要包括在步骤113中生成的网表中的电容值，以用于网表中的含有物。[0067]在一些实施例中，将计算机配置为基于在步骤113中生成的网表来生成可用于形成掩模或用于制造IC的指令。[0068]通过提供修改工艺文件的功能，基于工艺文件所生成的RC技术文件是可编程的。因此，可编程的RC技术文件更容易适应于计算IC设计中的改变和/或通过代工厂传递至IC设计者的工艺的改变。这反而加速了RC技术文件的生成，加快了IC设计的进展和生产周期。[0069]图2是根据一个或多个实施例的通过与计算机相关联的用户接口的方式将工艺文件201a编辑成为工艺文件201b的示图。[0070]通过诸如基于处理器的系统1100(图11)的计算机的方式可以编辑工艺文件201a。在一些实施例中，计算机是EDA工具。在一些实施例中，计算机是RC工具。在其他的实施例中，通过处理器的方式，将计算机配置为执行EDA工具和/或RC工具。[0071]工艺文件201a包括一组逻辑函数202a，该组逻辑函数包括可用于确定IC部件的工艺参数的逻辑函数203a至203d。逻辑函数203a至203d中的每一个都与工艺参数提取规则205a至205d相关联。[0072]在该实例中，确定的工艺参数是IC中的部件的厚度。如此，包括在一组逻辑函数202a中的逻辑函数包括厚度函数(FoT)工艺参数提取规则。例如，FoT_AAA是与基于掩模图案“AAA”来确定部件的厚度相关的工艺参数提取规则。类似地，工艺文件201a选择性地包括一个或多个其他的逻辑函数或逻辑函数组，其涉及通过宽度函数(FoW)工艺参数提取规则来确定诸如部件的宽度的其他的工艺参数。例如，FoW_AAA是与基于掩模图案“AAA”来确定部件的宽度相关的工艺参数提取规则。在一些实施例中，工艺文件201a包括:一个或多个逻辑函数，其用于确定其他的工艺参数，诸如长度、厚度、密度、位置或用于制造IC中的一个或多个部件的其他合适的参数。在一些实施例中，使用一个或多个逻辑函数，将一个或多个确定的工艺参数用于确定其他的工艺参数。例如，一些工艺文件201a被配置为:使用诸如厚度的确定的工艺参数，以利用一个或多个其他逻辑函数来确定其他的工艺参数。[0073]逻辑函数203a至203d是基于从IC布局中提取的确定的掩模图案属性而进行计算的if/then语句。例如，如果用于制造所设计的IC的掩模图案被确定为“AAA”，则通过计算机处理逻辑函数203a获得:工艺参数提取规则205a(如，FoT_AAA)用于确定IC部件的厚度。[0074]在该实例中，工艺文件201a包括指令207a和207b，该指令命令计算机使用用于确定厚度的布局尺寸(如，W_id)还是工艺尺寸(如，W_si)。在工艺文件201a中，布局尺寸W_id和0_1(1等于工艺尺寸W_s0PD_si。因此，指令207a和207b命令计算机使用布局尺寸W_id和D_id来确定IC部件的厚度。[0075]FoT_AAA是工艺参数提取规则，该工艺参数提取规则命令计算机使用工艺参数确定函数209和布局参数」d的索引来确定IC部件的厚度。例如，布局尺寸的索引是包括厚度值的可搜索表格，该厚度值与工艺参数确定函数209的输出以及布局尺寸W_ic^PD_id相对应。即，计算机通过使用工艺参数确定函数209的输出以及布局尺寸W_ic^PD_id作为搜索条件来确定IC部件的厚度。在一些实施例中，例如，基于使用从IC布局中提取的属性和布局尺lW_ic^PD_id的运算法则，将工艺参数提取规则FoT_AAA用于计算IC部件的厚度。在一些实施例中，工艺参数提取规则FoT_AAA的输出基于布局尺寸W_id和D_id，并且工艺参数提取规则FoT_AAA的输出用于搜索布局尺寸W_ic^PD_id的索引，以确定IC部件的厚度。[0076]在该实例中，工艺文件201b包括在工艺文件201a中所包含的所有特征，诸如包括逻辑函数203e至203h、工艺参数提取规则205e至205h以及指令207c和207d的一组逻辑函数202b。工艺文件201b与工艺文件201a的不同之处在于:将工艺参数提取规则205e至205h编辑为基于表格的而不是基于函数的。如此，在一组逻辑函数202b中所包括的逻辑函数包括厚度表格(ToT)工艺参数提取规则。例如，ToT_AAA是与基于掩模图案“AAA”确定部件的厚度相关的工艺参数提取规则。类似地，工艺文件201b选择性地包括一个或多个其他的逻辑函数或逻辑函数组，其涉及通过宽度表格(ToW)工艺参数提取规则来确定诸如部件的宽度的其他的工艺参数。例如，ToW_AAA是与基于掩模图案“AAA”确定部件的宽度相关的工艺参数提取规则。