半导体装置的制造方法、拾光模块以及半导体装置的制作方法

专利名称：半导体装置的制造方法、拾光模块以及半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体装置的制造方法、拾光模块以及半导体装置。
技术背景
现今，在读取DVD等光盘中的信号的光盘驱动装置中装载有 拾光模块。在该拾光模块中，射出用于读取的光的半导体激光元 件和接收从光盘反射回来的反射光的检光器布置在同一个底座上。
如专利文献1所公开的那样，在光盘驱动装置中，拾光模块 布置在光盘的光学记录面之下，且沿着光盘的半径方向移动。因 此，为使光盘驱动装置小型化，必须使拾光模块小型化。为使拾 光模块小型化，就需要使检光器小型化。
例如，在专利文献2中公开了一种使收放固体摄像元件的框 体小型化，从而使检光器小型化的固体摄像装置的制造方法。具 体而言，在该方法下，使由基才反部和矩形框状的突起部形成的框 体与多个金属导片一起树脂成形为一体，再由各个金属导片形成 内部端子部和外部端子部，将摄像元件固定在框体的内部空间内的基板部上，将摄像元件的电极和各个金属导片的内部端子部一 一地连接起来，将透光板接合到突起部的上端面上。此时，为决 定透光板的位置，在突起部的上端面沿着内周设置低一些的低部 形成台阶部，透光板的大小为在形成在突起部的台阶部的内壁的 内侧区域内能够放置在低部的上表面那么大，在将透光板接合到 突起部的上端面之际，将粘接剂填充到低部上表面之后，边利用 台阶部的内壁限定透光板的位置，边将透光板放置、接合到低部 上表面的粘接剂上，最后再除去位于突起部的台阶部外侧的部分。专利文献1:日本公开特许公报特开2001 — 56950号公报 专利文献2:日本公开特许公报特开2005 — 64292号公报 专利文献3:日本公开特许公报特开2005 — 79537号公报 专利文献4:日本公开特许公报特开2002 — 164524号公报 一发明要解决的技术问题一
但是，如图18所示，在专利文献2所公开的固体摄像装置中， 在放置有摄像元件205的基板部202的外缘部分设置有矩形框状 的突起部203，但突起部203的矩形的四条边的宽度都一样宽。 这就限制了小型化。专利文献3中所公开的固体摄像装置也存在 同样的问题。其中之一制造方法如下将引线框放置在下， 一体 树脂成形，制作出多个框体连接在一起的原板以后，再装载上固 体摄像元件。然而，该制造方法存在以下缺点必须制作高价的 封装模具，与引线框一体树脂成形，由此形成突起部；在利用模 具树脂成形突起部的情况下，要想在模具内树脂成形后，再将产 品取出，就需要在突起部侧面形成一个5 —15度的微小的拔模斜 度，因此不可能垂直地形成突起部；因为用模具树脂成形，所以 是不能够轻易地改变对突起部的形状的设计。 发明内容提供一种高效地制造整体大小能够更小，特別是封装体的近似矩 形的四条边中相向的一对边的长度能够更短的半导体装置的方 法。一用以解决技术问题的技术方案一
为解决上述技术问题，本发明中的第一种半导体装置的制造 方法是制造包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体的半导 体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括以下步骤形 成封装体集合基板的步骤，在平板状的底板的上表面上形成朝上状是多个封装体连接在一起的封装体集合基板，装载步骤，在相方式中，在所述突起部上沿着该突起部的延伸方向从该突起部的上表面朝着所述底板设置有切口 。
本发明中的第二种半导体装置的制造方法是制造包括半导体 元件和装载该半导体元件的封装体的半导体装置的制造方法。该 半导体装置的制造方法包括以下步骤形成封装体集合基板的步 骤，在平板状的底板的上表面上形成朝上方突出且相互平行地在 该上表面上延伸的多个突起部，且相邻的该突起部之间的距离交 替为第一距离a和比a小的第二距离b，以形成形状是多个封装 体连接在一起的封装体集合基板，装载步骤，在突起部间的距离 是a的相邻的两个所述突起部之间，沿着该突起部的延伸方向装 载多个半导体元件，以及分开步骤，沿着该突起部的延伸方向将 突起部间的距离是b的相邻的两个所述突起部之间切断，而将封 装体集合基板分开。
在所述突起部上沿着该突起部的延伸方向设置有宽度或者高 度比其它部分小的多个凹部，在所述装载步骤中，所述半导体元 件装载在相邻的所述突起部之间且在该突起部延伸的方向上相邻 的所述凹部之间的区域。这样做是可以的。
所述封装体集合基板在所述底板的上表面具有沿着所述突起 部排列的多个连接电极，在所述装载步骤中，用金属细线将所述 半导体元件和所述连接电极连接起来。这样做是可以的。
