一种嵌入式存储器的测试装置的制造方法

文档序号:10593963阅读:398来源:国知局
一种嵌入式存储器的测试装置的制造方法
【专利摘要】本发明专利公开了一种嵌入式存储器的测试装置,包括盘套、写保护缺口、读写磁头加载窗口、读写磁头、传动手臂、传动轴、反力矩弹簧装置、盘片、主轴、索引孔和盘槽,所述盘套设置有写保护缺口以及设置在一侧的读写磁头加载窗口,所述读写磁头加载窗口一侧设置有反力矩弹簧装置,所述反力矩弹簧装置一侧设置有传动轴以及设置在传动轴一侧的传动手臂,所述传动手臂一侧设置有读写磁头,所述读写磁头一侧设置有盘槽以及设置在盘槽一侧的主轴,所述主轴一侧设置有索引孔,所述盘槽上设置有盘片,所述盘片内部设置有基板以及设置在基板一侧的栅极电极,该嵌入式存储器的测试装置,结构简单,降低了耗电,并且提高了可靠性。
【专利说明】
一种嵌入式存储器的测试装置
【技术领域】
[0001]本发明专利涉及一种存储设备,特别涉及一种嵌入式存储器的测试装置。
【【背景技术】】
[0002]目前,随着例如信息通信设备特别是便携终端等个人用小型设备的迅速普及,要求例如存储器和逻辑电路等构成该设备的元件实现例如更高的集成度、更高的速度以及更低的耗电等更高的性能。为了实现更高的性能,我们将光存储器引进。为此,我们提出一种嵌入式存储器的测试装置。
[0003]【发明专利内容】
[0004]本发明专利的主要目的在于提供一种嵌入式存储器的测试装置,其中设置的栅极电极、固体电解质层、第二电极、第一电极和半导体层,当向栅极电极施加脉冲电压时,可移动离子在固体电解质层与半导体层之间移动,并且至少一部分半导体层的导电型发生变化。根据上述变化,第一电极与第二电极之间的电阻状态改变,数据被写入或擦除,可以有效解决【背景技术】中的问题。
[0005]为实现上述目的,本发明专利采取的技术方案为:
[0006]—种嵌入式存储器的测试装置,包括盘套、写保护缺口、读写磁头加载窗口、读写磁头、传动手臂、传动轴、反力矩弹簧装置、盘片、主轴、索引孔和盘槽,所述盘套设置有写保护缺口以及设置在一侧的读写磁头加载窗口,所述读写磁头加载窗口一侧设置有反力矩弹簧装置,所述反力矩弹簧装置一侧设置有传动轴以及设置在传动轴一侧的传动手臂,所述传动手臂一侧设置有读写磁头,所述读写磁头一侧设置有盘槽以及设置在盘槽一侧的主轴,所述主轴一侧设置有索引孔,所述盘槽上设置有盘片,所述盘片内部设置有基板以及设置在基板一侧的栅极电极。
[0007]进一步地,所述传动轴与传动手臂固定连接,所述传动手臂与读写磁头固定连接。
[0008]进一步地,所述所述栅极电极一侧设置有第一绝缘层以及设置在第一绝缘层一侧的半导体层,所述半导体层一侧设置有第一电极以及设置在第一电极一侧的第二绝缘层,所述第二绝缘层一侧设置有固体电解质层。
[0009]进一步地,所述固体电解质层一侧设置有第二电极。
[0010]与现有技术相比,本发明专利具有如下有益效果:通过使可移动离子在固体电解质层与半导体层之间移动来改变所述半导体层的导电型,从而写入或擦除数据并且保持这些状态。因此,降低了耗电,并且提高了可靠性。
【【附图说明】】
[0011]图1为本发明专利嵌入式存储器的测试装置的整体结构示意图。
[0012]图2为本发明专利嵌入式存储器的测试装置的盘片结构示意图。
[0013]图中:1、盘套;2、写保护缺口;3、读写磁头加载窗口;4、读写磁头;5、传动手臂;6、传动轴;7、反力矩弹簧装置;8、盘片;9、主轴;10、索引孔;11、第一绝缘层;12、盘槽;13、基板;14、栅极电极;15、固体电解质层;16、第二电极;17、第二绝缘层;18、第一电极;19、半导体层。
【【具体实施方式】】
[0014]为使本发明专利实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合【具体实施方式】,进一步阐述本发明专利。
