一种电源隔离的缓存型Raid卡的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及Raid设计技术领域，具体涉及一种电源隔离的缓存型Raid卡。
【背景技术】
[0002]缓存型Raid卡可以在系统突然掉电的时候对数据进行保护，防止数据丢失，该机制需要用电池对Raid卡和Flash模块进行供电，而Raid卡正常使用时，外部电源对Raid卡和Flash模块进行供电，同时对电池进行充电，因此该设计中某个电压时常面临着两个或多个Source的电源供电，这些电源如果不进行隔离，必定会产生漏电，进而影响系统稳定性，使用寿命，更严重的会烧毁芯片，造成不可挽回的损失，因此，有效的电源隔离就显得至关重要。传统的隔离方法设计都较为复杂，元器件较多，且不易调试。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是:本实用新型提出了一种电源隔离的缓存型Raid卡。
[0004]本实用新型所采用的技术方案为:
[0005]—种电源隔离的缓存型Raid卡，所述缓存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash缓存模块，Raid卡部分包括MOSl、电源芯片VRl、M0S2 ,Flash缓存模块包括电池、电源芯片VR2、M0S3，其中Raid卡部分还设置有CPLD芯片，各功率MOS管做开关对电源进行隔离，CPLD芯片负责监控系统上电状态并控制各功率MOS管的导通和关断。
[0006]所述Raid卡部分由Pcie Slot提供12V供电，在板上产生12_MR，并通过电源芯片VRl产生3V3供电。
[0007]所述Flash模块通过电池产生12_MR供电，并通过电源芯片VR2产生3V3_MR供电，并且在Pc ie Slot提供的12V供电断电时，该供电会提供给Rai d卡使用，其中Pc i e SI ot提供的12V供电和电池产生12_MR供电之间通过MOSI隔离。
[0008]电源芯片VRl产生的3V3供电和电源芯片VR2产生的3V3_MR供电之间通过M0S2和M0S3互相隔尚。
[0009]所述Raid卡部分还设置有电压检测电路，CPLD芯片通过电压检测电路对PcieSlot提供的12V供电进行检测。
[0010]所述CPLD芯片还分别与MOSl、VR1、VR2、M0S2、M0S3连接并检测和控制其工作:
[0011]当CPLD芯片监测外部电源12V存在时，MOSl导通，12V通过充电电路对电池进行充电，CPLD芯片控制Raid卡上面的电源芯片VRl产生3V3，同时M0S2导通，对Flash模块进行供电，CPLD芯片控制Flash模块上面的电源芯片VR2不产生3V3_MR，同时控制Flash模块上的M0S3关断，保护VR2;
[0012]当CPLD芯片监测到外部电源12V掉电，由电池供电，此时为防止12V_MR漏电到主板，控制MOSl关断，控制Raid卡上面的电源芯片(VRl)不产生3V3，同时控制M0S2关断，保护VRl，并控制Flash模块上面的VR产生3V3_MR，控制M0S3导通。
[0013]本实用新型的有益效果为:
[0014]本实用新型结构简洁，容易使用，由CPLD控制可以很方便的调试，可有效降低设计难度。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型缓存型Raid卡电源隔离框图。
【具体实施方式】
[0016]下面根据说明书附图，结合【具体实施方式】对本实用新型进一步说明:
[0017]实施例1:
[0018]如图1所示，一种电源隔离的缓存型Raid卡，所述缓存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash缓存模块，Raid卡部分包括功率MOS管MOSl、电源芯片(VRl)、功率MOS管M0S2 ,Flash缓存模块包括电池、电源芯片(VR2)、功率MOS管M0S3，其中Raid卡部分还设置有CPLD芯片，各功率MOS管做开关对电源进行隔尚，CPLD芯片负责监控系统上电状态并控制各功率MOS管的导通和关断。
[0019]实施例2:
[0020]在实施例1的基础上，本实施例所述Raid卡部分由PcieSlot提供12V供电，在板上产生12_MR，并通过电源芯片(VRl)产生3V3供电。
[0021]实施例3:
[0022]在实施例2的基础上，本实施例所述Flash模块为单独设计，通过电池产生12_MR供电，并通过电源芯片(VR2)产生3V3_MR供电，并且在外部电源(Pcie Slot提供的12V供电)断电时，该电会提供给Rai d卡使用，Pc i e SI ot提供的12V供电和电池产生12_MR供电之间通过功率MOS管MOSl隔离。
[0023]实施例4:
[0024]在实施例3的基础上，本实施例电源芯片(VRl)产生的3V3供电和电源芯片(VR2)产生的3V3_MR供电之间通过功率MOS管M0S2和M0S3互相隔离。
[0025]实施例5:
[0026]在实施例4的基础上，本实施例所述Raid卡部分还设置有电压检测电路，CPLD芯片通过电压检测电路对Pcie Slot提供的12V供电进行检测。