[0077]在工艺文件201b中，使用掩模图案AAA和布局尺寸W_ic^PD_id作为搜索条件，工艺参数提取规则205e命令计算机使用查找表格来确定IC部件的厚度，该查找表格使掩模图案AAA与布局尺寸W_ic^PD_id相匹配。在一些实施例中，一些工艺文件201b被配置为:利用一个或多个其他的查找表格，使用诸如厚度的工艺参数来确定其他的工艺参数。[0078]在一些实施例中，例如，如果使用布局尺寸的指令207a和207b命令计算机使用工艺尺寸￥_^和0_81，则工艺参数提取规则205a至205h将使用工艺尺i_si的索引代替布局尺寸_id。[0079]根据各个实施例，通过与计算机相关联的用户接口的方式可编辑一个或多个逻辑函数203a至203h或其他的逻辑函数。在一些实施例中，通过与计算机相关联的用户接口的方式可以编辑一个或多个工艺参数提取规则205a至205h或其他的工艺参数提取规则。在一些实施例中，通过与计算机相关联的用户接口的方式可编辑使用布局尺寸」d或工艺尺寸_Si的一个或多个指令207a至207d。在一些实施例中，通过与计算机相关联的用户接口的方式可编辑一个或多个工艺参数确定函数209或其他的工艺参数确定函数。工艺文件201a或201b可以包括能够被用户编辑的任何数量的默认逻辑函数、工艺参数提取规则、指令或其他的计算机可读代码。类似地，在一些实施例中，工艺文件201a或201b包括FoT逻辑函数和ToT逻辑函数的组合。[0080]图3是根据一个或多个实施例的示出通过EDA应用程序接口(API)303的方式由诸如基于处理器的系统1100(图11)的计算机接收工艺文件301a或工艺文件301b的流程图。处理接收的工艺文件301a或301b以生成包括IC中的至少两个部件306a与306b之间的电容值C’的RC技术文件305。[0081]在该示例性实施例中，工艺文件301a包括一组逻辑函数307a，与工艺文件201a(图2)的工艺参数提取规则205a至205d(图2)类似地，该一组逻辑函数包括基于函数的工艺参数提取规则309a至309η。将包括在一组逻辑函数307a中的逻辑函数和工艺参数提取规则309a至309η用于基于第一确定的工艺参数确定一个或多个工艺参数，诸如，基于确定的掩模颜色图案而确定的厚度。[0082]工艺文件301b包括一组逻辑函数307b，与工艺文件201b(图2)的工艺参数提取规则205e至205h(图2)类似地，该一组逻辑函数包括基于表格的工艺参数提取规则309w至309z。将包括在一组逻辑函数307b中的逻辑函数和工艺参数提取规则309w至309z用于基于第一确定的工艺参数确定一个或多个工艺参数，诸如IC部件的确定的厚度。[0083]例如，使用工艺文件201a(图2)来确定导体Mll的厚度，并且厚度基于确定的掩模图案AAA(见图2)，然后基于确定的厚度，使用包括在工艺文件301a中的工艺参数提取规则309a至309η(其可以通过用户输入来选择性地编辑)来确定诸如密度、宽度或基于多项式的厚度变量的其他的工艺参数。可选地，如果使用工艺文件201b(图2)来确定导体Mll的厚度，并且该厚度基于确定的掩模图案AAA(见图2)，则基于确定的厚度，使用包括在工艺文件301b中的工艺参数提取规则309w至309z(其可以通过用户输入来选择性地编辑)来确定诸如密度、宽度或基于表格的厚度变量的其他的工艺参数。[0084]EDAAPI303被配置为接收工艺文件301a和/或201a(图2)或工艺文件301b和/或201b(图2)，并且使用包括在该接收的工艺文件中的逻辑函数、工艺参数提取规则、工艺参数和指令，以确定一个或多个工艺参数并且最终计算IC部件306a与306b之间的电容值C’。[0085]基于接收的工艺文件的处理，EDAAPI303生成RC技术文件305JC技术文件305至少包括IC的部件306a与306b之间的计算的电容值C’。在一些实施例中，RC技术文件305附加地包括一个或多个工艺参数，诸如IC的部件306a和306b的确定的宽度或确定的厚度。在该实例中，至少一些确定的工艺参数基于IC部件的确定的厚度，该厚度基于从IC布局中所提取的确定掩模图案。如此，电容C’基于IC部件的确定的厚度，该厚度基于确定的掩模图案。例如，如果使用掩模图案AAA来形成部件，则使用FoT_AAA或ToT_AAA来计算部件的厚度，并且使用确定的部件厚度来计算电容C’。[0086]图4是根据一个或多个实施例的工艺文件401的示图。工艺文件401包括一组逻辑函数402a，该一组逻辑函数包括用于确定IC部件的工艺参数的逻辑函数403a至430d。