专利名称：硬盘设备及其驱动方法
技术领域：
本发明涉及包括作为用于执行热辅助磁记录的光源的半导体激光器的硬盘设备以及用于该硬盘设备的驱动方法。
背景技术：
图1示出硬盘设备的配置示例。参考图1，硬盘设备1大致分为包括磁头盘(head disk)组件2、信号处理电路3、 电机驱动器4以及具有控制整个系统的微计算机形式的系统控制器5的四个部分。磁头盘组件2包括用于存储信息的磁盘21、用于旋转磁盘21的主轴(spindle)电 机22、用于分别执行将信息记录在磁盘21上以及从磁盘21再现信息的记录磁头23以及再 现磁头24、读取/写入放大器25等。通过集成所述机械部件、音圈电机26等来配置磁头盘组件2。记录磁头23以及再现磁头24被安装在托架(carriage)的末端(tip end)以用 于磁盘21的半径方向上的移动。托架由音圈电机26驱动。用于驱动记录磁头23的写入放大器25W以及用于放大来自再现磁头24的信号的 读取放大器25R由通常作为读取/写入放大器25的一个IC组成。为了应付近年来传输率的增加，也可以将读取/写入放大器25安装在托架上，以 便到记录磁头23以及再现磁头24的布线(wiring line)长度最小化。信号处理电路3包括调制电路31、记录补偿电路32、读取通道电路33、伺服数据检 测电路34、ECC编码加密电路35、ECC解码解密电路36、以及主机设备接口(I/F) 37。信号处理电路3还包括SDRAM 38以及记录时钟部分39。信号处理电路3根据从主机设备发送到其的用户数据产生记录数据，以及根据再 现信号再现用户数据，并将已再现的数据传送到主机设备。信号处理电路3对从主机设备发送到其的用户数据执行诸如ECC码的添加、编码 以及加密之类的处理。调制电路31产生与记录时钟同步的记录数据并且将所产生的数据 传送到写入放大器25W。写入放大器25W根据记录数据以由系统控制器5指定的记录电流驱动磁场磁头来 生成调制磁场。近年来在高密度记录中，出现由于相互邻近生成的磁畴(magneticdomain)的影 响而使磁通量翻转位置位移的现象，并使用由记录补偿电路32补偿该位移的技术。读取通道电路33对从读取放大器25R发送到其的再现信号执行诸如波形均衡、维 特比解码以及解调之类的基于PRML(部分响应最大似然)方法的信号处理。信号还经受如解密、解码以及错误校正之类的处理以产生用户数据。虽然图1中只示出伺服信号处理部分，但是系统控制器5根据从主机设备指定的 操作命令控制整个系统。从再现信号内检测的伺服数据被传送到伺服信号处理部分51以控制音圈电机26以及主轴电机22。
电机驱动器4根据来自伺服信号处理部分51的指令驱动音圈电机26以及主轴电 机22。[区位记录]现在，描述区位记录。在硬盘设备1中，磁盘21以恒定旋转速度旋转。因为朝向磁盘21外围的线速度(即磁头与介质之间的相对速度)增加，所以如果 以恒定通道时钟频率执行记录，则朝向外围的线密度减小。因此，如图2A所示，将一个盘分成通道时钟频率相互不同的多个区。然后，如图2B所示，通道时钟频率朝向外围侧上的区增加，以避免线密度的下降， 并增加了能够存储在一个盘上的信息量。虽然一个区中通道时钟频率恒定，但是线速度和线密度随半径而逐渐变化。[热辅助磁记录]现在，描述热辅助磁记录。由于热扰动而引起数据丢失的风险随记录密度的增加而增加，因此提出作为对抗 风险的对策的热辅助磁记录(例如，参考日本专利第3932840号)。热辅助磁记录是使用具有高矫顽力的介质来避免热扰动问题的方法。高矫顽力介质不能由普通记录磁头来进行记录。如果照射很小的光点来增加介质温度，则可以减小矫顽力以及可以由类似于现有 技术的记录磁头来执行记录。