一种制程更少的电容触摸屏制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种制程更少的电容触摸屏制造方法，包括如下步骤：（1）在玻璃基板上形成金属层，金属层图形化为金属搭桥及周边线路；（2）在金属层上形成绝缘层，绝缘层图形化为绝缘垫块；（3）在绝缘层上沉积ITO层，ITO层图形化为X方向电极及Y方向电极；绝缘层、或者ITO层、或者绝缘层与ITO层的结合对金属层进行覆盖。由于先形成金属层，然后采用绝缘层、或者ITO层、或者绝缘层与ITO层的结合对金属层进行覆盖，对金属层进行保护，防止金属层被氧化或腐蚀，省去了保护层，减少了一道工序，降低了生产成本；另外，由于没有聚酰亚胺等透明度较低的材料形成的保护层，使得电容触摸屏的透光率更高，提高了电容触摸屏的质量。
【专利说明】
一种制程更少的电容触摸屏制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种触摸屏制造方法，尤其涉及一种制程更少的电容触摸屏制造方法。
【背景技术】
[0002]如图1所示，目前，电容触摸屏的结构一般包括玻璃基板01、ITO层02、绝缘层03、金属层04和保护层05，ITO层02、绝缘层03、金属层04和保护层05依次设置在玻璃基板01上，其中ITO层02被制作为透明的X方向电极06及Y方向电极07，绝缘层03被制作为X方向电极06与Y方向电极07之间的绝缘垫块08，金属层04则被制作为绝缘垫块08之上的金属搭桥09，而保护层05的主要作用为对金属层04进行保护，以防止其暴露在外部环境中被腐蚀。
[0003]在上述这种触摸屏中，由于透明的区域主要为ITO层02与保护层05 (绝缘层03和金属层04—般不出会大面积的处于透明区域)，而保护层05—般采用聚酰亚胺等透明度较低的材料制作而成，因而保护层05对触摸屏的透明影响较大。
[0004]另外，制作这种电容触摸屏，至少需要经过以下四道工序:
(I )、在玻璃基板01上沉积一层ITO层02，并对ITO层02进行图形化，形成X方向电极06及Y方向电极07 ;
(2)、在ITO层02上制作一层绝缘层03，并对绝缘层03进行图形化，形成绝缘垫块08;
(3)、在绝缘层03上制作一层金属层04，并对金属层04进行图形化，形成金属搭桥09及周边线路；
(4)、在金属层04之上覆盖一层图形化的保护层05。
[0005]其中，制作保护层05的工序也增加了触摸屏的制造成本。
【发明内容】
[0006]本发明要解决的技术问题是提供一种制程更少的电容触摸屏制造方法，这种制程更少的电容触摸屏制造方法既减少制造工序、降低生产成本，又提高了电容触摸屏的透光率。采用的技术方案如下:
一种制程更少的电容触摸屏制造方法，其特征在于包括如下步骤:
(1)在玻璃基板上形成一层金属层，采用光刻法对金属层进行图形化，形成金属搭桥及周边线路；
(2)在金属层上形成一层绝缘层，采用显影法对绝缘层进行图形化，形成绝缘垫块；
(3)在绝缘层上沉积一层ITO层，采用光刻法对ITO层进行图形化，形成X方向电极及Y方向电极；
在所述步骤(2)中，采用绝缘层对金属层进行覆盖；或者在所述步骤(3)中，采用ITO层对金属层进行覆盖；或者在步骤(2)中，先采用绝缘层对金属层进行覆盖，接着在步骤(3)中，采用ITO层对绝缘层进行覆盖。
[0007]优选上述金属层采用钼-招-钼三层合金金属层。
[0008]优选上述绝缘层采用厚度为I?5 μ m的光敏树脂层形成。
[0009]本发明由于在步骤(I)中形成金属层，然后将金属层图形化金属搭桥及周边线路，在此基础上，再依次形成绝缘垫块、X方向电极及Y方向电极，并且采用绝缘层、或者ITO层、或者绝缘层与ITO层的结合对金属层进行覆盖，由于绝缘层和ITO层都不容易氧化或腐蚀，这样，绝缘层、或者ITO层、或者绝缘层与ITO层的结合形成了对金属层的保护，防止金属层被氧化或腐蚀，从而省去了现有技术中的保护层，减少了一道工序，降低了生产成本；另外，由于没有聚酰亚胺等透明度较低的材料形成的保护层，使得电容触摸屏的透光率更高，提高了电容触摸屏的质量。
[0010]作为本发明的优选方案，在所述步骤(3)中，采用ITO层对金属层进行覆盖，覆盖在周边线路上的ITO层被图形化为ITO覆盖条，ITO覆盖条覆盖周边线路的上表面及两侧边。ITO覆盖条覆盖周边线路的上表面及两侧边，使得由金属层形成的周边线路被ITO层完全包裹，进一步防止周边线路被氧化或腐蚀。