[0015]如图1-2所示,一种嵌入式存储器的测试装置,包括盘套1、写保护缺口2、读写磁头加载窗口 3、读写磁头4、传动手臂5、传动轴6、反力矩弹簧装置7、盘片8、主轴9、索引孔10和盘槽12,所述盘套I设置有写保护缺口 2以及设置在一侧的读写磁头加载窗口 3,所述读写磁头加载窗口 3—侧设置有反力矩弹簧装置7,所述反力矩弹簧装置7—侧设置有传动轴6以及设置在传动轴6—侧的传动手臂5,所述传动手臂5—侧设置有读写磁头4,所述读写磁头4 一侦揽置有盘槽12以及设置在盘槽12—侧的主轴9,所述主轴9 一侧设置有索引孔10,所述盘槽12上设置有盘片8,所述盘片8内部设置有基板13以及设置在基板13—侧的栅极电极14。
[0016]本发明专利嵌入式存储器的测试装置,其中设置的栅极电极14、固体电解质层15、第二电极16、第一电极18和半导体层19,当向栅极电极14施加脉冲电压时,可移动离子在固体电解质层15与半导体层19之间移动,并且至少一部分半导体层19的导电型发生变化。根据上述变化,第一电极18与第二电极16之间的电阻状态改变,数据被写入或擦除,因此,降低了耗电,并且提高了可靠性。
[0017]其中,所述传动轴6与传动手臂5固定连接,所述传动手臂5与读写磁头4固定连接,该做法的好处是避免在工作状态中有脱落现象发生。
[0018]其中,所述所述栅极电极14一侧设置有第一绝缘层11以及设置在第一绝缘层11一侧的半导体层19,所述半导体层19 一侧设置有第一电极18以及设置在第一电极18—侧的第二绝缘层17,所述第二绝缘层17—侧设置有固体电解质层15,该做法的好处是结构紧凑,避免可移动离子移动混乱。
[0019]其中,所述固体电解质层15—侧设置有第二电极16,该做好的好处是电极避免干扰,影响正常工作状态。
[0020]以上显示和描述了本发明专利的基本原理和主要特征和本发明专利的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明专利不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明专利的原理,在不脱离本发明专利精神和范围的前提下,本发明专利还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明专利范围内。本发明专利要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种嵌入式存储器的测试装置,包括盘套(I)、写保护缺口(2)、读写磁头加载窗口(3)、读写磁头(4)、传动手臂(5)、传动轴(6)、反力矩弹簧装置(7)、盘片(8)、主轴(9)、索引孔(10)和盘槽(12),其特征在于:所述盘套(I)设置有写保护缺口(2)以及设置在一侧的读写磁头加载窗口(3),所述读写磁头加载窗口(3)—侧设置有反力矩弹簧装置(7),所述反力矩弹簧装置(7)—侧设置有传动轴(6)以及设置在传动轴(6) —侧的传动手臂(5),所述传动手臂(5)—侧设置有读写磁头(4),所述读写磁头(4)一侧设置有盘槽(12)以及设置在盘槽(12)—侧的主轴(9),所述主轴(9) 一侧设置有索引孔(10),所述盘槽(12)上设置有盘片(8),所述盘片(8)内部设置有基板(13)以及设置在基板(13) —侧的栅极电极(14)。2.根据权利要求1所述的嵌入式存储器的测试装置,其特征在于:所述传动轴(6)与传动手臂(5)固定连接,所述传动手臂(5)与读写磁头(4)固定连接。3.根据权利要求1所述的嵌入式存储器的测试装置,其特征在于:所述所述栅极电极(14)一侧设置有第一绝缘层(11)以及设置在第一绝缘层(11) 一侧的半导体层(19),所述半导体层(19) 一侧设置有第一电极(18)以及设置在第一电极(18)—侧的第二绝缘层(17),所述第二绝缘层(17)—侧设置有固体电解质层(15)。4.根据权利要求3所述的嵌入式存储器的测试装置,其特征在于:所述固体电解质层(15)—侧设置有第二电极(16)。
【文档编号】G06F11/22GK105955854SQ201610266779
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年4月26日
【发明人】姜城
【申请人】天津通软信息技术有限公司
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