发射光的波长和相位均勻的小半导体激光器适于作为产生很小的光点的光源。图3说明热辅助磁记录中的介质的方式。现有记录方法有以下问题，如果为了增加记录密度而缩小记录磁头的尺寸，则由 此可以生成的磁场变得非常小，以致于不能获得记录所需的磁场。在该方法中，通过形成很小的光点，可以形成小于与光点相对应的记录磁头的磁 畴，以及可以在线性方向以及磁道方向两者上增加记录密度。图4A和图4B分别示出热辅助磁记录中的记录磁场以及光波形。图4A中示出的记录磁场是根据类似于普通磁记录中的记录数据的交变磁场 (alternating field)。另一方面，图4B中示出的光点以通道时钟为周期间歇地照射。在由光点增加介质温度并减小矫顽力的区域中形成根据记录磁场的磁畴。光点的波形不仅确定介质的温度分布而且确定将要形成的磁畴的形状。因此，为了实施高密度记录，不仅相对于记录磁场的光波形的相位而且相对于记 录磁场的脉冲宽度以及光功率都必须适当地加以控制。
发明内容
顺便提及，因为在硬盘设备中磁盘的旋转速度是恒定的，所以线速度随半径而改 变。另外，在区位记录中，使得不同区当中的通道时钟频率不同。结果，朝向外围，线速度增加并且通道时钟频率增加。
在光点在盘上扫描的热辅助磁记录中，介质的温度分布随线速度以及通道时钟频 率的变化而改变。相应地，需要用于响应于线速度以及通道时钟频率改变相对于光点的记录磁场的 相位、脉冲宽度以及光功率的机制。
因此，期望提供在线速度以及通道时钟频率变化时也可以获得好的记录特性的硬 盘设备及其驱动方法。根据本发明的实施例，提供了硬盘设备，包括磁记录介质；适于将信息记录到磁 记录介质上的记录磁头；适于被控制来用于以记录时钟的周期的发光以便将光点照射到磁 记录介质上，从而在记录磁头的磁记录中执行热辅助的半导体激光器。硬盘设备还包括适 于以根据发光定时信号和激光功率控制信号的定时和光功率来驱动半导体激光器的激光 驱动电路；以及适于根据磁记录介质、半导体激光器以及记录磁头的特征中的至少一个来 设置激光功率，并且输出激光功率控制信号到激光驱动电路以便根据线速度以及通道时钟 频率中的至少一个自适应地改变激光功率的控制器。根据本发明的另一实施例，提供了用于硬盘设备的驱动方法，该硬盘设备包括磁 记录介质；适于将信息记录到磁记录介质上的记录磁头；适于被控制来用于以记录时钟的 周期的发光以便将光点照射到磁记录介质上，从而在记录磁头的磁记录中执行热辅助的半 导体激光器；以及适于以根据发光定时信号和激光功率控制信号的定时和光功率来驱动半 导体激光器的激光驱动电路。该驱动方法包括步骤当驱动硬盘设备的半导体激光器时，根 据磁记录介质、半导体激光器以及记录磁头的特征中的至少一个设置激光功率，并根据线 速度以及通道时钟频率中的至少一个自适应地改变激光功率。通过该硬盘设备及其驱动方法，在线速度以及通道时钟频率变化时也可以获得好 的记录特性。
图1是示出硬盘设备的配置示例的框图；图2A以及图2B是说明区位记录的简图；图3是说明热辅助磁记录中的介质的方式的示意图；图4A以及图4B分别是说明热辅助磁记录中的记录磁场以及光波形的定时图；图5是示出根据本发明实施例的热辅助硬盘设备的配置示例的框图；图6A至图6D是说明图5的热辅助硬盘设备中生成发光定时信号的示例的定时 图；图7是示出图5的热辅助硬盘设备中的可变延迟电路的配置的电路图；图8是示出图5的热辅助硬盘设备中的脉冲生成电路的配置示例的简图；图9是示出图5的热辅助硬盘设备中的激光驱动电路的配置示例的电路图；图IOA至图IOD是说明相对于图5的热辅助硬盘设备中的线速度变化的激光器驱 动电流控制的图；图11是说明用于图5的热辅助硬盘设备中的光点波形的控制方法的简图；图12A以及图12B是说明相对于图5的热辅助硬盘设备中的时间轴的不同光点波 形的定时图13A以及图13B是说明图5的热辅助硬盘设备中以通道时钟频率的记录磁场以 及光点的波形的不同示例的定时图；以及图14 是说明用于图5的热辅助硬盘设备中的光点波形的不同控制方法的简图。
