用于快闪存储器的可扩展spor算法
【专利摘要】突然断电恢复的方法可以包括：读取来自脏块列表上的存储块的脏块元页，将映射信息记录在开放块元页中，通过在脏块元页和开放块元页中查找逻辑块地址LBA来供应主机命令，以及当在脏块元页和开放块元页中未找到LBA时，从脏表读取新的映射信息，并将新的映射信息保存在主机写入元页中。
【专利说明】用于快闪存储器的可扩展SPOR算法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2015年3月20日提交的第62/135,948号美国临时申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]本公开的示例性实施例涉及一种存储器控制器及其操作方法。
【背景技术】
[0004]半导体存储器件通常被分类为易失性存储器件(诸如动态随机存取存储器(DRAM)和静态RAM(SRAM))以及非易失性存储器件(诸如只读存储器(R0M)、掩膜ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电EPROM(EEPROM)、铁磁RAM(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和快闪存储器)。
[0005]易失性存储器件在其电源被切断时丢失其储存的数据，而非易失性存储器件即使在没有恒定电源的情况下也保持其数据。快闪存储器由于其高编程速度、低功耗和大数据储存容量而广泛地用作计算机系统中的储存介质。
[0006]随着容量增加和尺寸减小，快闪存储器的耐久性和可靠性受到关注。存在对增加快闪存储器的耐久性和可靠性的改善系统的需要。
【发明内容】
[0007]本发明的方面包括突然断电恢复的方法。该方法可以包括:读取来自脏块列表上的存储块的脏块元页;将映射信息记录在开放块元页中；通过在脏块元页和开放块元页中查找逻辑块地址(LBA)来供应主机命令；以及当在脏块元页和开放块元页中未找到LBA时，从脏表读取新的映射信息，并将新的映射信息保存在主机写入元页中。
[0008]本发明的进一步的方面包括用于用于突然断电恢复的系统。该系统可以包括:动态随机存取存储器(DRAM)，包括闪存转换层(FTL)表;存储储存器，适用于储存脏块元页、开放块元页和主机写入元页；以及控制器，适用于:读取来自脏块列表上的存储块的脏块元页，将映射信息记录在开放块元页中，通过在脏块元页和开放块元页中查找逻辑块地址(LBA)来供应主机命令，以及当在脏块元页和开放开元页中未找到LBA时，从FTL表读取新的映射信息，并将新的映射信息保存在主机写入元页中。
[0009]本发明的进一步的方面包括存储器件。该存储器件可以包括:控制器，被配置成:读取来自脏块表上的存储块的脏块元页，将映射信息记录在开放块元页中，通过在脏块元页和开放块元页中查找逻辑块地址(LBA)来供应主机命令，以及当在脏块元页和开放块元页中未找到LBA时，从脏表读取新的映射信息，并将新的映射信息保存在主机写入元页中。
【附图说明】
[0010]图1是示意性图示根据本发明的实施例的存储系统的框图。
[0011]图2是图示根据本发明的实施例的存储系统的框图。
[0012]图3是图示根据本发明的实施例的半导体存储器件的存储块的电路图。
[0013]图4是图示根据本发明的方面的存储块的框图。
[0014]图5是根据本发明的方面的用于突然掉电恢复的方法中的步骤的流程图。
[0015]图6是图示根据本发明的方面的脏(dirty)块列表的框图。
[0016]图7A、图7B和图7C是图示根据本发明的方面的元页(meta-page)的框图。
【具体实施方式】
[0017]以下将参照附图来更详细地描述各种实施例。然而，本发明可以以不同形式实现并且不应当被解释为局限于本文中所阐述的实施例。更确切地说，这些实施例被提供使得本公开将是彻底和完整的，并且这些实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿本公开，相同的附图标记在本发明的各种附图和实施例中指代相同的部分。
