信息存储应用技术
  • 一种硬盘检测装置和方法与流程
    本发明涉及存储硬盘管理技术,尤指一种硬盘检测装置和方法。随着服务器行业的高速发展,对硬盘存储的要求也越来越高,所以SATA硬盘开始广泛应用在服务器行业。根据客户的需求,当使用SATA硬盘时,需要获取硬盘的在位状态,即判断硬盘是否物理在位。目前,已有的SATA硬盘在位检测方案是通过硬盘的GN...
  • 用于具有分割字线的多次可编程存储器(MTPM)的裕度测试的制作方法
    本公开涉及裕度测试,更特别地,涉及用于具有分割(split)字线的多次可编程存储器(MTPM)阵列的裕度测试的电路和方法。在高密度存储器系统中,典型的非易失性存储器单元可以包括具有参数(例如,晶体管器件阈值电压(Vt))的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),该参数可以例如通过将电...
  • 一种面向纠删码的主动数据修复方法及系统与流程
    本发明涉及可靠性领域,具体为一种面向纠删码的主动数据修复方法及系统。多副本(Replica)和纠删码(ErasureCode)是两种最为常见的存储系统容错(FaultTolerance)方法。多副本的优点是数据修复(恢复)便捷、降级时间短,在出现坏盘时,直接将其他副本的内容拷贝至健康盘...
  • 用于测试相关电子开关(CES)设备的方法、系统和设备与流程
    公开了利用存储设备的技术。非易失性存储器是在提供给存储设备的电源被移除之后,存储单元或元件不会失去其状态的一类存储器。例如,由可以在两个方向上磁化的铁氧体环制成的最早的计算机存储器是非易失性的。随着半导体技术发展到更高水平的小型化,铁氧体设备不再用于更常见的易失性存储器,诸如DRAM(动态...
  • 半导体器件及其操作方法与流程
    本申请要求于2017年10月11日提交的申请号为10-2017-0129848的韩国专利申请的优先权,其公开内容以全文引用的方式并入本文中。本发明的各种示例性实施例涉及一种半导体设计技术,并且更具体地,涉及一种将数据从非易失性存储器传输到锁存电路的半导体器件以及用于半导体器件的操作方法...
  • 非易失性存储器设备及其操作方法与流程
    本申请要求于2017年10月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2017-0132754的权益,该申请的公开内容通过引用整体并入本文。本发明的构思涉及一种存储器设备,并且更具体地,涉及检测和修复有缺陷字线的非易失性存储器设备及其操作方法。存储器设备可以用于存储数据,并且可以被分...
  • 动态随机存取存储器及其操作方法与流程
    本公开主张2017年10月12日申请的美国正式申请案第15/782,271号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)及其操作方法,特别涉及DRAM的程序化操作及感测操作。...
  • 用于具有共模电流源的一次可编程存储器(OTPM)阵列的裕度测试的制作方法
    本公开涉及裕度(margin)测试,更特别地,涉及一种用于具有共模电流源的一次可编程存储器(OTPM)阵列的裕度测试的电路以及方法。一次可编程存储器(OTPM)被编程操作编程,随后是验证测试。编程后的数据状态的稳定性是通过编程后执行读取裕度测试来确定的。裕度测试用于预测存在的用于补偿感测噪...
  • 存储器系统及其操作方法与流程
    本申请要求于2017年10月11日提交的申请号为10-2017-0130123的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。公开的技术和各个实施例总体涉及一种存储器系统,更特别地,涉及一种包括非易失性存储器装置的存储器系统。存储器系统响应于写入请求存储由外部装置提供的数据。存...
  • 非易失性存储器装置的操作方法与流程
    发明构思涉及一种半导体存储器,更具体地,涉及一种非易失性存储器装置及一种非易失性存储器装置的操作方法。存储装置可以响应于主机装置(诸如计算机、智能电话、智能平板等)的控制来存储数据。存储装置可以包括在磁盘上存储数据的硬盘驱动器(HDD),或者在非易失性存储器中存储数据的半导体存储器。半导体...
