一种带模组化磁架的上机柜的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及上机柜技术领域，特别是涉及一种带模组化磁架的上机柜。
【背景技术】
[0002]上机柜的结构一般包括硬盘主件，以及用于固定硬盘主件的机箱骨架。现有技术中的上机柜，其硬盘主件是由若干个小磁架或若干个小磁架和配件组装而成。即现有技术在组装上机柜时，是通过将逐个小磁架或将逐个小磁架和配件一同组装在机箱骨架中，由于小磁架的数量较大，这种组装方式的上机柜在生产、安装、拆卸和维护的过程中均十分繁琐，从而降低工作效率。另外，在实际生产应用的过程中，由于上机柜需要根据不同的应用场合而更换硬盘主件的小磁架，如果逐个小磁架进行更换，将会非常繁琐。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于针对现有技术中的不足之处而提供一种带模组化磁架的上机柜，该带模组化磁架的上机柜能够便于生产、安装、拆卸和维护，具有工作效率高的优点。
[0004]为达到上述目的，本实用新型通过以下技术方案来实现。
[0005]提供一种带模组化磁架的上机柜，包括机箱骨架，以及与所述机箱骨架滑动连接的硬盘主件；
[0006]所述硬盘主件包括第一模组化磁架，以及嵌接于所述第一模组化磁架上方的第二模组化磁架；
[0007]所述第一模组化磁架包括第一固定框架，以及布设于所述第一固定框架的若干层小磁架。
[0008]所述第一固定框架的顶部设置有第一顶板，所述第一顶板设置有若干个突块，所述第二模组化磁架的底部设置有若干个与所述突块配合嵌接的凹槽或通孔。
[0009]所述第二模组化磁架包括第二固定框架，以及布设于所述第二固定框架的三层小磁架。
[0010]所述第二模组化磁架包括第二固定框架、布设于所述第二固定框架的两层小磁架、以及设置于所述第二固定框架上方的配件。
[0011 ] 所述第一模组化磁架包括第一固定框架，以及布设于所述第一固定框架的三层小磁架。
[0012]所述带模组化磁架的上机柜还包括与所述机箱骨架扣合的上盖。
[0013]所述机箱骨架的底部设置有导轨，所述硬盘主件通过所述导轨与所述机箱骨架滑动连接。
[0014]本实用新型的有益效果:
[0015](I)本实用新型提供的一种带模组化磁架的上机柜，包括机箱骨架，以及与机箱骨架滑动连接的硬盘主件；硬盘主件包括第一模组化磁架，以及嵌接于第一模组化磁架上方的第二模组化磁架；第一模组化磁架包括第一固定框架，以及布设于第一固定框架的若干层小磁架。由于硬盘主件包括第一模组化磁架和第二模组化磁架，且第二模组化磁架直接嵌接于第一模组化磁架的上方，且在实际应用中，上机柜需要根据不同的应用场合而经常要更换磁架，由于第一模组化磁架和第二模组化磁架均是一个独立的整体，因此，在更换时直接整个进行更换，同时也便于安装和拆卸，十分便捷。因此，该带模组化磁架的上机柜能够便于生产、安装、拆卸和维护，具有工作效率高的优点。
[0016](2)本实用新型提供的一种带模组化磁架的上机柜，具有结构简单，生产成本低，且能够适用于大规模生产的优点。
【附图说明】
[0017]图1是本实用新型的实施例1的一种带模组化磁架的上机柜的结构示意图。
[0018]图2是本实用新型的实施例1的一种带模组化磁架的上机柜在移除上盖后的结构示意图。
[0019]图3是本实用新型的实施例1的一种带模组化磁架的上机柜在移除上盖后的分解结构示意图。
[0020]图4是本实用新型的实施例2的一种带模组化磁架的上机柜的结构示意图。
[0021]图5是本实用新型的实施例2的一种带模组化磁架的上机柜在移除上盖后的结构示意图。
[0022]图6是本实用新型的实施例2的一种带模组化磁架的上机柜在移除上盖后的分解结构示意图。
[0023]图7是本实用新型的一种带模组化磁架的上机柜的机箱骨架的结构示意图。
[0024]图8是图2中A处的局部放大结构示意图。
[0025]图9是图5中B处的局部放大结构示意图。
[0026]在图1至图9中包括有:
[0027]机箱骨架1、导轨11;
[0028]硬盘主件2 ；
[0029]第一模组化磁架3、第一固定框架31、小磁架32、第一层小磁架321、第二层小磁架322、第三层小磁架323、第一顶板301、突块3001 ;
[0030]第二模组化磁架4、第二固定框架41、小磁架42、配件43、第一层小磁架421、第二层小磁架422、第三层小磁架423、
[0031]上盖5。
【具体实施方式】
[0032]为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例和附图，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0033]实施例1。