[0018]本发明可以以许多方式实现，包括过程、装置、系统、物的组合、在计算机可读储存介质上实施的计算机程序产品和/或处理器(诸如，适用于运行储存在耦接至处理器的存储器上和/或由耦接至处理器的存储器提供的指令的处理器)。在该说明书中，这些实施方式或本发明可采取的任何其他形式可以被称为技术。一般而言，所公开的过程的步骤的次序可以在本发明的范围内改变。除非另有说明，否则描述为适用于执行任务的组件(诸如处理器或存储器)可以被实现为临时适用于在给定时间执行任务的一般组件，或被实现为被制造为执行任务的特定组件。如本文所用的，术语“处理器”指适用于处理数据(诸如计算机程序指令)的一个或更多个器件、电路和/或处理核。
[0019]以下连同示出本发明的原理的附图来提供本发明的一个或更多个实施例的详细描述。结合这样的实施例来描述本发明，但是本发明不局限于任何实施例。本发明的范围仅由权利要求来限定，本发明包含若干替代、变型和等同物。在以下描述中阐述若干特定细节以便提供对本发明的透彻理解。出于示例的目的来提供这些细节，本发明可以在没有这些特定细节中的一些或全部的情况下根据权利要求来实践。出于清楚的目的，与本发明有关的技术领域中已知的技术材料未被详细地描述，使得本发明不被不必要地混淆。
[0020]图1是示意性地图示根据本发明的实施例的存储系统10的框图。
[0021]参照图1，存储系统10可以包括存储器控制器100和半导体存储器件200。
[0022]存储器控制器100可以控制半导体存储器件200的总体操作。
[0023]半导体存储器件200可以在存储器控制器100的控制下执行一个或更多个擦除操作、编程操作和读取操作。半导体存储器件200可以经由输入/输出线接收命令CMD、地址ADDR和数据DATA。半导体存储器件200可以经由电源线接收电源PWR以及经由控制线接收控制信号CTRL。控制信号可以包括命令锁存使能(CLE)信号、地址锁存使能(ALE)信号、芯片使能(CE)信号、写入使能(WE)信号、读取使能(RE)信号等。
[0024]存储器控制器100和半导体存储器件200可以被集成至单个半导体器件中。例如，存储器控制器100和半导体存储器件200可以被集成至诸如固态驱动器(SSD)的单个半导体器件中。固态驱动器可以包括用于在其中储存数据的储存设备。当半导体存储系统10用在SSD中时，可以显著地提高耦接至存储系统10的主机(未示出)的操作速度。
[0025]存储器控制器100和半导体存储器件200可以被集成至诸如存储卡的单个半导体器件中。例如，存储器控制器100和半导体存储器件200可以被集成至单个半导体器件中以配置诸如个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)的PC卡、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体(SM)卡、记忆棒、多媒体卡(丽C)、缩小尺寸的多媒体卡(RS-MMC)、微尺寸版本的MMC(MMCmicro)、安全数字(SD)卡、迷你安全数字(miniSD)卡、微型安全数字(microSD)卡、安全数字高容量(SDHC)以及通用快闪储存器(UFS)的存储卡。
[0026]再例如，存储系统10可以被提供作为包括诸如计算机、超移动PC(UMPC)、工作站、上网本计算机、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、网络平板(PC)、无线电话、移动电话、智能电话、电子书阅读器、便携式多媒体播放器(PMP)、便携式游戏机、导航仪、黑匣子、数字照相机、数字多媒体广播(DMB)播放器、三维电视、智能电视、数字录音机、数字音频播放器、数字图片记录器、数字图片播放器、数字录像机、数字视频播放器、数据中心的储存设备、能够在无线环境下收发信息的设备、家庭网络的电子设备中的一种、计算机网络的电子设备中的一种、远程信息处理网络的电子设备中的一种、射频识别(RFID)设备或者计算系统的元件设备的电子设备的各种元件中的一种。
[0027]图2是图示根据本发明的实施例的存储系统的详细框图。例如，图2的存储系统可以是图1中所示的存储系统10。
[0028]参照图2，存储系统10可以包括存储器控制器100和半导体存储器件200。存储系统10可以响应于来自主机设备的请求而操作，具体地，储存要被主机设备访问的数据。
[0029]主机设备可以利用各种类型的电子设备中的任意一种来实施。在一些实施例中，主机设备可以包括诸如台式计算机、工作站、三维(3D)电视、智能电视、数字录音机、数字音频播放器、数字图片记录器、数字图片播放器、数字录像机和数字视频播放器的电子设备。在一些实施例中，主机设备可以包括诸如移动电话、智能电话、电子书、MP3播放器、便携式多媒体播放器(PMP)和便携式游戏机的便携式电子设备。