逻辑函数403a至403d中的每一个都与工艺参数提取规则405a至405d相关联。在该实例中，基于确定的掩模图案，可以将逻辑函数403a至403d用于确定IC部件的宽度。在该实例中，工艺参数提取规则405a至405d是与工艺参数提取规则205a至205d(图2)类似的基于函数的规则。在该实例中，工艺参数提取规则405b包括子规则405ba和405bb，其获得不同指令集合407aa/407ba和407ab/407bb，以用于使用布局尺寸_id或工艺尺寸_si。[0087]例如，如果计算机确定掩模图案为“ΑΒΑ”，则逻辑函数403b获得:工艺参数提取规则405b应该被用于确定IC部件的宽度。然后，计算机确定如果部件在IC的第一区域I中，则命令进入工艺参数提取规则FoW_ABA(即，工艺参数提取规则405b，通过参考标号409指示其具体细节)。如果从IC布局中提取的属性指示部件在区域I中，则子规则405ba用于确定部件的宽度。如果从IC布局中确定的属性指示部件不在区域I中，则子规则405bb用于确定部件的宽度。[0088]如果子规则405ba用于确定部件的宽度，则指令407aa指示工艺宽度W_si和布局宽度￥_丨(1相等，并且指令407ba指示工艺间隔S_si和布局间隔S_id不同。如此，指令407aa和407ba命令计算机在用于确定其他的工艺参数或电容值的随后的操作中使用工艺尺i_Si。可选地，指令407ab和407bb命令计算机基于间隔5_&与5_丨(1之间的差值来修改布局尺寸_id，并且计算机在随后的操作中使用布局尺寸」d。[0089]如果子规则405bb用于确定部件的宽度，则指令407ab和407bb指示工艺宽度W_si和布局宽度W_id相等，并且工艺间隔3_8丨和布局间隔S_id相等。如此，指令407ab和407bb命令计算机在随后的操作中使用布局尺寸」d。[0090]基于用户输入，可以编辑一个或多个逻辑函数403a至403d、工艺参数提取规则405a至405d、子规则405aa至405ab、指令407aa至407ab或诸如工艺尺寸_8i的工艺参数。例如，如果改变IC设计，并且基于设计改变存在工艺变量，则选择性地编辑工艺尺寸_si与布局尺寸」d之间的关系以提高布局尺寸」d与工艺尺寸_si之间的相关性，以用于增大电容值确定或其他的工艺参数确定的精确度。在一些实施例中，将工艺文件401编辑为包括诸如关于工艺文件201b(图2)所讨论的基于表格的逻辑函数，或工艺文件401包括作为默认函数的基于表格的逻辑函数。[0091]在一些实施例中，基于根据IC部件确定的宽度而确定的一个或多个工艺参数来计算电容值C’(图3)。例如，如果掩模颜色图案为ABA并且确定部件在区域I中，则通过FoW_ABA_1或ToW_ABA_l(即，用于确定部件的宽度的基于表格的函数)来计算部件厚。如此，在该实例中，如果诸如RC技术文件305(图3)的RC技术文件包括基于确定的宽度的电容值C’，则使用部件宽度W_aba_l来计算电容值C’。[0092]图5是根据一个或多个实施例的将工艺文件501a编辑成为工艺文件501b的示图。[0093]通过诸如基于处理器的系统1100(图11)的计算机的方式来编辑工艺文件501a。在一些实施例中，计算机是EDA工具。在一些实施例中，计算机是RC工具。在其他实施例中，通过处理器的方式，将计算机配置为执行EDA工具和/或RC工具。[0094]工艺文件501a包括逻辑函数503a，其是被计算机用来确定IC部件的宽度和IC的两个部件之间的间隔的宽度函数FoW逻辑函数。工艺文件501a是默认工艺文件。如果改变IC的设计规范，则通过用户输入的方式将工艺文件501a选择性地编辑为包括考虑IC中是否存在特定层的逻辑函数。例如，工艺文件501b包括提供工艺参数确定规则505的逻辑函数503b，计算机使用该工艺参数确定规则来比较是否存在该层，并且基于比较结果，使用指令集合507aa/507ba或指令集合507ab/507bb来确定宽度和间隔。例如，如果存在相邻的层，则计算机在随后的操作中使用的宽度是W_id并且计算机在随后的操作中使用的间隔是预定的间如果不存在相邻的层，则宽度是布局宽度W_id并且间隔是布局间隔5_丨(1。在一些实施例中，编辑的逻辑函数503b包括指定在X方向和Y方向中的一个方向上应用间隔S_Neighbor_Layer_id的指令。[0095]在一些实施例中，替换宽度函数FoW函数，工艺文件501b包括宽度表格ToW函数，诸如ToW(Neighbor_Layer=PO),计算机使用该函数在表格中搜索计算机在随后的操作中使用的一个或多个宽度、间隔、或蚀刻值。