专利名称：用于为易失性存储器提供定向库刷新的方法及系统的制作方法
技术领域：
本发明大体而言涉及存储装置，且更具体而言，涉及用于为易失性存储器提供定向库刷新的方法及系统。
背景技术：
易失性存储器是一种通常构造为若干个阵列(或库)的存储媒体。每一个库进一步布置成行及列形式的“存储胞”矩阵，其中每一列均按存储器的输入/输出(I/O)宽度进一步划分。存储器内的位置按库、行及列来唯一地规定。可使用一存储器控制器通过指明数据的库、行及列位置而自存储器中检索数据。例如，对于一具有一16位外部数据总线的四库式128Mb存储器而言，一可能的逻辑地址映射包括一9位的列地址、一2位的库地址及一12位的行地址。
在读取或写入一存储位置之前，必须首先打开对应的行。打开一个行的过程需要使用一最少数量的时钟循环tRCD-其表示行至列延迟。一旦打开一个行，便可根据需要对该行内的列地址进行读取或写入。对于例如某些动态随机存取存储器(DRAM)而言，例如对于同步DRAM(SDRAM)而言，在任一时刻每一个库仅有一个行可保持打开；一要在同一库内但一不同行处执行的后续存储器存取需要关闭当前的行并打开新的一个行。
在为动态易失性存储器的情况下，为保持数据完整性，必须以一平均间隔tREF1周期性地刷新或重新激励每一个胞。所述胞之所以必须予以刷新，是因为其是围绕存储电荷的电容器设计，而电容器可能会随时间放电。刷新是对存储器中的胞进行再充电的过程。通常每次一行地对胞进行刷新。当前存在若干种设计用于刷新易失性存储器的方法。这些方法中的某些(若非全部)会在性能及/或功率方面引起高的代价。例如，存在两种通常用于在现代数字系统内控制对易失性存储器的刷新的常用方法或技术。一种方法依赖存储器来跟踪需使用在存储器上可具有的内置式刷新机构进行刷新的行及库；另一种方法则依赖存储器控制器来跟踪需进行刷新的行及库。
第一种常用方法由易失性存储器的自动刷新功能及自刷新功能使用。这些功能使用存储器的内置刷新地址。在存储器现用期间，当需要一刷新循环时，存储器控制器对所有库进行预充电，然后使用自动刷新命令来告诉存储器发起一内部刷新循环。在接收到自动刷新命令后，存储器递增内部刷新地址计数器并执行内部刷新循环。在自动刷新模式中，存储器使用其内部刷新地址计数器内的刷新地址来决定哪些行/库执行所述刷新循环并遍历相关的各行。在一种实施方案中，所述内部刷新地址计数器包括一行地址寄存器及一库地址寄存器。递增所述库地址寄存器来遍历每一存储器库，其中所述库地址寄存器的进位输出使行地址寄存器递增。其他实施方案则不使用库地址寄存器，因为所有库均同时得到刷新。
当前的非同时性库自动刷新实施方案的一缺点在于，存储器控制器不知道哪一内部库将被刷新，在发出一自动刷新命令之前，存储器控制器需要关闭每一个库中的所有打开的行。因此，在一自动刷新顺序期间，存储器数据总线的可用性为零。充其量，该顺序要求使用tRP+tRFC+tRCD个循环，其中tRP表示一行预充电延时，tRFC表示刷新循环时间且tRCD表示行-列延时。对于一133MHz的存储器，此可能为16个时钟循环(120ns)。这些循环有时称作死循环，因为在该周期期间存储器数据总线不可用。
在不使用的周期期间，存储器控制器可将存储器置于自刷新模式中。在自刷新模式中，存储器使用其自身的内部时钟及刷新地址计数器来产生刷新，以刷新所述存储器的这一(这些)行。由于可使用自刷新模式，因而该方法有益于在空闲状态期间节约功率。自刷新状态使用少量的功率并通过刷新存储器来保持存储器的内容。由于需要少量的功率，因而该方法通常用于低功率应用中。
有时使用一第二种方法来避免上文所述存储器数据总线上的死循环。根据该第二种方法，通过存储器控制器来实现对刷新之控制。该方法不使用在存储器上可具有的任何内置刷新机构。根据该方法，在规则地给定的间隔(tREF1)处，存储器控制器通过使用库/行地址组合以一种循序方式打开及关闭各行来明确地产生刷新。刷新时钟(其确定刷新速率)及库/行地址组合位于存储器控制器内部。该方法对于高速/高性能应用最佳。该方法允许存储器控制器刷新一特定存储器库，同时允许其他存储器库保持打开以供存取，从而得到更高的性能；对其他库的读取及写入一般可平行且不中断地继续进行。该方法的不利方面在于，在系统断电或长时间空闲状态期间，当存储器控制器不对存储器进行刷新时，存储器不能保持于自刷新状态中。如上文所述，自刷新状态是大多数易失性存储器的内置功能。由于存储器的自刷新功能独立于存储器控制器来递增一在存储器的刷新地址计数器中所存储的刷新地址(即行/库地址)，因此存储器所保持的刷新地址不与存储器控制器一致或同步。
