有机发光二极管显示器及其制造方法
【专利摘要】提供了有机发光二极管显示器及其制造方法。根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光二极管显示器包括：衬底；多个有机发光元件，布置在衬底上并且配置为发光；触摸面板，位于多个有机发光元件上；窗，位于触摸面板上；以及第一光阻挡层，位于窗的表面处，并且对应于从多个有机发光元件发射的光的路径且具有暴露窗的一部分的暴露区域。
【专利说明】
有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域
[0001 ]本公开涉及有机发光二极管显示器及其制造方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管显示器的有机发光元件包括两个电极以及位于两个电极之间的有机发射层，并且从作为一个电极的阴极注入的电子和从作为另一个电极的阳极注入的空穴在有机发射层中彼此结合以生成激子，并且光通过发射激子的能量而发射。
[0003]有机发光二极管显示器包括多个像素，其中多个像素包括由阴极、阳极和有机发射层配置的有机发光元件，并且在每个像素中，形成有用于驱动有机发光元件的多个晶体管和存储电容器。多个晶体管通常包括开关晶体管和驱动晶体管。
[0004]每个像素可通过开口有发射区域的像素限定层划分，并且在像素限定层的被开口的发射区域内可形成包括发射红光、绿光和蓝光的有机发射层的有机发光元件。
[0005]另外，诸如偏振膜、相位差膜、黑色薄膜和滤色片的配置形成在有机发光元件上，以配置显示面板。
[0006]在具有这种配置的显示面板的情况中，因为厚度由于诸如像素限定层、偏振膜、相位差膜和滤色片的配置而增加并且其它多个配置存在于有机发光元件上，所以光发射效率变差。
[0007]该背景部分中所公开的上述信息仅为了增强对本发明的背景的理解，并因此其可包含不形成现有技术的信息。
【发明内容】
[0008]本发明的实施方式的各方面针对能够减少在有机发光二极管显示器的制造工艺中所产生的成本和时间的有机发光二极管显示器及其制造方法。
[0009]根据本发明的一个或多个不例性实施方式，一种有机发光二极管显不器包括:衬底;多个有机发光元件，位于衬底上并且配置为发光;触摸面板，位于多个有机发光元件上；窗，位于触摸面板上；以及第一光阻挡层，位于窗的表面处，并且对应于从多个有机发光元件发射的光的路径且具有暴露窗的一部分的暴露区域。
[0010]有机发光二极管显示器还可包括位于窗的表面处并且对应于窗的边缘区域的第二光阻挡层。
[0011]第一光阻挡层和第二光阻挡层可以是整体的。
[0012]第一光阻挡层可以与第二光阻挡层在厚度上不同。
[0013]窗的表面可以是窗的下表面。
[0014]第一光阻挡层和第二光阻挡层可包括光阻挡材料。
[0015]多个有机发光元件中的每个可包括位于衬底上的第一电极、位于第一电极上并且配置为发光的有机发射层、以及位于有机发射层上的第二电极。
[0016]多个有机发光元件可包括分别配置为发射红光、绿光和蓝光的第一有机发光元件、第二有机发光元件和第三有机发光元件。
[0017]有机发光二极管显示器还可包括滤色层，该滤色层包括分别对应于从第一至第三有机发光元件发射的光的路径的第一至第三滤色片。
[0018]滤色层可位于触摸面板和多个有机发光元件之间。
[0019]第一粘合层可位于滤色层和触摸面板之间，并且第二粘合层可位于触摸面板和窗之间。
[0020]滤色层可位于窗的表面处且位于第一光阻挡层的暴露区域处。
[0021 ]第二粘合层可位于触摸面板和窗之间。
[0022]根据本发明的一个或多个示例性实施方式，一种制造有机发光二极管显示器的方法包括:制备衬底;在衬底上形成多个有机发光元件，该多个有机发光元件中的每个配置为发光;在多个有机发光元件上形成滤色层，该滤色层对应于多个有机发光元件的光路径;在滤色层上布置触摸面板;在窗的表面上将第一光阻挡层形成为具有暴露窗的一部分的暴露区域；以及在触摸面板上将窗布置成使得第一光阻挡层的暴露区域对应于多个有机发光元件的光路径。
[0023]在窗的表面上的第一光阻挡层的形成中，可在窗的表面上同步地形成对应于窗的边缘区域的第二光阻挡层。
[0024]第一光阻挡层和第二光阻挡层可通过利用半色调掩模形成。
[0025]根据本发明的一个或多个示例性实施方式，一种制造有机发光二极管显示器的方法包括:制备衬底;在衬底上形成多个有机发光元件，该多个有机发光元件中的每个配置为发光;在多个有机发光元件上布置触摸面板;在窗的表面上将第一光阻挡层形成为具有暴露窗的一部分的暴露区域；以及在触摸面板上将窗布置成使得第一光阻挡层的暴露区域对应于多个有机发光元件的光路径。
[0026]在窗的表面上的第一光阻挡层的形成中，可在窗的表面上同步地形成对应于窗的边缘区域的第二光阻挡层。
[0027]第一光阻挡层和第二光阻挡层可通过利用半色调掩模形成。
[0028]该制造有机发光二极管显示器的方法还可包括在窗的表面上的第一光阻挡层的暴露区域内形成滤色层，其中，滤色层可对应于多个有机发光元件的光路径。
[0029]根据上述的显示装置，第一光阻挡层和第二光阻挡层可整体地形成在窗的下表面上，从而与相关领域中的有机发光二极管显示器的制造工艺相比减少了制造成本和制造时间。
[0030]而且，第一光阻挡层可形成在窗的下表面上，从而减少了外反射率。
【附图说明】
[0031]图1是根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。
[0032]图2是根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光二极管显示器中的一个像素的等效电路图。
