一种在sas线前后端增加缓存来提高存储性能的方法

文档序号:10534423阅读:622来源:国知局
一种在sas线前后端增加缓存来提高存储性能的方法
【专利摘要】本发明公开一种在SAS线前后端增加缓存来提高存储性能的方法,属于服务器存储技术领域;本发明存储架构的两个控制器通过SAS线互相连接,分别在这两个控制器的SAS controller后端与SAS expander前端之间增加一层共享缓存;本发明增加的共享缓存,处于SAS controller后端,SAS expander前端有别于之前的设计,并且增加的共享缓存可以是多种容量和材质,打破SAS线的数据传输的固有瓶颈,提高了存储传输效率和存储的稳定性。
【专利说明】
一种在SAS线前后端増加缓存来提高存储性能的方法
技术领域
[0001]本发明公开一种在SAS线前后端增加缓存来提高存储性能的方法,属于服务器存储技术领域。
【背景技术】
[0002]存储底层架构大多数都是基于IntelCPU的架构来设计存储系统,很多存储产品硬件底层架构多年而无实质的变化,目前存储底层架构中控制器的SAS controlIer与SASexpander是直接通过PCIe switch连接到存储的CPU和内存的,但是不管是PCIe2.0还是PCIe3.0技术其数据传输效率都有瓶颈,在通常存储的硬件设计当中,大多都是基于服务器的Intel CPU架构来设计存储硬件布局,从而没有考虑到存储本身的对数据传输速率和性能的固有要求,因而无法明显改善数据传输情况,以实现提高数据传输效率和稳定性的目的。本发明提供一种在SAS线前后端增加缓存来提高存储性能的方法,涉及到存储架构的底层设计领域,主要利用存储底层架构设计当中对于控制器的SAS control Ier与SASexpander的SAS adapters之间通过增加缓存来提高存储产品的整体数据存储速率和性能,也进一步提高了存储产品的整体稳定性能。