  • 包括存储器平面的非易失性存储器设备及其操作方法与流程
    本申请要求于2017年10月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0132752的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。示例实施例涉及一种存储器设备,更具体地,涉及一种包括存储器平面的非易失性存储器设备,以及控制每个存储器平面的峰值功率间隔的该非易失性存储器设备的操...
  • 非易失性存储器件的读取电路和方法与流程
    本申请要求于2017年10月11日提交的意大利专利申请No.102017000114539的优先权,该申请通过引用结合于此。本发明涉及用于非易失性存储器件的读取电路和读取方法。众所周知并且如图1中示意性所示,整体用1表示的非易失性存储器件,例如闪存类型,通常包括由多个按行(字线,W...
  • 闪存器的数据写入方法及装置、存储设备及存储介质与流程
    本发明涉及存储,尤其涉及一种闪存器的数据写入方法及装置、存储设备及存储介质。闪存器的写入速度取决于闪存器的编程时间;若编程时间越短,则闪存器的写入速度越快。与此同时,闪存器一旦制作完成,其闪存器耐高压时间限制了最长总编程时间,最长总编程时间确定了,若单次编程时间较长,则闪存器的可编...
  • 电阻式存储器存储装置的操作方法与流程
    本发明涉及一种存储器存储装置的操作方法,尤其涉及一种电阻式存储器存储装置的操作方法。近年来电阻式存储器(诸如电阻式随机存取存储器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM))的发展极为快速,是目前最受瞩目的未来存储器的结构。由于电阻式存储器具备低功耗、高速运作...
  • 一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元的制作方法
    本发明涉及集成电路设计,具体涉及一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元。在空间应用中,有时为了降低卫星的总重量,设计人员往往限制卫星上所使用的大型电源和电力供应系统的重量,这种做法使得芯片可利用的能量大大减小,从而需要对芯片系统进行低功耗或超低功耗设计。在集成电路设计中实现低功耗或...
  • 易失性存储器存储装置及其刷新方法与流程
    本发明涉及一种存储器存储装置及其操作方法,尤其涉及一种易失性存储器存储装置及其刷新方法。近来,行动装置愈来愈受欢迎。由于行动装置的电池寿命要尽可能地愈长愈好,因此,其中的电子元件的功率消耗需求要尽可能地愈小愈好。对传统的易失性存储器(例如,动态随机存取存储器(DynamicRandom...
  • 一种具有超低功耗和高写裕度的12T TFET SRAM单元电路的制作方法
    本发明涉及集成电路设计领域,尤其涉及一种超低功耗、高写裕度的12TTFETSRAM单元电路。随着移动电子产品的发展,人们对集成电路低功耗的需求变得越来越迫切。近年来,MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体)已成为数字集成电路和模拟集成电路的重要组成部分。然而,随着集成电路技术节...
  • 混合堆叠写驱动器的制作方法
    本发明涉及半导体结构,尤其涉及具有写辅助方案的存储器单元以及使用方法。随机访问存储器(randomaccessmemory;RAM)可为静态的或动态的。静态随机访问存储器(staticrandomaccessmemory;SRAM)是用于许多集成电路应用中的一种半导体存储器类型,...
  • 一种基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路、方法及应用与流程
    本发明属于电子信息,具体涉及一种基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路、方法及应用。MRAM是一种非易失性磁性随机存储器,具有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,又因其可以无限次地重复写入,同时兼具功耗低、寿命长和抗辐照能力...
  • 在移动装置上显示模拟媒体内容项增强的制作方法
    本申请属于申请日为2013年10月23日的中国发明专利申请No.201380057458.4的分案申请。本公开的实现方式涉及媒体内容项编辑系统,更具体地涉及在移动装置上模拟媒体内容项增强。许多人在其移动装置上记录视频并且与他人分享这些视频。在一些情况下,这些视频可受益于一些修改,这...
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