具体实施例方式以下，将参考附图描述本发明的实施例。注意，描述将按以下顺序进行。1.硬盘设备的总的配置的示例2.半导体激光器的驱动系统的具体配置以及操作3.相对于线速度变化的控制<1.硬盘设备的总的配置的示例〉图5示出根据本发明实施例的热辅助硬盘设备的配置示例。参考图5，本硬盘设备100包括磁头盘组件110、信号处理电路120、电机驱动器 130以及以控制整个系统的微计算机形式的系统控制器140。磁头盘组件110包括用于存储信息的磁盘111、用于旋转磁盘111的主轴电机 112、用于分别执行将信息记录在磁盘111上以及从磁盘111再现信息的记录磁头113和再 现磁头114以及读取/写入放大器115。磁头盘组件110还包括用于热辅助磁记录的半导体激光器116以及激光器驱动电 路117，且还包括音圈电机118等。热辅助硬盘设备100使半导体激光器116以记录时钟周期发光来执行热辅助磁记录。激光器驱动电路117以根据来自信号处理电路120的发光定时信号SLT的定时、 以根据来自系统控制器140的激光功率控制信号SLP的功率来驱动半导体激光器116。半导体激光器116的驱动系统在下文中与信号处理电路120 —起详细描述。在磁头盘组件110中，记录磁头113和再现磁头114被安装在托架的末端以用于 以半径方向在磁盘111上的移动，且托架由音圈电机118驱动。用于驱动记录磁头113的写入放大器115W以及用于放大来自再现磁头114的信 号的读取放大器115R由通常作为读取/写入放大器115的一个IC(集成电路)形成。为了为近年来传输率的增加做好准备，也可以将读取/写入放大器115安装在托 架上，以缩小到记录磁头23和再现磁头24的布线长度。信号处理电路120包括调制电路121、记录补偿电路122、读取通道电路123、伺服 数据检测电路124、ECC编码加密电路125、ECC解码解密电路126以及主机设备接口(I/ F) 127。信号处理电路120还包括SDRAM 128以及记录时钟部分129。此外，信号处理电路120包括可变延迟电路1201以及脉冲生成电路1202。可变延迟电路1201施加可调节延迟到记录时钟，并且将产生的记录时钟作为延 迟输出信号S1201输出到脉冲生成电路1202。可变延迟电路1201从记录时钟吸收到记录磁头以及半导体激光器116的延迟差， 以调节相对于记录磁场的发光定时，以及响应于线速度和通道时钟频率自适应地改变半导体激光器116的发光定时。脉冲生成电路1202生成具有可调节宽度的与记录时钟同步的脉冲序列，并且将该脉冲序列输出到激光器驱动电路117。脉冲生成电路1202响应于介质、半导体激光器116、记录磁头113等的特征设置脉 冲宽度，以及响应于线速度和通道时钟频率自适应地改变发光脉冲宽度。在本实施例中，根据来自可变延迟电路1201和脉冲生成电路1202的指令，可以自 适应地驱动激光器驱动电路117和半导体激光器116。以刚刚描述的配置，不仅可以响应于介质、半导体激光器、记录磁头等等的特性适 当地设置相对于记录磁场的光点的相位、脉冲宽度以及光功率、而且可以响应于线速度和 通道时钟频率自适应地改变相对于记录磁场的光点的相位、脉冲宽度以及光功率。