一种防止sim卡烧卡的方法
【专利摘要】本发明公开了一种防止SIM卡烧卡的方法，涉及移动终端设备技术领域，该方法包括：在卡托内设置电源控制电路，实时监测SIM卡和SD卡的检测电压；根据所述SIM卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态；根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，通过简单电路来控制SD卡的电源的打开或关闭，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。
【专利说明】
一种防止SIM卡烧卡的方法
技术领域
[0001]本发明涉及移动终端设备领域，尤其涉及一种防止S頂卡烧卡的方法。
【背景技术】
[0002]在现有的终端设备中，有很多智能终端设备的SD卡和SM卡集合在一个卡槽和卡托中，但是对于SD卡靠外，SIM卡靠内的卡托设计(如图1)，在插拔过程中，SIM卡容易接触到SD卡卡座的弹片，而如果此时SD卡卡座的弹片因各种原因没有及时关闭，就会接触到SIM卡而短路被烧毁。
【发明内容】
[0003]本发明的主要目的在于提出一种防止SIM卡烧卡的方法，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。
[0004]为实现上述目的，本发明提供的一种防止S頂卡烧卡的方法，包括:
[0005]在卡托内设置电源控制电路，实时监测S頂卡和SD卡的检测电压；
[0006]根据所述S頂卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态；
[0007]根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断。
[0008]可选地，所述SD卡的插拔状态包括:未插卡状态、插卡状态和拔卡状态。
[0009]可选地，所述根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断具体为:
[0010]当所述SD卡处于未插卡状态或拔卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源关闭，当所述SD卡处于插卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源导通。
[0011 ] 可选地，所述卡托内设置有卡槽，所述SIM卡和SD卡位于所述卡槽内，且所述SD卡位于SIM卡的外侧。
[0012]可选地，所述电源控制电路包括:电阻Rl、电阻R2、电阻R3、N-MOS管Ql、P_M0S管Q2，其中，电阻Rl的一端连接开机默认电源V10-1P8，电阻Rl的另一端与电阻R3的一端、S頂卡插拔状态检测引脚电压S頂-DET及N-MOS管Ql的栅极连接在一起，电阻R3的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，N-M0S管Ql的漏极接地，N-MOS管Ql的源极与电阻R2的一端及P-MOS管Q2的栅极连接在一起，电阻R2的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q2的源极连接在一起，P-MOS管Q2的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-P0WER。
[0013]可选地，所述S頂卡插拔状态检测引脚电压SM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为低电平，当SD卡处于未插卡状态时，N—MOS管Ql不导通，此时P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，SIM-DET和SD-DET的状态由低变为高，此时N-MOS管Ql导通，继而P-MOS管Q2的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SIM-DET和SD-DET电平状态由高变为低，N-MOS管Ql不导通，P-MOS管Q2的栅极状态拉高，P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER被关闭，SIM卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
[0014]可选地，所述电源控制电路包括:电阻R4、电阻R5、电阻R6、P-MOS管Q3、P-MOS管Q4，其中，电阻R4的一端连接开机默认电源V10-1P8，电阻R4的另一端与电阻R6的一端、S頂卡插拔状态检测引脚电压S頂-DET及P-MOS管Q3的栅极连接在一起，电阻R6的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，P-M0S管Q3的漏极接地，P-MOS管Q3的源极与电阻R5的一端及P-MOS管Q4的栅极连接在一起，电阻R5的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q4的源极连接在一起，P-MOS管Q4的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-P0WER。
[0015]可选地，所述S頂卡插拔状态检测引脚电压SM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为高电平，当SD卡处于未插卡状态时，P—MOS管Q3、Q4均不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，SIM-DET和SD-DET的状态由高变为低，此时P-MOS管Q3导通，继而P-MOS管Q4的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SHl-DET和SD-DET电平状态由低变为高，P-MOS管Q3不导通，P-MOS管Q4的栅极状态拉高，P-MOS管Q4不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER被关闭，S頂卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