刷新操作可降低存储器的性能，这是因为每一刷新循环均会迫使存储器进入空闲状态，而在此空闲状态期间不可进行数据存取。例如，如果一特定存储器库在此库处于一现用状态时需要一刷新循环，则必须关闭该库以允许进行刷新操作。关闭该库意味着必须延迟原本要执行的数据操作，从而影响系统性能。
某些现有方案可供用于降低刷新操作对性能的影响。这些方案通常涉及到使用高于所需刷新速率的刷新速率，以便可在一预定刷新周期内刷新更多的存储器库。通过刷新更多的存储器库，会减小为刷新而必须关闭一现用存储器库的可能性。然而，使用更高的刷新速率具有其缺点。例如，刷新速率增加意味着存储器更频繁地不可供存取，此会导致性能降低。而且，仅使用更高的刷新速率并非总能消除当需要刷新时关闭现用存储器库的需要；在某些情形中，无论如何均必须关闭现用存储器库，从而抹煞了使用更高刷新速率的所有优点。
因此，将希望提供用于为易失性存储器提供定向库刷新的更有效的方法及系统。
发明内容
在本发明的一个方面中，一种存储器系统包括一具有复数个库的易失性存储器及一存储器控制器，所述存储器控制器经配置以控制所述易失性存储器参与一自动刷新模式或一自刷新模式，所述存储器控制器进一步经配置以指令所述易失性存储器对所述复数个库中的一目标库执行一自动刷新操作，其中在正对所述目标库执行所述自动刷新操作的同时，所述复数个库中的其余库可供存取。
在本发明的另一个方面中，一种存储器系统包括一易失性存储器，其具有复数个库、一库地址锁存器、一刷新时钟及一刷新计数器，所述刷新计数器进一步具有一行地址计数器及一行递增计数器，其中所述刷新时钟经配置以控制所述刷新计数器及所述库地址锁存器，其中所述行递增计数器经配置以递增所述行地址计数器；及一存储器控制器，其经配置以控制所述易失性存储器参与一自动刷新模式或一自刷新模式，所述存储器控制器进一步经配置以指令所述易失性存储器对所述复数个库中的一目标库执行一自动刷新操作，所述存储器控制器进一步经配置以将所述目标库的一库地址载入所述库地址锁存器内，其中存储于所述库地址锁存器中的所述库地址可由所述易失性存储器用于识别所述自动刷新操作的所述目标库，且其中在正对所述目标库执行所述自动刷新操作的同时，所述复数个库中的其余库可供存取。
在本发明的又一方面中，一种存储器系统包括一具有复数个库及一库地址锁存器的易失性存储器、用于控制所述易失性存储器参与一自动刷新模式或一自刷新模式并指令所述易失性存储器对所述复数个库中的一目标库执行一自动刷新操作的构件、用于将所述目标库的一库地址载入所述库地址锁存器内的构件，其中存储于所述库地址锁存器中的所述库地址可由所述易失性存储器用于识别所述自动刷新操作的所述目标库，且其中在正对所述目标库执行所述自动刷新操作的同时，所述复数个库中的其余库可供存取。
在本发明的再一方面中，一种用于实现对一具有一库地址锁存器及复数个库的易失性存储器进行存储器刷新的方法包括将一目标库的一库地址载入所述库地址锁存器内，并指令所述易失性存储器使用存储于所述库地址锁存器中的所述库地址对所述复数个库中的一目标库执行一自动刷新操作，其中在正对所述目标库执行所述自动刷新操作的同时，所述复数个库中的其余库可供存取。
应了解，所属领域中的技术人员根据下文具体实施方式
部分将易知本发明的其他实施例，在下文具体实施方式
部分中以例示方式显示及说明本发明的各种实施例。应认识到，本发明能够具有其他及不同的实施例且其数个细节能够在各种其他方面加以修改，此均不背离本发明的精神及范围。因此，应将图式及具体实施方式
部分视为例示性质而非限制性的。