[0011 ] 作为本发明的优选方案，在所述步骤(2 )中，先采用绝缘层对金属层进行覆盖，接着在步骤(3)中，采用ITO层对绝缘层进行覆盖，并且，步骤(3)中，覆盖在周边线路上的ITO层被图形化为与周边线路形状一致的ITO覆盖条，ITO覆盖条的宽度大于周边线路的宽度。在由金属层形成的周边线路处，在绝缘层之上再覆盖上ITO层，能够避免在步骤(3)中，ITO层在光刻时伤害到覆盖在金属层之上的绝缘层，起到双重保护作用；覆盖在周边线路上的ITO层的图形被图形化为与周边线路的形状一致的ITO覆盖条，但ITO覆盖条比周边线路稍宽，因此，ITO覆盖条既能够覆盖周边线路，又不是连续整片的覆盖，避免了周边线路之间产生寄生电容，确保具有较高的触摸精度。
[0012]作为本发明进一步的优选方案，所述玻璃基板上还设有向外连接的金属焊盘，所述绝缘层、或者ITO层、或者绝缘层与ITO层的结合覆盖金属焊盘。金属焊盘也被绝缘层、或者ITO层、或者绝缘层与ITO层的结合所覆盖，防止金属焊盘被氧化或腐蚀。
[0013]作为本发明进一步的优选方案，在所述步骤(2)与步骤(3)之间，还对所述金属层表面进行等离子体清洗。在步骤(2)与步骤(3)之间增加了金属层表面的等离子体清洗，减少了金属层表面在步骤(I)、步骤(2)的图形化过程中受到氧化作用，以改善金属与ITO层之间的接触性能。
[0014]等离子体清洗:等离子体和固体、液体或气体一样，是物质的一种状态，也叫做物质的第四态，对气体施加足够的能量使之离化便成为等离子状态，等离子体的“活性”组分包括:离子、电子、活性基团、激发态的核素(亚稳态)、光子等。等离子体清洗就是在真空腔体里，通过射频电源在一定的压力情况下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。
[0015]作为本发明更进一步的优选方案，采用相连通的第一真空腔体和第二真空腔体依次进行等离子体清洗和沉积ITO层，其中，第一真空腔体具有还原气氛的等离子体；等离子体清洗和沉积ITO层的具体过程如下:在所述步骤(2)与步骤(3)之间，将所述玻璃基板通过第一真空腔体，等离子体对所述金属层表面进行等离子体清洗，接着，步骤(3)中，在第二真空腔体中沉积ITO层。由于采用相连通的第一真空腔体、第二真空腔体依次进行等离子体清洗、沉积ITO层，裸露的金属层表面经过等离子体清洗之后马上镀制一层ITO层，使得金属层再次受到氧化的程度进一步减少。
[0016]本发明与现有技术相比，具有如下优点:
本发明由于在步骤(I)中形成金属层，然后将金属层图形化金属搭桥及周边线路，在此基础上，再依次形成绝缘垫块、X方向电极及Y方向电极，并且采用绝缘层、或者ITO层、或者绝缘层与ITO层的结合对金属层进行覆盖，由于绝缘层和ITO层都不容易氧化或腐蚀，这样，绝缘层、或者ITO层、或者绝缘层与ITO层的结合形成了对金属层的保护，防止金属层被氧化或腐蚀，从而省去了现有技术中的保护层，减少了一道工序，降低了生产成本；另外，由于没有聚酰亚胺等透明度较低的材料形成的保护层，使得电容触摸屏的透光率更高，提高了电容触摸屏的质量。
【附图说明】
[0017]图1是现有技术中电容触摸屏的结构示意图；
图2是本发明实施例一电容触摸屏的结构示意图；
图3是本发明实施例二电容触摸屏的结构示意图；
图4是本发明实施例三电容触摸屏的结构示意图；
图5是本发明实施例三中ITO覆盖条覆盖周边线路的示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和本发明的优选实施方式做进一步的说明。
[0019]实施例一
如图2所示，这种制程更少的电容触摸屏制造方法，包括如下步骤:
(1)在玻璃基板I上形成一层金属层2，金属层2采用钼-铝-钼三层合金金属层，采用光刻法对金属层2进行图形化，形成金属搭桥3及周边线路4 ;
(2)在金属层2上形成一层绝缘层5，绝缘层5采用厚度为3μπι (I?5 μπι都可以)的光敏树脂层形成，采用显影法对绝缘层5进行图形化，形成绝缘垫块6，采用绝缘层5对金属层2及玻璃基板I上的金属焊盘7进行覆盖；