[0030]存储器件200可以储存要被主机设备访问的数据。
[0031]存储器件200可以用易失性存储器件(诸如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM))或非易失性存储器件(诸如只读存储器(R0M)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)和电阻式RAM(RRAM))来实施。
[0032]控制器100可以控制数据在存储器件200中的储存。例如，控制器100可以响应于来自主机设备的请求来控制存储器件200。控制器100可以将从存储器件200读取的数据提供给主机设备，以及将从主机设备提供的数据储存在存储器件200中。
[0033]控制器100可以包括经由总线160耦接的储存单元110、中央处理单元(CPU)120、错误校正码(ECC)单元130、主机接口 140和存储器接口 150。
[0034]储存单元110可以用作存储系统10和控制器100的工作存储器，以及储存用于驱动存储系统10和控制器100的数据。当控制器100控制存储器件200的操作时，储存单元110可以储存由控制器100和存储器件200使用的数据以用于诸如读取操作、写入操作、编程操作和擦除操作的操作。
[0035]储存单元110可以利用易失性存储器来实施。储存单元110可以利用静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)来实施。如上所述，储存单元110可以将由主机设备使用的数据储存在存储器件200中以用于读取操作和写入操作。为了储存数据，储存单元110可以包括程序存储器、数据存储器、写入缓冲器、读取缓冲器、映射缓冲器等。
[0036]CPU(或处理器)120可以控制存储系统10的常规操作，以及响应于来自主机设备的写入请求或读取请求来控制针对存储器件200的写入操作或读取操作。CPU 120可以驱动被称为闪存转换层(FTL)的固件来控制存储系统10的常规操作。例如，FTL可以执行诸如逻辑至物理(L2P)映射、磨损均衡、垃圾收集和坏块处理的操作。
[0037]ECC单元130可以在读取操作期间检测并校正从存储器件200读取的数据中的错误。当错误位的数量大于或等于可校正错误位的阈值数量时，ECC单元130不会校正错误位，以及可以输出指示校正错误位失败的错误校正失败信号。ECC单元130可以包括ECC编码器132和ECC解码器134。
[0038]ECC编码器132可以对要被编程在存储器件200中的数据执行错误校正编码以输出添加了奇偶校验位的数据。奇偶校验位可以被储存在存储器件200中。
[0039]ECC解码器134可以对从存储器件200读取的数据执行错误校正解码。ECC解码器134可以判断错误校正解码是否成功，并且可以基于判断结果来输出指令信号。ECC解码器134可以使用由ECC编码产生的奇偶校验位来校正数据的错误位。
[0040]在一些实施例中，ECC单元130可以基于诸如低密度奇偶校验(LDPC)码、博斯-乔赫里-霍克文黑姆(BCH，Bose-Chaudhur1-Hocquenghem)码、祸轮码、祸轮乘积码(TPC)、里德-所罗门(RS，Reed-So1mon)码、卷积码、递归系统码(RSC)、格形编码调制(TCM)、块编码调制(BCM)等的编码调制来执行错误校正操作。ECC单元130可以包括用于错误校正操作的所有电路、系统或设备。
[0041 ] 主机接口 140可以通过诸如通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、外围组件互连快速(PC1-E)、小型计算机系统接口(SCSI)、串行附接SCSI(SAS)、串行高级技术附件(SATA)、并行高级技术附件(PATA)、增强型小盘接口(ESDI)和集成驱动电路(IDE)的各种接口协议中的一种或更多种来与主机设备通信。
[0042]存储器接口 150可以提供控制器100与存储器件200之间的接口，以允许控制器100响应于来自主机设备的请求来控制存储器件200。存储器接口 150可以产生用于存储器件200的控制信号，以及在CPU 120的控制下处理数据。当存储器件200是快闪存储器(诸如NAND快闪存储器)时，存储器接口 150可以产生用于存储器的控制信号，以及在CPU 120的控制下处理数据。