在附图中以举例方式而非限制方式图解说明本发明的各个方面，图式中图1为一简化方块图，其图解说明一种可用于实施本发明定向刷新方法的布局；及图2为一简化方块图，其图解说明一种可用于实施本发明的定向刷新方法的易失性存储器。
具体实施例方式
下文结合附图阐述的详细说明旨在阐明本发明的各种实施例，而非旨在表示本发明可实施成的唯一一些实施例。为了提供对本发明之透彻了解，该详细说明包括具体细节。然而，所属领域中的技术人员将易知，无需这些具体细节也可实施本发明。为避免造成本发明的概念含糊不清，在某些实例中以方块图形式显示众所周知的结构及组件。
现在将说明一种存储器系统的各种实施例。在一实施例中，提供一种会提高一存储器在刷新操作期间的数据可用性的定向刷新方法。图1显示一可用于实施此种定向刷新方法的布局100。如在图1中所示，所述定向刷新方法可由一易失性存储器110及一经配置以控制易失性存储器100的控制器120来实施。易失性存储器110可例如为一DRAM(动态随机存取存储器)、SDRAM(同步DRAM)、及各种其他类型的DRAM等等。根据本文所提供的揭示及教示内容，所属领域中的一般技术人员将得知如何使用其他类型的需要进行刷新操作的存储器来实施与本发明相关联的概念。所述定向刷新方法可通过用于控制存储器控制器120及易失性存储器110的控制逻辑或者处理器(未示出)来实现。应了解，所述控制逻辑或处理器可构建成一独立模块或者集成为另一组件(例如存储器控制器120)的一部分。
图2进一步显示可用于实施所述定向刷新方法的易失性存储器110的一个实施例。易失性存储器110可进一步包括一具有一行地址计数器250及一行递增计数器220的刷新计数器200、一刷新触发器240、一库地址锁存器230及若干个库210。
刷新触发器240可用于控制刷新计数器200及库地址锁存器230二者。刷新触发器240由易失性存储器110用于以自动刷新模式或自刷新模式启动一刷新操作。举例而言，在自存储器控制器120(参见图1)接收到一自动刷新命令时，易失性存储器110可指令刷新触发器240启动自动刷新操作。刷新触发器240可例如为一时钟或其他定时机构。
行地址计数器250可用于存储所要刷新的行的目标行地址。库地址锁存器230可用于存储包含所要刷新的行的特定库的目标库地址。
存储器控制器120可指令易失性存储器110自动刷新易失性存储器110内的一特定存储器库，而其他存储器库仍保持可供存取。对于存储器控制器120所启动的每一自动刷新循环，存储器控制器120(参见图1)均可将库地址270载入库地址锁存器230内。库地址270用于选择其中一个库210进行刷新。由于存储器控制器120(参见图1)知晓所要刷新的特定库，因而对其他内部库的存取可继续进行而不中断。此趋于使存储器数据总线的利用率最大化、通过避免无谓的行关闭/打开顺序而降低功率消耗、并有助于使传送延迟最小化。
行递增计数器220可在加电或复位时初始化。行递增计数器220的初始化值可为任意的。在已执行一预定次数的自动刷新操作之后，行递增计数器220使行地址计数器250递增。行地址计数器250包含所要刷新的一行的目标行地址。行地址计数器250指向所有库210中的同一行。
存储器控制器120通过向易失性存储器110发出一自动刷新命令并将所要刷新的库的库地址270载入库地址锁存器230内来启动每一自动刷新循环。在接收到所述自动刷新命令后，易失性存储器110使用刷新触发器240来启动每一自动刷新操作。刷新触发器240使行递增计数器220递增。以循环方式，通过一来自行递增计数器220的进位输出信号260来递增行地址计数器250。例如，行递增计数器220可为一2位的计数器，此意味着行递增计数器220每四(4)个刷新时钟循环自身重复一次；相反地，行地址计数器250则在每第4次自动刷新操作之后递增。然后，使用存储于行地址计数器250中的目标行地址及存储于库地址锁存器230中的库地址270来刷新一所识别库中的一特定行。