【发明内容】

[0003]本发明针对现有技术中的问题,提供一种在SAS线前后端增加缓存来提高存储性能的方法,打破原有存储架构设计理念,而采用在原有设计的基础之上,通过在控制器的SAS controller与SAS expander的SAS adapters之间增加一层缓存打破SAS线的数据传输的固有瓶颈,提高存储传输效率和稳定性。
[0004]本发明提出的具体方案是:
一种在SAS线前后端增加缓存来提高存储性能的方法,存储架构的两个控制器通过SAS线互相连接,分别在这两个控制器的SAS controlIer后端与SAS expander前端之间增加一层共享缓存,且共享缓存设置在SAS controlIer与SAS expander的SAS adapters之间。
[0005]所述共享缓存的具体容量依据控制器当中的内存容量而定。
[0006]所述共享缓存的具体容量小于等于单控制器的内存的容量。
[0007]所述共享缓存的材质是内存DDR3或是SSD或者Flash卡等。
[0008]所述共享缓存是易失型的存储,直接连接到控制器的UPS,用于保护数据。
[0009]—种在SAS线前后端增加缓存的存储架构,存储架构的两个控制器的SAScontroller后端与SAS expander前端之间分别增设一层共享缓存,且共享缓存设置在SAScontroller与SAS expander的SAS adapters之间,两个控制器通过SAS线互相连接。
[0010]所述存储架构中,共享缓存的具体容量依据控制器当中的内存容量而定,最好是小于等于单控制器的内存的容量,其中共享缓存的材质可以是内存DDR3或是SSD或者Flash卡等。共享缓存若是易失型的存储,可以直接连接到控制器的UPS,用于保护数据。
[0011]本发明的有益之处是: 本发明提供一种在SAS线前后端增加缓存来提高存储性能的方法,存储架构的两个控制器通过SAS线互相连接,分别在这两个控制器的SAS controlIer后端与SAS expander前端之间增加一层共享缓存;而且利用此方法还可得到一种在SAS线前后端增加缓存的存储架构;
本发明增加的共享缓存,处于SAS controlIer后端,SAS expander前端有别于之前的设计,并且增加的共享缓存可以是多种容量和材质,打破SAS线的数据传输的固有瓶颈,提高了存储传输效率和存储的稳定性。
【附图说明】
[0012]图1现有技术中的存储架构示意图;
图2本发明的存储架构示意图。
【具体实施方式】
[0013]—种在SAS线前后端增加缓存来提高存储性能的方法,存储架构的两个控制器通过SAS线互相连接,分别在这两个控制器的SAS controlIer后端与SAS expander前端之间增加一层共享缓存,且共享缓存设置在SAS controlIer与SAS expander的SAS adapters之间。
[0014]根据上述方法及
【发明内容】
,结合附图对本发明做进一步说明。
[0015]图1中显示现有技术中的存储架构,包含CPU,内存,SASadapter ,Switch等,其中外部的板卡可以包括各种FC HBA卡,SAS扩展卡,万兆HBA卡等,直接通过各种PCIe总线连接PCIe Switch当中然后接入到CPU和内存当中;当有大量的数据通过扩展柜的SAS Adapter卡流入PCIe Switch当中时,此时PCIe Switch将是大量数据流的瓶颈且此处的大量数据不受保护,易受各种电磁环境的影响。
[0016]而本发明中提供的一种在SAS线前后端增加缓存来提高存储性能的方法,存储架构的两个控制器通过SAS线互相连接,分别在这两个控制器的SAS controlIer后端与SASexpander前端之间增加一层共享缓存,且共享缓存设置在SAS controller与SAS expander的SAS adapters之间。
[0017]利用本发明方法得到一种在SAS线前后端增加缓存的存储架构,存储架构的两个控制器的SAS controller后端与SAS expander前端之间分别增设一层共享缓存,且共享缓存设置在SAS controller与SAS expander的SAS adapters之间,两个控制器通过SAS线互相连接。
[0018]上述存储架构中共享缓存的具体容量依据控制器当中的内存容量而定,其具体容量最好小于等于单控制器的内存的容量;
而共享缓存的材质可以是内存DDR3或是SSD或者Flash卡等。
[0019]而共享缓存若是易失型的存储,可以直接连接到控制器的UPS,用于保护数据。
[0020]图2中给出一种本发明中具体的存储架构,其中控制器中直接通过PCIeswitch连接到存储的CPU和外部的板卡FC adapter,在SAS controller后端与SAS expander前端之间增设一层共享缓存Memory,且Memory设置在SAS controlIer和SAS expanderr的SASadapters之间,另一个控制器同样设置,省略了CPU和外部的板卡等部分,两个控制器通过SAS线互相连接。
[0021]现有技术中存储架构的设计更多的是根据服务器的设计架构思想来设计布局,没有考虑到对高性能存储的特有设计要求;本发明通过对SAS线互相连接的两个控制器分别增加一层共享缓存来提高存储的整体性能,此增加的共享缓存,处于通过SAS线互相连接的控制器的SAS controller和SAS expanderr的SAS adapters之间,有别于之前的设计,提高了存储的性能;此增加的共享缓存提高了存储的数据存储的稳定性。
【主权项】
1.一种在SAS线前后端增加缓存来提高存储性能的方法,其特征是存储架构的两个控制器通过SAS线互相连接,分别在这两个控制器的SAS controlIer后端与SAS expander前端之间增加一层共享缓存,且共享缓存设置在SAS control Ier与SAS expander的SASadapters之间。2.根据权利要求1所述的方法,其特征是所述共享缓存的具体容量依据控制器当中的内存容量而定。3.根据权利要求2所述的方法,其特征是所述共享缓存的具体容量小于等于单控制器的内存的容量。4.根据权利要求1或3所述的方法,其特征是所述共享缓存的材质是内存DDR3或是SSD或者Flash卡。5.根据权利要求1所述的方法,其特征是所述共享缓存是易失型的存储,直接连接到控制器的UPS,用于保护数据。6.—种在SAS线前后端增加缓存的存储架构,其特征是存储架构的两个控制器的SAScontroller后端与SAS expander前端之间分别增设一层共享缓存,且共享缓存设置在SAScontroller与SAS expander的SAS adapters之间,两个控制器通过SAS线互相连接。
【文档编号】G06F3/06GK105892948SQ201610198152
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月1日
【发明人】谭世伟
【申请人】浪潮电子信息产业股份有限公司
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