[0016]本发明提出的一种防止SM卡烧卡的方法，包括:在卡托内设置电源控制电路，实时监测SM卡和SD卡的检测电压;根据所述SM卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态；根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，通过简单电路来控制SD卡的电源的打开或关闭，解决了因SD卡电源未断开而导致的SIM卡烧卡的问题，提升了用户体验。
【附图说明】
[0017]图1本发明实施例一提供的一种防止S頂卡烧卡的方法流程图；
[0018]图2本发明实施例一提供的电源控制电路的电路图；
[0019]图3本发明实施例二提供的电源控制电路的电路图。
[0020]本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
【具体实施方式】
[0021]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0022]实施例一
[0023]如图1所示，为本实施例提供的一种防止S頂卡烧卡的方法流程图。
[0024]本发明提供的一种防止S頂卡烧卡的方法，包括:
[0025]S10、在卡托内设置电源控制电路，实时监测S頂卡和SD卡的检测电压；
[0026]S20、根据所述S頂卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态；
[0027]S30、根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断。
[0028]在本实施例中，适用于如图1所示的卡托，所述卡托内设置有卡槽，所述SIM卡和SD卡位于所述卡槽内，且所述SD卡位于SIM卡的外侧，这经常导致SIM卡被烧毁，主要包括以下几种情况:
[0029]当拔出卡托的时候，SIM卡会经过SD卡电源pin的位置，由于SD卡不及时下电，可能会烧毁SIM卡；
[0030]在开机过程中，有短暂时间开机默认电源V10-1P8是打开的，此时插入S頂卡，可能会烧毁SIM卡；
[0031]半插入SM卡后按开机键开机，开机过程中有断站时间SD卡外部电源V-SD默认为打开的，可能会烧毁SIM卡；
[0032]综上，SD卡电源、开机默认电源V10-1P8及SD卡外部电源V-SD都可能会导致SM卡烧毁，本发明提供了一种电源控制电路，将以上电源与SD卡电源输入端隔离，并根据SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断，解决了因SD卡电源未断开而导致的S頂卡烧卡的问题，提升了用户体验。
[0033]在本实施例中，开机默认电源V10-1P8及SD卡外部电源V-SD皆默认为供电状态。
[0034]在本实施例中，所述SD卡的插拔状态包括:未插卡状态、插卡状态和拔卡状态。
[0035]在本实施例中，所述根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断具体为:
[0036]当所述SD卡处于未插卡状态或拔卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源关闭，当所述SD卡处于插卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源导通。
[0037]如图2所示，在本实施例中，所述电源控制电路包括:电阻Rl、电阻R2、电阻R3、N-MOS管Ql、P-MOS管Q2，其中，电阻Rl的一端连接开机默认电源V10-1P8，电阻Rl的另一端与电阻R3的一端、S頂卡插拔状态检测引脚电压S頂-DET及N-MOS管Ql的栅极连接在一起，电阻R3的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，N-MOS管Ql的漏极接地，N-MOS管Ql的源极与电阻R2的一端及P-MOS管Q2的栅极连接在一起，电阻R2的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q2的源极连接在一起，P-MOS管Q2的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-P0WER。
[0038]在本实施例中，所述SM卡插拔状态检测引脚电压S頂-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为低电平，当SD卡处于未插卡状态时，N—MOS管Ql不导通，此时P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，SIM-DET和SD-DET的状态由低变为高，此时N-MOS管Ql导通，继而P-MOS管Q2的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，S頂-DET和SD-DET电平状态由高变为低，N-MOS管Ql不导通，P-MOS管Q2的栅极状态拉高，P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER被关闭，S頂卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
[0039]实施例二
[0040]如图3所示，在本实施例中，所述电源控制电路包括:电阻R4、电阻R5、电阻R6、P-MOS管Q3、P-M0S管Q4，其中，电阻R4的一端连接开机默认电源V10-1P8，电阻R4的另一端与电阻R6的一端、S頂卡插拔状态检测引脚电压S頂-DET及P-MOS管Q3的栅极连接在一起，电阻R6的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，P-MOS管Q3的漏极接地，P-MOS管Q3的源极与电阻R5的一端及P-MOS管Q4的栅极连接在一起，电阻R5的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q4的源极连接在一起，P-MOS管Q4的漏极作为SD卡的电源端SD-CARD-P0WER。