[0033]图3是图1的区域X内的有机发光二极管显示器的部分剖视图。
[0034]图4是根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。
[0035]图5是根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。
[0036]图6是相关技术中的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。
[0037]图7是通过根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光二极管显示器来降低外反射的效果的图表。
[0038]图8是根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的流程图。
[0039]图9是形成第一光阻挡层和第二光阻挡层的工艺的图示。
[0040]图10是根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0041]在下文中，参考示出了本发明的实例性实施方式的附图对本发明更全面地进行描述。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施方式可以各种不同的方式修改，而均不背离本发明的精神和范围。附图和说明应被认为实质上是说明性的，而不是限制性的。在说明书各处，相同的参考标号指定相同的元件。
[0042]在附图中，为了清楚起见，层、区、膜、面板、区域等的厚度和/或尺寸可被夸大。
[0043]在下文中，参考图1至图3对根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器进行描述。
[0044]图1是根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图，图2是根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器中的一个像素的等效电路图，以及图3是图1的区域X内的有机发光二极管显示器的部分剖视图。
[0045]参考图1，根据一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器包括衬底200、多个有机发光元件310R、310G和310B、触摸面板700、窗900以及第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b。
[0046]衬底200可形成为由玻璃、石英、陶瓷和/或塑料制成的绝缘衬底。然而，本发明不限于此，并且衬底200可由具有柔性的绝缘材料制成，例如，聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、苯乙烯-丙烯腈共聚物(SAN)和/或有机硅丙烯酸树脂。图1的衬底200对应于图3的衬底 123。
[0047]配置为发光的多个有机发光元件310R、310G和310B可布置在衬底200上。多个有机发光元件可包括分别发射红光、绿光和蓝光的第一至第三有机发光元件310R、310G和310B。第一至第三有机发光元件310R、310G和310B中的每个可布置在由像素限定层330a、330b、330c和330d划分的像素区内。
[0048]另外，第一至第三有机发光元件310R、310G和310B中的每个可由第一电极160、有机发射层170和第二电极180配置。在下文中，参考图2和图3，提供了对于第一至第三有机发光元件310R、310G和310B的附加描述。
[0049]封装层400可形成在第一至第三有机发光元件310R、310G和310B上。封装层400从外部封装并保护(或基本上保护)第一至第三有机发光元件310R、310G和310B以及驱动电路单元。
[0050]根据本发明的一个或多个示例性实施方式的封装层400可以是通过密封剂执行封装的封装构件。用作封装构件的密封剂可以由诸如玻璃、石英、陶瓷、塑料和/或金属的不同的材料形成。
[0051]封装层400还可在不使用密封剂的情况下通过在第二电极180上沉积无机层和有机层形成。封装层400可包括封装有机层和封装无机层，并且这些层可以逐一交替地层叠。例如，两个封装有机层和两个封装无机层可逐一交替地层叠以配置封装层400，但是本发明不限于此。
[0052]根据本发明的一个或多个示例性实施方式，滤色层CF可形成在封装层400上。滤色层CF可包括具有不同颜色的第一滤色片510R、第二滤色片510G和第三滤色片510B。例如，在一个或多个示例性实施方式中，第一滤色片510R可以是红色的，第二滤色片510G可以是绿色的，并且第三滤色片510B可以是蓝色的。
[0053]在这种情况下，第一至第三滤色片510R、510G和510B放置成分别对应于从第一至第三有机发光元件310R、310G和310B发射的光的路径。在一个或多个示例性实施方式中，第一滤色片510R可放置成对应于第一有机发光元件310R的光路径。也就是说，第一滤色片510R和第一有机发光元件310R可平行布置。具体地，第一滤色片510R可布置成与在下文中进一步描述的第一有机发光元件310R的有机发射层平行。
[0054]而且，第二滤色片51G可放置成对应于第二有机发光元件31G的光路径，并且第二滤色片510G和第二有机发光元件310G可平行布置。第三滤色片510B可放置成对应于第三有机发光元件310B的光路径，并且第三滤色片510B和第三有机发光元件310B可平行布置。