结果，根据本实施例的硬盘设备100可以在盘的整个面上实施高密度记录。信号处理电路120根据从主机设备传送到其的用户数据产生记录数据，并且根据 再现信号再现用户数据，然后将已再现的数据传送到主机设备。信号处理电路120对从主机设备传送到其的用户数据执行诸如ECC码的添加、编 码、加密等的处理，且调制电路121产生与记录时钟同步的记录数据并且将其传送到写入 放大器115W。写入放大器115W根据记录数据以由系统控制器140指定的记录电流驱动磁场磁 头来生成调制磁场。近年来在高密度记录中，出现由于相互邻近所生成的磁畴的影响而使磁通量翻转 位置位移的现象，并使用由记录补偿电路122预先补偿该位移的技术。读取通道电路123对从读取放大器115R传送到其的再现信号执行基于PRML的诸 如波形均衡、维特比解码、解调等的信号处理。另外，在信号处理之后，通过再现信号的诸如解密、解码、错误校正等的处理产生 用户数据。虽然图5中仅仅示出系统控制器140的伺服信号处理部分141，但是系统控制器 140根据从主机设备接收的操作命令执行整个系统的控制。从再现信号内检测的伺服数据被传送到伺服信号处理部分141，且用于控制音圈 电机118、主轴电机112等。伺服信号处理部分141施加用于调节的延迟量DLY信息到信号处理电路120的可 变延迟电路1201。伺服信号处理部分141施加用于调节的脉冲宽度PWD信息到信号处理电路120的 脉冲生成电路1202。伺服信号处理部分141供应激光功率信号SLPS给磁头盘组件110。电机驱动器130根据来自伺服信号处理部分141的指令驱动音圈电机118和主轴 电机112。以下描述主要是用于自适应地驱动充当光源的半导体激光器116的激光器驱动 电路117、可变延迟电路1201以及脉冲生成电路1202的具体配置以及操作，该光源是本实 施例的特性配置。<2.半导体激光器的驱动系统的具体配置以及操作〉
以下将参考图6A至图6D与生成发光定时信号的示例一起描述上述电路的操作。图6A、图6B、图6C以及图6D分别说明记录时钟WCLK、记录数据WDT、可变延迟电 路1201的输出信号S1201以及发光定时信号SLT。从主机设备发送的用户数据经历通过ECC编码加密电路125的诸如ECC、编码以及 加密的处理，然后由调制电路121使用以产生与图6A所示的记录时钟WCLK同步的图6B的 记录数据WDT。根据记录数据WDT驱动记录磁头113，且记录磁头113产生如图6A所示的记录磁 场。这里，省略由记录补偿电路122补偿磁化翻转位置的位移的操作。另外，系统控制器140的伺服信号处理部分141可以根据包括在伺服数据内的地 址信息确定在该位置的通道时钟频率和线速度。基于该信息，伺服信号处理部分141不仅控制主轴电机的旋转速度以及记录时钟 频率，而且产生以下描述的控制所需的激光功率控制信号SLPC、脉冲宽度控制信号PWDC以 及延迟量控制信号DLYC。同时，图6A所示的记录时钟WCLK被朝向激光器驱动电路117供应给可变延迟电 路 1201。可变延迟电路1201根据从伺服信号处理部分141供应到其的延迟量控制信号 DLYC延迟如图6C所示的记录时钟WCLK。[可变延迟电路的配置示例]这里，描述可变延迟电路1201的配置示例。图7示出根据本实施例的可变延迟电路的配置示例。在本示例中，多个延迟门或者缓冲器DGTl至DGTn级联连接，在每一级的连接节点 与延迟输出端之间提供用于分接头(tap)连接的开关SWl至SWn。响应于从伺服信号处理部分141供应到其的延迟量控制信号DLYC的信息，选择器 SLC接通开关SW (SWl至SWn)中的一个。结果，作为输入信号的记录时钟WCLK延迟与延迟量控制信号DLYC相对应的时间， 并作为延迟输出信号S1201输出。