[0096]图6是根据一个或多个实施例的如果确定存在相邻层则通过执行宽度表格ToW函数的计算机使用表格601。可以被诸如基于处理器的系统1100(图11)的计算机使用表格601ο表格601包括宽度值、间隔值和蚀刻值。基于使用宽度值、间隔值和蚀刻值V中的两个来搜索表格601，计算机使用包括在工艺文件(诸如工艺文件501b)(图5)中的一个或多个逻辑函数，以确定宽度值、间隔值或蚀刻值V。例如，蚀刻值V是工艺参数，诸如IC的层中的蚀刻深度，或与用于制造IC的蚀刻工艺相关联的时间。[0097]图7是根据一个或多个实施例的通过计算机执行的方法700的流程图，其中RC工具可编程接口711用于生成RC技术文件713的表格。[0098]通过诸如基于处理器的系统1100(图11)的计算机来实施方法700。在一些实施例中，计算机是EDA工具。在一些实施例中，计算机是RC工具。在其他实施例中，通过处理器的方式，将计算机配置为执行EDA工具和/或RC工具。[0099]RC工具可编程接口711与计算机相关联。RC工具可编程接口711被配置为接收用户输入，以编辑和/或完成通过RC工具可编程接口711所接收的工艺文件715a，并且生成完成的工艺文件715b。如此，在步骤S701中，基于通过与计算机相关联的用户接口的方式所接收的用户输入，RC工具可编程接口711生成完成的工艺文件715b。工艺文件715a与工艺文件201a(图2)类似。[0100]在步骤S703中，然后，基于包括在完成的工艺文件715b中的逻辑函数、规则和指令，计算机生成RC技术文件717AC技术文件717与RC技术文件305(图3)类似。[0101]计算机生成多个RC技术文件717，每一个RC技术文件都包括电容值，以用于布局尺寸、工艺尺寸、工艺参数和/或包括在工艺文件715a或完成的工艺文件715b中限定的索引中的诸如掩模图案的其他的部件属性的各个组合。多个RC技术文件717中的RC技术文件717存储在RC技术文件713的表格中。在一些实施例中，在随后的工艺中，通过计算机来提取包括在RC技术文件717中的电容值。[0102]在一些实施例中，一个或多个RC技术文件包括电容值，该电容值基于IC布局、工艺文件715a中提供的或通过用户输入的方式提供给RC工具可编程接口711的一种或多种属性或工艺参数。[0103]图8是根据一个或多个实施例的通过计算机执行的使用RC技术文件811的表格生成网表的方法800的流程图。RC技术文件811的表格与图7中生成的RC技术文件713的表格类似。[0104]通过诸如基于处理器的系统1100(图11)的计算机来实施方法800。在一些实施例中，计算机是EDA工具。在一些实施例中，计算机是RC工具。在其他的实施例中，通过处理器的方式，将计算机配置为执行EDA工具和/或RC工具。[0105]在步骤S801中，计算机处理IC布局文件813，以确定IC的部件817和819的一种或多种属性815。处理布局文件813获得属性815，该属性包括部件817的布局宽度wl、部件819的布局宽度w2和部件817与部件819之间的间隔S。[0106]在步骤S803中，计算机执行RC工具可编程接口821来处理完成的工艺文件823，以基于包括在完成的工艺文件823中的逻辑函数、规则和指令，确定包括部件817的工艺宽度wl’、部件819的工艺宽度w2’和部件817与部件819之间的工艺间隔S’的一个或多个工艺参数825。完成的工艺文件823与图7中生成的完成的工艺文件715b类似。[0107]在步骤S805中，基于工艺参数825，通过使用工艺参数825作为搜索条件，计算机搜索RC技术文件811的表格，以从RC技术文件811的表格中提取对应的电容值。[0108]在步骤S807中，计算机生成描述部件817与部件819之间的一个或多个连接的网表827并且包括提取的电容值。[0109]在一些实施例中，基于在步骤S807中生成的网表827，计算机被配置为生成可用于形成掩模或用于制造IC的指令。[0110]图9是根据一个或多个实施例的通过计算机执行的方法900的流程图，其中RC工具可编程接口911用于生成RC技术文件913的表格。[0111]通过诸如基于处理器的系统1100(图11)的计算机来执行方法900。在一些实施例中，计算机是EDA工具。在一些实施例中，计算机是RC工具。在其他的实施例中，通过处理器的方式，将计算机配置为执行EDA工具和/或RC工具。[0112]RC工具可编程接口911与图7中讨论的RC工具可编程接口711类似。