可以进一步包括将板状透明部件放在所述半导体元件上的 步骤，和用封装树脂将所述金属细线和所述透明部件的侧壁封装 起来的步骤。
可以在所述装载步骤中，将一个所迷透明部件放在多个所述 半导体元件上。激光模块以及分光镜。装载在所述半导体装置中的半导体元件是 受光元件。
可以进一步包括反射镜和物镜。
所述拾光模块可以放置在光盘的信息记录面的下侧，所述突起部的延伸方向可以实质上与所述信息记录面垂直。
所述激光模块可以包括蓝紫色激光装置和双波长激光装置， 从所述蓝紫色激光装置射出的光的峰值波长在385nm以上且 425nm以下，从所述双波长激光裝置射出的光的峰值波长在630nm 以上且670nm以下和760nm以上且800nm以下。
本发明的一种半导体装置，包括半导体元件和装载该半导体 元件的封装体。该半导体装置近似长方体，该半导体装置的下面 和相向的一对侧面由所迷封装体构成，所述封装体具有基板部和 突起部，所述基板部实质上是矩形，且包括装载所迷半导体元件 的装载面，所述突起部沿着该装载面的一对相向的外缘延伸，且 该突起部各自位于所述 一 对相向的外缘中的 一 个外缘上，所迷半 导体元件由封装树脂封装起来，所述突起部的相亙相向的面被封 装树脂覆盖着，与所述相向的一对侧面不同的另 一对侧面上露出 有所述基板部、所述突起部以及所述封装树脂，在被所述封装树 脂覆盖住的所迷突起部部分有加宽部，该加宽部在所迷突起部的 下面且垂直于该突起部的延伸方向的方向上的宽度比露出在所述 另一对侧面上的部分宽。
所述突起部的下面和所述装载面可以由粘接剂粘接在 一起， 在所述加宽部的侧壁与所述装载面的粘接部分可以形成有由所述 粘接剂形成的填角。这里的填角指的是粘接在加宽部的侧壁与装 载面双方的角部。
所述突起部的侧面且与该突起部相互相向的面的背面的表面 粗糙度可以比露出在所述另 一 对侧面上的所述封装树脂所形成的 面的表面粗糙度小。
所述突起部的侧面可以实质上垂直于所述装载面。9一发明的效果一 在本发明中的半导体装置的制造方法下，在平板状的底板的
上表面形成相亙平行的多个突起部以形成封装体集合基板，将半 导体元件装载在这些突起部之间。因此，能够使半导体装置在所 迷突起部的延伸方向上的长度小到大致与半导体元件的大小相 等，从而能够高效地制造小型的半导体装置。


图1 (a)是第一实施方式所涉及的半导体装置的立体图，图
1 (b)是从图1 (a)的背面看到的图。
图2 (a)是第一实施方式所涉及的半导体装置的取走封装树
脂后的俯视图，图2 (b)是沿图2 (a)中的A-A'线剖开的剖视
图，图2 (c)是沿图2 (a)中的B-B'线剖开的剖视图。
图3是按时间顺序说明第一实施方式所涉及的半导体装置的
制造过程的图。
图4是表示封装体集合基板的一种形态的立体图。
图5是表示封装体集合基板的另一种形态的立体图。
图6是表示第二实施方式所涉及的封装体集合基板的立体图。
图7 (a)是第三实施方式所涉及的半导体装置的剖视图，图
7 (b)是第四实施方式所涉及的另一半导体装置的剖视图。
图8 (a)是第四实施方式所涉及的半导体装置的立体图，图
8 (b)是从图8 (a)的背面看到的图。
图9 (a)是第四实施方式所涉及的半导体装置的取走封装树 脂后的俯视图，图9 (b)是沿图9 (a)中的A-A'线剖开的剖视 图，图9 (c)是沿图9 (a)中的B-B'线剖开的剖视图。
图lO(a)是第五实施方式所涉及的半导体装置的俯视图。图 10 (b)是沿图10 (a)中的A-A'线剖开的剖视图，图10 (c) 是沿图10 (a)中的B-B'线剖开的剖视图。
图11是表示第六实施方式所涉及的封装体集合基板的立体图。
图12 (a)是第七实施方式所涉及的半导体装置的立体图，
图12 (b)是突起部的立体图。
图13 (a)是第八实施方式所涉及的半导体装置的立体图，
图13 (b)是突起部的立体图。
图14是第九实施方式所涉及的突起部的立体图。
图15是第九实施方式的变形例所涉及的突起部的立体图。
图16是第一实施方式所涉及的拾光模块的示意立体图。
图17是第一实施方式所涉及的拾光模块的示意主视图。
图18是现有的包括受光元件的半导体装置的俯视图。
一符号说明一 1，2，3，4,5 —半导体装置，6，7 —半导体装置，IO —半导体元 件，22 —金属细线，30 —板状侧壁部，41一第一激光装置，42 — 第二激光装置，43 —分光镜，45 —反射镜，46 —物镜，47 —光盘， 49一激光模块，5Q， 51， 52 —封装体，6Q-基板部，61 —底板， 62 —装载面，64 —非装载面，68 —填角，70-突起部，70a—突起 部外侧侧壁，70b—突起部上表面,71, 72， 73, 74—突起部,71a， 72a—突起部外侧侧壁，71c， 72c —加宽部，73c， 74c —加宽部， 75 —连接电极，76—内部布线，77—外部连接部，80, 84， 85， 86 —突起部前驱体，94, 94a， 94' 一透明部件，96 —封装树脂， 100, 101, 102 —封装体集合基板。