脉冲生成电路1202使可变延迟电路1201延迟的输出信号S1201与输入时钟同 步，以响应于脉冲宽度控制信号PWDC生成宽度等于或者大于0但是小于通道时钟时段的脉 冲信号。脉冲生成电路1202将所生成的脉冲信号作为发光定时信号SLT输出到激光器驱 动电路117。[脉冲生成电路的配置示例]这里，描述脉冲生成电路1202的配置示例。图8示出根据本实施例的脉冲生成电路的配置示例。参考图8，示出的脉冲生成电路1202包括二分频器DVD、延迟部分DLP以及异或门 GEXOR0脉冲生成电路1202以二分频器DVD的方式将输入时钟的频率分频，以及将所产生 的分频信号与通过以诸如以上参考图7描述的延迟电路的方式延迟分频信号所获得的信号采用异或。结 果，脉冲生成电路1202可以生成与输入时钟同步的、并且具有等于或者大于0 但是小于通道时钟时段的宽度的脉冲信号。通过所述配置，可以产生图6D所示的与已延迟的记录时钟同步的、并且具有由脉 冲宽度控制信号PWDC指定的宽度的脉冲序列。将脉冲序列作为发光定时信号SLT发送到激光器驱动电路117。激光器驱动电路117在根据所输入的发光定时信号SLT的定时处供应由激光器功 率控制信号SLPC指定的激光器驱动电流DI给半导体激光器116。[激光器驱动电路的配置示例]这里，描述激光器驱动电路117的配置示例。图9示出本实施例中的激光器驱动电路的配置示例。参考图9，示出的激光器驱动电路117包括NPN型晶体管Ql至Q4以及电阻元件 Rl 至 R4。在激光器驱动电路117中，电流镜像电路由晶体管Ql和Q2组成，且晶体管Q2根 据激光器功率控制信号SLPC生成恒定电流。晶体管Q3和Q4执行差分切换，以使得它们分别响应于发光定时信号SLT(+)/ SLT(-)交替地接通和断开。在晶体管Q4接通的时段期间，由晶体管Q2产生的恒定电流驱动半导体激光器 116。通过上述配置，在根据所输入的发光定时信号SLT的定时供应由激光器功率控制 信号SLPC指定的激光器驱动电流DI给半导体激光器116。结果，生成如图4B所示的光波形。如上文所述，由伺服信号处理部分141生成用于控制激光器驱动电流的激光功率 控制信号SLPC、用于控制发光定时信号SLT的脉冲宽度的脉冲宽度控制信号PWDC以及用于 控制记录时钟的延迟量的延迟量控制信号SLYC中的所有信号。由系统控制器140的伺服信号处理部分141基于来自包括在伺服数据内的地址信 息的线速度和通道时钟频率而生成所提及的控制信号。通过上述配置，可以驱动半导体激光器以根据线速度以及通道时钟频率而以最佳 相位、最佳脉冲宽度以及最佳光功率发光。<3.相对于线速度变化的控制〉下面，将对线速度变化的控制作为具体的控制示例进行描述。图IOA至图IOD说明在本实施例中对线速度变化的激光器驱动电流控制。图IOA说明在某一线速度的光点的光功率、介质上的温度分布以及所形成的磁畴 的方式。横轴表示的不是时间而是介质的位置。当如图4B所示光点照射在介质上一恒定时间段时，它升高介质的温度。因为在光 点照射期间盘也在旋转，所以光点照射的范围大于其尺寸。另外，由光点施加到介质上的热也在介质的平面方向上扩散。结果，介质上的温度分布大于光点照射的范围，如图IOA所示。注意，图IOA中的附图标记To表示介质的矫顽力随着介质温度的上升而下降直到其低于记录磁场为止时的温度。在温度超过温度To的温度分布区域内，根据记录磁场形成
