本发明涉及服务器领域，具体涉及一种内存循环注错的测试装置及方法。服务器，也称伺服器，是提供计算服务的设备。服务器是网络系统以及计算平台的核心，用于存储众多重要的数据以及运行网络服务。内存，也称内存储器，用于暂存CPU中的计算数据，以及暂存与硬盘等外部存储器的交换数据。内存是服务器中最重要的...

本申请要求2017年5月22日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0062944的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。各种实施例总体而言涉及一种半导体技术，并且更具体地，涉及一种包括电源门控电路的半导体装置以及该半导体装置的修复方法。电子装置可以包括大量的电子组...

本发明是有关于一种内存系统，特别是能够具有低耗能读取操作的内存系统。目前行动电子装置常被用来执行各种应用，例如看影片、照相、听音乐…等等。为了能够支持更多的应用，行动电子装置常需要大量的内存空间，因此如何使行动电子装置搭载大量的内存空间成为设计行动电子装置的关键的一。然而，随着内存空间的成...

本申请要求2017年5月24日提交的申请号为10-2017-0064059的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。本公开的实施例总体而言可以涉及半导体器件、测试方法和包括其的系统，并且更具体地，涉及一种用于测试半导体器件的焊盘的开路和短路(开路/短路)状态的技术。已经改...

本发明涉及显示，尤指一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路及、显示装置。在平板显示面板中，通常通过栅极驱动电路向像素区域的各个薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)的栅极提供栅极开启信号。栅极驱动电路可以通过阵列工艺形成在平板显示面板的阵列基板上，即阵列基...

本发明涉及Efuse，特别涉及一种Efuse控制器、Efuse系统及Efuse烧写方法。Efuse技术广泛应用于对于芯片在量产时候的内部参数微调，对于大规模量产芯片时，稳定快速又简洁的Efuse烧录能大大提高芯片量产的良率。现有专利文献提出了各种Efuse模块及烧录技术，比如CN...

本发明涉及闪存或EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory：电可擦除可编程只读存储器)等可电改写的非易失性存储装置。并且，本发明涉及使用了这样的非易失性存储装置的半导体装置以及电子设备等。近年来，闪存或EEP...

本发明涉及一种感测放大器以及一种用于其位线电压补偿的方法。且特别涉及一种通过感测放大器给快速传送写入位线补偿电压的方法。在非易失性存储器中，基于具有大电容值的寄生电容器存在于位线之间，用于设定位线处的电压电平的较长充电/放电时间因此是必要的。特别是，在快速传送写入(FPW)操作中，位线可操...

本发明涉及一种电压产生器，尤其涉及一种电压产生器及其快闪存储器。快闪存储器在操作时，写入或抹除的操作需要特定电压值将电荷注入或引出浮闸(floatinggate)，所以需要有升压电路(charge-pumpcircuit)或是电压产生器，来提供电压以进行操作。为了执行有效和精确的操作，...

本发明涉及一种电子装置，尤其涉及一种存储器存储装置。存储器存储装置，例如非挥发性存储器，其与存储器控制器之间的信号传输介面主要是以时脉为基础(clock-based)来进行信号传递的操作。因此，利用时脉的依赖性(clockdependency)存储器存储装置可与存储器控制器之间信号传递操...

本发明涉及集成电路，特别涉及一种时序控制电路。随着闪存(Flash)产品的不断应用，市场对其读速度的要求越来越高，目前Flash的时序控制电路采用的设计基本是RC(电阻电容)充放电、或者是给定的一个恒定电流镜像到时序模块产生不同时序。这样的设计由于没有关联时序控制电路中的器件在外界...

本发明涉及一种使用非易失性存储器来实施非易失性计数器的方法。电子装置中的非易失性、非递减计数器中存在许多应用。举例来说，出于安全性检查或为了避免计数器发生重算攻击，可使用此类计数器来对集成电路(IC)装置对打印盒上电的次数计数从而对打印次数计数，以作为对打印盒的防伪测量。随着增加在电子装置...

本发明涉及计算机，特别是涉及一种擦除存储芯片的方法与装置。随着时代的进步和计算机应用的普及，人们对计算机设备的使用越来越频繁。在日常应用中，用户经常需要将大量的数据保存于个人计算机中，同时，用户还可能经常需要对包含个人数据的文件进行删除操作。但是，用户做的一般的删除操作只是将文件...

本发明涉及半导体存储器芯片设计，具体涉及一种用于NorFlash存储器中节省阵列中字线的译码器面积的译码器控制电路及NorFlash存储器的版图布局方法。非易失闪存技术(NorFlash)存储器中的译码器控制电路(XDEC)主要为存储器阵列(MemoryArray)提供字线...

本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)阵列。本发明还涉及一种EEPROM阵列的操作方法。如图1所示，是现有EEPROM的存储单元的结构图；各存储单元包括：第一栅极结构104、第二栅极结构105、第三栅极结构106、源区103和漏区102。所述第...

本申请涉及存储器领域。半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数字照相机、个人数字助理、医疗电子设备、移动计算设备和非移动计算设备。半导体存储器可包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如电池)时，非易失性存储器也允许信息被存储和保留。非易失性存储器的...

本发明属于存储器领域，更具体地，涉及一种基于忆阻器和CMOS的内容可寻址存储单元、读写及数据搜索匹配方法。在1971年，蔡少棠首次从理论上证明了第四种基本电路器件忆阻器存在的可能性，忆阻器是除电感，电容以及电阻以外的基本电路器件，它是一种两端器件，这种器件可以由磁通和电荷来定义。之后，蔡少...

包括说明书、附图和摘要的2017年5月24日提交的日本专利申请No.2017-103137的公开内容，其全部内容以引用方式并入在本文中。本公开涉及一种内容可寻址存储器，并且能够被具体应用于一种能够被包含于半导体设备中的内容可寻址存储器、以及应用于包含有内容可寻址存储器的半导体设备。...

本发明是有关于一种具有动态允许位写入逻辑的存储器及方法。可编程电阻存储器(programmableresistancememory)利用一存储器材料，如一金属氧化材料或一相变材料，其通过数个电脉冲的应用，改变二或更多稳定电阻范围之间的电阻。二或更多稳定电阻范围对应数个数据状态。例如是数...

本发明涉及一种操作方法及操作装置，且特别是涉及一种存储器操作方法及存储器操作装置。随着存储器技术的发展，各种存储器不断推陈出新。可变电阻式存储器(ResistiveRandom-AccessMemory，ReRAM)及相变化存储器(Phase-ChangeMemory，PCM)为非易...