优先权声明本申请要求于2018年3月14日提交的标题为“methodandapparatusforprogramminganalogneuromorphicmemoryinanartificialneuralnetwork”的美国临时专利申请62/642,878和于2018年5月25日提交的标题为...

优先权声明本申请要求于2018年3月14日提交的标题为“用于人工神经网络中的模拟神经形态存储器的数据刷新的方法和设备(methodandapparatusfordatarefreshforanalogneuromorphicmemoryinartificialneuralnetwork)”的美国临...

本公开总体上涉及三维电子存储器，并且更具体地，涉及增加三维相变存储器中的存储单元的密度。通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元按比例缩小至较小尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。这样，平面存储单元的存储密度接近上限...

本发明的实施例大体上涉及半导体装置领域。更明确来说，本发明的实施例涉及使用存储器装置中的内部写入均衡内部地确定何时发出内部写入信号。半导体装置(例如，存储器装置)利用具有数据信号、数据选通及/或其它信号的相位移位的时序来执行操作。数据选通用于捕获数据。为了保证数据选通信号经适当地定时以捕获...

本公开涉及用于在光盘上记录信息的光盘记录方法、光盘装置、以及执行与信息记录有关的处理的集成电路。作为现有技术，存在作为光盘的记录介质的bd-r、bd-re、dvd-ram、dvd-r、dvd-rw、cd-rw等的标准，并且存在将激光束照射到符合这些标准的光盘上以通过追加写入或重写来记录信息...

本发明涉及集成电路，尤其涉及一种片上存储器在线故障诊断系统及方法。在汽车电动化、智能化、网联化以及共享化趋势下，汽车电子电气系统迎来了翻天覆地的变化。全新的系统架构需要更高性能和集成度的核心控制器（如soc以及mcu）来支撑。而随着车载soc以及mcu的集成度进一步提升，其内部存储...

本发明涉及存储器测试，具体而言是大容量存储器功能测试全覆盖的方法。存储器制造工艺和材料的改进，使得存储器的容量大幅度提高，现已达到tb级别。为了保证存储器芯片长期可靠的工作，必须保证其功能测试全覆盖，但是，测试系统图形发生器的硬件条件限制了图形向量自动生成的位数，测试系统图形向量的深度限制...

本公开主要涉及芯片领域，并且更具体地，涉及用于芯片的存储器的测试的方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质。随着人工智能的迅猛发展，人工智能(ai)芯片(诸如，片上系统soc)的功能和计算能力也越来越强大，也导致ai芯片设计的规模和复杂性也急剧增长。在现有的ai芯片被嵌入了大量的存储器(m...

相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月22日提交的申请号为10-2019-0046909的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体并入本文。本公开涉及一种测试衬底，更具体地，本公开涉及一种能够与存储装置垂直的组合的测试板。存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。...

本发明涉及存储器装置，且更确切地说，涉及能够执行用于存储器装置的修复(例如，封装后修复(ppr)和/或其它修复)的方法和系统。例如随机存取存储器(ram)装置、动态ram装置(dram)、静态ram装置(sram)或快闪存储器的存储器装置通常用于电子系统中以提供存储器功能以促进数据处理操作...

相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月17日提交的申请号为10-2019-0044847的韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请通过引用整体并入本文。所公开的技术总体上涉及一种错误校正电路和具有错误校正电路的存储器控制器，并且更具体地，涉及一种被配置为能够进行低复杂性错误校正编码和低复杂...

相关申请的交叉引用本申请要求2019年4月17日提交的申请号为10-2019-0045103的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。各个实施例涉及一种用于产生存储器的测试图案(testpattern)的测试图案发生器。随着计算系统的进步，存储器容量正在增大并且增添了新的功能...

相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2019-0045314的权益，通过引用将该申请的全部内容合并于此。本发明构思涉及一种存储设备。随着电子设备的提速和低功耗，内置于电子设备中的存储设备也需要高速的读取/写入操作和低工作电压。随机...

本发明是有关于一种存储器装置及其写入验证方法，且特别是有关于一种可验证出字线漏电的存储器装置及其写入验证方法。随着工艺节点演进，nand快闪存储器面临工艺变异和可靠性挑战，其影响产品性能以及合格率，且这些挑战在具有高可靠性要求的汽车市场中尤为重要。在元件级尺寸中，已有各种解决方案以减少工艺...

本公开总体上涉及半导体装置，并且更具体地说，涉及半导体存储器装置。具体地说，本公开涉及一种如动态随机存取存储器(dram)等存储器。信息可以存储在存储器单元中，所述存储器单元可以组织成行(字线)和列(位线)。在存储器装置的制造和使用中的各个点处，一或多个存储器单元可能发生故障(例如，变得不...

本教导内容涉及存储器设备领域，并且更具体地讲，涉及用于写入印刷存储器设备并从印刷存储器设备读取的方法和系统。xerox印刷存储器(“xpm”)是能够包括可重写存储器的印刷标签。在一个示例性用途中，标签可被用于测试以确定产品是有故障还是正常工作以及是否是真实的或真正的以防止伪造。例如，印刷存...

相关申请的交叉引用本申请要求2019年4月15日向韩国知识产权局提交的编号为10-2019-0043910的韩国申请的优先权，通过引用其全面阐述了的整体来合并于此。本公开的各种示例性实施例涉及一种半导体电路，更具体地，涉及一种一次性可编程(otp)存储电路以及包括该一次性可编程存储电路的半导体装置...

本申请要求于2019年4月16日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0044478号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开通过引用整体包含于此。发明构思涉及存储器控制器和存储器系统，更具体地，涉及提供改进的阈值电压分布特性的存储器控制器和存储器系统以及相关的操作方法。存储器系统通常...

本申请涉及存储，特别涉及一种nand闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。nand闪存即nandflash是一种非易失性存储器，目前已广泛应用于各种存储场合，占领了大量的消费市场。在应用过程中，理想的闪存存储器应该满足尺寸小、操作速度快、编程电压低、抗擦写能力...

[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2019-78649号(申请日：2019年4月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。实施方式涉及一种半导体存储装置。已知有能够非易失地存储数据的nand(notand，与非)型闪速存储器。发明内容实施...