[0041]在本实施例中，所述SIM卡插拔状态检测引脚电压Sn1-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为高电平，当SD卡处于未插卡状态时，P —MOS管Q3、Q4均不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，S頂-DET和SD-DET的状态由高变为低，此时P-MOS管Q3导通，继而P-MOS管Q4的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SM-DEI^PSD-DET电平状态由低变为高，P-MOS管Q3不导通，P-MOS管Q4的栅极状态拉高，P-MOS管Q4不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER被关闭，SM卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
[0042]与实施例一不同的是，本实施例考虑的是S頂卡插拔状态检测引脚电压SIM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为高电平的状态下的具体电路，两个电路针对不同的情况，都可以控制SD卡电源的通断，进而防止S頂卡不便烧毁。
[0043]需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
[0044]上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0045]以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种防止S頂卡烧卡的方法，其特征在于，包括: 在卡托内设置电源控制电路，实时监测SIM卡和SD卡的检测电压； 根据所述SIM卡和SD卡的检测电压判断SD卡的插拔状态； 根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断。2.根据权利要求1所述的一种防止SM卡烧卡的方法，其特征在于，所述SD卡的插拔状态包括:未插卡状态、插卡状态和拔卡状态。3.根据权利要求2所述的一种防止SM卡烧卡的方法，其特征在于，所述根据所述SD卡的插拔状态控制SD卡的电源通断具体为: 当所述SD卡处于未插卡状态或拔卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源关闭，当所述SD卡处于插卡状态时，通过所述电源控制电路控制SD卡的电源导通。4.根据权利要求3所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述卡托内设置有卡槽，所述SIM卡和SD卡位于所述卡槽内，且所述SD卡位于SIM卡的外侧。5.根据权利要求4所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述电源控制电路包括:电阻Rl、电阻R2、电阻R3、N-MOS管Ql、P_MOS管Q2，其中，电阻Rl的一端连接开机默认电源V10-1P8，电阻Rl的另一端与电阻R3的一端、SIM卡插拔状态检测引脚电压SM-DET及N-MOS管Ql的栅极连接在一起，电阻R3的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，N-MOS管Ql的漏极接地，N-MOS管Ql的源极与电阻R2的一端及P-MOS管Q2的栅极连接在一起，电阻R2的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q2的源极连接在一起，P-MOS管Q2的漏极作为SD 卡的电源端 SD-CARD-P0WER。6.根据权利要求5所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述SIM卡插拔状态检测引脚电压SM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为低电平，当SD卡处于未插卡状态时，N—MOS管Ql不导通，此时P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，S頂-DET和SD-DET的状态由低变为高，此时N-MOS管Ql导通，继而P-MOS管Q2的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，S頂-DET和SD-DET电平状态由高变为低，N-MOS管Ql不导通，P-MOS管Q2的栅极状态拉高，P-MOS管Q2不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER被关闭，S頂卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。7.根据权利要求4所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述电源控制电路包括:电阻R4、电阻R5、电阻R6、P-MOS管Q3、P-MOS管Q4，其中，电阻R4的一端连接开机默认电源V10-1P8，电阻R4的另一端与电阻R6的一端、SIM卡插拔状态检测引脚电压SM-DET及P-MOS管Q3的栅极连接在一起，电阻R6的另一端连接SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET，P-MOS管Q3的漏极接地，P-MOS管Q3的源极与电阻R5的一端及P-MOS管Q4的栅极连接在一起，电阻R5的另一端与SD卡外部电源V-SD及P-MOS管Q4的源极连接在一起，P-MOS管Q4的漏极作为SD 卡的电源端 SD-CARD-P0WER。8.根据权利要求7所述的一种防止SIM卡烧卡的方法，其特征在于，所述SIM卡插拔状态检测引脚电压SM-DET及SD卡插拔状态检测引脚电压SD-DET默认为高电平，当SD卡处于未插卡状态时，P—MOS管Q3、Q4均不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER为关闭状态；当SD卡插卡后，卡槽结构的内部的弹针被弹开，S頂-DET和SD-DET的状态由高变为低，此时P-MOS管Q3导通，继而P-MOS管Q4的栅极拉低，P-MOS管Q2导通，这时SD卡的电源处于导通状态；当拔SD卡时，卡槽结构内部的弹针接地，SIM-DET和SD-DET电平状态由低变为高，P-MOS管Q3不导通，P-MOS管Q4的栅极状态拉高，P-MOS管Q4不导通，SD卡的电源SD-CARD-P0WER被关闭，S頂卡可以安全地拔出而不被SD卡的电源接触而被烧坏。
【文档编号】G06K7/00GK105893897SQ201610196754
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】曹恒才
【申请人】努比亚技术有限公司