[0055]图7是示出了通过根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光二极管显示器来降低外反射的效果的图表。如图7所示，在不具有偏振膜或滤色层的有机发光二极管显示器(Pane 1_0LED)的情况中，与包括偏振膜的有机发光二极管显示器(Pane 1_0LED_P0L膜)和根据本发明的一个或多个示例性实施方式的包括滤色层的有机发光二极管显示器(Panel_0LED_CF)相比，外反射率高。
[0056]也就是说，如本发明的示例性实施方式，包括滤色层的有机发光二极管显示器与不具有滤色层的有机发光二极管显示器相比具有减小的外反射率，并且可具有与包括偏振膜的有机发光二极管显示器类似的效果。
[0057]用于保护滤色片并且使具有滤色片的层的表面平整的覆层530可设置在第一至第三滤色片510R、510G和510B上。
[0058]覆层530可使用无机绝缘层或有机绝缘层。在这种情况下，在无机绝缘层中可包括有3丨02、3丨队、3丨(^^1203、1102、了3205、!1?)2、2抑2、831'、？21'等，并且在有机绝缘层中可包括有通用聚合物(PMMA和/或PS)、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和/或其混合物。覆层530可形成为无机绝缘层和/或有机绝缘层的复合叠层。而且，考虑到光发射效率，可使用具有高透射率的材料。
[0059]在本发明的一个或多个示例性实施方式中，触摸面板700可布置在覆盖滤色层CF的覆层530上。触摸面板700可检测经由外部物体的触摸(例如，可配置为检测经由外部物体的触摸)。这里，触摸不仅包括例如用户的手的外部物体直接触摸有机发光二极管显示器的顶部的情况，而且还包括外部物体接近有机发光二极管显示器或在接近有机发光二极管显示器时盘旋的情况。
[0060]在这种情况下，第一粘合层600可置于触摸面板700和覆层530之间。触摸面板700可通过第一粘合层600附接至滤色层CF上。
[0061]第一粘合层600可使用硅和/或丙烯基压缩粘合剂，例如具有低模量值的PSA，但是本发明不限于此。在一个或多个实施方式中，可省略形成在滤色层CF上的覆层530。
[0062]另外，第二粘合层800可布置在触摸面板700上。窗900可通过第二粘合层800附接至触摸面板700或附接至触摸面板700上。第二粘合层800可如第一粘合层600那样使用硅或丙烯基压缩粘合剂，例如具有低模量值的PSA，但是本发明不限于此。
[0063]在根据本发明的一个或多个不例性实施方式的有机发光二极管显不器中，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b可形成在窗900的表面(例如，下表面)上。第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b可整体地形成在窗900的下表面上。这里，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b可通过使用半色调掩模整体地形成在窗900的下表面上。在下文中，参考根据本发明的一个或多个实施方式的有机发光二极管显不器的制造方法对第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b的附加描述进行描述。
[0064]在这种情况下，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b可由阻挡光透射的光阻挡材料制成。例如，配置作为黑色矩阵BM的已知材料可应用于第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b。
[0065]第一光阻挡层850a、850b、850c和850d限定暴露区域，以暴露窗900的一部分(或部分)。更具体地，暴露窗900的一部分的多个暴露区域形成在第一光阻挡层850a、850b、850c和850d上。在这种情况下，多个暴露区域布置成与从第一至第三有机发光元件310R、310G和31OB中的每个发射的光的路径对应。
[0066]例如，从第一有机发光元件310R发射的光沿着光路径移动，从而穿过第一光阻挡层850a和850b之间的暴露区域。从第二有机发光元件31G发射的光沿着光路径移动，从而穿过第一光阻挡层850b和850c之间的暴露区域。而且，从第三有机发光元件310B发射的光沿着光路径移动，从而穿过第一光阻挡层850c和850d之间的暴露区域。
[0067]也就是说，从第一至第三有机发光元件310R、310G和310B中的每个产生的光穿过每个对应的第一光阻挡层的暴露区域，从而通过窗900被发射到外部，并且第一光阻挡层中除暴露区域外的其余部分可阻挡光透射。
[0068]根据本发明的一个或多个示例性实施方式，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d可形成在窗900的下表面上以减小外反射率。
[0069]第二光阻挡层860a和860b可布置在窗900的边缘区域内。第二光阻挡层860a和第二光阻挡层860b可阻挡布置在有机发光二极管显示器的边缘区域内的内部配置暴露于外部。
[0070]如上所述，第二光阻挡层860a和860b可以与第一光阻挡层850a、850b、850c和850d整体地形成。第一光阻挡层850a、850b、850c和850d的厚度与第二光阻挡层860a和860b的厚度可互相相差半色调掩模。例如，在一个或多个示例性实施方式中，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d的厚度可以比第二光阻挡层860a和860b的厚度小。