具体实施例方式
下面，参考附图对本发明的实施方式做详细的说明。在以下 各图中，为简化说明，用同一参考符号表示实质上具有同一功能 的构成要素。] (第一实施方式) 一半导体装置一
集成化受光元件作半导体元件的检光器。需提一下，既可以用光敏二极管、光敏三极管、光敏集成电路(IC)等受光元件作半导 体元件，也可以用LED (半导体发光二极管)、半导体激光元件等 发光元件作半导体元件。 如图1、图2所示，该实施方式中的半导体装置1中，半导 体元件10内装在剖面"U"字形的槽状封装体50的槽中，板状透 明部件94隔着透明的粘接剂放置在半导体元件10上，将半导体 元件10的受光面覆盖起来。封装体50中填充有封装树脂96。透 明部件9 4是上表面为矩形且由玻璃制成的板状部件，粘接在半导 体元件10上。为便于说明，图2 (a)中省略图示封装树脂96。 该实施方式中的封装体50具有矩形的基板部60和朝着基 板部60的上方突出且分别沿着该矩形的一对对边中的各条边延 伸的两个突起部70、 70。突起部70、 70各自仅设置在基板部60 中装载半导体元件10的矩形装载面62的相向的一对外缘中的一 个外缘上，该突起部70、 70的形状是一沿着装载面62的外缘延 伸的长方体。此外，突起部70、 70仅设置在装载面62的相向的 一对外缘上意味着所述一对外缘上分別设置有突起部70、 70， 在与该一对外缘不同的另一对外缘上没有设置突起部70、 70,在 装载面62的中央部位及其周围也都没有设置突起部70、 70。
在装载面62上且所装载的半导体元件10与突起部70之间 的部分，多个连接电极75、 75、*"排列成一列，各个连接电极 75延伸到突起部70下的部分，且有一部分隐藏在突起部70下。 连接电极75连接在设在基板部6Q内的埋入电极76、 76、 ***上。 在基板部60的装载面62的背面即非装载面64上设置有多个外部 连接部77、 77、，这些多个外部连接部77、 77、连接在埋 入电极76、 76、上。也就是说，连接电极75、 75、经由埋 入电极76、 76、与外部连接部77、 77电连接。 在半导体元件10的一个矩形面上，在相向的一对边上分別有 一列由多个电极垫20、 20、棑列而成的电极垫列。设置有电 极垫20、 20、 的面的背面装载并用粘接剂固定在封装体50的装载面62上。把半导体元件10装载到封装体50中，做到此时由电极垫20、 20、排成的电极垫列延伸的方向与突起部70、 70延伸的方向大致平行。电极垫20、20、".与连接电极75、75、 "*用金属细线22、 22、.*'连接在一起。 封装体的槽中填充有封裝树脂96，以将透明部件94的侧面和金属细线22、 22、.'.埋入。因此，除了透明部件94的上表面和突起部上表面70b以外，封装体50的槽(凹部)内的部件皆被封装树脂96封装起来。也就是说，透明部件94的侧面、突起部70、 70上表面以及金属细线22等被埋在封装树脂96中。 当从上往下观看该实施方式中的半导体装置1时，仅有透明部件94的上表面与突起部上表面70b露出，剩余部分被封装树脂96覆盖住。因此，灰尘、尘埃不会附着在半导体元件10的受光面、电极垫20、连接电极75及金属细线22等上，也就不会因为灰尘、尘埃等而出现无法受光的部分，也不会由灰尘、尘埃等引起短路。优选用热固化环氧树脂、夹杂着含有Si02等的填料的树脂、含有染料且具有遮光性的树脂等作封装树脂。
半导体装置1的侧壁部中，突起部外侧侧壁70a和基板部60的侧壁齐平。这样便能够缩短半导体装置1中的两个突起部70、70之间的长度，有益于小型化。这里所说的外侧侧壁是突起部70、70的侧壁中与靠近半导体元件10的侧壁相向的侧壁。 突起部外侧侧壁70a及其相向的侧壁与装载面62垂直。因此，与以利用了模具的树脂成型制作突起部70的情况相比，能够更加自由地设定突起部70的宽度、两个突起部70、 70之间的距离。而且，突起部外侧侧壁70a的表面粗糙度比封装树脂96的侧壁侧露出部分的表面粗糙度小，这是为了在将半导体装置装载到拾光模块中之际以突起部外侧侧壁70a进行定位。 在被填入封装体50中的槽内之际，封装树脂96是粘度很高的液体，之后会固化成为固体。半导体装置1的侧壁中突起部外侧侧壁70a以外的侧壁与封装树脂96及突起部70、 70的端面齐平。这里，因为金属细线22全部被埋入封装树脂96中，所以金属细线22与电极垫20及连接电极75的连接部分被固定好，连接可靠性就提高。