信息存储应用技术
  • 非易失性存储器件和控制方法与流程
    本发明涉及非易失性存储器件和控制方法,更具体而言,涉及能够施加具有不同电压电平的字线预脉冲信号并且降低编程干扰的非易失性存储器件和控制方法。非易失性存储器件(例如,闪速存储器)已经变成诸如个人计算机、闪存驱动器、数字照相机和移动电话的各种电子产品中的优选存储器。闪速存储器件经历了快速发展。...
  • 用于存储器装置中的锁存的偏移消除的制作方法
    交叉参考本专利申请要求维梅尔卡蒂(vimercati)于2017年7月20日提交的标题为“用于存储器装置中的锁存的偏移消除(offsetcancellationforlatchinginamemorydevice)”的第15/655,644号美国专利申请的优先权,所述专利申请转让给本受让人且以引用...
  • 用于光学带中的精确跟踪的伺服图案的制作方法
    本公开涉及光学带存储。具体地,本公开涉及用于光学带中的精确跟踪的伺服图案。在光学带存储技术中,通常需要精确跟踪性能以相对于光学带定位带驱动器中的激光器,使得激光器能够从带上的适当轨道位置读取数据或者将数据写入到带上的适当轨道位置。为了辅助激光器的定位,可以在光学带的制造期间将编码位置信息的...
  • 一种存储器测试装置与系统的制作方法
    本申请涉及存储器领域,具体而言,涉及一种存储器测试装置与系统。存储器是一种在电子计算机中,用来存储数据和指令等的记忆部件。目前,由于计算机的普及,存储器也得到了广泛的使用。在存储器制造完成后,一般需要对存储器进行测试,以确保投入使用的存储器均为良片。目前,传统的测试方式为通过在测试机台上搭...
  • 一种固态硬盘BER的测试方法、测试装置及测试设备与流程
    本发明涉及硬盘测试,特别是涉及一种固态硬盘ber的测试方法、测试装置、测试设备及计算机可读存储介质。目前市场上的大部分固态硬盘的存储模块都使用nandflash颗粒,nandflash颗粒随着时间的流逝会概率发生比特位翻转的错误,ber就是衡量nandflash这一特性的一项指标。...
  • 半导体装置的制作方法
    本发明是有关于具备产生固有数据功能的半导体装置,且特别有关于利用nand型快闪存储器产生固有数据的半导体装置。伴随着电子装置或电子装置的安全性的强化,为了防止实体安装于上述装置的半导体装置的伪造或仿冒,需要有对应方案。某一个方法中,给予半导体装置固有数据并验证了固有数据的情况下,可将该半导...
  • 一种STT-RAM缓存的动态数据擦洗方法与流程
    本发明涉及一种stt-ram缓存的动态数据擦洗方法。相比于传统的sram存储器,spintransfertorqueram(stt-ram)作为一种新型存储器具有静态能耗低、存储密度高、读速度快以及与cmos技术兼容性好等优点,因此stt-ram被认为是嵌入式计算机的下一代片上缓存。因为缓...
  • 编程结果检测电路、检测方法、快闪存储器及编程方法与流程
    本发明属于快闪存储器编程,尤其涉及一种编程结果检测电路、检测方法、快闪存储器及编程方法。快闪存储器(可简称为闪存)作为一种“非易失性存储器”,在各种电子系统及日常生活中得到越来越广泛的应用,如存储卡、手机、智能电视、固态硬盘等。但是,随着闪存的不断发展,闪存本身存在的缺陷变得越来越...
  • 基于电阻分压读取的阻变型存储单元的制作方法
    本发明涉及电路结构及存储,尤其涉及一种基于电阻分压读取的阻变型存储单元。在传统的阻变型存储器(resistivememory,rram)中,一般采用一晶体管一阻变单元(one-transistor-one-resistor,1t1r)的结构。在进行读操作时,打开选中单元的字线(wo...
  • 记忆体装置的程序化与读取方法与流程
    本案是一种关于记忆体装置的程序化与读取方法,特别是关于一种透过结合电阻位准及波形类型经以识别记忆体单元中数据位元的程序化方法与读取方法。记忆体为计算机中的重要元件,并且已为不同应用开发了不同的记忆体结构。例如,记忆体结构包括动态随机存取记忆体(dynamicrandomaccessmemo...