RC工具可编程接口911被配置为接收用户输入，以编辑和/或完成通过RC工具可编程接口911接收的工艺文件915aa。在一些实施例中，RC工具可编程接口911被配置为接收和解密或执行用户定义的文件，该用户定义的文件包括加密格式的一个或多个工艺参数、逻辑函数或指令。在一些实施例中，RC工具可编程接口911被配置为基于工艺文件915aa和用户定义的文件915ab生成完成的工艺文件915b。如此，在步骤901中，基于通过与计算机相关联的用户接口的方式接收的用户输入并且基于用户定义的文件915ab的输出，RC工具可编程接口911生成完成的工艺文件915b。工艺文件915aa与工艺文件201a(图2)类似。[0113]在步骤S903中，然后，基于包括在完成的工艺文件915b中的工艺参数、逻辑函数、规则和指令，计算机生成RC技术文件917AC技术文件917与RC技术文件305(图3)类似。[0114]计算机生成多个RC技术文件917，每一个RC技术文件都包括电容值，该电容值用于布局尺寸、工艺尺寸、工艺参数和/或包括在工艺文件915aa、用户定义的文件915ab或完成的工艺文件915b中限定的索引中的诸如掩模图案的其他的部件属性的各个组合。多个RC技术文件917中的RC技术文件917存储在RC技术文件913的表格中。在一些实施例中，在随后的工艺中，通过计算机来提取包括在RC技术文件917中的电容值。[0115]在一些实施例中，一个或多个RC技术文件917包括电容值，该电容值基于IC布局、工艺文件915aa、用户定义的文件915ab中提供的或通过用户输入的方式提供给RC工具可编程接口911的一种或多种属性或工艺参数。[0116]图10是根据一个或多个实施例的通过计算机执行的使用RC技术文件1011的表格生成网表的方法1000的流程图。[0117]通过诸如基于处理器的系统1100(图11)的计算机来实施方法1000。在一些实施例中，计算机是EDA工具。在一些实施例中，计算机是RC工具。在其他的实施例中，通过处理器的方式，将计算机配置为执行EDA工具和/或RC工具。RC技术文件1011的表格与图9中生成的RC技术文件913的表格类似。[0118]在步骤S1001中，计算机处理IC的布局文件1013，以确定IC的部件1017和1019的一种或多种属性1015。处理布局文件1013获得包括部件1017的布局宽度wl、部件1019的布局宽度w2和部件1017与部件1019之间的间隔S的属性1015。[0119]在步骤S1003中，计算机执行RC工具可编程接口1021，以解密或执行包括加密格式的一个或多个工艺参数、逻辑函数或指令的用户定义的文件1023a，并且基于用户定义的文件1023a的输出来修改完成的工艺文件1023b。用户定义的文件1023a的输出基于一种或多种属性1015。完成的工艺文件1023b与图9中生成的完成的工艺文件915b类似，但是将该完成的工艺文件修改为说明包括在用户限定的文件1023a中的工艺参数、逻辑函数、指令或规贝1J。如此，在步骤S1003中，RC工具可编程接口1021执行修改的完成的工艺文件1023b，以基于包括在完成的工艺文件1023b中的逻辑函数、规则和指令，确定包括部件1017的工艺宽度wl’、部件1019的工艺宽度w2’和部件1017与部件1019之间的工艺间隔S’的一个或多个工艺参数1025。[0120]在步骤S1005中，通过使用工艺参数1025作为搜索条件，计算机搜索RC技术文件1011的表格，以基于工艺参数1025从RC技术文件1011的表格中提取对应的电容值。[0121]在步骤S1007中，计算机生成描述部件1017与部件1019之间的一个或多个连接的网表1027并且包括提取的电容值。[0122]在一些实施例中，基于在步骤S1007中生成的网表1027，将计算机配置为生成可用于形成掩模或用于制造IC的指令。[0123]图11是根据或通过其实施实施例的计算机或基于处理器的系统1100的功能框图。[0124]如本文所述，基于处理器的系统1100是可编程的，以生成可编程RC技术文件和/或基于可编程的RC技术文件来生成网表，并且例如，包括总线1101、处理器1103和存储器1105部件。[0125]在一些实施例中，将基于处理器的系统实施为单个“芯片上系统”。基于处理器的系统1100或其部分构成用于设计存储器电路的机制。在一些实施例中，基于处理器的系统1100包括诸如总线1101的通信机制，以用于在基于处理器的系统1101的部件之间传输信息和/或指令。处理器1103连接至总线1101，以得到例如存储在存储器1105中的用于执行的指令和工艺信息。