再就是，因为透明部件94的上表面露出，透明部件94的侧面被埋入封装树脂96中，所以只有通过透明部件94的上表面而来的光才会到达半导体元件10的受光面，即使光想要从透明部件94的侧面部分射入，那样的无用光也不会到达受光面，漫射光(光的漫反射)也就没有了，光学特性就会提高。 在该实施方式中，突起部未设置在基板部60的外缘中与设置有突起部70、 70的一对外缘不同的另一对相向的外缘部，所以该另一对外缘部之间的距离就由半导体元件10的大小、设置连接电极75、 75、所需要的空间等决定。也就是说，作为装载半导体元件10的封装体能够使所述另一对外缘部之间的距离最小。 在以基板部60的装载面62为基准的高度(距离)标准下，使透明部件94的上表面的高度比突起部上表面70b以及封装树脂96的上表面的高度高，因此，在将半导体装置1装载到拾光模块中之际，就能够很容易地以平行于半导体元件10的受光面且面积较大的透明部件94的上表面作装载作业的基准面，也就能够很容易地提高将半导体装置1装载到拾光模块中的装载精度。同时，因为使透明部件94的上表面的高度比突起部上表面70b以及封装树脂96的上表面的高度高，所以装载作业能够很容易地在短时间内完成。 —半导体装置的制造方法一
下面，参考图3对该实施方式所涉及的半导体装置1的制造方法进4于i兌明。 首先，图3 (a)所示，准备底板61。该底板61能够利用公知的方法制作。例如，在平板状的绝缘性基板上形成棑列成一列的多个通孔，该列平行着设置有多列。之后，将导电体埋入该通孔中，并以其作埋入电极76、 76、*"，在绝缘性基板的上表面形成与这些埋入电极76、 76、相连接的连接电极75、 75、*，*，在绝缘性基板的下面形成外部连接部77、 77、，底板61就出来了。 接下来，如图3(b)所示，在底板61上，连接电极75、75、 ***的列间且每隔一个列间，放置上四棱柱体的突起部前驱体80、80、"'并用粘接剂进行固定，封装体集合基板100就出来了。此时，相邻突起部前驱体80、 80、""所夹的区域成为槽55。而且，是一种突起部前驱体80、 80、."放置在连接电极75、 75、中的每一个连接电极75的一部分上的状态。此外，这些突起部前驱体80、 80、包括在权利要求中所说的突起部中。 如图4所示(省略图示连接电极)，突起部前驱体80上设置有在突起部前驱体的延伸方向上宽度变窄的多个凹部81、 81。在与突起部前驱体80延伸的方向垂直的方向上，各个突起部前驱体80的凹部81、 81"'排成一列，在之后的步骤中，该部分被分开。82这一符号表示的是切割线。 接下来，在多个槽55、 55、.'，中各个槽的底面沿着槽55、55、 '的延伸方向装载上多个半导体装置10并进行固定，再将透明部件94放在并用透明粘接剂固定在半导体元件10的受光面上。此时，透明部件94的上表面设置有保护薄片92a。成为图3(c)所示的状态。此时，半导体元件10装载在槽55内且相邻的切割线82、 82之间，亦即半导体元件10装载在突起部前驱体80延伸的方向上相邻的凹部81、 81之间的区i或。 之后，利用线焊将半导体元件10的电极垫20和连接电极75连接起来。于是，如图3 (d)所示，成为电极垫20和连接电极75由金属细线22连接在一起的状态。
之后，将封装树脂96填充到槽55内。既可以利用灌注进行填充，也可以利用注塑成型进行填充。因为此时由保护薄片92a盖住了透明部件94的整个上表面，所以透明部件94的上表面一定不会被封装树脂96覆盖住，而是露出来。图3 (e)表示的是封装树脂96已填充好且已固化的状态。成为突起部前驱体80的侧壁被封装树脂96封装，突起部前驱体80的上表面从封装树脂96中露出的状态。 接下来，用切片锯(dicing saw) 40在突起部前驱体80延伸的方向上将突起部前驱体80的中央部位切断而分开。于是，侧壁部分所在的平面就齐平。之后，进一步垂直于槽55的延伸方向从相邻的两个半导体元件10之间即沿着切割线82、82进行切割，揭去保护薄片92a。这样分开后的状态是图3 (f)所示的状态。于是， 一个一个的半导体装置1就出来了。这里，在切割出一个一个的半导体装置1之际，因为突起部前驱体80是在凹部81切断的，所以切断阻力小，封装体50内的应力也就变小。 此外，上述半导体装置1的制造方法只是一个例子而已，该实施方式中的制造方法并不限于此例。例如如图5所示，可以4吏用这样的封装体集合基板101 ，即在突起部前驱体85的中央部位沿着突起部前驱体延伸的方向从上表面到底板61具有切口 88。若使用这样的封装体集合基板101，则即使封装体集合基板101变大(面积变宽)，也能够抑制该封装体集合基板IOI发生翘起、变形等，同时还能够非常容易且在短时间内用切片锯40分开，因此加工容易。 