由于目标行地址根据预定的自动刷新操作次数而周期性地改变且存储器控制器120不知道行地址计数器250将在何时递增，因而存储器控制器120(参见图1)以一关于各个库210的始终如一的循序次序发出自动刷新命令；换句话说，存储器控制器120在每一自动刷新循环期间均以一种循序方式每次一个地将各个库210的库地址载入库地址锁存器230内。如此一来，在连续的自动刷新循环中依序刷新各个库210。例如，对于图2中所示的四(4)个库而言，刷新库次序可为“3-2-1-0-3-2-1-0”或“0-1-2-3-0-1-2-3”。其中一种次序并不优于另一种次序。因此，可使用这两种次序中的任一种。在一种实施方案中，可使用顺序“0-1-2-3-0-1-2-3-…”。如在下文中所将进一步说明，该顺序会简化向自刷新模式的转变。
下面在一实例中进一步例示如图2所示的易失性存储器110的操作。在该实例中，假定行递增计数器220中的初始值为零(0)且行递增计数器220的进位输出信号260是在每第4次自动刷新操作之后被激活。存储器控制器120(参见图1)向易失性存储器110发出一自动刷新命令并将库210a的库地址270载入库地址锁存器230内以启动一第一自动刷新循环。在接收到所述自动刷新命令后，易失性存储器110指令刷新触发器240启动一自动刷新操作。在所述自动刷新操作期间，行递增计数器220递增至值一(1)。在此种情形中，进位输出信号260未被激活且行地址计数器250不递增。然后，使用当前分别存储于行地址计数器250及库地址锁存器230中的目标行地址及库地址来刷新库210a中的一特定行。
随后，存储器控制器120(参见图1)向易失性存储器110发出另一自动刷新命令并将库210b的库地址270载入库地址锁存器230内，以启动一第二自动刷新循环。类似地，在接收到所述第二自动刷新命令后，易失性存储器110指令刷新触发器240来启动另一自动刷新操作。在该自动刷新操作期间，行递增计数器220递增至值二(2)。同样，进位输出信号260未被激活且行地址计数器250不递增。然后，使用当前分别存储于行地址计数器250及库地址锁存器230中的目标行地址及库地址来刷新库210b中的一特定行。应注意，由于行地址计数器250未递增，因而在该自动刷新操作中所使用的目标行地址与在上次自动刷新操作中所使用的目标行地址相同。然而，对于该自动刷新操作而言，由于识别一不同的库210b，因而存储于库地址锁存器230中的库地址不同。因此，刷新一不同库210b(与库210a相对)中的相同的行。
类似地，应了解，在第三及第四自动刷新循环中，行地址计数器250不递增(因行递增计数器220的进位输出信号260未被激活)。因此，在第三及第四自动刷新循环期间刷新不同库210c及210d中的相同的行。
在第五自动刷新循环中，由存储器控制器120(参见图1)载入库地址锁存器230内的库地址270指回至库210a。此外，由于已经执行了四(4)次自动刷新操作，因而行递增计数器220的进位输出信号260现在被激活。进位输出信号260又使行地址计数器250递增，从而使目标行地址移至一新的要刷新的行。然后，在连续的自动刷新循环中对所有四(4)个库210刷新该同一新的行。
当命令易失性存储器110进入自刷新模式时，从存储器控制器120停止向易失性存储器110发出最后一个自动刷新命令时起，易失性存储器110便开始使用当前存储于库地址锁存器230中的库地址在内部产生刷新。这之所以变为可能，是因为如前面所述，存储器控制器120以一种循序方式发出自动刷新命令。
随后，在自刷新模式中进行每一次刷新之后，均递增库地址锁存器230的输出。实际上，库地址锁存器230变为一计数器。因此，当处于自刷新模式中时，库地址锁存器230周期性地递增并用于遍历各个库210；且行递增计数器220也周期性地递增，此又使包含一所要刷新的行的目标行地址的行地址计数器250递增，从而能够在各个库210中遍历各个行。
当退出自刷新模式时，易失性存储器110在内部将行地址计数器220复位或清除。此使易失性存储器110与存储器控制器120重新同步并确保将在所有库210中刷新由当前目标行地址所表示的行。通过使行递增计数器220复位，易失性存储器110确保仅在已执行预定次数的自动刷新操作之后递增行地址计数器250，此意味着在所有库210中刷新由当前目标行地址所表示的行。