[0043]存储器件200可以包括存储单元阵列210、控制电路220、电压发生电路230、行解码器240、页缓冲器250、列解码器260和输入/输出电路270。存储单元阵列210可以包括多个存储块211，以及可以在其中储存数据。电压发生电路230、行解码器240、页缓冲器250、列解码器260和输入/输出电路270形成存储单元阵列210的外围电路。外围电路可以执行存储单元阵列210的编程操作、读取操作或擦除操作。控制电路220可以控制外围电路。
[0044]电压发生电路230可以产生具有各种电平的操作电压。例如，在擦除操作中，电压发生电路230可以产生具有各种电平的操作电压(诸如擦除电压和通过电压)。
[0045]行解码器240可以连接至电压发生电路230和多个存储块211。行解码器240可以响应于由控制电路220产生的行地址RADD来选择多个存储块211之中的至少一个存储块，以及将从电压发生电路230供应的操作电压传送至多个存储块211之中的选中存储块。
[0046]页缓冲器250经由位线BL(未示出)连接至存储单元阵列210。响应于由控制电路220产生的页缓冲器控制信号，页缓冲器250可以利用正电压对位线BL预充电，在编程操作和读取操作中向/从选中存储块传送/接收数据，或者临时储存传送来的数据。
[0047]列解码器260可以将数据传送至页缓冲器250/接收来自页缓冲器250的数据，或者将数据传送至输入/输出电路270/接收来自输入/输出电路270的数据。
[0048]输入/输出电路270可以将从外部设备(例如，存储器控制器100)传送来的命令和地址传送至控制电路220，将来自外部设备的数据传送至列解码器260，或者经由输入/输出电路270而将来自列解码器260的数据输出至外部设备。
[0049]控制电路220可以响应于命令和地址来控制外围电路。
[0050]图3是图示根据本发明的实施例的半导体存储器件的存储块的电路图。例如，图3的存储块可以是图2中所示的存储单元阵列200的存储块211。
[0051]参照图3，存储块211可以包括分别耦接至位线BLO至BLm-1的多个单元串221。每列的单元串可以包括一个或更多个漏极选择晶体管DST和一个或更多个源极选择晶体管SST。多个存储单元或多个存储单元晶体管可以串联地耦接在选择晶体管DST与SST之间。存储单元MCO至MCn-1中的每个可以由多电平单元(MLC)来形成，该多电平单元(MLC)在每个单元中储存多位的数据信息。单元串221可以分别电耦接至对应的位线BLO至BLm-1。
[0052]在一些实施例中，存储块221可以包括NAND型快闪存储单元。然而，存储块211不局限于NAND快闪存储器，而是可以包括NOR型快闪存储器、在其中组合了两种或更多种类型的存储单元的混合快闪存储器、以及控制器被嵌入在存储芯片内的一体NAND快闪存储器(one-NAND flash memory)。
[0053]不同于硬盘，快闪存储器的“写入前擦除”的限制需要系统软件中的被称为闪存转换层(FTL)的特定层来仿真用于反向兼容性的块设备接口。文件系统和应用程序可以使用快闪存储器就好像它们在使用硬盘一样。FTL是逻辑块地址(LBA)至物理地址的映射表。由于FTL表在为易失性存储器的DRAM(动态随机存取存储器)中，因此当发生突然断电时，FTL表将丢失，这导致数据损失。为了防止数据损失，固件必须能够在电源重新导通时重建最新的表。FTL表的典型大小(对于至多2TB的容量来说)是驱动容量的1/1000。因此，频繁地将表写入NAND(或一般而言的存储器)将导致显著的写入性能退化。在有限的性能退化的情况下，如何执行快速的突然掉电恢复(SPOR)是重要而困难的任务。
[0054]参见图4，示出了示例性存储系统以图示典型的SPOR过程。存储系统包括DRAM400，DRAM 400包括FTL 410oDRAM 400通常与存储器/NAND 402分离。NAND 402包括多个超级块。为了具有最大的并行性，每个裸片中的具有同一块索引的物理块被分组成超级块。同一超级块的每个物理块中的具有同一页索引的页被分组成超级页。当超级块充满且准备闭合时，超级块中的页的LBA被写入在超级块的端部作为元页(例如，图4中的MP)。当发生突然断电时，NAND 402具有两个开放块(用于主机写入的开放块430和用于垃圾收集(GC)的开放块440)以及很多其他闭合块(closed block)(例如，闭合的超级块)。
