一种NAND Flash保护电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种NAND Flash保护电路，包括NAND Flash芯片，而还包括主控模块、上电延时保护模块和断电提前保护模块，其中主控模块分别连接NAND Flash芯片的WP引脚、上电延时保护模块、断电提前保护模块。本实用新型可以解决在设备突然掉电的情况下，保证里面的数据正确性，可以解决异常断掉的时候对NAND Flash里面的数据的保护，解决程序错乱与设备不能启动等问题，可以极大的提高设备的稳定性，有利于在我国交通、安防、工业生产等领域推广。
【专利说明】
一种NAND FI ash保护电路
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及嵌入式电路数据保护领域，特别是一种NAND Flash保护电路。
【背景技术】
[0002]随着安全防范行业不断的发展、技术的不断更新，同时随着产品的U1、系统的美化与完善，大容量的NAND存储势必要越来越重要，同时相对NOR Flash的价格优势也是我们选用NAND的主要原因。但是相对N0Rflash，NAND在操作的时候需要整块整块的擦，写入需要一页一页的写，同时对于数据的写入，与擦除都需要事先做好备份，这就造成写入与擦除的延时与缓慢，同时由于擦写的缓慢容易被外界所干扰与篡改数据。尤其在数据进行通信的时候突然断电，最容易造成数据损坏。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为了解决上述问题而提供一种NAND Flash保护电路。
[0004]本实用新型为解决这一问题所采取的技术方案是:一种NANDFlash保护电路，包括NAND Flash芯片，而还包括主控模块、上电延时保护模块和断电提前保护模块，其中主控模块分别连接NAND Flash芯片的WP引脚、上电延时保护模块、断电提前保护模块。
[0005]本实用新型具有的优点和积极效果是:
[0006]本实用新型可以解决在设备突然掉电的情况下，保证里面的数据正确性，可以解决异常断掉的时候对NAND Flash里面的数据的保护，解决程序错乱与设备不能启动等问题，可以极大的提高设备的稳定性，有利于在我国交通、安防、工业生产等领域推广。
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型的模块图；
[0008]图2是本实用新型的电路图。
【具体实施方式】
[0009]以下参照附图及实施例对本实用新型的一种NANDFlash保护电路进行详细的说明。
[0010]如图1、图2所示，一种NAND Flash保护电路，包括NAND Flash芯片，而还包括主控模块1、上电延时保护模块2和断电提前保护模块3，其中主控模块I分别连接NAND Flash芯片的WP引脚、上电延时保护模块2、断电提前保护模块3。
[0011]所述的主控模块I采用SP706芯片。
[0012]所述的上电延时保护模块2包括主控模块I的I引脚连接电容Cl一端和电阻Rl—端，电容Cl的另一端接地，电阻Rl另一端连接3.3V电源，主控模块I的7引脚连接二极管DI后连接NAND Flash芯片的WP引脚。
[0013]所述的断电提前保护模块3包括主控模块I的4引脚连接电阻R6的一端和电阻R7的一端，电阻R6的另一端连接12V电源，电阻R7的另一端接地，主控模块I的5引脚连接电阻R2后连接NAND Flash芯片的WP引脚。
[0014]所述的主控模块I的2引脚连接3.3V电源，3引脚接地，6引脚和8引脚空置。
[0015]上电延时电路主要靠芯片的MR与RESET来控制延时，再上电以后，控制引脚会晚于给NAND供电的3.3V200ms启动，就是在上电瞬间200ms内保证NAND被保护状态，确保在上电瞬间的电压波动影响NAND里面的数据。
[0016]本实用新型使用SP706芯片，功能主要包括两个方面:
[0017]1、上电延时保护功能，上电延时功能主要靠SP706芯片的I引脚MR与7引脚RESET来控制延时，再上电以后，控制引脚会晚于给NAND供电的3.3V200ms启动，就是在上电瞬间200ms内保证NAND被保护状态，确保在上电瞬间的电压波动影响NAND里面的数据。
[0018]2、断电提前保护功能，主要使用SP706芯片的4引脚PFI与5引脚PFO来配合使用保证提前保护，在检测到12V有掉电以后，芯片通过控制NAND的WP引脚来提前将NAND给保护起来，保证在掉电电压不稳的时候，提前将NAND保护。芯片4引脚PFI检测到12V掉电到10.5V(芯片是检测1.25V，电压高低可以利用4引脚PFI的分压电阻来调节)左右时候，就会控制5引脚PFO输出拉低，提前3.3V将NAND的WP引脚给拉低，实现数据的保护功能。具体提前保护时间，需要4引脚PFI的分压电阻与3.3V的势能电压相配合来调节。
[0019]由于7引脚RESET与5引脚PFO都是输出引脚，当他们配合一起使用的时候，一定要确保有个先后顺序，否则两个引脚会相互制约，所以使用二极管Dl与IK电阻R2引脚来达到这个效果，二极管Dl的型号为SCD36。在上电的时候，RESET会拉低，这时5引脚PFO会拉高，相当于5引脚PFO直接进入7引脚RESET，所以在当中串入一个IK电阻来做限流使用。但是二极管的选用一定要保证导通压降在0.3V，否则较高的导通压降不能使低电平达到足够低的电平。在掉电时候，7引脚RESET是保持高电平，5引脚PFO拉低，此时二极管保证起到截止7引脚RESET的作用，不让其影响5引脚PFO。
[0020]本实用新型可以解决在设备突然掉电的情况下，保证里面的数据正确性，可以解决异常断掉的时候对NAND Flash里面的数据的保护，解决程序错乱与设备不能启动等问题，可以极大的提高设备的稳定性，有利于在我国交通、安防、工业生产等领域推广。
【主权项】
1.一种NANDFlash保护电路，包括NAND Flash芯片，其特征在于:还包括主控模块(1)、上电延时保护模块(2)和断电提前保护模块(3)，其中主控模块(I)分别连接NAND Flash芯片的WP引脚、上电延时保护模块(2 )、断电提前保护模块(3 )。2.如权利要求1所述的一种NANDFlash保护电路，其特征在于:所述的主控模块(I)采用SP706芯片。3.如权利要求1所述的一种NANDFlash保护电路，其特征在于:所述的上电延时保护模块(2)包括主控模块(I)的I引脚连接电容Cl一端和电阻Rl—端，电容Cl的另一端接地，电阻Rl另一端连接3.3V电源，主控模块(I)的7引脚连接二极管Dl后连接NAND Flash芯片的WP引脚。4.如权利要求1所述的一种NANDFlash保护电路，其特征在于:所述的断电提前保护模块(3 )包括主控模块(I)的4引脚连接电阻R6的一端和电阻R7的一端，电阻R6的另一端连接12V电源，电阻R7的另一端接地，主控模块(I)的5引脚连接电阻R2后连接NAND Flash芯片的WP引脚。5.如权利要求1所述的一种NANDFlash保护电路，其特征在于:所述的主控模块(I)的2弓丨脚连接3.3V电源，3引脚接地，6引脚和8引脚空置。
【文档编号】G06F21/79GK205451073SQ201521078997
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年12月23日
【发明人】戴林, 李立杰
【申请人】天津天地伟业数码科技有限公司