此外，存储器控制器120也在易失性存储器110退出自刷新模式之后在一(1)个平均刷新周期(tREF1)内发出若干个自动刷新命令。由于存储器控制器120并不知道在退出自刷新模式之前易失性存储器110最后刷新的是哪一个库，因此使用这些自动刷新命令来确保在一(1)个平均刷新周期(tREF1)内刷新所有的库210，此会相反地确保保持数据完整性且不丢失任何数据。要在一(1)个平均刷新周期(tREF1)内发出的自动刷新命令的数量依赖于易失性存储器110中的库210的数量。例如，对于图2中所示的易失性存储器110而言，在退出自刷新模式之后要发出的自动刷新命令的数量为四(4)个。所述平均刷新周期(tREF1)可根据特定的易失性存储器而异。根据本文所提供的揭示及教示内容，所属领域中的一般技术人员将得知如何根据本揭示内容来构建行递增计数器220及确定在从自刷新模式中退出之后所要发出的自动刷新命令的适当数量。
应注意，如果存储器控制器120执行一预先刷新方案且在进入自刷新模式之前至少预先刷新若干次，则在从自刷新模式退出之后在一(1)个平均刷新周期(tREF1)内发出自动刷新命令是可选的。例如，对于如图2中所示的易失性存储器110，如果在进入自刷新模式之前已预先执行了至少四(4)次刷新，则在从自刷新模式中退出之后不需要在一(1)个平均刷新周期(tREF1)内发出自动刷新命令。在所属领域中已知若干种预先刷新方案。根据本文所提供的揭示及教示内容，所属领域中的一般技术人员将得知如何包含一预先刷新方案来与本教示内容结合使用。
结合本文所揭示实施例阐述的方法或算法可以控制逻辑、编程指令或其他指示的形式直接实施于硬件中、一可由处理器执行的软件模块中、或两者的组合中。软件模块可驻存于RAM存储器、快闪存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可抽换磁盘、CD-ROM中、或所属领域中所知的任何其他形式的存储媒体中。所述存储媒体可耦接至所述处理器，以使所述处理器可自所述存储媒体读取信息或向存储媒体写入信息。或者，所述存储媒体可为所述处理器的组成部分。
上文对所揭示实施例的说明旨在使所属领域中的任一技术人员均能够制作或使用本发明。所属领域中的技术人员将易知这些实施例的各种修改形式，且本文所界定的一般原理也可适用于其他实施例，此并不背离本发明的精神或范畴。因此，本发明并非旨在限定为本文所示的实施例，而是欲赋予其与权利要求书相一致的整个范畴，其中除非明确标明，以单数形式提及一元件并非旨在表示“一个且仅有一个”，而是表示“一个或多个”之意。所有为所属领域中的一般技术人员所知或此后将知的本揭示内容通篇所述各实施例的要素的结构及功能等效物均明确地以引用方式并入本文中并旨在涵盖于权利要求书中。此外，本文所揭示的内容均非旨在奉献给公众，无论是否在权利要求书中明确地引用该揭示内容。权利要求要素均不依据35 U.S.C.§112第六段的规定加以解释，除非使用片语“用于…的构件”明确描述该要素，或在方法项情况下使用片语“用于…的步骤”描述该要素。
权利要求
1.一种存储器系统，其包括一具有复数个库的易失性存储器；及一存储器控制器，其经配置以控制所述易失性存储器参与一自动刷新模式或一自刷新模式，所述存储器控制器进一步经配置以指令所述易失性存储器对所述复数个库中的一目标库执行一自动刷新操作；其中在正对所述目标库执行所述自动刷新操作的同时，所述复数个库中的其余库可供存取。
2.如权利要求1所述的系统，其中所述易失性存储器进一步包括一库地址锁存器、一刷新触发器及一刷新计数器，所述刷新计数器进一步具有一行地址计数器及一行递增计数器；其中所述刷新触发器经配置以控制所述刷新计数器及所述库地址锁存器；其中所述行递增计数器经配置以递增所述行地址计数器；其中所述存储器控制器进一步经配置以将所述目标库的一库地址载入所述库地址锁存器内；及其中存储于所述库地址锁存器中的所述库地址由所述易失性存储器用来识别用于所述自动刷新操作的所述目标库。
3.如权利要求2所述的系统，其中所述行递增计数器经配置以在每次执行一自动刷新操作时递增。