  • 感测放大器、存储器装置及形成存储器装置的方法与流程
    本发明实施例涉及用于全耗尽绝缘体上覆硅工艺的感测放大器读取技术,尤其是涉及感测放大器、存储器装置及形成存储器装置的方法。许多现代电子装置含有电子存储器,诸如硬盘驱动器或随机存取存储器(ram)。电子存储器可是易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在不存在电源的情况下留存其经存储数...
  • SRAM读取延时控制电路及SRAM的制作方法
    本发明涉及sram存储器,尤其涉及一种sram读取延时控制电路及sram。最常见的sram存储单元为6t单元,其电路结构如图1所示。当节点n1电压为高(电源电压vdd)而节点n0电压为低(地电压vss),sram6t单元中存储的值称为逻辑1;反之为逻辑0。当需要读取sram6t单元...
  • 具有金属-铁电-金属器件的保存-恢复电路系统的制作方法
    本发明的实施例总体上涉及电子电路(circuit),并且更具体地涉及用于具有金属-铁电-金属器件的保存-恢复电路系统(circuitry)。本文中所提供的背景描述是出于总体上呈现本公开的上下文的目的。在此部分所描述的程度上的当前命名的发明人的工作以及在递交时可不以其他方式作...
  • 存储装置的制作方法
    本公开系关于一种存储装置,以及关于一种存储装置的读取技术。许多现代的电子设备包含电子存储(electronicmemory),例如硬盘驱动器或随机存取存储(randomaccessmemory,ram)。电子存储可以是挥发性存储或非挥发性存储。非挥发性存储能在没有电源的情况下仍保留其储存的...
  • 用于记忆体元件的化合物自由层的制作方法
    本揭示案是关于一种记忆体元件的层。本揭示案大体上是关于挥发性及非挥发性记忆体,其用在独立记忆体晶片中及用于整合在逻辑晶片上的记忆体阵列。更特定而言,本揭示案是关于用于集成电路的磁性记忆体元件,此些磁性记忆体元件根据磁性隧道接合(magnetictunneljunction,mtj)元件内磁...
  • 用于具有减少噪声的驱动器的设备及方法与流程
    本发明涉及用于驱动器的设备及方法,特定来说,涉及用于具有减少噪声的驱动器的设备及方法。半导体装置可用于多种应用。举例来说,半导体装置(例如半导体存储器装置)可用于存储及检索计算机系统中的信息。外部时钟信号可提供到半导体装置(及/或由半导体装置生成)以使各种组件的操作与共同时序信号同步。外部...
  • 一种存储器控制电路、方法及非易失存储器与流程
    本发明涉及存储器,特别是涉及一种存储器控制电路、方法及非易失存储器。当存储器(flash)系统中需要一个电压值时,由于该电压值往往大于存储器接入电源的电压值,因此可以通过电荷泵将接入电源的电压值抬高到系统需要的电压值。现有技术中,通常在存储器内设置能将接入电源的电压值抬高固定倍数的...
  • 一种防护性好且便于维护的数据存储设备的制作方法
    本发明涉及储存设备,具体为一种防护性好且便于维护的数据存储设备。存储设备是用于储存信息的设备,通常是将信息数字化后再以利用电、磁或光学等方式的媒体加以存储,存储设备可分为可移动式和不可移动式两种。现有的数据存储设备使用面积十分广泛,但使用时,存储设备很容易损坏,其原因是存储设备的防...
  • 连接到音频输出系统时的智能音频回放的制作方法
    本申请是申请号为201610366076.5、申请日为2016年5月27日、发明名称为“连接到音频输出系统时的智能音频回放”的发明专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求2015年6月5日提交的美国临时申请no.62/171,846的权益,该申请的全部内容具体地通过引用并入本文。本发明的实...
  • 保护HAMR头中的写入极免受腐蚀的方法与流程
    在热辅助磁记录(hamr)技术中,可使用激光器将基于fept的记录介质加热到其居里温度(tc)以上。可使用放置在hamr头上的感应写入极附近的近场换能器(nft)将激光器生成的热量引导到介质。当介质冷却时,然后在再冻结过程期间进行写入。因为位转换由热梯度确定,与仅写入场梯度相反,所以与先前...
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