一种触摸屏感应层边框走线的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种触摸屏感应层边框走线，其包括玻璃基板、形成于所述玻璃基板上的二氧化硅层、图案化的ITO导电层、在所述图案化的ITO导电层形成后形成的图案化的铜薄膜层、在所述铜薄膜层上形成的图案化的铜镍合金层、钝化层；所述图案化的ITO导电层与所述图案化的铜薄膜层电性连接，所述钝化层覆盖所述图案化的ITO导电层和所述图案化的铜镍合金层。本实用新型降低生产成本、工艺简单、导电性更好、边框走线材料更稳定。
【专利说明】
一种触摸屏感应层边框走线
技术领域
[0001]本实用新型涉及电子信息应用技术领域，尤其涉及一种触摸屏感应层边框走线。 【背景技术】
[0002]目前，触摸屏几乎遍及所有电子显示设备的必备配置，触摸屏的感应结构 (sensor)分为可视区的X、Y方向的电极图案及X、Y电极引出的接线端子，也叫边框走线，边框走线材料的选择决定了触摸屏的工艺复杂度、触摸灵敏度、触摸屏的可加工尺寸、成本控制、等诸多因素。目前比较成熟的边框走线的加工工艺有丝印银浆、钼铝钼湿法蚀刻，丝印银浆在中小尺寸电极图案比较简单的电容触摸屏sensor上应用较多，大尺寸的触摸屏 sensor电极图案较复杂、多点触控、边框走线要求较高时，丝印银浆不再满足要求，成本上也是居高不下。钼铝钼湿法蚀刻工艺，技术成熟，在黄光工艺能将线宽及线距做到比银线更精细，但钼铝钼镀膜环节对镀膜气氛的要求比较高，镀膜气氛的高低决定了膜层的附着力， 而且钼铝钼膜层为了满足边框走线的线阻要求，膜层会比较厚，这无疑增加了镀膜靶电源的溅射功率及靶位的配置，增加了设备投入成本。
[0003]图1是现有技术中采用钼铝钼制作的触摸屏感应层边框走线的结构示意图，如图1 所示，其形成工艺大致为以下步骤:⑴在玻璃基板1上镀上一层二氧化硅层2，防止钠钙玻璃基板中的钠离子渗透到感应层。⑵在二氧化硅层上镀上一层IT0导电层3。(3)1?导电层经过黄光湿法蚀刻工艺加工成需要的IT0图案。⑷在IT0图案上面连续镀上钼铝钼(Mo-Al-Mo)膜层4、5、6,其中4和6均为钼层，5为铝层。(5)M〇-Al-M〇膜层经过黄光湿法蚀刻工艺加工成需要的图案。(6)黄光工艺中涂布一层钝化层(passivat1n) 7,保护senseor图案及边框走线。现有技术虽然使用了Mo-Al-Mo作为电容屏sensor的边框走线，在线宽线距上满足中高端大尺寸多点触控的sensor设计要求，但是镀膜环节对镀膜细节的要求(比如洁净度、镀膜温度的波动、直流电源的稳定性、靶位配置等)较高，这无疑增加了驾驭设备的难度，降低了生产良率，而且膜层要求较厚，对平面靶结构的金属靶来说，靶被溅射的蚀刻槽深度影响了靶材的利用率，加大了生产成本。【实用新型内容】
[0004]本实用新型针对现有技术中存在的以上问题，提供一种触摸屏感应层边框走线及其形成工艺，其降低生产成本、工艺简单、导电性更好、边框走线材料更稳定。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种触摸屏感应层边框走线， 其包括玻璃基板、形成于所述玻璃基板上的二氧化硅层、图案化的IT0导电层、在所述图案化的IT0导电层形成后形成的图案化的铜薄膜层、在所述铜薄膜层上形成的图案化的铜镍合金层、钝化层;所述图案化的IT0导电层与所述图案化的铜薄膜层电性连接，所述钝化层覆盖所述图案化的IT0导电层和所述图案化的铜镍合金层。
[0006]作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述玻璃基板为钠钙玻璃基板。
[0007]作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述图案化的IT0导电层采用黄光湿法蚀刻工艺加工形成。
[0008]作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述图案化的铜薄膜层和图案化的铜镍合金层均采用磁控溅射工艺形成。