4.如权利要求3所述的系统，其中所述行递增计数器进一步经配置以在已执行一预定数量的自动刷新操作之后递增所述行地址计数器；及其中所述行地址计数器包括一个行地址，所述行地址可用来识别用于所述自动刷新操作的所述目标库中的一行。
5.如权利要求4所述的系统，其中所述存储器控制器进一步经配置以指令所述易失性存储器以一循序方式对所述复数个库执行自动刷新操作。
6.如权利要求5所述的系统，其中在所述易失性存储器进入所述自刷新模式后，所述易失性存储器进一步经配置以使用存储于所述库地址锁存器中的一库地址来产生一个或多个自刷新；及其中存储于所述库地址锁存器中的所述库地址是先前由所述存储器控制器提供的，以指令所述易失性存储器对所述目标库执行所述自动刷新操作。
7.如权利要求6所述的系统，其中所述易失性存储器进一步经配置以在每一次自刷新之后递增所述库地址锁存器。
8.如权利要求7所述的系统，其中在退出所述自刷新模式后，所述易失性存储器进一步经配置以使所述行递增计数器复位，从而使所述易失性存储器与所述存储器控制器再同步。
9.如权利要求8所述的系统，其中所述存储器控制器进一步经配置以在所述易失性存储器从所述自刷新模式中退出之后在一个平均刷新周期内发出一预定数量的刷新。
10.如权利要求9所述的系统，其中所述存储器控制器进一步经配置以在所述易失性存储器进入所述自刷新模式之前已执行一数量的提前刷新的情况下，避免在所述易失性存储器从所述自刷新模式中退出之后在一个平均刷新周期内发出所述预定数量的刷新。
11.如权利要求1所述的系统，其中所述易失性存储器是一动态随机存取存储器(DRAM)或一同步DRAM中的一者。
12.一种存储器系统，其包括一易失性存储器，其具有复数个库、一库地址锁存器、一刷新时钟及一刷新计数器，所述刷新计数器进一步具有一行地址计数器及一行递增计数器，其中所述刷新时钟经配置以控制所述刷新计数器及所述库地址锁存器，其中所述行递增计数器经配置以递增所述行地址计数器；及一存储器控制器，其经配置以控制所述易失性存储器参与一自动刷新模式或一自刷新模式，所述存储器控制器进一步经配置以指令所述易失性存储器对所述复数个库中的一目标库执行一自动刷新操作，所述存储器控制器进一步经配置以将所述目标库的一库地址载入所述库地址锁存器内；其中存储于所述库地址锁存器中的所述库地址可由所述易失性存储器用来识别用于所述自动刷新操作的所述目标库；及其中在正对所述目标库执行所述自动刷新操作的同时，所述复数个库中的其余库可供存取。
13.如权利要求12所述的系统，其中所述行递增计数器经配置以每次执行一自动刷新操作时递增；其中所述行递增计数器进一步经配置以在已执行一预定数量的自动刷新操作之后递增所述行地址计数器；及其中所述行地址计数器包括一个行地址，所述行地址可用来识别用于所述自动刷新操作的所述目标库中的一行。
14.如权利要求13所述的系统，其中所述存储器控制器进一步经配置以指令所述易失性存储器以一循序方式对所述复数个库执行自动刷新操作。
15.如权利要求14所述的系统，其中在所述易失性存储器进入所述自刷新模式后，所述易失性存储器进一步经配置以使用存储于所述库地址锁存器中的所述库地址来执行一次或多次自刷新操作；及其中存储于所述库地址锁存器中的所述库地址是先前由所述存储器控制器提供的，以指令所述易失性存储器对所述目标库执行所述自动刷新操作。
16.如权利要求15所述的系统，其中所述易失性存储器进一步经配置以在每一次自刷新操作之后递增所述库地址锁存器。
17.如权利要求16所述的系统，其中在退出所述自刷新模式后，所述易失性存储器进一步经配置以使所述行递增计数器复位，从而使所述易失性存储器与所述存储器控制器再同步。
18.如权利要求17所述的系统，其中所述存储器控制器进一步经配置以在所述易失性存储器从所述自刷新模式中退出之后在一个平均刷新周期内发出一预定数量的刷新。
19.如权利要求18所述的系统，其中所述存储器控制器进一步经配置以在所述易失性存储器进入所述自刷新模式之前已执行一数量的提前刷新的情况下，避免在所述易失性存储器从所述自刷新模式中退出之后在一个平均刷新周期内发出所述预定数量的刷新。
