一种基于上下保护的触屏装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及触摸屏设计技术，尤其涉及一种基于上下保护的触屏装置。
【背景技术】
[0002]传统的电容式触摸屏是在玻璃表面镀上一层透明的特殊金属导电物质。当手指触摸在金属层上时，触点的电容就会发生变化，使得与之相连的振荡器频率发生变化，通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。传统的电容屏容易破损，破损时玻璃溅出来可能会伤人，而且对光源体产生连带的损坏。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于，针对现有技术的不足，提供一种基于上下保护的触屏装置，采用PET膜上覆盖保护层，玻璃基板背面同样设置保护膜有效避免安全隐患并避免IXD、LED等光源体的连带破损。。
[0004]为有效解决上述问题，本实用新型采取的技术方案如下:
[0005]一种基于上下保护的触屏装置，包括一触摸屏结构主体，该结构主体为触屏传感器，并于所述触屏传感器的上表面设有PET膜，该PET膜通过光学胶带固定在所述触屏传感器上，且所述触屏传感器的上下表面分别设有保护膜。
[0006]特别的，所述基板触屏传感器为ITO玻璃基板，并于该ITO玻璃基板上设有印刷电路层。
[0007]特别的，所述保护膜与所述触屏传感器之间还包括一粘合层，该粘合层为光学胶带层。
[0008]特别的，所述触屏传感器下表面的保护膜为薄膜状的防爆膜或光学胶带。
[0009]特别的，所述触屏传感器上还包括控制电路板及相互作用的感应电极。
[0010]本实用新型的有益效果:本实用新型提供的电容屏中PET膜采用OCA(光学透明胶带)覆盖，玻璃基板背面同样有保护膜的存在，在电容屏损坏时将碎玻璃挡住，不会飞溅出来伤人，更不会对LCD、LED等光源体造成连带破损。有效用于教学，研讨等可以方便教师的上课以及研究人员的讨论使用，设计合理，且制作工艺相对简单，可有效节约成本。
[0011]下面结合附图对本实用新型进行详细说明。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型公开的电容屏组成结构示意图；
[0013]图2是本实用新型公开的电容屏又一组成结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]实施例:
[0015]如图1及图2所示，本实施例公开的电容屏，包括一触摸屏结构主体，该结构主体为触屏传感器，并于所述触屏传感器的上表面设有PET膜，该PET膜通过光学胶带固定在所述触屏传感器上，且所述触屏传感器的上下表面分别设有保护膜。
[0016]所述基板触屏传感器为ITO玻璃基板，并于该ITO玻璃基板上设有印刷电路层。所述保护膜与所述触屏传感器之间还包括一粘合层，该粘合层为光学胶带层。所述触屏传感器下表面的保护膜为薄膜状的防爆膜或光学胶带。所述触屏传感器上还包括控制电路板及相互作用的感应电极。
[0017]该实施例技术原理如下:
[0018]本实施例中，本实用新型提供的基于上下保护的触屏装置的PET膜采用OCA (光学透明胶带)覆盖，玻璃基板背面同样有保护膜的存在，在电容屏损坏时将碎玻璃挡住，不会飞溅出来伤人，更不会对IXD、LED等光源体造成连带破损。
[0019]本实用新型并不限于上述实施方式，凡采用和本实用新型相似结构来实现本实用新型目的的所有方式，均在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种基于上下保护的触屏装置，其特征在于，包括一触摸屏结构主体，该结构主体为触屏传感器，并于所述触屏传感器的上表面设有PET膜，该PET膜通过光学胶带固定在所述触屏传感器上，且所述触屏传感器的上下表面分别设有保护膜。
2.根据权利要求1所述基于上下保护的触屏装置，其特征在于，所述触屏传感器为ITO玻璃基板，并于该ITO玻璃基板上设有印刷电路层。
3.根据权利要求1所述基于上下保护的触屏装置，其特征在于，所述保护膜与所述触屏传感器之间还包括一粘合层，该粘合层为光学胶带层。
4.根据权利要求1所述基于上下保护的触屏装置，其特征在于，所述触屏传感器下表面的保护膜为薄膜状的防爆膜或光学胶带。
5.根据权利要求1所述基于上下保护的触屏装置，其特征在于，所述触屏传感器上还包括控制电路板及相互作用的感应电极。
【专利摘要】本实用新型公开一种基于上下保护的触屏装置，包括一触摸屏结构主体，该结构主体为触屏传感器，并于所述触屏传感器的上表面设有PET膜，该PET膜通过光学胶带固定在所述触屏传感器上，且所述触屏传感器的上下表面分别设有保护膜。PET膜采用OCA（光学透明胶带）覆盖，玻璃基板背面同样有保护膜的存在，在电容屏损坏时将碎玻璃挡住，不会飞溅出来伤人，更不会对LCD 、LED 等光源体造成连带破损。有效用于教学，研讨等可以方便教师的上课以及研究人员的讨论使用，设计合理，且制作工艺相对简单，可有效节约成本。
【IPC分类】G06F3-044
【公开号】CN204331672
【申请号】CN201420725699
【发明人】郑柳彬
【申请人】东莞市婉晶电子科技有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年11月28日