[0055]在SPOR期间，对于开放块430和440，需要读出所有的用户页，且需要为每个用户页取回LBA。对于闭合块，读取元页MP，以及按照时间次序(意为最旧的元页最先)来对表格FTL更新(或回放(r e PI a y))映射信息。以此方式，对于特定的L BA，有效映射信息将覆盖无效映射信息。当完成回放/更新时，整个表格被重建，以及可以开始供应主机命令。
[0056]此过程的问题在于元页的回放花费大量的时间，因为其需要对DRAM400的大量(其取决于驱动器的容量)随机存取。对于ITB的驱动器，整个重建花费大约80秒。通常客户对SPOR时间的要求大约为2至4秒而不管容量如何。因此，期望有用于SPOR重建的改进算法，更好意味着更快且可扩展。可扩展指重建时间独立于驱动器容量。
[0057]参见图4、图5、图6、图7A、图7B和图7C，本文中公开了用于更快且可扩展SPOR的改进过程。图5是用于进行SPOR的方法中的步骤的流程50。图6是示出脏块列表600的框图。图7A、图7B和图7C分别是描述具有多个条目的脏块元页700、具有多个条目的开放块元页710以及具有多个条目的主机写入元页720的框图。
[0058]可扩展SPOR过程以及用于实行本文中公开的发明的方法、系统和设备可以包括各个步骤。这些步骤可以通过控制器或本领域技术人员基于本文中的描述将理解的适用于执行这些步骤的其它硬件来执行。
[0059]在步骤500处，执行脏块元页的读取。因此，来自在脏块列表600上的块的元页在其它元页之前被读取。例如，脏块列表600可以包括若干脏超级块SB，每个脏超级块具有其自己的脏元页DMP。元页条目已经在元页写入期间被储存。因此，这些元页被称为脏块元页，诸如脏块元页700。
[0060]在步骤502处，扫描开放块，以及将映射信息记录在新的元页中。可以在分类过程(例如，通过LBA来分类)中扫描开放块以及可以将映射信息记录在新的元页中。如果存在具有同一LBA的多个条目，则将较新的条目写入至右边。这些元页是开放块元页，诸如开放块元页710。如所示，较新的条目朝着元页710的右边被写入(例如，条目X)，而较旧的条目朝着元页710的左边被写入(例如，条目O)。
[0061]在步骤504处，供应主机命令，以及读取脏表。脏表指在突然断电之后为“脏”的FTL410。可以根据特定的优先级来混合主机命令的处理和脏表的读取。当主机命令被处理时，查找元页(脏块元页700和开放块元页710二者)中的LBA。从最新的元页至最旧的元页进行查找。在每个元页内部，将从右向左(例如，从新向旧)执行查找，使得如果存在具有同一 LBA的多个条目，则将最先找到最新的条目。如果LBA被找到，则将供应主机命令，以及将修改元页中的物理地址(针对写入命令)。如果LBA未被找到，则将读取来自系统区中的脏表的包含L2P映射信息的页。虽然此操作将需要额外的50微秒的延迟，但是这相对较小。
[0062]在这种情况下，如果命令是写入命令，则需要将新的映射信息保存在新的元页(其是主机写入元页720)中。明显地，在脏表读取期间由主机写入创建的所有脏信息应当保留在元页中，而非脏表中。在供应主机命令期间，继续读取脏表，直到整个表都在DRAM 400中为止。
[0063]在步骤504期间，元页的数量可以因新创建的主机写入元页而增加，但在给定写入带宽为520MB/s-540MB/s(粒度，in Pearl)的情况下，这种增加将非常小且有界(bounded)。假定表的大小是固定的，则可以保留DRAM 400中的一些空间以用于新创建的主机写入元页720(例如，存储器耗尽不是问题)。例如，对于ITB的驱动器，表读取将在2秒中完成。使用一半的时隙来供应主机命令，表读取可以在4秒中执行。在这4秒期间，因为写入带宽也被划分为两半，所以可以创建两个主机写入元页720。结果，可以每81(而非83)个块主机写入清除整个表。因此，将使用81个脏块元页700，以及还剩余用于两个主机写入元页720的空间。
[0064]在步骤506处，供应主机命令，且在后台回放元页。可以按照从旧至新的次序来(至少在初始时)回放元页(脏块元页700、开放块元页710和主机写入元页720)。注意，主机写入元页720应当比开放块元页710新，以及开放块元页应当比脏块元页700新。在每个元页内部，从左向右(例如，从旧至新)来回放条目，使得如果在元页中同一LBA出现多次则有效物理地址可以覆盖无效物理地址。