[0071]图6是相关技术中的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。在相关技术中的有机发光二极管显示器中，第一光阻挡层540形成在第一至第三滤色片510R、510G和510B之间。也就是说，在相关技术中的有机发光二极管显示器中，第一光阻挡层540和第二光阻挡层860放置在彼此不同的层上。因此，在相关技术中的有机发光二极管显示器中，为了形成第一光阻挡层540和第二光阻挡层860，需要独立的工艺。
[0072]然而，在根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器中，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d与第二光阻挡层860a和860b整体地形成在窗900的下表面上。也就是说，与相关技术不同，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b可通过一个工艺形成。因此，在根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器中，与相关技术中的有机发光二极管显示器的制造工艺相比，可减少工艺成本和工艺时间。
[0073]在下文中，参考图2和图3对根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的结构更详细地进行描述。
[0074]图2是有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图，以及图3是图1的区域X内的有机发光二极管显示器的部分剖视图。
[0075]参考图2，有机发光二极管显示器可包括多个信号线121、171和172以及连接至多个信号线121、171和172的像素PX。像素PX可以是红色像素、绿色像素和蓝色像素中的一个。
[0076]信号线包括传送栅信号(或可替代地，扫描信号)的扫描信号线121、传送数据信号的数据线171、传送驱动电压的驱动电压线172等。扫描信号线121基本上在行方向上延伸且基本上互相平行，并且数据线171基本上在列方向上延伸且基本上互相平行。虽然示出了驱动电压线172基本上在列方向上延伸，但是驱动电压线172也可在行方向上或在列方向上延伸或者可形成为网状。
[0077]在一个或多个实施方式中，一个像素PX包括，具有开关晶体管Tl和驱动晶体管T2的薄膜晶体管、存储电容器Cst和有机发光元件LD。一个像素PX可进一步包括额外的薄膜晶体管和额外的电容器，以补偿提供至有机发光元件LD的电流。
[0078]开关晶体管Tl具有控制端子N1、输入端子N2和输出端子N3。控制端子NI连接至扫描信号线121，输入端子N2连接至数据线171，并且输出端子N3连接至驱动晶体管T2。开关晶体管Tl响应于从扫描信号线121接收到的扫描信号将从数据线171接收到的数据信号传送至驱动晶体管T2。
[0079]另外，驱动晶体管T2还具有控制端子N3(S卩，开关晶体管Tl的输出端子N3)、输入端子N4和输出端子N5。控制端子N3连接至开关晶体管Tl，输入端子N4连接至驱动电压线172，并且输出端子N5连接至有机发光元件LD。驱动晶体管T2使输出电流Id流过，而输出电流Id的振幅根据施加至控制端子N3和输出端子N5之间的电压而改变。
[0080]在本发明的一个或多个示例性实施方式中，存储电容器Cst连接在驱动晶体管T2的控制端子N3和输入端子N4之间。存储电容器Cst充电有施加至驱动晶体管T2的控制端子N3的数据信号，并且即使在开关晶体管Tl关闭后也保持经充电的数据信号。
[0081 ]有机发光元件LD (例如，有机发光二极管(OLED))具有连接驱动晶体管T2的输出端子N5的阳极和连接至公共电压ELVSS的阴极。有机发光元件LD通过根据驱动晶体管T2的输出电流Id改变强度来发光，从而显示图像。
[0082]有机发光元件LD可包括有机材料，该有机材料独一地发射原色中的任一种或多种，原色诸如红色、绿色和蓝色的三原色，并且例如有机发光二极管显示器通过颜色的空间总和显示想要的图像。
[0083]开关晶体管Tl和驱动晶体管T2可以是η沟道场效应晶体管(FET)，但是开关晶体管Tl和驱动晶体管Τ2中的至少一个可以是P沟道场效应晶体管。而且，开关晶体管Tl和驱动晶体管Τ2、存储电容器Cst以及有机发光元件LD之间的连接关系可以改变。
[0084]在下文中，参考图3中示出的有机发光二极管显示器的剖视图对有机发光二极管显示器进行描述。
[0085]参考图3，对应于上文中所描述的图1的衬底200的衬底123可由绝缘衬底形成，而绝缘衬底由玻璃、石英、陶瓷、塑料和/或类似物制成。
[0086]衬底缓冲层126可形成在衬底123上。衬底缓冲层126用于防止或基本上防止杂质元素渗透并且使表面平整。
[0087]在一个或多个示例性实施方式中，衬底缓冲层126可以由能够实现上述功能的各种材料制成。例如，氮化娃(SiNx)层、氧化娃(Si02)层和氮氧化娃(S1xNy)层中的一个可用作衬底缓冲层126。然而，在一个或多个实施方式中，根据所使用的衬底123的种类和/或工艺条件，有机发光二极管显示器可省略衬底缓冲层126。
[0088]驱动半导体层137可形成在衬底缓冲层126上。驱动半导体层137形成为多晶硅层。而且，驱动半导体层137包括未掺杂杂质的沟道区域135以及在沟道区域135的两侧处掺杂有杂质的源区域134和漏区域136。在这种情况下，掺杂的离子材料是P型(P沟道)杂质，如硼(B)，并且可使用B2H6。这里，杂质根据薄膜晶体管的种类而不同。