[0034]见图1至图3，以及图7、图8。本实施例的一种带模组化磁架的上机柜，包括机箱骨架1，以及与机箱骨架I滑动连接的硬盘主件2，还包括与机箱骨架I扣合的上盖5。硬盘主件2包括第一模组化磁架3，以及嵌接于第一模组化磁架3上方的第二模组化磁架4 ;第一模组化磁架3包括第一固定框架31，以及布设于第一固定框架31的三层小磁架32。其中，该三层小磁架32包括由下至上依次排列的第一层小磁架321、第二层小磁架322和第三层小磁架323。
[0035]本实施例中，第一固定框架31的顶部设置有第一顶板301，第一顶板301设置有若干个突块3001，第二模组化磁架4的底部设置有若干个与突块3001配合嵌接的凹槽。
[0036]本实施例中，第二模组化磁架4包括第二固定框架41，以及布设于第二固定框架41的三层小磁架42。其中，该三层小磁架42包括由下至上依次排列的第一层小磁架421、第二层小磁架422和第三层小磁架423。
[0037]由于硬盘主件2包括第一模组化磁架3和第二模组化磁架4，且第二模组化磁架4直接嵌接于第一模组化磁架3的上方，且在实际应用中，上机柜需要根据不同的应用场合而经常要更换磁架，由于本实用新型的第一模组化磁架3和第二模组化磁架4均是一个独立的整体，在更换时直接整个进行更换，同时也便于安装和拆卸，十分便捷。因此，该带模组化磁架的上机柜能够便于生产、安装、拆卸和维护，具有工作效率高的优点。
[0038]本实施例中，机箱骨架I的底部设置有导轨11，硬盘主件2通过导轨11与机箱骨架I滑动连接，从而便于硬盘主件2安装于机箱骨架I。
[0039]实施例2。
[0040]见图4至图6，以及图7、图9。本实用新型的一种带模组化磁架的上机柜的实施例2，本实施例中，第二模组化磁架4包括第二固定框架41、布设于第二固定框架41的两层小磁架42、以及设置于第二固定框架41上方的配件43。其中，该两层小磁架42包括由下至上依次排列的第一层小磁架421和第二层小磁架422。本实施例的其它结构及工作原理与实施例1相同，在此不再赘述。
[0041]实施例3。
[0042]本实用新型的一种带模组化磁架的上机柜的实施例3，本实施例与实施例1的不同之处在于，本实施例中，第二模组化磁架4的底部设置有若干个与突块3001配合嵌接的通孔。本实施例的其它结构及工作原理与实施例1相同，在此不再赘述。
[0043]最后应当说明的是，以上实施例仅用于说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
【主权项】
1.一种带模组化磁架的上机柜，其特征在于:包括机箱骨架，以及与所述机箱骨架滑动连接的硬盘主件； 所述硬盘主件包括第一模组化磁架，以及嵌接于所述第一模组化磁架上方的第二模组化磁架； 所述第一模组化磁架包括第一固定框架，以及布设于所述第一固定框架的若干层小磁架。2.根据权利要求1所述的一种带模组化磁架的上机柜，其特征在于:所述第一固定框架的顶部设置有第一顶板，所述第一顶板设置有若干个突块，所述第二模组化磁架的底部设置有若干个与所述突块配合嵌接的凹槽或通孔。3.根据权利要求1所述的一种带模组化磁架的上机柜，其特征在于:所述第二模组化磁架包括第二固定框架，以及布设于所述第二固定框架的三层小磁架。4.根据权利要求1所述的一种带模组化磁架的上机柜，其特征在于:所述第二模组化磁架包括第二固定框架、布设于所述第二固定框架的两层小磁架、以及设置于所述第二固定框架上方的配件。5.根据权利要求1所述的一种带模组化磁架的上机柜，其特征在于:所述第一模组化磁架包括第一固定框架，以及布设于所述第一固定框架的三层小磁架。6.根据权利要求1所述的一种带模组化磁架的上机柜，其特征在于:所述带模组化磁架的上机柜还包括与所述机箱骨架扣合的上盖。7.根据权利要求1所述的一种带模组化磁架的上机柜，其特征在于:所述机箱骨架的底部设置有导轨，所述硬盘主件通过所述导轨与所述机箱骨架滑动连接。
【专利摘要】本实用新型涉及上机柜技术领域，特别是涉及一种带模组化磁架的上机柜，包括机箱骨架，以及与机箱骨架滑动连接的硬盘主件；硬盘主件包括第一模组化磁架，以及嵌接于第一模组化磁架上方的第二模组化磁架；第一模组化磁架包括第一固定框架，以及布设于第一固定框架的若干层小磁架。由于硬盘主件包括第一模组化磁架和第二模组化磁架，且第二模组化磁架直接嵌接于第一模组化磁架的上方，且上机柜需要根据不同的应用场合而经常要更换磁架，由于第一模组化磁架和第二模组化磁架均是一个独立的整体，因此，在更换时直接整个进行更换，同时也便于安装和拆卸。因此，该带模组化磁架的上机柜能够便于生产、安装、拆卸和维护，具有工作效率高的优点。
【IPC分类】G06F1/18
【公开号】CN204925927
【申请号】CN201520529933
【发明人】余磊, 刘文飞, 李沛通
【申请人】东莞市鑫誉电子科技有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年7月21日