一种远传水表m-bus通讯芯片与单片机的连接结构的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种远传水表M?BUS通讯芯片与单片机的连接结构，包括远传水表的单片机和远传水表的通讯芯片，在所述单片机的通讯串口与通讯芯片的通讯串口之间接入隔离三极管Q4，所述隔离三极管Q4的基极电阻R2与单片机的TX_SW端连接，隔离三极管Q4的集电极与单片机的通讯串口TXD连接，隔离三极管Q4的发射极与通讯芯片的通讯串口MRX连接，同时，发射极通过电阻R4与电源MVDD连接。本发明在两个设备通讯串口之间增加了隔离三极管Q4，避免了M?BUS芯片与单片机串口通讯之间的串扰，而且彻底消除了隔离三极管Q4基极的无效电流消耗，延长了电池的使用寿命。
【专利说明】
一种远传水表M-BUS通讯芯片与单片机的连接结构
技术领域
[0001 ]本发明属于M-BUS通讯技术领域，特别是一种远传水表M-BUS通讯芯片与单片机的连接结构
【背景技术】
[0002]目前随着电子技术及网络技术的发展，智能仪表行业已经取得了巨大的发展，智能水表的应用已开始逐步取代人工读数计费的老式水表，数字远传结构水表的普及为数据远传的网络化管理带来了极高效的管理方式，目前普遍应用的M-BUS通讯芯片与单片机的连接结构如图1所示，两设备串口通讯线是直连的，这种连接结构在M-BUS芯片与单片机串口之间常会产生通讯串扰，导致系统安全性下降。
[0003]目前隔离三极管的应用也较为普遍，作为通用隔离三极管的连接结构如图2所示，由于TXD平常电平为低，基极电阻R2又长期加电，隔离三极管Q4—直处于导通状态，因而R2电阻相对于VCC存在一个静态电流。当处于电池供电状态时，这种静态电流的存在会大大降低电池的使用寿命，是一个不得不解决的问题，若采用普通逻辑电路解决此问题，TX工作结束后，立即将R2置低，将会造成通讯数据中断，通讯异常的问题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是针对现有技术的不足，而提出一种远传水表M-BUS通讯芯片与单片机的连接结构。
[0005]本发明解决其技术问题是采取以下技术方案实现的:
[0006]—种远传水表M-BUS通讯芯片与单片机的连接结构，包括远传水表的单片机和远传水表的通讯芯片，其特征在于:在所述单片机的通讯串口与通讯芯片的通讯串口之间接入隔离三极管Q4。
[0007]而且，所述隔离三极管Q4的基极电阻R2与单片机的TX_SW端连接，隔离三极管Q4的集电极与单片机的通讯串口TXD连接，隔离三极管Q4的发射极与通讯芯片的通讯串口M RX连接，同时，发射极通过电阻R4与电源MVDD连接。
[0008]本发明的优点和积极效果是:
[0009]本发明为避免M-BUS芯片与单片机串口通讯之间的串扰，在两个设备通讯串口之间增加了隔离三极管措施，提高了系统防护等级，
[0010]本发明采用直接将三极管基极电阻R2连接至单片机，当需要发送数据时，才将TX_SW置高，隔离三极管Q4导通，开始发送数据；当发送数据结束，系统延时Is后，再将TX_SW置低，切断发送通道。采用这种方法，两设备间不仅带有信号隔离措施，提高了系统的安全性，而且彻底消除了隔离三极管Q4基极的无效电流消耗，延长了电池的使用寿命。
【附图说明】
[0011 ]图1为目前M-BUS通讯芯片与单片机的连接结构；
[0012]图2为常用隔离三极管的结构图；
[0013]图3是本发明隔离三极管的连接结构图。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图对本发明实施做进一步详述，以下实施例只是描述性的，不是限定性的，不能以此限定本发明的保护范围。
[0015]一种远传水表M-BUS通讯芯片与单片机的连接结构，包括远传水表的单片机和远传水表的通讯芯片，本发明的创新点是，在所述单片机的通讯串口与通讯芯片的通讯串口之间接入隔离三极管Q4。
[0016]在本发明的具体实施中，如图3所示，所述隔离三极管Q4的基极电阻R2与单片机的TX_SW端连接，隔离三极管Q4的集电极与单片机的通讯串口 TXD连接，隔离三极管Q4的发射极与通讯芯片的通讯串口M RX连接，同时发射极通过电阻R4与电源MVDD连接。
[0017]工作原理
[0018]本发明直接将三极管基极R2电阻连接至单片机，当需要发送数据时，才将TX_SW置高，Q4导通，开始发送数据；当发送数据结束，系统延时Is后，再将TX_SW置低，切断发送通道。采用这种方法，两设备间不仅带有信号隔离措施，提高了系统的安全性，而且彻底消除了 Q4基极的无效电流消耗，延长了电池的使用寿命。
【主权项】
1.一种远传水表M-BUS通讯芯片与单片机的连接结构，包括远传水表的单片机和远传水表的通讯芯片，其特征在于:在所述单片机的通讯串口与通讯芯片的通讯串口之间接入隔呙三极管Q4。2.根据权利要求1所述的远传水表M-BUS通讯芯片与单片机的连接结构，其特征在于:所述隔离三极管Q4的基极电阻R2与单片机的TX_SW端连接，隔离三极管Q4的集电极与单片机的通讯串口 TXD连接，隔离三极管Q4的发射极与通讯芯片的通讯串口M RX连接，同时，发射极通过电阻R4与电源MVDD连接。
【文档编号】G08C19/00GK106023572SQ201610575964
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月19日
【发明人】张炳华
【申请人】天津市炳华节能技术有限公司