[0089]由氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(S12)制成的栅绝缘层127形成在驱动半导体层137上。包括驱动栅电极133的栅极线形成在栅绝缘层127上。另外，驱动栅电极133形成为与驱动半导体层137的至少一部分重叠，特别是与沟道区域135重叠。
[0090]覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层128形成在栅绝缘层127上。暴露驱动半导体层137的源区域134和漏区域136的接触孔128a形成在栅绝缘层127和层间绝缘层128中。如栅绝缘层127那样，层间绝缘层128可通过使用如由氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(S12)的陶瓷基材料形成。
[0091]另外，包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据线形成在层间绝缘层128上。而且，驱动源电极131和驱动漏电极132分别经由形成在层间绝缘层128和栅绝缘层127中的接触孔128a与驱动半导体层137的源区域134和漏区域136连接。
[0092]因而，形成了驱动薄膜晶体管130(包括驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132)。驱动薄膜晶体管130的配置不限于上述示例，并且可根据由本领域技术人员可轻易实现的任何适当配置进行各种修改。
[0093]另外，覆盖数据线的平坦化层124形成在层间绝缘层128上。平坦化层124可消除台阶并且使表面平整，以便增加待形成于其上的有机发光元件的光发射效率。而且，平坦化层124具有暴露驱动漏电极132的一部分的电极通孔122a。
[0094]平坦化层124可由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树月旨、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫树脂和苯并环丁烯(BCB)中的一个或多个制成。
[0095]本发明不限于上述结构，并且在一些实施方式中，可省略平坦化层124和层间绝缘层128中的一个。
[0096]在这种情况下，有机发光元件的第一电极160形成在平坦化层124上。第一电极160经由平坦化层124的电极通孔122a连接至驱动漏电极132。
[0097]有机发射层170形成在第一电极160上，并且第二电极180形成在有机发射层170上。因而，形成了有机发光元件LD(包括第一电极160、有机发射层170和第二电极180)。图3的有机发光元件LD对应于图1的第一至第三有机发光元件310R、310G和310B。
[0098]在一个或多个示例性实施方式中，第一电极160是作为空穴注入电极的阳极，并且第二电极180是作为电子注入电极的阴极。然而，本发明不必须限于此，并且根据有机发光二极管显示器的驱动方法，在一些实施方式中，第一电极160可以是阴极，并且第二电极180可以是阳极。空穴和电子分别从第一电极160和第二电极180注入到有机发射层170中，并且通过结合注入的空穴和电子而产生的激子从激发态跃迀至基态，从而发光。
[0099]而且，示例性实施方式的有机发射层170可由包括发光层、以及空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个的多层形成。在有机发射层170包括上述所有层的情况中，HIL布置在作为阳极的第一电极160上，并且HTL、发光层、ETL、EIL顺序地层叠在HIL上。
[0100]在这种情况下，第一电极160和第二电极180中的每个可由透明导电材料、半透射半反射式导电材料或反射式导电材料制成。根据形成第一电极160和第二电极180的材料的种类，有机发光二极管显示器可以是顶部发射型显示器、底部发射型显示器或两侧发射型显示器。
[0101]覆盖并保护第二电极180的包覆层可在第二电极180上形成为有机层。
[0102]另外，封装层400可形成在包覆层上。封装层400从外部封装并保护形成在衬底123上的有机发光元件LD和驱动电路单元。
[0103]在一个或多个示例性实施方式中，封装层400、滤色层CF、覆层530、第一粘合层600、触摸面板700、第二粘合层800、窗900以及第一光阻挡层850a和第一光阻挡层850b顺序地层叠。因为其描述与上文中所描述的内容相同，所以省略额外描述。
[0104]在下文中，参考图4和图5以及上文中所描述的图1对根据一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器进行描述。当描述根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器时，可省略对于与上述有机发光二极管显示器相同的配置的额外描述。
[0105]图4是根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图，以及图5是根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。
[0106]参考图4，在根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器中，第一至第三滤色片510R’、510G’和510B’形成在窗900的下表面上。在一个或多个示例性实施方式中，如图1所示，滤色层CF可布置在触摸面板700与第一至第三有机发光元件310R、310G和310B之间。然而，在一些示例性实施方式中，如图4所示，第一至第三滤色片510R’、510G’和510B’可布置在窗900的下表面上。