[0065]在后台回放期间，也可以供应主机命令。如果在元页中找到可以LBA，则(例如，针对写入命令)可以使用和更新在元页中找到的条目。如果在元页中不能找到LBA，则将读取FTL 410表以使用/更新该表中的条目。在步骤506处，元页的数量可以仅被减小，从而不存在耗尽存储器的问题。
[0066]因此，可以在开始供应主机命令之后开始读取表。此外，利用本文中公开的发明，无论驱动器容量如何，都可以用不到一秒钟执行SP0R。
[0067]虽然出于清楚理解的目的已经较详细地描述了上述的实施例，但是本发明不局限于所提供的细节。存在很多可选的实施本发明的方式。所公开的实施例是说明性的而非限制性的。
【主权项】
1.一种突然断电恢复SPOR的方法，包括: 读取来自脏块列表上的存储块的脏块元页； 将映射信息记录在开放块元页中； 通过在脏块元页和开放块元页中查找逻辑块地址LBA来供应主机命令；以及当在脏块元页和开放块元页中未找到LBA时，从脏表读取新的映射信息，并将新的映射信息保存在主机写入元页中。2.如权利要求1所述的方法，还包括: 在后台按照从旧至新的次序来回放脏表元页、开放块元页和主机写入元页，使得如果LBA在一个元页中出现多次则有效物理地址覆盖无效物理地址。3.如权利要求2所述的方法，还包括:在执行回放步骤时供应主机命令。4.如权利要求1所述的方法，其中，从最新的元页至最旧的元页来执行查找。5.如权利要求1所述的方法，其中，执行供应主机命令的步骤、读取新的映射信息的步骤以及保存新的映射信息的步骤，使得由主机写入创建的脏信息被储存在元页中而非脏表中。6.—种用于执行突然断电恢复SPOR的系统，包括: 动态随机存取存储器DRAM，包括闪存转换层FTL表； 存储储存器，适用于储存脏块元页、开放块元页和主机写入元页；以及 控制器，适用于: 读取来自脏块列表上的存储块的脏块元页； 将映射信息记录在开放块元页中； 通过在脏块元页和开放块元页中查找逻辑块地址LBA来供应主机命令；以及当在脏块元页和开放开元页中未找到LBA时，从FTL表读取新的映射信息，并将新的映射信息保存在主机写入元页中。7.如权利要求6所述的系统，其中，控制器还适用于保留DRAM中的空间以用于储存主机写入元页。8.如权利要求6所述的系统，其中，控制器还适用于在后台按照从旧至新的次序来回放脏表元页、开放块元页和主机写入元页，使得如果LBA在一个元页中出现多次则有效物理地址覆盖无效物理地址。9.如权利要求8所述的系统，其中，控制器还适用于在执行回放时供应主机命令。10.如权利要求6所述的系统，其中，控制器还适用于从最新的元页至最旧的元页来执行查找。11.如权利要求6所述的系统，其中，控制器适用于供应主机命令、读取新的映射信息以及保存新的映射信息，使得由主机写入创建的脏信息被储存在元页中而非FTL表中。12.—种存储器件，包括: 控制器，被配置成: 读取来自脏块表上的存储块的脏块元页； 将映射信息记录在开放块元页中； 通过在脏块元页和开放块元页中查找逻辑块地址LBA来供应主机命令；以及 当在脏块元页和开放块元页中未找到LBA时，从脏表读取新的映射信息，并将新的映射信息保存在主机写入元页中。13.如权利要求12所述的存储器件，其中，控制器还被配置成:在后台按照从旧至新的次序来回放脏表元页、开放块元页和主机写入元页，使得如果LBA在一个元页中出现多次，则有效物理地址覆盖无效物理地址。14.如权利要求12所述的存储器件，其中，控制器还被配置成在回放期间供应主机命令。15.如权利要求12所述的存储器件，其中，从最新的元页至最旧的元页来执行查找。16.如权利要求12所述的存储器件，其中，控制器被配置成:供应主机命令、读取新的映射信息以及保存新的映射信息，使得由主机写入创建的脏信息被储存在元页中而非FTL表中。
【文档编号】G06F12/16GK106095699SQ201610162610
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年3月21日 公开号201610162610.0, CN 106095699 A, CN 106095699A, CN 201610162610, CN-A-106095699, CN106095699 A, CN106095699A, CN201610162610, CN201610162610.0
【发明人】张帆, 刘潭, 康斯坦丁诺·罗萨里奥
【申请人】爱思开海力士有限公司