此外，切口 88不从突起部前驱体85的上表面通到突起部前驱体85的下面也无妨，只要切口 88形成到例如所述突起部前驱体85的大约一半厚度左右那么深，就会产生上述效果；还可以在底板61上与突起部前驱体85的切口 88相同的位置上形成切口 ；突起部前驱体的形状并不限于横截面是矩形的四棱柱体，还可以是横截面是梯形的梯形柱体、横截面是半圓形的半圆柱体以及是横截面是三角形的三角柱体等；虽然切片锯40的宽度比切口 88的宽度宽或窄都可以，但若使切片锯40的宽度比切口 88的宽度窄，突起部外侧侧壁70a的表面粗糙度就与事先设定好的切口 88内壁的表面粗糙度相等。因此便一定能够使突起部外侧侧壁70a的表面粗糙度小于封装树脂96的侧壁侧露出部分的表面粗糙度。 —拾光模块—
图16是一示意立体图，示出了该实施方式所涉及的拾光模块放置在光盘47之下的状态。图17是从侧面观看该状态时得到的图。此外，图17右端的半导体装置1是作为参考示出的，示出的是将设置在位于该右端的半导体装置1之左侧的底座48上的半导体装置1 (检光器)绕上下方向的轴旋转90度后所看到的受光面一侧，并非在拾光模块中装载有两个半导体装置1。 该拾光模块包括所述半导体装置l (检光器)、第一及第二激光装置41、 42、分光镜43、反射镜45以及物镜46。第一及第二激光装置41、 42构成激光模块49。从该第一及第二激光装置41、 42射出的光44通过分光镜43,在反射镜45发生反射后，再通过物镜46朝着光盘47的信息记录面入射，光44在信息记录面上发生反射，经由物镜46、反射镜45、分光镜43后入射到半导体装置1中。 这里，第一激光装置41是射出峰值波长405rai的激光的蓝紫色激光装置；第二激光装置42是射出峰值波长650nm的红色激光和峰值波长780nm的红外激光这两个波长的激光的双波长激光装置。 构成拾光模块的各个部件放在底座48上且光盘47的信息记录面的下侧。拾光模块在旋转的光盘47下沿光盘47的径向移动。底座48的放置有各个部件的面与光盘47的信息记录面平行。
这里，出于对布线的考虑，布置半导体装置l时，要做到突起部70、 70延伸的方向垂直于底座48。也就是说，要做到突起部70、 70延伸的方向垂直于光盘47的信息记录面。这样一布置，半导体装置1中的多个外部连接部77、 77、'"就垂直于底座48的设置面排成两列。因此，能够将从多个外部连接部77 、 77、 .. *引
出的用于与外部连接的布线收纳在半导体装置1的从底座48的设置面算起高度为H的范围内。结果是，能够使拾光模块整体的高度减小。 如上所述，半导体装置1的突起部70、 70垂直于底座48延伸，不存在平行于底座48延伸的突起部。因此，能够使半导体装置1的高度H大致接近与所装载的半导体元件10的一条边的长度相等的长度。这样就能够使拾光模块整体变薄，而能够实现拾光模块的小型化。 (第二实施方式)
第二实施方式所涉及的半导体装置的制造方法与第一实施方
式的不同之处在突起部前驱体上。其它方面都与第一实施方式相同。下面对与第一实施方式不同的地方进行说明。 (第三实施方式)
第三实施方式所涉及的半导体装置透明部件的形状与第一实施方式不同，其它方面都与第一实施方式相同。下面，对与第一实施方式不同的地方进^亍说明。 如图7所示，该实施方式中的半导体装置2、 3中使用了在上表面的外缘部具有台阶的透明部件94a。该透明部件94a在它的上表面部分设置有台阶。该透明部件94a包括上表面部98和台阶面部99，该上表面部98设置在该上表面部分的中央部位且与半导体元件10的光学功能面的形状、大小相对应；该台阶面部99比上表面部98低一些。
在图7 (a)所示的半导体装置2中，封装树脂96覆盖到台阶面部99的上表面，却没有到达上表面部98。这样一设置台阶面部99,就一定能够抑制封装树脂96到达上表面部98。因此，所需要的光一定能够到达半导体元件10的光学功能面；能够使从光学功能面发出的光毫不浪费地射出。其它效果与第一实施方式相同。
如图7(b)所示，也可以制作出透明部件94a中台阶面部99
和上表面部98皆未被封装树脂96覆盖住的半导体装置3。
(第四实施方式)
第四实施方式所涉及的半导体装置透明部件与第一实施方式
不同，其它方面都与第一实施方式相同。下面对与第一实施方式不同的地方进行说明。 在第一实施方式中的半导体装置1的制造工序下，将各个透明部件94粘接在各个半导体元件10的上表面。而在该实施方式中，将一根细长的透明部件94'放置在多个半导体元件10的上表面。也就是说，从图3 (b)所示的状态进入到图3 (c)所示的状态之际，对各个槽55准备一个长度大致与该槽55相等的透明部件94'之后，再将透明部件94'放置到已固定在各个槽55的底面上的多个半导体元件10、 10、".上。此外，制造工序中的剖视图与第一实施方式所涉及的图3相同。最后分开制成一个个的半导体装置之际，透明部件94'与基板部60、突起部70、 70以及封装树脂96 —起也被切断，而从该剖面露出。