[0107]在本发明的一个或多个示例性实施方式中，可省略如上所述为保护或基本保护第一至第三滤色片510R、510G和510B并且使表面平整而形成的覆层530。
[0?08]在根据本发明的一个或多个不例性实施方式的有机发光二极管显不器中，第一至第三滤色片510R’、510G’和510B’布置在形成于第一光阻挡层850a、850b、850c和850d之间的多个暴露区域内。
[0109]在这种情况下，第一至第三滤色片510R’、510G’和510B’放置成分别对应于从第一至第三有机发光元件310R、310G和310B发射的光的路径。例如，第一滤色片510R’可放置成对应于第一有机发光元件31R的光路径。也就是说，第一滤色片51R ’和第一有机发光元件310R可平行布置。更具体地，第一滤色片510R’可布置成与第一有机发光元件310R的有机发射层平行。
[0110]而且，第二滤色片51G’可放置成对应于第二有机发光元件310G的光路径，并且第二滤色片510G’和第二有机发光元件310G可平行布置。第三滤色片510B’可放置成对应于第三有机发光元件310B的光路径，并且第三滤色片510B’和第三有机发光元件310B可平行布置。
[0111]参考图5，在根据本发明的一个或多个示例性实施方式中，可省略滤色层CF。如图1和图4所示，在一些示例性实施方式中，有机发光二极管显示器可包括滤色层CF，但是在一些示例性实施方式中，如图5所示，可省略滤色层CF。
[0112]另外，在本发明的一个或多个示例性实施方式中，如图5所示，可省略为保护第一至第三滤色片510R、510G和510B并且使表面平整而形成的覆层530。
[0113]在下文中，参考图8和图9以及上文中所描述的图1至图3对根据一个或多个示例性实施方式的制造有机发光二极管显示器的方法进行描述。当描述有机发光二极管显示器的制造方法时，可省略对于与上述有机发光二极管显示器相同的配置的额外描述。
[0114]图8是示出了根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的流程图，以及图9是示出了形成第一光阻挡层和第二光阻挡层的工艺的图示。在这种情况下，图8可对应于解释图1的有机发光二极管显示器的制造方法的流程图。
[0115]首先，参考图1，制备其上可形成多个有机发光元件310R、310G和310B的衬底200(SllO)0
[0116]然后，在衬底200上形成多个有机发光元件310R、310G和310B(S210)。如上所述，薄膜晶体管TFT、第一电极160、有机发射层170、第二电极180、封装层400等可形成在衬底200上。
[0117]此后，在多个有机发光元件310R、310G和310B上形成滤色层CF(S310)。第一至第三滤色片510R、510G和510B可通过涂覆和图案化而形成在封装层400上。在这种情况下，第一至第三滤色片510R、510G和510B分别放置成对应于从第一至第三有机发光元件310R、310G、和310B发射的光的路径。
[0118]然后，在将第一粘合层600布置在滤色层CF上后，将触摸面板700布置在滤色层CF上(S410)。例如，可通过模块单元制造的触摸面板700可通过使用第一粘合层600附接在封装层400上。然而，本发明不限于此，并且可将触摸面板700沉积并且形成在封装层400上。
[0119]另外，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b可同步地(或同时地)形成在窗900的一个表面(例如，下表面)上(S510)。根据一个或多个不例性实施方式，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b可通过使用半色调掩模同步地(或同时地)形成在窗900的下表面上。
[0120]参考图9，半色调掩模M可布置在衬底SU上方或衬底SU上。在这种情况下，在半色调掩模M中形成有第一透射单元Wl、第二透射单元W2和阻挡单元BL，其中，第一透射单元Wl仅使暴露至第一透射单元Wl的光中的一部分透过，第二透射单元W2使暴露至第二透射单元W2的光的全部透过，并且光阻挡单元BL阻挡暴露至光阻挡单元BL的光的全部。因而，可通过使用一个半色调掩模M在衬底SU上形成具有不同厚度的光阻挡层BMl和光阻挡层BM2。因为已知的技术可用作本文中所应用的、使用半色调掩模的工艺，所以省略其额外描述。
[0121]在这种情况下，图9的光阻挡层BMl可对应于图1的第一光阻挡层850a、850b、850c和850d，并且图9的光阻挡层BM2可对应于图1的第二光阻挡层860a和860b。因而，在一个或多个示例性实施方式中，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b可通过一个工艺同步地(或同时地)形成在窗900之下。因此，与相关技术中的有机发光二极管显示器的制造工艺相比，可减少工艺成本和工艺时间。
[0122]然后，在触摸面板700上将窗900布置成使得第一光阻挡层850a、850b、850c和850d对应于多个有机发光元件310R、310G和310B的光路径(S610)。在这种情况下，限定暴露区域以暴露窗900的一部分的第一光阻挡层BMl (例如，限定暴露区域以暴露窗900的暴露部分的第一光阻挡层850a、850b、850c和850d)布置成对应于多个有机发光元件310R、310G和310B的光路径。
[0123]在下文中，参考图4以及上文中所描述的图1至图3对根据一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法进行描述。当描述有机发光二极管显示器的制造方法时，可省略对于与上述有机发光二极管显示器相同的配置的额外的详细描述。