[0027]实施例6:
[0028]在实施例5的基础上，本实施例所述0?0)芯片还分别与皿)31、￥1?1、￥1?2、1032、1033连接并检测和控制其工作:
[0029]当CPLD芯片监测外部电源12V存在时，MOSl导通，12V通过充电电路对电池进行充电，CPLD芯片控制Raid卡上面的电源芯片VRl产生3V3，同时M0S2导通，对Flash模块进行供电，CPLD芯片控制Flash模块上面的电源芯片VR2不产生3V3_MR，同时控制Flash模块上的M0S3关断，保护VR2;
[0030]当CPLD芯片监测到外部电源12V掉电，由电池供电，此时为防止12V_MR漏电到主板，控制MOSl关断，控制Raid卡上面的电源芯片(VRl)不产生3V3，同时控制M0S2关断，保护VRl，并控制Flash模块上面的VR产生3V3_MR，控制M0S3导通。
[0031]以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种电源隔离的缓存型Raid卡，其特征在于:所述缓存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash缓存模块，Raid卡部分包括功率MOS管MOSl、电源芯片VRl、功率MOS管M0S2 ,Flash缓存模块包括电池、电源芯片VR2、功率MOS管M0S3，其中Raid卡部分还设置有CPLD芯片，各功率MOS管做开关对电源进行隔离，CPLD芯片负责监控系统上电状态并控制各功率MOS管的导通和关断。2.根据权利要求1所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡，其特征在于:所述Raid卡部分由Pcie Slot提供12V供电，在板上产生电压12_MR，并通过电源芯片VRl产生电压3V3供电。3.根据权利要求2所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡，其特征在于:所述Flash模块通过电池产生电压12_MR供电，并通过电源芯片VR2产生电压3V3_MR供电，并且在Pcie Slot提供的12V供电断电时，该供电会提供给Raid卡使用，其中Pci e S1t提供的12V供电和电池产生电压12_MR供电之间通过功率MOS管MOSI隔离。4.根据权利要求3所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡，其特征在于:电源芯片VRl产生的电压3V3供电和电源芯片VR2产生的电压3V3_MR供电之间通过功率MOS管M0S2和功率MOS管M0S3互相隔尚。5.根据权利要求4所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡，其特征在于:所述Raid卡部分还设置有电压检测电路，CPLD芯片通过电压检测电路对Pcie Slot提供的12V供电进行检测。6.根据权利要求5所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡，其特征在于:所述CPLD芯片还分别与功率MOS管MOSl、电源芯片VRl、电源芯片VR2、功率MOS管M0S2、功率MOS管M0S3连接并检测和控制其工作: 当CPLD芯片监测外部电源12V存在时，功率MOS管MOSl导通，12V电压通过充电电路对电池进行充电，CPLD芯片控制Raid卡上面的电源芯片VRl产生电压3V3，同时功率MOS管M0S2导通，对Flash模块进行供电，CPLD芯片控制Flash模块上面的电源芯片VR2不产生电压3V3_MR，同时控制Flash模块上的功率MOS管M0S3关断，保护电源芯片VR2; 当CPLD芯片监测到外部电源12V掉电，由电池供电，控制功率MOS管MOSl关断，控制Raid卡上面的电源芯片VRl不产生电压3V3，同时控制功率MOS管M0S2关断，保护电源芯片VRl，并控制Flash模块上面的电源芯片VR2产生电压3V3_MR，控制功率MOS管M0S3导通。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电源隔离的缓存型Raid卡，所述缓存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash缓存模块，Raid卡部分包括MOS1、电源芯片VR1、MOS2，Flash缓存模块包括电池、电源芯片VR2、MOS3，其中Raid卡部分还设置有CPLD芯片，各功率MOS管做开关对电源进行隔离，CPLD芯片负责监控系统上电状态并控制各功率MOS管的导通和关断。本实用新型结构简洁，容易使用，由CPLD控制可以很方便的调试，可有效降低设计难度。
【IPC分类】G06F1/26
【公开号】CN205334365
【申请号】CN201521118477
【发明人】周亮, 薛广营
【申请人】山东海量信息技术研究院
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年12月30日