(3)采用相连通的第一真空腔体和第二真空腔体依次进行等离子体清洗和沉积ITO层8，其中，第一真空腔体具有还原气氛的等离子体；等离子体清洗和沉积ITO层8的具体过程如下:先将玻璃基板I通过第一真空腔体，等离子体对金属层2表面进行等离子体清洗，接着，在第二真空腔体中，在绝缘层5上沉积一层ITO层8，采用光刻法对ITO层8进行图形化，形成X方向电极9及Y方向电极10。
[0020]实施例二
如图3所示，在其它部分均与实施例一相同的情况下，其区别在于:在步骤(3)中，采用ITO层8对金属层2及金属焊盘7进行覆盖，覆盖在周边线路4上的ITO层8被图形化为ITO覆盖条11，ITO覆盖条11覆盖周边线路4的上表面及两侧边。
[0021]实施例三
如图4和图5所示，在其它部分均与实施例一相同的情况下，其区别在于:在步骤(2)中，先采用绝缘层5对金属层2及金属焊盘7进行覆盖，接着在步骤(3 )中，采用ITO层8对绝缘层5进行覆盖，并且，步骤(3)中，覆盖在周边线路4上的ITO层8被图形化为与周边线路4形状一致的ITO覆盖条11，ITO覆盖条11的宽度大于周边线路4的宽度。
[0022]由于在步骤(I)中形成金属层2，然后将金属层2图形化金属搭桥3及周边线路4，在此基础上，再依次形成绝缘垫块6、X方向电极9及Y方向电极10，并且采用绝缘层5、或者ITO层8、或者绝缘层5与ITO层8的结合对金属层2进行覆盖，由于绝缘层5和ITO层8都不容易氧化或腐蚀，这样，绝缘层5、或者ITO层8、或者绝缘层5与ITO层8的结合形成了对金属层2的保护，防止金属层2被氧化或腐蚀，从而省去了现有技术中的保护层，减少了一道工序，降低了生产成本；另外，由于没有聚酰亚胺等透明度较低的材料形成的保护层，使得电容触摸屏的透光率更高，提高了电容触摸屏的质量。
[0023]此外，需要说明的是，本说明书中所描述的具体实施例，其各部分名称等可以不同，凡依本发明专利构思所述的构造、特征及原理所做的等效或简单变化，均包括于本发明专利的保护范围内。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种制程更少的电容触摸屏制造方法，其特征在于包括如下步骤: (1)在玻璃基板上形成一层金属层，采用光刻法对金属层进行图形化，形成金属搭桥及周边线路； (2)在金属层上形成一层绝缘层，采用显影法对绝缘层进行图形化，形成绝缘垫块； (3)在绝缘层上沉积一层ITO层，采用光刻法对ITO层进行图形化，形成X方向电极及Y方向电极； 在所述步骤(2)中，采用绝缘层对金属层进行覆盖；或者在所述步骤(3)中，采用ITO层对金属层进行覆盖；或者在步骤(2)中，先采用绝缘层对金属层进行覆盖，接着在步骤(3)中，采用ITO层对绝缘层进行覆盖。2.如权利要求1所述的电容触摸屏制造方法，其特征是:在所述步骤(3)中，采用ITO层对金属层进行覆盖，覆盖在周边线路上的ITO层被图形化为ITO覆盖条，ITO覆盖条覆盖周边线路的上表面及两侧边。3.如权利要求1所述的电容触摸屏制造方法，其特征是:在所述步骤(2)中，先采用绝缘层对金属层进行覆盖，接着在步骤(3)中，采用ITO层对绝缘层进行覆盖，并且，步骤(3)中，覆盖在周边线路上的ITO层被图形化为与周边线路形状一致的ITO覆盖条，ITO覆盖条的宽度大于周边线路的宽度。4.如权利要求1或2或3所述的电容触摸屏制造方法，其特征是:所述玻璃基板上还设有向外连接的金属焊盘，所述绝缘层、或者ITO层、或者绝缘层与ITO层的结合覆盖金属焊盘。5.如权利要求1或2或3所述的电容触摸屏制造方法，其特征是:在所述步骤(2)与步骤(3)之间，还对所述金属层表面进行等离子体清洗。6.如权利要求5所述的电容触摸屏制造方法，其特征是:采用相连通的第一真空腔体和第二真空腔体依次进行等离子体清洗和沉积ITO层，其中，第一真空腔体具有还原气氛的等离子体；等离子体清洗和沉积ITO层的具体过程如下:在所述步骤(2)与步骤(3)之间，将所述玻璃基板通过第一真空腔体，等离子体对所述金属层表面进行等离子体清洗，接着，步骤(3)中，在第二真空腔体中沉积ITO层。
【文档编号】G06F3/044GK105988647SQ201510060317
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月5日
【发明人】沈奕, 吴永俊, 吴锡淳, 林钢, 詹前贤, 林铿, 陈远明, 高嘉桐
【申请人】汕头超声显示器技术有限公司