[0124]参考图4，在根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法中，可省略上文中所描述的有机发光二极管显示器的制造方法中形成滤色层CF的工艺。此外，可省略形成覆盖滤色层CF的覆层530的工艺。
[0125]然而，在图4中，如上所述，第一至第三滤色片510R’、510G’和510B’形成在窗900的下表面上。在一个或多个示例性实施方式中，如图1所示，滤色层CF可布置在触摸面板700与第一至第三有机发光元件310R、310G和310B之间。然而，在一些示例性实施方式中，如图4所示，第一至第三滤色片510R’、510G’和510B’可布置在窗900的下表面上。
[0126]在下文中，参考图10以及上文中所述的图1至图3和图5对根据一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法进行描述。当描述有机发光二极管显示器的制造方法时，可省略对于与上述有机发光二极管显示器相同的配置的额外描述。
[0127]图10是示出了根据本发明的一个或多个示例性实施方式的有机发光二极管显示器(例如，图5的有机发光二极管显示器)的制造方法的流程图。
[0128]参考图5和图10，在根据本发明的一个或多个不例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法中，可省略如上所述的有机发光二极管显示器的制造方法中形成滤色层CF的工艺。此外，可省略形成覆盖滤色层CF的覆层530的工艺。也就是说，在一些示例性实施方式中，在制造工艺中，可省略形成滤色层CF的工艺。
[0129]在根据本发明的一个或多个不例性实施方式的有机发光二极管显不器中，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d形成在窗900的下表面上，以减少外反射率。而且，第一光阻挡层850a、850b、850c和850d和第二光阻挡层860a和860b可整体地形成在窗900的下表面上，并且因此，与相关技术中的有机发光二极管显示器的制造工艺相比，可减少工艺成本和工艺时间。
[0130]虽然，已结合目前被认为是实用的示例性实施方式对本发明进行了描述，但是，应理解的是，本发明不限于所公开的实施方式，而相反，本发明旨在涵盖包括在所附权利要求书及其等同的精神和范围内的各种修改和等同方案。
[0131]将理解的是，当如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在介于其间的元件。
[0132]将理解的是，虽然措辞“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些措辞限制。这些措辞用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，上文中所描述的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不背离本发明的精神和范围。
[0133]本文中所使用的术语仅用于描述特定的实施方式的目的，并且不旨在限制本发明。除非上下文另外清楚地指出，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”和“一(an)”也旨在包括复数形式。另外，除非明确相反地描述，否则措辞“包含(comprise)”和“包括(include)” 以及如“包含(comprises)”、“包含有(comprising)”、“包括(includes)”和“包括有(including)”的变型应被理解为表示包括所陈述的元件，而不是排除任何其它元件。如在本文中所使用的措辞“和/或”包括一个或多个相关的所列项目中任何和所有组合。当如“中的至少一个”的表达在一列元件之前时，修饰整列元件，而不是修饰该列中的单个元件。
[0134]为了便于解释，在本文中可使用诸如“在……之下(below)”、“下(lower)”、
“在......下方(under)”、“在......之上(above)”、“upper(上)”等的空间相对措辞来描述如附图所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的定向外，空间相对术语旨在包含装置在使用或操作时的不同定向。例如，如果附图中的装置翻转，则描述为在其它元件或特征“之下”或“下方”的元件将定向为在另一元件或特征“之上”。因此，示例措辞“在......之下(below)”和“在......下方(under)”可包含之上和之下两个定向。装置可以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且，本文中所使用的空间相对描述语应据此解释。
[0135]将理解的是，当元件或层被称为是在另一元件或层“上”、“连接至”或“親接至”另一元件或层时，该元件或层可直接在另一元件或层上、直接连接至或親接至另一元件或层，或者可存在一个或多个介于其间的元件或层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，其可以是这两个元件或层之间唯一的元件或层，或者也可存在一个或多个介于其间的元件或层。而且，在说明书各处，措辞“在……上”意指放置在物体部分上或之下，但是实质上不意指放置在基于重力方向的、物体部分的上侧。
[0136]如本文中所使用的，措辞“基本上”、“约”和类似的措辞用作近似的措辞，并非用作程度的措辞，并且旨在考虑会由本领域普通技术人员辨识的测量或计算值上的内在偏差。而且，当描述本发明的实施方式时，使用“可以(may)”是表示“本发明的一个或多个实施方式”。如在本文中所使用的，措辞“使用(use)”、“使用(using)”和“被使用(used)”可分别被认为是与措辞“utilize(利用)”、“utiIizing(利用)”和“被利用(utilized)”同义。此外，措辞“示例性”旨在表示示例或图例。
