专利名称：消除读/写头反电动势读数受温度影响的方法
技术领域：
本发明涉及消除温度对电压测量值的影响的方法，具体涉及加载时消除读/写头反电动势读数受温度影响的方法。
背景技术：
读/写头加载速度的适度控制对于延长读/写头及介质(如硬盘驱动器介质)的使用寿命是至关重要的。如果读/写头加载速度过快，当读/写头离开加/卸载斜坡时可能会碰撞驱动器介质，这是因为悬浮力不是为了处理Z高度的快速变化而设计。如果读/写头加载速度太慢，将增加读/写操作的准备时间。
为了监控读/写头加载速度，需要测量音圈磁铁(VCM)的反电动势(bemf)。反电动势可通过测量音圈磁铁两端的电压差得到，该电压差的值等于bemf与VCM电流值乘以电阻值(IR)之和。由于VCM电阻引起的电压相对于bemf是重要的，因此IR的影响不能忽视。更糟的时，电阻R随温度而变化因而IR也发生变化。因此，需要采用适当的方法以弥补反电动势读数受温度的影响。
发明内容
有鉴于此，本发明提出了一种读/写头加载时消除反电动势读数受温度影响的方法。该方法包括通过测量反电动势(bemf)来监控读/写头加载速度，反电动势(bemf)与读/写头线速度(V)的关系式如下Bemf＝Kt*V/L其中，L为读/写头臂的长度；Kt是一个常数。
由于音圈磁铁电压值Vvcm＝Bemf+IR如果读/写头被推阻而不致碰撞至停，那么Bemf为零并且Vvcm值就取决于IR。
通常Vvcm值可从数模转换器(ADC)上测量，并在0V时可能有偏差。因此应采集两组数据值(Vvcm1，I1)(Vvcm2，I2)。
以知数模转换器测量值ADC＝Vvcm+offset代入两组数据值ADC1＝Vvcm1+offset＝Bemf+I1R+offset＝I1R+offset(1)ADC2＝Vvcm2+offset＝Bemf+I2R+offset＝I2R+offset(2)
(2)-(1)，R＝(ADC2-ADC2)/(I2-I1)由于ADC＝Bemf+IR+offset且由(1)式可得offset＝ADC1-I1R因此Bemf＝ADC-(I-I1)R-ADC1为了消除温度的影响，这两组数据值须在每次读/写头即将加载之前取得。
上述方法的一实施例，是在一微型硬盘驱动器内，采用可通过9位的数模换器(9-bit ADC)测量音圈磁铁电压值的复合芯片。可通过比较已校准(消除温度影响)和未校准的读/写头加载速度得到其效果。
测量两个Vvcm值一次，及在读/写头加载之前将线圈加热1秒；在每次读/写头加载之前测两个Vvcm值。
具体实施例方式
该方法在微驱动器内采用复合结构的芯片实现，可通过9比特的数模变换器(ADC)测量VCM值，得到具有校准和未校准的读/写头加载速度，并对其进行比较。
一次测两个Vvcm值及读/写头加载之前1秒读/写头线圈。
在读/写头加载之前每次测两个Vvcm值。
权利要求
1.一种消除读/写头反电动势读数受温度影响的方法，该方法包括测量读/写头速度时取得至少两组数模转换器(ADC)测量值和电流值(I)的数据点；通过上述数据点，算出数模转换器测量值相对于音圈磁铁电压(VVCM)的偏差值(offset)和温度影响之下的电阻值(R)；通过上述数模转换器测量值，电流值，偏差值，和电阻值，算出音圈磁铁(VCM)的反电动势(bemf)；通过该反电动势算出读/写头加载速度。
2.如权利要求1所述的方法，进一步用于控制读/写头速度。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用两组数模转换器测量值和电流值的数据点。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该数模转换器是9位(bit)的。
全文摘要
本发明提出了一种消除反电动势读数受温度影响的方法，该方法包括在测量与控制硬盘读/写头加载速度时通过至少两组的数模转换器(ADC)测量值和电流值(I)的数据点，算出数模转换器测量值相对于音圈磁铁电压(VVCM)的偏差值(offset)和温度影响之下的电阻值(R)；通过上述数模转换器测量值，电流值，偏差值，和电阻值，算出音圈磁铁(VCM)的反电动势(bemf)；通过该反电动势来监控读/写头加载速度。
文档编号G11B19/28GK1731524SQ20041007003
公开日2006年2月8日 申请日期2004年8月5日 优先权日2004年8月5日
发明者常本 申请人:南方汇通微硬盘科技有限公司