本发明涉及电容式电气或电子元件领域，尤其是用于能量或信息存储。更具体地说，本发明涉及一种超级电容器。介于电沉积(“电解”)制造的电容器和可充电电池之间，超级电容器具有比电池更快充放电速度和比电解电容器存储量更大的优势。但是，它们的储存能量密度仍然比电池低三到四倍。因此，它们被用作电池的补充...

本发明一般来说涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及用于存储器中数据交换网络的设备及方法。存储器装置通常是提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据(例如，主机数据、错误数据等)，且...

本发明涉及一种数据的写入方法及磁存储器。作为利用基于两个铁磁性层的磁化的相对角的变化的电阻值变化(磁阻变化)的元件，已知有由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨磁阻(gmr)元件、以及非磁性层使用了绝缘层(隧道势垒层、势垒层)的隧道磁阻(tmr)元件等。mram利用当夹着绝缘层的两个铁磁性层...

本发明大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及用于存储器内操作的设备及方法。存储器装置通常提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据(例如，主机数据、错误数据等)，且包含随机存取存...

本公开的实施例涉及三维(3d)存储器件及其制造方法。通过改进工艺技术、电路设计、编程算法、和制造工艺，使平面存储单元缩小到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且昂贵。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。3d存储架构能够解决平面存储单元中密度限...

本发明涉及存储相关，具体涉及一种多功能存储器芯片测试系统。随着电子科技、网络通讯等相关技术的进步，以及全球电子市场消费水平的不断提升，个人计算机、多媒体、工作站、网络及通信相关设备等电子产品的需求量激增，带动了整个世界半导体产业的蓬勃发展,尤其是随着信息技术以及集成电路制造工艺的发...

本发明涉及一种nandflash读参考电压的校准方法，具体是在一种ssd中在线校准nandflash读参考电压的方法，属于存储器。目前ssd通常使用nandflash做为存储介质，然而nandflash本身的物理结构特点决定了它带有天然的不稳定性。在nandflash读取过程中有概...

本发明涉及一种nandflash测试方法，具体是一种可自定义验证方法的nandflash特性测试方法，属于存储器测试。nandflash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。在采取nandflash为存储器的嵌入...

本发明涉及半导体存储器应用，特别是一种写失效存储单元的替换方法、装置、设备及存储介质。部分非易失性存储芯片在生产出来后会有少量存储单元(cell)是坏的，失效的存储单元无法进行正常的读、写和擦操作中的一种或多种，如果不对这些失效的存储单元进行修复处理，整个存储芯片将会报废，通常no...

本发明涉及半导体存储器应用，特别是一种擦失效存储单元的替换方法、装置、设备及存储介质。部分非易失性存储芯片在生产出来后会有少量存储单元(cell)是坏的，失效的存储单元无法进行正常的读、写和擦操作中的一种或多种，如果不对这些失效的存储单元进行修复处理，整个存储芯片将会报废，通常no...

本发明是有关于一种固态储存装置的控制方法，且特别是有关于一种固态储存装置中已抹除区块的再验证方法。众所周知，固态储存装置(solidstatestoragedevice)已经非常广泛的应用于各种电子产品，例如sd卡、固态硬盘等等。固态储存装置中包括一非挥发性记忆体(non-volatile...

本发明涉及一种nandflash的操作检测方法，属于存储器。nandflash是一种非易失性随机访问存储介质，广泛应用于ssd、u盘、闪存阵列等固态存储领域。nandflash的基本操作包括读取、写入和擦除，每种操作都需要消耗一定的内部时间，操作的结束标志为r/b信号线为高电平或者...

相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月9日提交的申请号为10-2018-0052919的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用整体并入本文。本发明的各个示例性实施例总体涉及一种存储器系统。特别地，实施例涉及一种处理关于存储器装置的数据的存储器系统及其操作方法。计算机环境范例已经...

本发明涉及一种固态储存装置及其相关控制方法，且特别涉及一种固态储存装置及运用预测模型(predictionmodel)来控制固态储存装置的方法。众所周知，固态储存装置(solidstatestoragedevice，简称ssd)已经非常广泛的应用于各种电子产品，例如sd卡、固态硬碟等等。一...

本发明涉及可编程电路，主要涉及一种基于忆阻器芯片的可编程电路最小单元及其操作方法。相对于晶体管高低阻态，忆阻器是含有丰富阻态特性的理想优异器件，可以通过采用不同程度的激励，来实现不同阻态的存储，这对传统模拟电路有着十分重大的影响。近年来，有实验测试表明，优异的忆阻器件，能够在低压脉...

本发明涉及存储器，具体涉及一种三维阻变存储阵列、译码电路以及存储系统。随着大数据时代的到来，超高密度、超大容量的非易失性存储技术成为了实现海量信息存储的关键。传统以平面微缩提高存储密度的二维架构已远不能满足数据爆炸式增长对高密度存储器的需求，三维集成已成为未来存储技术发展的主要趋势...

本申请要求于2018年5月10日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0053928号韩国专利申请和2018年9月13日在美国专利商标局提交的第16/130,358号美国专利申请的权益和优先权，上述专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。发明构思涉及一种电阻式存储器装置，更具体地，涉及一种包括参...

本申请要求于2018年5月9日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0053196号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。本公开涉及存储器装置和包括存储器装置的存储器系统，更具体地讲，本公开涉及通过对与被频繁访问的字线邻近的字线进行预充电来执行用于减少行锤击(hamme...

相关申请的交叉引用本专利申请主张el-mansouri等人在2018年5月9日提交的名称为“铁电存储器极板功率减小(ferroelectricmemoryplatepowerreduction)”的第15/975,628号美国专利申请的优先权，所述申请让渡给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文...

交叉参考本专利申请案主张2018年5月9日提交的标题为“单元电压累积放电(cellvoltageaccumulationdischarge)”的美国专利申请案第15/975,624号的优先权，所述专利申请案转让给本发明的受让人且以全文引用的方式明确并入本文中。涉及单元电压累积放电。...