[0009]本实用新型提供的触摸屏感应层边框走线，其降低生产成本、工艺简单、导电性更好、边框走线材料更稳定。【附图说明】
[0010]下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中:
[0011]图1是现有技术中采用钼铝钼制作的触摸屏感应层边框走线的结构示意图；
[0012]图2是本实用新型具体实施例的触摸屏感应层边框走线的结构示意图。【具体实施方式】
[0013]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0014]图2是本实用新型具体实施例的触摸屏感应层边框走线的结构示意图，如图2所示，本实用新型具体实施的触摸屏感应层边框走线，其包括玻璃基板10、形成于玻璃基板10 上的二氧化硅层20、图案化的IT0导电层30、在图案化的IT0导电层形成后形成的图案化的铜薄膜层40、在铜薄膜层40上形成的图案化的铜镍合金层50、钝化层60;图案化的IT0导电层30与图案化的铜薄膜层40电性连接，钝化层60覆盖图案化的IT0导电层30和图案化的铜镍合金层50。
[0015]本实用新型具体实施例中，玻璃基板10为钠钙玻璃基板。图案化的IT0导电层30采用黄光湿法蚀刻工艺加工形成。图案化的铜薄膜层40和图案化的铜镍合金层50均采用磁控溅射工艺形成。
[0016]另外，本实用新型还提供一种触摸屏感应层边框走线的形成工艺，其包括步骤如下:[〇〇17] a.对玻璃基板进行清洗；[〇〇18] b.在玻璃基板上形成二氧化硅层；[〇〇19] c.在所述二氧化硅层上镀上一层IT0导电层；[〇〇2〇] d.对所述IT0导电层采用黄光湿法蚀刻工艺加工进行图案化；
[0021]e.在图案化的所述IT0导电层上连续镀上铜薄膜层和铜镍合金层；
[0022]f.对所述铜薄膜层和所述铜镍合金层采用黄光湿法蚀刻工艺加工进行图案化； [〇〇23] g.在黄光工艺中涂布钝化层。
[0024]本实用新型具体实施例中，图案化的IT0导电层30与图案化的铜薄膜层40电性连接。[〇〇25]本实用新型主要优势体现在工艺简单，由原来的三层钼铝钼转变为铜+铜镍合金 (〇1+〇1附)两层，在电阻率上，〇1的电阻率常温下为1.75*10—6〇.011，而41的电阻率为2.83* 1(T6 Q.CM，在相同厚度下，Cu+CuNi可以做到比Mo-Al-Mo线阻更低，sensor尺寸能做到更大， 灵敏度更高，相同线阻情况下，Cu+CuNi可以做到比Mo-Al-Mo更省材料，靶位配置更少，成本更低。本实用新型提供的触摸屏感应层边框走线及其形成工艺，其降低生产成本、工艺简单、导电性更好、边框走线材料更稳定。
[0026]本实用新型关键技术点为:使用较低电阻率的Cu，使线宽不仅能做的更细，而且线阻比Mo-Al-Mo更低，CuNi合金更大程度上保护了Cu层，防止被氧化，与Mo-Al-Mo膜层相比，稳定性更佳。
[0027]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种触摸屏感应层边框走线，其特征在于，包括玻璃基板、形成于所述玻璃基板上的 二氧化硅层、图案化的ITO导电层、在所述图案化的ITO导电层形成后形成的图案化的铜薄 膜层、在所述铜薄膜层上形成的图案化的铜镍合金层、钝化层;所述图案化的ITO导电层与 所述图案化的铜薄膜层电性连接，所述钝化层覆盖所述图案化的ITO导电层和所述图案化 的铜镍合金层。2.根据权利要求1所述的触摸屏感应层边框走线，其特征在于，所述玻璃基板为钠钙玻璃基板。3.根据权利要求1所述的触摸屏感应层边框走线，其特征在于，所述图案化的ITO导电 层采用黄光湿法蚀刻工艺加工形成。4.根据权利要求1所述的触摸屏感应层边框走线，其特征在于，所述图案化的铜薄膜层 和图案化的铜镍合金层均采用磁控溅射工艺形成。
【文档编号】G06F3/044GK205594608SQ201620196726
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年3月15日
【发明人】王进东
【申请人】江苏宇天港玻新材料有限公司