一种双面消影触摸屏传感器及其生产工艺的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种双面消影触摸屏传感器及其生产工艺，包含超薄玻璃基板，消影层，顶部ITO感应层，底部ITO感应层，玻璃盖板，超薄玻璃基板上下双面镀有消影层，顶部ITO感应层镀在超薄玻璃基板上方消影层表面，底部ITO感应层镀在超薄玻璃基板下方消影层表面，超薄玻璃基板与玻璃盖板通过OCA贴合。本发明优化了触摸屏传感器结构，增加了可见光透过率，节省了工艺成本。
【专利说明】一种双面消影触摸屏传感器及其生产工艺
[0001]
技术领域
[0002]本发明涉及触摸屏领域，尤其涉及一种双面消影触摸屏传感器及其生产工艺。
【背景技术】
[0003]电容式触摸屏是利用人体的电流感应进行工作的。电容式触摸屏是一块四层复合玻璃屏，玻璃屏的内表面和夹层各涂有一层ITO，最外层是一薄层矽土玻璃保护层，夹层ITO涂层作为工作面，四个角上引出四个电极，内层ITO为屏蔽层以保证良好的工作环境。当手指触摸在金属层上时，由于人体电场，用户和触摸屏表面形成以一个耦合电容，对于高频电流来说，电容是直接导体，于是手指从接触点吸走一个很小的电流。这个电流分别从触摸屏的四角上的电极中流出，并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比，控制器通过对这四个电流比例的精确计算，得出触摸点的位置。触摸点的位置就是触摸屏传感器结构设计的核心。
[0004]触摸屏传感器结构分为单面搭桥式、双面方块式，毛毛虫式，斜三角式等。比较成熟的技术为“G+F+F”结构式触摸屏，即表面钢化玻璃+ ITO薄膜+ITO薄膜结构的触摸屏。现有设计的主要缺点在于，此种触摸屏的ITO薄膜使用了两片，即丝印耐酸(ΙΤ0图形化)，丝印银浆各使用了两道工序，最后两片ITO薄膜感应层贴合与FOG各使用了 OCA，导致成本增加，毛利润降低。且ITO薄膜的可见光透过率不及ITO玻璃。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题是设计一种双面消影触摸屏传感器，提供一种超薄双面消影ITO玻璃基板替代两片ITO薄膜感应层。解决现有技术成本较高的问题，并改善可见光透过率。
[0006]本发明解决其技术问题的技术方案为:
一种双面消影触摸屏传感器，包含超薄玻璃基板，消影层，顶部ITO感应层，底部ITO感应层，玻璃盖板，所述超薄玻璃基板上下双面镀有所述消影层，所述顶部ITO感应层镀在所述超薄玻璃基板上方消影层表面，所述底部ITO感应层镀在所述超薄玻璃基板下方消影层表面，所述超薄玻璃基板与所述玻璃盖板通过OCA贴合。
[0007]所述超薄玻璃基板的厚度为0.2mm。
[0008]所述消影层包括双层，分别为五氧化二铌层和二氧化硅层。
[0009]所述消影层与所述顶部ITO感应层以及所述底部ITO感应层是通过双面一次成型溅射镀膜形成的。
[0010]所述顶部ITO感应层和所述底部ITO感应层通过双面一次成型溅射镀膜形成后，要经过黄光工艺处理。
[0011]所述超薄玻璃基板的顶部ITO感应层上表面与所述玻璃盖板的下表面通过OCA贴口 O
[0012]所述双面消影触摸屏传感器的生产工艺，包括如下步骤:
a.清洗所述超薄玻璃基板；
b.双面依次成型溅射镀所述消影层和所述顶部ITO感应层以及所述底部ITO感应层；
c.对所述底部ITO感应层光阻保护，对所述顶部ITO感应层采用黄光工艺进行图形化；
d.对所述顶部ITO感应层光阻保护，对所述底部ITO感应层采用黄光工艺进行图形化；
e.双面光阻脱膜；
f.将超薄玻璃基板与玻璃盖板用OCA贴合。
[0013]本发明的有益效果在于优化了触摸屏传感器结构，增加了可见光透过率，节省了工艺成本。
【附图说明】
[0014]下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做进一步阐明。
[0015]图1为双面消影触摸屏传感器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]结合图1，对本发明作出进一步的详细说明。
[0017]—种双面消影触摸屏传感器，包含超薄玻璃基板Usensor glass)，消影层，顶部ITO感应层4(top ITO sensor)，底部ITO感应层5(bottom ITO driver)，玻璃盖板7(coverlens)，超薄玻璃基板I上下双面镀有消影层，顶部ITO感应层4镀在超薄玻璃基板I上方消影层表面，底部ITO感应层5镀在超薄玻璃基板I下方消影层表面，超薄玻璃基板I与玻璃盖板7通过0CA6贴合。
[0018]如图1所示，将顶部ITO感应层4与底部ITO感应层5集成到一片超薄玻璃基板I的上表面与下表面。超薄玻璃基板I为承载ITO感应层的主体，在超薄玻璃基板I与两个ITO感应层之间都有着一层光学折射率匹配层即消影层，最后将集成ITO感应层的超薄玻璃基板I与玻璃盖板7通过0CA6贴合。这种结构设计以以超薄玻璃基板I替代两片ITO fiIm，节省了一片ITO薄膜的成本。