在一些实施例中，处理器1103还与一个或多个专用部件(诸如一个或多个数字信号处理器(DSP)、或一个或多个专用集成电路(ASIC))—起实施特定的处理功能和任务。DSP通常被配置为独立于处理器1103实时处理真实信号(如，声音)。类似地，将ASIC配置为实施难以通过更加通用的处理器实施的专用功能。帮助实施本文所描述的功能的其他专用部件选择性地包括一个或多个现场可编程门阵列(FPGA)、一个或多个控制器或一个或多个其他的专用计算机芯片。[0126]在一个或多个实施例中，处理器(或多个处理器)1103实施关于以下信息的一系列操作，即，通过存储在存储器1105中的与生成的可编程RC技术文件和/或基于该可编程RC技术文件生成网表相关的指令集合所指定的信息。指令的执行使处理器实施特定的功能。[0127]将处理器1103和伴随的部件经由总线1101连接至存储器1105。存储器1105包括用于存储可执行的指令的一个或多个动态存储器(如，RAM、磁盘、可写光盘等)和静态存储器(如，R0M、CD-R0M等)，使得当执行该可执行指令时，实施本文所述的以下步骤:生成可编程RC技术文件和/或基于可编程RC技术文件生成网表。存储器1105还存储与步骤的执行相关的或通过步骤的执行所生成的数据。[0128]在一个或多个实施例中，存储器1105(诸如随机存取存储器(RAM)或任何其他的动态存储器件)存储包括处理器指令的信息，该处理器指令用于生成可编程RC技术文件和/或基于可编程RC技术文件生成网表。动态存储器允许改变存储在其中的信息。RAM允许存储在称为存储器地址的位置处的信息单元独立于相邻地址处的信息而被存储和取回。在处理器指令的执行期间，处理器1103还使用存储器1105来存储暂时值。在各个实施例中，存储器1105是耦接至总线1101的只读存储器(ROM)或任何其他的静态存储器件以用于存储不改变的包括指令的静态信息。一些存储器由易失性存储器组成，当失电时，存储在该存储器上的?目息失去。在一些实施例中，存储器1105是非易失性(永久)存储器件，诸如磁盘、光盘或闪存卡，以用于存储包括指令的信息，即使当断开施加至存储器1105的电源时，也能保持信息。[0129]本文所使用的术语“计算机可读介质”指涉及向处理器1103提供包括用于执行的指令的信息的任何介质。这种介质采用多种形式，包括但不限于计算机可读存储介质(如，非易失性介质、易失性介质)。例如，非易失性介质包括光盘或磁盘。例如，易失性介质包括动态存储器。例如，计算机可读介质的共同形式包括软盘、柔性盘、硬盘、磁带、其他的磁性介质、CD-ROM、CDRW、DVD、其他的光学介质、穿孔卡片、纸质磁带、光学标记表、具有孔的图案或其他的光学可识别的标记的其他物理介质、RAM、PR0M、EPR0M、FLASH_EPR0M、EEPR0M、闪存器、其他的存储器芯片或磁带(cartridge)、或计算机可读的其他的介质。本文所使用的术语计算机可读存储器介质指计算机可读介质。[0130]本发明的一个方面涉及一种方法，包括处理集成电路的布局，以确定集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性。方法还包括从与制造集成电路相关联的工艺文件中提取一个或多个工艺参数。基于一个或多个逻辑函数的计算，从工艺文件中提取一个或多个工艺参数。一个或多个逻辑函数中的至少一个包括在工艺文件中。计算基于一种或多种属性。方法还包括:基于一个或多个工艺参数和包括在工艺文件中的电容确定规则，计算集成电路的至少两个部件之间的电容值。基于用户输入，可以编辑一个或多个工艺参数、一个或多个逻辑函数和电容确定规则中的至少一个。通过硬件计算机来实施上述步骤中的至少一个。[0131]优选地，确定所述一种或多种属性包括确定所述一个或多个部件中的至少一个的布局尺寸，并且提取所述一个或多个工艺参数包括使用所述布局尺寸提取所述一个或多个工艺参数中的至少一个或计算所述电容值。[0132]优选地，提取所述一个或多个工艺参数包括:使用所述一个或多个部件中的至少一个的工艺尺寸，以提取所述一个或多个工艺参数中的至少一个或计算所述电容值，其中，所述工艺尺寸包括在所述工艺文件中；以及选择性地利用所述工艺尺寸来替换所述布局尺寸。[0133]优选地，用于确定所述电容值的电容确定规则是第一电容确定规则和第二电容确定规则中的一个，并且计算所述电容值包括:使用所述第一电容确定规则以利用电容确定函数来计算所述电容值，或使用所述第二电容确定规则以基于电容值的索引来计算所述电容值。[0134]优选地，该方法还包括:基于包括在所述工艺文件中的一个或多个逻辑函数的计算，应用所述第一电容确定规则或所述第二电容确定规则。