本申请要求2016年10月17日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0134238号的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。示例性实施例涉及一种存储器件及其操作方法。通常，由用作开关的晶体管和储存电荷(即，数据)的电容器构成诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半...

本申请要求于2016年10月18日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0135191的韩国申请的优先权，其整体通过引用并入本文。各个实施例总体涉及一种数据存储装置，并且更具体地涉及一种包括非易失性存储器装置的数据存储装置。数据存储装置可以响应于写入请求存储由外部装置提供的...

本发明是有关于一种存储器阵列的操作方法，且特别是有关于一种NAND闪存的操作方法。随着集成电路中元件的关键尺寸逐渐缩小至制程技术所能感知的极限，设计者已经开始寻找可达到更大存储器密度的技术，借以达到较低的位成本(costsperbit)。目前正被关注的技术包括与非门存储器(NANDm...

本发明是关于非易失性存储装置，尤其是一种用于非易失性存储装置的感测电路及方法。非易失性存储装置(Non-VolatileMemoryDevice)在即使失去电源时仍然能够保持其储存的数据，非易失性存储器的范例包括有NAND闪存、NOR闪存、相变化内存(PhaseChangeMemo...

本发明涉及一种存储器编程方法，尤其涉及一种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器编程方法及使用此方法的存储器控制电路单元与存储器存储装置。数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储介质的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，闪存存储器)具有数...

本申请要求2016年10月17日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0134099的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。各种实施例总体而言涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种半导体存储器件。半导体存储器件从外部设备接收电源电压。半导体存储器件产生具有半导体存储...

半导体存储器广泛用于诸如蜂窝电话、数字照相机、个人数字助理、医疗电子、移动计算设备、服务器和非移动计算设备的各种电子设备中。半导体存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的示例包括闪存(例如...

本发明公开了微矩形J29A接口智能电源保护三防工业固态硬盘。固态硬盘(SolidStateDrives)是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成，其具有传统机械硬盘不具备的快速读写、质量轻、能耗低以及体积小等特点，因此快速普及，据相...

实施例涉及一种装置，所述装置包括被配置用于进行热辅助磁记录的滑块。所述滑块的输入耦合器被配置用于接收由光源产生的光。所述滑块的波导包括波导芯，所述波导芯沿着所述光传播方向从具有第一横截面宽度的第一部分到具有第二横截面宽度的第二部分逐渐变细。所述第二横截面宽度小于所述第一横截面宽度，并且所述第二部分...

本实用新型涉及数据存储设备，具体为一种移动广告大数据存储设备。目前，随着社会的不断进步，各种各样的产品琳琅满目，因此也导致各种各样的移动广告开始出现在各种大街小巷、电视媒体之上，而随着广告业的不断发展，广告商、运营商也开始寻求越来越多的商机以谋取更高的利润，因此移动广告大数据存储...

本发明大体上涉及存储器电路，并且更具体地说涉及用于存储器电路的感测放大器电路。一些存储器电路使用感测放大器电路读取存储器电路的存储器单元的存储状态。一些感测放大器电路包括参考路径和感测路径，该参考路径包括参考单元，该感测路径耦接到在读取操作期间被读取的单元。在一些例子中，将参考路径的电流与...

本发明构思的示例实施例涉及半导体存储器装置，更具体地，涉及具有处理器模式的存储器模块和包括存储器模块的存储器系统。在传统的计算系统架构中，指令(或程序)和数据被存储在与主机处理器分隔开的存储器装置中，指令和数据应该从存储器装置传输到主机处理器以基于指令对数据执行数据处理。因此，尽管主机处理...

发明构思涉及一种存储器装置，更具体地，涉及一种存储器装置及其边缘字线管理方法。存储器装置用于存储数据并且被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。在易失性存储器装置中，存储的数据在断电的情况下被擦除。然而，非易失性存储器装置在断电的情况下保持所存储的数据。作为一种非易失性存储器...

本申请要求2016年10月18日提交给韩国知识产权局的申请号为10-2016-0135082的韩国专利的优先权，其全部内容通过引用整体合并于此。各种实施例总体而言可以涉及一种半导体集成装置，更具体地，涉及一种电压调节器及具有其的阻变存储装置。总体而言，阻变存储装置因其提供的优点而作...

本申请要求2016年10月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0133319号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。各个实施例总体而言可以涉及半导体装置，且更具体而言涉及阻变存储装置及其选择性写入电路和操作方法。阻变存储装置可以是存储装置，该存储装置通过改变设...

本发明是与存储器有关，尤其是关于一种存储器装置及其运作方法。一般而言，在具有中央处理单元(CentralProcessingUnit,CPU)的系统中，当中央处理单元对于系统中的存储器装置(例如动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM))进...

本申请要求于2016年10月17日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0134237的韩国专利申请的优先权，其公开通过引用整体合并于此。示例性实施例涉及一种存储器件，更具体地，涉及一种用于执行刷新操作的存储器件。通常，诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器件的存...

本申请要求于2016年10月17日提交的申请号为62\/409,222，题为“3DNAND闪速存储器中具有最小交叉串读取干扰的电路及编程方案(CIRCUITSANDPROGRAMSCHEMESWITHMINIMIZEDCROSS-STRINGREADDISTURBIN3DN...

本发明属于半导体芯片领域，具体涉及一种MRAM芯片。关于MRAM：本发明的背景是MRAM技术的成熟。MRAM是一种新的内存和存储技术，可以像SRAM\/DRAM一样快速随机读写，还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。它的经济性想当地好，单位容量占用的硅片面积比SRAM有很大的优势...

在此公开的本发明构思的实施例涉及一种半导体存储器装置，更具体地讲，涉及一种包括状态电路的存储器装置及其操作方法。在制造存储器单元的工艺中，由于纳米制造工艺导致在存储器单元中可能发生错误。错误可大致分类为硬错误或软错误。硬错误可表示存储器单元硬件被损坏的情况。软错误可表示存储器单元硬...