[0019]超薄玻璃基板I的厚度为0.2mm。
[0020]玻璃基板可以高温溅射ITO，ITO层为结晶态，与ITO薄膜相比，不需要老化处理，节约了工艺时间。
[0021]所述消影层包括双层，分别为五氧化二铌层2和二氧化硅层3。
[0022]消影层与顶部ITO感应层4以及底部ITO感应层5是通过双面一次成型溅射镀膜形成的。
[0023]依次双面一次成型溅射镀消影层的五氧化二铌层2、消影层的二氧化硅层3、IT0感应层(顶部ITO感应层4和底部ITO感应层5同时双面一次成型溅射镀)，通过增加消影层可以减少低阻值ITO带来的蚀刻痕，同时也增加了整体ITO玻璃传感器的可见光透过率。
[0024]顶部ITO感应层4和底部ITO感应层5通过双面一次成型溅射镀膜形成后，要经过黄光工艺处理。
[0025]通过黄光工艺处理使ITO感应层图形化。
[0026]以低阻值的ITO完成了传感器结构及边框走线，替代了两次丝印银浆工艺，也节约了银浆成本。
[0027]超薄玻璃基板I的顶部ITO感应层4上表面与玻璃盖板7的下表面通过0CA6贴合。
[0028]双面消影触摸屏传感器的生产工艺，包括如下步骤:
a.清洗超薄玻璃基板I;
b.双面依次成型溅射镀消影层和顶部ITO感应层4以及底部ITO感应层5;
c.对底部ITO感应层5光阻保护，对顶部ITO感应层4采用黄光工艺进行图形化；
d.对顶部ITO感应层4光阻保护，对底部ITO感应层5采用黄光工艺进行图形化；
e.双面光阻脱膜；
f.将超薄玻璃基板I与玻璃盖板7用0CA6贴合。
[0029]首先在超薄玻璃基板I镀膜前要对超薄玻璃基板I进行清洗，然后通过真空磁控溅射双面一次成型镀五氧化二铌层2，使得超薄玻璃基板I上下表面都镀有五氧化二铌层2。再过真空磁控溅射双面一次成型镀二氧化硅层3，使得上下五氧化二铌层2表面都镀有二氧化硅层3。最后真空磁控溅射双面一次成型镀ITO感应层，包括超薄玻璃基板I上表面的顶部ITO感应层4和超薄玻璃基板I下表面的底部ITO感应层5。
[0030]通过对底部ITO感应层5光阻保护，对顶部ITO感应层4采用黄光工艺进行图形化处理。磁控溅射所生成的ITO层，可以理解为一些单个的原子或原子团经氧化后堆积在一起所形成的薄膜，所以从宏观上讲，它可以理解为具有各向同性的特性，也就是在光、电、化学等性能上，各个方向基本上是一致的。这个特性可以让ITO感应层在进行化学蚀刻时，各个方向的化学反应速度都一致，从而得到很好的图形重现性。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在ITO感应层表面刻蚀所需的电路图形。图形化之后，对双面的光阻脱膜。
[0031]最后，通过0CA6将超薄玻璃基板I与玻璃盖板7进行贴合。
[0032]在以上的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是以上描述仅是本发明的较佳实施例而已，本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受上面公开的具体实施的限制。同时任何熟悉本领域技术人员在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种双面消影触摸屏传感器，其特征在于，包含超薄玻璃基板，消影层，顶部ITO感应层，底部ITO感应层，玻璃盖板，所述超薄玻璃基板上下双面镀有所述消影层，所述顶部ITO感应层镀在所述超薄玻璃基板上方消影层表面，所述底部ITO感应层镀在所述超薄玻璃基板下方消影层表面，所述超薄玻璃基板与所述玻璃盖板通过OCA贴合。2.如权利要求1所述的双面消影触摸屏传感器，其特征在于，所述超薄玻璃基板的厚度为0.2mmο3.如权利要求1所述的双面消影触摸屏传感器，其特征在于，所述消影层包括双层，分别为五氧化二铌层和二氧化硅层。4.如权利要求1所述的双面消影触摸屏传感器，其特征在于，所述消影层与所述顶部ITO感应层以及所述底部ITO感应层是通过双面一次成型溅射镀膜形成的。5.如权利要求1所述的双面消影触摸屏传感器，其特征在于，所述顶部ITO感应层和所述底部ITO感应层通过双面一次成型溅射镀膜形成后，要经过黄光工艺处理。6.如权利要求1所述的双面消影触摸屏传感器，其特征在于，所述超薄玻璃基板的顶部ITO感应层上表面与所述玻璃盖板的下表面通过OCA贴合。7.如权利要求1-6所述的双面消影触摸屏传感器的生产工艺，其特征在于，包括如下步骤: a.清洗所述超薄玻璃基板； b.双面依次成型溅射镀所述消影层和所述顶部ITO感应层以及所述底部ITO感应层； c.对所述底部ITO感应层光阻保护，对所述顶部ITO感应层采用黄光工艺进行图形化； d.对所述顶部ITO感应层光阻保护，对所述底部ITO感应层采用黄光工艺进行图形化； e.双面光阻脱膜； f.将超薄玻璃基板与玻璃盖板用OCA贴合。
【文档编号】G06F3/041GK106020560SQ201610611004
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月29日
【发明人】王进东
【申请人】江苏宇天港玻新材料有限公司