该实施方式产生第一实施方式的效果。除此以外，因为能够筒化将透明部件94'放置到半导体元件10上的步骤，所以制造就更加容易。
(第五实施方式)
第五实施方式所涉及的半导体装置与第一实施方式的不同之
处在于在该实施方式中，封装树脂未填充在封装体50的凹部，其它方面皆与第一实施方式相同。下面对与第一实施方式不同的地方进行说明。 如图10所示，该实施方式中的半导体装置5，其中的半导体元件10未被封装。也就是说，从第一实施方式中的半导体装置1中取走封装树脂96，即可得到该实施方式中的半导体装置5。 进行了第一实施方式中的半导体装置1的制造工序中的从图3 (d)到图3 (e)的步骤以外的所有其它步骤以后，即可制造出该实施方式中的半导体装置5。 该实施方式中的半导体装置5的制造步骤比第一实施方式中的半导体装置l少，因此与第一实施方式相比，能够更加廉价快速地制造出该半导体装置5;因为半导体元件10的受光面由透明部件94保护，所以尘埃等不会附着在受光面上，但尘埃等有可能附着在电极垫20、连接电极75、金属细线22上，这一点比第一实施方式差，但除此以外产生与第一实施方式一样的效果。 (第六实施方式)
第六实施方式所涉及的半导体装置封装体集合基板与第一实施方式不同，其它方面都与第一实施方式相同。下面对与第一实施方式不同的地方进行说明。 如图ll所示，在该实施方式中，相邻突起部前驱体84、 84之间的距离有两种，相对较大的第一距离a和比a小的第二距离b。半导体元件10装载在相距第一距离a的相邻的两个突起部前驱体84、 84之间。另一方面，装载好半导体元件10之后，用切片锯40将相距第二距离b的相邻的两个突起部前驱体84、 84之间切断。若第二距离b比切片锯40的宽度宽，被切断的就仅仅是底板61，因此，容易切断，同时，切断导致的封装体集合基板103内的应力也变小，突起部外侧侧壁的表面粗糙度变得与突起部前
20驱体84的侧壁粗糙度相等，也就一定能够使封装树脂96的侧壁侧露出部分的表面粗糙度更小。优选使第二距离b比切片锯40的宽度宽。
该实施方式产生与第一实施方式一样的效果。还可以在突起部前驱体84上形成图4、图6所示那样的凹部。 (第七实施方式)
第七实施方式所涉及的半导体装置突起部与第一实施方式不同，其它方面都与第一实施方式相同。下面对与第一实施方式不同的地方进行说明。 如图12所示，该实施方式中的半导体装置6包括使用了具有加宽部71c的突起部71的封装体51。加宽部71c是朝着垂直于突起部71延伸方向的方向且装载面62的中央部分的方向突出的部分。这里的宽度说的是突起部外侧侧壁71a和与其相向的突起部内侧侧壁之间的距离。也就是说，突起部71所具有的结构是，其延伸方向上的端部的宽度较窄、中央部分的宽度较宽。使其具有这样的结构，就能够在两个方向(与突起部外侧侧壁71a平行的方向和垂直的方向)上进行突起部71和封装树脂96的粘接，粘接面积也增大，因此能够将突起部71更加牢固地固定在基板部60上。因为突起部外侧侧壁71a和突起部71的内侧侧壁与装载面62垂直，所以能够更加自由地设定突起部71的宽度、两个突起部71、 71之间的距离等。 该实施方式中的半导体装置6的制造方法与第一实施方式中的制造方法大致相同。不同之处是突起部前驱体的形状。例如，使图4中凹部81在突起部前驱体80的长边方向上的长度更长，使用凹部81在突起部前驱体80的长边方向上的长度更长后所获得的突起部前驱体，就能够制造出该实施方式中的半导体装置6。或者是，在第一实施方式的制造方法下，在沿着切割线82将相邻的半导体元件10、10间切断之际，使用刀刃的宽度较小的切片锯，让凹部81有一部分留在半导体装置中，也能够制造出该实施方式中的半导体装置6。 利用该实施方式中的半导体装置6，也能够与第一实施方式一样，构成拾光模块。此外，该实施方式中的半导体装置6、其制造方法以及拾光模块，都能够产生与第 一 实施方式一样的效果。 (第八实施方式)
第八实施方式所涉及的半导体装置突起部与第七实施方式不同，其它方面都和第七实施方式相同。下面对与第七实施方式不同的地方进4亍说明。 如图13所示，该实施方式中的半导体装置7中， 一个突起部72上具有两个加宽部72c、 72c。在该封装体52中，突起部72的与封装树脂96的接触面积比第七实施方式中的封装体51大，突起部72就被更加牢固地固定在基板部60上。除此以外的效果与第七实施方式相同。此外，突起部外侧侧壁72a和突起部72的内侧侧壁与装载面62垂直。 使用了该实施方式中的半导体装置7的拾光模块产生与第一实施方式一样的效果。 (第九实施方式)