20.如权利要求12所述的系统，其中所述易失性存储器是一动态随机存取存储器(DRAM)或一同步DRAM中的一者。
21.一种存储器系统，其包括一易失性存储器，其具有复数个库及一库地址锁存器；用于控制所述易失性存储器参与一自动刷新模式或一自刷新模式并指令所述易失性存储器对所述复数个库中的一目标库执行一自动刷新操作的构件；用于将所述目标库的一库地址载入所述库地址锁存器内的构件；其中存储于所述库地址锁存器中的所述库地址可由所述易失性存储器用来识别用于所述自动刷新操作的所述目标库；及其中在正对所述目标库执行所述自动刷新操作的同时，所述复数个库中的其余库可供存取。
22.如权利要求21所述的系统，其中所述易失性存储器进一步包括一行递增计数器及一行地址计数器，且所述系统进一步包括用于每次执行一自动刷新操作时递增所述行递增计数器的构件；及其中所述行递增计数器进一步经配置以在已执行一预定数量的自动刷新操作之后递增所述行地址计数器；及其中所述行地址计数器包括一个行地址，所述行地址可用来识别用于所述自动刷新操作的所述目标库中的一行。
23.如权利要求22所述的系统，其进一步包括用于指令所述易失性存储器以一循序方式对所述复数个库执行自动刷新操作的构件。
24.如权利要求23所述的系统，其中在所述易失性存储器进入所述自刷新模式后，所述易失性存储器进一步经配置以使用存储于所述库地址锁存器中的所述库地址来执行一次或多次自刷新操作；及其中存储于所述库地址锁存器中的所述库地址是先前由用于载入所述库地址的所述构件提供的，以指令所述易失性存储器对所述目标库执行所述自动刷新操作。
25.如权利要求24所述的系统，其中所述易失性存储器进一步经配置以在每一次自刷新操作之后递增所述库地址锁存器。
26.如权利要求25所述的系统，其中在退出所述自刷新模式后，所述易失性存储器进一步经配置以使所述行递增计数器复位，从而使所述易失性存储器与用于控制所述易失性存储器的所述构件再同步。
27.一种用于实现对一具有一库地址锁存器及复数个库的易失性存储器进行存储器刷新的方法，其包括将一目标库的一库地址载入所述库地址锁存器内；及指令所述易失性存储器使用存储于所述库地址锁存器中的所述库地址对所述复数个库中的一目标库执行一自动刷新操作；其中在正对所述目标库执行所述自动刷新操作的同时，所述复数个库中的其余库可供存取。
28.如权利要求27所述的方法，其进一步包括每次执行一自动刷新操作时均递增一行递增值；及在所述行递增值已递增至一预定值之后，递增一行地址值，所述预定值取决于已执行的一预定数量的自动刷新操作。
29.如权利要求28所述的方法，其进一步包括指令所述易失性存储器以一循序方式对所述复数个库执行自动刷新操作。
30.如权利要求29所述的方法，其进一步包括指令所述易失性存储器参与一自刷新模式并使用存储于所述库地址锁存器中的所述库地址来执行一次或多次自刷新操作；其中所述库地址先前由所述易失性存储器用于对所述目标库执行所述自动刷新操作。
31.如权利要求30所述的方法，其进一步包括在每一次自刷新操作之后均递增所述库地址锁存器。
32.如权利要求31所述的方法，其进一步包括在所述易失性存储器退出所述自刷新模式后，使所述行递增值复位。
33.如权利要求32所述的方法，其进一步包括在所述易失性存储器退出所述自刷新模式后，在一个平均刷新周期内发出一预定数量的刷新。
全文摘要
本发明提供一种存储器系统。所述存储器系统包括一具有若干个库的易失性存储器及一存储器控制器，所述存储器控制器经配置以控制所述易失性存储器参与一自动刷新模式或一自刷新模式。所述存储器控制器进一步经配置以指令所述易失性存储器对一目标库执行一自动刷新操作。在正对所述目标库执行所述自动刷新操作的同时，其余库可供存取。
文档编号G11C11/406GK1977339SQ200580021363
公开日2007年6月6日 申请日期2005年5月26日 优先权日2004年5月27日
发明者佩里·维尔曼·小雷马克吕斯, 罗伯特·迈克尔·沃克 申请人:高通股份有限公司