[0137]本文中所描述的根据本发明的实施方式的电子或电气装置和/或任何其它相关的装置或组件可利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或者软件、固件和硬件的组合实现。例如，这些装置的各种组件可形成在一个集成电路(IC)芯片上或单独的IC芯片上。而且，这些装置的各种组件可实现在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个衬底上。而且，这些装置的各种组件可以是在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行的程序或进程，一个或多个计算装置执行计算机程序指令并且与用于实现本文中所描述的各种功能的其它系统组件相互作用。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可在计算装置中使用如随机存取存储器(RAM)标准存储器实现，标准存储器。计算机程序指令还可存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如CD-ROM、闪盘驱动器等。此外，本领域技术人员应认识到的是，各种计算装置的功能可以结合或整合到一个计算装置中，或者特定计算装置的功能可跨一个或多个其它计算装置分布，而不背离本发明的示例性实施方式的精神和范围。
[0138]除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与由本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将进一步理解的是，除非本文中明确地如此定义，否则如常用词典中限定的术语应被解释成具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义进行解释。
[0139]部分附图标记的说明
[0140]310R:第一有机发光元件
[0141]310G:第二有机发光元件
[0142]310B:第三有机发光元件
[0143]510R:第一滤色片
[0144]510G:第二滤色片
[0145]510B:第三滤色片
[0146]600:第一粘合层
[0147]700:触摸面板
[0148]800:第二粘合层
[0149]850a、850b、850c、850d 和 540:第一光阻挡层
[0150]860a、860b、860:第二光阻挡层
[0151]900:窗
【主权项】
1.一种有机发光二极管显示器，包括: 衬底； 多个有机发光元件，位于所述衬底上并且配置为发光； 触摸面板，位于所述多个有机发光元件上； 窗，位于所述触摸面板上；以及 第一光阻挡层，位于所述窗的表面处，并且对应于从所述多个有机发光元件发射的光的路径且具有暴露所述窗的一部分的暴露区域。2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括: 第二光阻挡层，位于所述窗的所述表面处并且对应于所述窗的边缘区域。3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一光阻挡层和所述第二光阻挡层是整体的。4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一光阻挡层与所述第二光阻挡层在厚度上不同。5.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述窗的所述表面是所述窗的下表面。6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一光阻挡层和所述第二光阻挡层包括光阻挡材料。7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个有机发光元件包括分别配置为发射红光、绿光和蓝光的第一有机发光元件、第二有机发光元件和第三有机发光元件。8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，还包括: 滤色层，所述滤色层包括第一滤色片、第二滤色片和第三滤色片，其中所述第一滤色片、所述第二滤色片和所述第三滤色片分别对应于从所述第一有机发光元件、所述第二有机发光元件和所述第三有机发光元件发射的光的所述路径。9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述滤色层位于所述触摸面板和所述多个有机发光元件之间。10.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述滤色层位于所述窗的所述表面处且位于所述第一光阻挡层的所述暴露区域处。
【文档编号】H01L27/32GK106066729SQ201610261223
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年4月25日 公开号201610261223.2, CN 106066729 A, CN 106066729A, CN 201610261223, CN-A-106066729, CN106066729 A, CN106066729A, CN201610261223, CN201610261223.2
【发明人】金泳道, 金燻植
【申请人】三星显示有限公司