第九实施方式所涉及的半导体装置与第七实施方式突起部不同，其它方面都与第七实施方式相同。下面对与第七实施方式不同的地方进行说明。 如图14所示，该实施方式中的半导体装置所用的突起部73，其加宽部73c仅设在突起部73的下部。也就是说，将第七实施方式中的突起部71中加宽部71c分为上和下，留下去上后，即是该实施方式中的突起部73所具有的形状。因为具有形状如此的加宽部73c，所以在该实施方式中，封装树脂96将加宽部73c压向基板部60 ，突起部73和基板部60之间的固定更加牢固。突起部73的下面和基板部60被粘接剂固定，粘接剂还会从加宽部73c的下面越出来，在加宽部73c的侧壁与装载面62的粘接部分(侧壁与装载面62相接的交界部分)由粘接剂形成填角68。这样一来，突起部73和基板部60之间的粘接固定就更加牢固。除此以外的
效果与第七实施方式相同。 加宽部的形状是任意的。例如，从上述加宽部73c的从突起部73突出的一侧开始在三个位置进行切削，在该三个位置切去的都是一个半圓柱形状，这样切削后所获得的形状就是图15中所示的作为变形例的突起部74的加宽部74c的形状。变形例中的突起部74比所述突起部73更加牢固地固定在基板部60上。在该突起部74上也会由粘接剂在加宽部74c与装载面62的粘接部分形成填角68。突起部74和基板部60被更加牢固地固定在一起。
利用了该实施方式中的半导体装置的拾光模块产生与第 一 实施方式一样的效果。(其它实施方式)
到此在叉述的实施方式是本发明的示例，但本发明并不限于以上这些例子。
外部连接部设置在基板部的非装载面以外的部分上也无妨，例如，既可以在突起部的外侧侧壁上设置外部连接部，也可以从
非装载面到突起部的外侧侧壁连续地设置外部连接部；将外部连
接部与连接电极连接起来的布线也并不限于设置在突起部内的贯穿电极，沿着突起部的侧壁设置将外部连接部与连接电极连接起来的布线也无妨。
既可以用固体摄像元件以外的光敏耦合器等受光元件作半导体元件，也可以用LED、激光元件等发光元件作半导体元件，还
的半导体元件例如有表面声波(SAW)元件、振子、压力传感器、加速度传感器、声传感器等。此时，盖体无需透明。甚至是利用微电子机械系统(MEMS)制造的元件也可以作半导体元件用。
将上述实施方式中的特征部分互相組合起来也无妨。例如，在第二到第五实施方式中可以使用第六实施方式中的封装体集合基板103。
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可以使第七、第八实施方式中的加宽部具有第九实施方式的
变形例中所示的形状。对第七到第九实施方式中的加宽部的形状没有什么特别的限定。 —产业实用性一
综上所述，利用本发明所涉及的半导体装置的制造方法，能够高效地制造出小型的半导体装置。因此，本发明所涉及的半导体装置的制造方法作为制造拾光模块中的检光器等的方法很有用。
权利要求
1、一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体，其特征在于该半导体装置的制造方法包括以下步骤形成封装体集合基板的步骤，在平板状的底板的上表面上形成朝上方突出且相互平行地在该上表面上延伸的多个突起部，以形成形状是多个封装体连接在一起的封装体集合基板，装载步骤，在相邻的两个所述突起部之间沿着该突起部的延伸方向装载多个半导体元件，以及分开步骤，沿着所述突起部的延伸方向将该突起部的中央部位切断，而将封装体集合基板分开。
2、 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在所述突起部上沿着该突起部的延伸方向从该突起部的上表面朝着 所述底板设置有切口。
3、 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括半导体元件和装 载该半导体元件的封装体，其特征在于该半导体装置的制造方法包括以下步骤形成封装体集合基板的步骤，在平板状的底板的上表面上形成朝上 方突出且相互平行地在该上表面上延伸的多个突起部，且相邻的该突起 部之间的距离交替为第一距离a和比a小的第二距离b，以形成形状是多 个封装体连接在一起的封装体集合基板，装载步马聚，在突起部间的距离是a的相邻的两个所述突起部之间， 沿着该突起部的延伸方向装载多个半导体元件，以及分开步骤，沿着该突起部的延伸方向将突起部间的距离是b的相邻的两个所述突起部之间切断，而将封装体集合基板分开。
4、 根据权利要求1到3中任一项权利要求所述的半导体装置的制造 方法，其特征在于在所述突起部上沿着该突起部的延伸方向设置有宽度或者高度比其它部分小的多个凹部，在所述装载步骤中，所述半导体元件装载在相邻的所述突起部之间 且在该突起部延伸的方向上相邻的所述凹部之间的区域中。