[0135]优选地，确定所述一种或多种属性包括使用用于制造所述一个或多个部件的掩模图案。[0136]优选地，提取所述一个或多个工艺参数包括提取所述一个或多个部件中的每一个部件的宽度。[0137]优选地，提取所述一个或多个工艺参数包括提取所述一个或多个部件中的每一个部件的厚度。[0138]优选地，提取所述一个或多个工艺参数包括:基于第一参数提取规则或第二参数提取规则来提取所述一个或多个工艺参数中的至少一个工艺参数，所述第一参数提取规则命令至少一个硬件计算机使用查找表格来确定所述至少一个工艺参数，并且所述第二工艺参数提取规则命令所述至少一个硬件计算机使用工艺参数确定函数来确定所述至少一个工艺参数。[0139]优选地，处理所述布局包括使用电阻电容工具作为所述至少一个硬件计算机，并且所述一个或多个工艺参数、所述一个或多个逻辑函数或所述电容确定规则包括通过所述电阻电容工具读取的计算机代码。[0140]优选地，提取所述一个或多个工艺参数包括提取至少一个加密的工艺参数，并且所述方法还包括:基于所述至少一个加密的工艺参数，生成电容值的索引，其中，用于确定所述电容值的电容确定规则命令至少一个硬件计算机基于所述电容值的索引来计算所述电容值。[0141]优选地，提取所述一个或多个工艺参数包括:使用至少一个加密的逻辑函数来提取所述一个或多个工艺参数中的至少一个工艺参数。[0142]优选地，该方法还包括:生成描述所述一个或多个部件之间的一个或多个连接的网表，其中，所述网表包括所述电容值。[0143]本发明的另一个方面涉及生成描述集成电路的网表的方法。方法包括处理集成电路的布局，以确定集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性。方法还包括从与制造集成电路相关联的工艺文件中提取第一工艺参数。基于包括在工艺文件中的第一逻辑函数的计算，从工艺文件中提取第一工艺参数。计算基于一种或多种属性。方法还包括执行具有与制造集成电路相关联的第二工艺参数的加密数据文件。第二工艺参数是加密的。方法附加地包括:基于第二工艺参数，使用执行的加密数据文件的输出来计算集成电路的至少两个部件之间的电容值。方法还包括生成描述一个或多个部件之间的一个或多个连接的网表。网表包括电容值。通过硬件计算机来实施上述步骤中的至少一个。[0144]优选地，方法还包括:基于所述第二工艺参数，使用所述执行的加密数据文件的输出来生成电容值的索引，其中，基于所述电容值的索引和所述第一工艺参数来计算所述电容值。[0145]优选地，执行所述加密数据文件包括执行包括第二逻辑函数的所述加密数据文件，并且所述方法还包括:执行所述加密数据文件，以基于所述第二逻辑函数生成逻辑函数输出，其中，所述第二工艺参数或第三工艺参数基于所述逻辑函数输出。[0146]优选地，确定所述一种或多种属性包括基于掩模图案来确定所述第一逻辑函数。[0147]优选地，处理所述布局包括使用电阻电容工具作为至少一个硬件计算机，并且执行的加密数据文件的输出包括通过所述电阻电容工具读取的计算机代码。[0148]优选地，提取所述第一工艺参数包括提取选择性地编辑的第一工艺参数，或使用选择性地编辑的第一逻辑函数。[0149]本发明的又一方面涉及生成电阻电容技术文件的一种方法。方法包括处理集成电路的布局，以确定集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性。方法还包括从与制造集成电路相关联的工艺文件中提取第一工艺参数。基于包括在工艺文件中的第一逻辑函数的计算，从工艺文件中提取第一工艺参数。计算基于一种或多种属性。方法还包括通过用户输入的方式将第二工艺参数添加至工艺文件。电阻电容工具可以读取第二工艺参数。方法附加地包括执行具有与制造集成电路相关联的第三工艺参数的加密数据文件。第三工艺参数是加密的。方法还包括:基于第三工艺参数和第一工艺参数，使用执行的加密数据文件的输出来计算集成电路的至少两个部件之间的电容值。方法还包括生成电阻电容技术文件。电阻电容技术文件包括第一工艺参数、第二工艺参数、第三工艺参数和电容值。通过硬件计算机来实施上述步骤中的至少一个。[0150]上面论述了若干实施例的部件，使得本领域普通技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域普通技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与这里所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的处理和结构。