5、 根据权利要求1到4中任一项权利要求所述的半导体装置的制造 方法，其特征在于所述封装体集合基板在所述底板的上表面具有沿着所述突起部排列 的多个连接电极，在所述装载步骤中，用金属细线将所述半导体元件和所述连接电极 连接起来。
6、 根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 进一步包括将板状透明部件放在所述半导体元件上的装载步骤，和 用封装树脂将所述金属细线和所述透明部件的侧壁封装起来的步骤。
7、 根据权利要求6所迷的半导体装置的制造方法，其特征在于 在所述装载步骤中，将一个所述透明部件放在多个所述半导体元件上。
8、 一种拾光模块，包括利用权利要求1到7中任一项权利要求所述 的制造方法制造的半导体装置、激光模块以及分光镜，其特征在于装载在所迷半导体装置中的半导体元件是受光元件。
9、 根据权利要求8所述的拾光模块，其特征在于 进一 步包括反射镜和物镜。
10、 根据权利要求8或9所迷的拾光模块，其特征在于 所迷拾光模块放置在光盘的信息记录面的下侧，所述突起部的延伸方向实质上与所迷信息记录面垂直。
11、 根据权利要求8到10中任一项权利要求所述的拾光模块，其特 征在于所述激光模块包括蓝紫色激光装置和双波长激光装置，从所述蓝紫 色激光装置射出的光的峰值波长在385nm以上且425nm以下，从所述双波长激光装置射出的光的峰值波长在630nm以上且670nm以下和760nm 以上且800nm以下。
12、 一种半导体装置，包括半导体元件和装载该半导体元件的封装 体，其特征在于该半导体装置近似长方体，该半导体装置的下面和相向的一对侧面 由所述封装体构成，所述封装体具有基板部和突起部，所述基板部实质上是矩形，且包括 装载所述半导体元件的装载面，所述突起部沿着该装载面的一对相向的 外缘延伸，且该突起部各自位于所述一对相向的外缘中的一个外缘上，所述半导体元件被封装树脂封装起来，所述突起部的相互相向的面由封装树脂覆盖着，与所迷相向的 一对侧面不同的另 一对侧面上露出有所述基板部、所 述突起部以及所述封装树脂，在被所述封装树脂覆盖住的所迷突起部部分有加宽部，该加宽部在 在所述突起部的下面且垂直于所述突起部的延伸方向的方向上的宽度比 露出在所述另 一 对侧面上的部分宽。
13、 根据权利要求12所迷的半导体装置，其特征在于 所述突起部的下面和所述装载面由粘接剂粘接在一起， 在所述加宽部的侧壁与所述装载面的粘接部分形成有由所述粘接剂形成的填角。
14、 根据权利要求12或13所述的半导体装置，其特征在于所述突起部的侧面中该突起部相亙相向的面的背面的表面粗糙度比 露出在所述另一对侧面上的所述封装树脂所形成的面的表面粗糙度小。
15、 根据权利要求12到14中任一项权利要求所述的半导体装置， 其特征在于所迷突起部的侧面实质上垂直于所迷装载面。
16、 一种拾光模块，包括利用权利要求12到15中任一项权利要求 所述的半导体装置、激光模块以及分光镜，其特征在于装载在所述半导体装置中的半导体元件是受光元件。
17、 根据权利要求16所述的拾光模块，其特征在于 进一 步包括反射镜和物镜。
18、 根据权利要求16或17所述的拾光模块，其特征在于 所述拾光模块放置在光盘的信息记录面的下侧，所述突起部的延伸方向实质上与所述信息记录面垂直。
19、 根据权利要求16到18中任一项权利要求所述的拾光模块，其 特征在于所述激光模块包括蓝紫色激光装置和双波长激光装置，从所述蓝紫 色激光装置射出的光的峰值波长在385nm以上且425nm以下，从所述双 波长激光装置射出的光的峰值波长在630nm以上且670nm以下和760nm 以上且800nm以下。
全文摘要
本发明公开了一种半导体装置的制造方法、拾光模块以及半导体装置。在平板状的底板(61)上相互平行地设置多个突起部前驱体(80)。将半导体元件(10)装载在相邻的突起部前驱体(80)之间即槽(55)中，将透明部件(94)贴合在半导体元件(10)上。对半导体元件(10)的电极垫(20)和连接电极(75)进行线焊，将封装树脂(96)填充在槽(55)中。然后，用切片锯(40)将突起部前驱体(80)的长边方向中央部位切断，再将相邻的半导体元件(10)之间切断，半导体装置(1)就出来了。本发明提供了一种高效地制造整体大小能够更小，特别是封装体的近似矩形的四条边中相向的一对边的长度能够更短的半导体装置的方法。
文档编号G11B7/13GK101595558SQ20088000343
公开日2009年12月2日 申请日期2008年3月10日 优先权日2007年3月14日
发明者南尾匡纪, 古屋敷纯也, 吉川则之, 宇辰博喜, 森部省三, 石田裕之, 福田敏行 申请人:松下电器产业株式会社