本领域普通技术人员也应该意识到，这种等效构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。【主权项】1.一种方法，包括:处理集成电路的布局，以确定所述集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性；从与制造所述集成电路相关联的工艺文件中提取一个或多个工艺参数，其中，基于一个或多个逻辑函数的计算，从所述工艺文件中提取所述一个或多个工艺参数，所述一个或多个逻辑函数中的至少一个包括在所述工艺文件中，并且所述计算基于所述一种或多种属性；以及基于包括在所述工艺文件中的一个或多个工艺参数和电容确定规则，计算所述集成电路的至少两个部件之间的电容值，其中，基于用户输入来编辑所述一个或多个工艺参数、所述一个或多个逻辑函数和所述电容确定规则中的至少一个。2.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述一种或多种属性包括确定所述一个或多个部件中的至少一个的布局尺寸，并且提取所述一个或多个工艺参数包括使用所述布局尺寸提取所述一个或多个工艺参数中的至少一个或计算所述电容值。3.根据权利要求2所述的方法，其中，提取所述一个或多个工艺参数包括:使用所述一个或多个部件中的至少一个的工艺尺寸，以提取所述一个或多个工艺参数中的至少一个或计算所述电容值，其中，所述工艺尺寸包括在所述工艺文件中；以及选择性地利用所述工艺尺寸来替换所述布局尺寸。4.根据权利要求1所述的方法，其中，用于确定所述电容值的电容确定规则是第一电容确定规则和第二电容确定规则中的一个，并且计算所述电容值包括:使用所述第一电容确定规则以利用电容确定函数来计算所述电容值，或使用所述第二电容确定规则以基于电容值的索引来计算所述电容值。5.根据权利要求4所述的方法，还包括:基于包括在所述工艺文件中的一个或多个逻辑函数的计算，应用所述第一电容确定规则或所述第二电容确定规则。6.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述一种或多种属性包括使用用于制造所述一个或多个部件的掩模图案。7.根据权利要求6所述的方法，其中，提取所述一个或多个工艺参数包括提取所述一个或多个部件中的每一个部件的宽度。8.根据权利要求6所述的方法，其中，提取所述一个或多个工艺参数包括提取所述一个或多个部件中的每一个部件的厚度。9.一种生成描述集成电路的网表的方法，所述方法包括:处理集成电路的布局，以确定所述集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性；从与制造所述集成电路相关联的工艺文件中提取第一工艺参数，其中，基于包括在所述工艺文件中的第一逻辑函数的计算，从所述工艺文件中提取所述第一工艺参数，并且所述计算基于所述一种或多种属性；执行具有与制造所述集成电路相关联的第二工艺参数的加密数据文件，其中，所述第二工艺参数是加密的；基于所述第二工艺参数，使用执行的加密数据文件的输出来计算所述集成电路的至少两个部件之间的电容值;以及生成描述所述一个或多个部件之间的一个或多个连接的网表，其中，所述网表包括所述电容值。10.—种生成电阻电容技术文件的方法，所述方法包括:处理集成电路的布局，以确定所述集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性；从与制造集成电路相关联的工艺文件中提取第一工艺参数，其中，基于包括在所述工艺文件中的第一逻辑函数的计算，从所述工艺文件中提取所述第一工艺参数，并且所述计算基于所述一种或多种属性；通过用户输入的方式将第二工艺参数添加至所述工艺文件，其中，通过电阻电容工具来读取所述第二工艺参数；执行具有与制造所述集成电路相关联第三工艺参数的加密数据文件，其中，所述第三工艺参数是加密的；基于所述第三工艺参数和所述第一工艺参数，使用执行的加密数据文件的输出来计算所述集成电路的至少两个部件之间的电容值;以及生成所述电阻电容技术文件，其中，所述电阻电容技术文件包括所述第一工艺参数、所述第二工艺参数、所述第三工艺参数和所述电容值。【文档编号】G06F17/50GK105868437SQ201510985005【公开日】2016年8月17日【申请日】2015年12月24日【发明人】周志政,吴宗翰,苏哿颖,李宪信,王中兴【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司