磁畴。 图IOB至图IOD说明图IOA所示的光功率、温度分布以及方式，但是其中线速度高 于图IOA的情况。具体地，图IOB说明以与图IOA的情况相同的波形照射光点时的光功率、温度分布 以及方式。当线速度高时，光点在介质上照射的范围更宽，而光点在每单位面积上照射的时 间段变得更短。结果，温度分布的范围扩大，而最大温度变低。在图IOB中，最大温度不超过温度To。结果，磁介质的矫顽力不会变得低于记录磁 场，且因此，不会形成根据记录磁场的磁畴。因此，为了升高介质上的最大温度，提高光功率。图IOC说明在这种情况下的光功 率、温度分布以及方式。如果提高光功率，则介质上的最大温度变高，直到可以形成温度高于水平To的区 域时为止。然而，因为温度分布保持在扩大状态，所以温度高于水平To的区域也保持在扩大 状态。因此，如果假定图IOA的示例中所形成的磁畴具有合适的尺寸，则会形成过大的磁畴。如果形成这种过大的磁畴，则依次记录磁畴的临界点位移，从而使数据错误。另 夕卜，因为在磁道方向上也增加了超过温度To的区域，所以增加了可能改变邻近磁道内的所 记录的磁畴的可能性。另外，为了抑制介质上温度分布的扩大，减小光点的脉冲宽度。图IOD说明在这种 情况下的光功率、温度分布以及方式。如果光点的时间脉冲宽度减小，则介质上光点照射的范围也减小。结果，介质上温 度分布的范围也可以变窄。因为超过温度To的范围也可以变窄(并且该区域中线速度高)，所以可以形成类 似于图IOA的情况的合适尺寸的磁畴。图11说明考虑到具有上述行为的光点波形的控制方法。响应于线速度的上升，不仅提高光功率，而且增加用于记录磁场的延迟量并减小 脉冲宽度。图IOA至图IOD中示出相对于介质上的位置的光点波形，而图12A和图12B中说 明相对于时间轴的光点波形。图12A与图IOA相对应，并示出在某一线速度的记录磁场以及光点的波形。通常认为当记录磁场饱和进入平坦状态(flattened state)时，通过照射光点获 得好的记录特性。图12B与图IOD相对应。在这种情况下，对光点执行这种控制，以使得当线速度高 时，不仅提高光功率，而且增加用于记录时间的延迟并减小脉冲宽度。通过用这样的方式控制光点，在线速度不同时，也可以达到好的记录。作为响应于通道时钟频率变化控制波形变化的实际问题，当通道时钟变成例如 IGHz这样的高频时，不能避免记录磁场波形由记录磁头以及带限制变钝。
图13A示出在某一通道时钟频率的记录磁场以及光点的波形示例。记录磁场具有由写入放大器115W的带限制和记录磁头113在其上升和下降沿变钝的响应。在记录磁场具有如刚刚所述的波形的地方，优选地当记录磁场饱和以展现平坦状 态时，通过照射光点形成磁畴。调节记录磁场的相位或者延迟量，以使得可以在刚刚描述的定时发射光点。图13B示出在更高通道时钟频率的记录磁场和光点的波形示例。能够看出由记录 磁场的响应速度的限制，记录磁场中不存在平坦部分。在如此情况下，虽然不能在磁场的平坦部分发射光点，但是优选地在记录磁场变 得尽可能高的瞬时照射光点。因此，通过控制光点以使得与图12A中的情况相比，减小其相对于记录磁场的延 迟，在通道时钟频率高的地方也可以执行记录。图14说明考虑到具有上述行为的光点波形的控制方法。当通道时钟频率变得高于某一水平时，与记录磁场平坦部分的丢失相一致地，相 对于记录磁场的光点的延迟量减少。这时，也可以以高通道时钟频率在区域中实施记录。[光点的控制方法的总结]已经描述了线速度的控制以及通道时钟频率的控制，S卩，记录磁场波形的控制的 示例。在说明上述控制的图11和图14中，相对于通道时钟频率的控制方向彼此相反。考虑到他们的影响而进行控制，即使线速度或者通道时钟频率变化时也可以获得 好的记录特性。如上所述，根据本实施例，硬盘设备100包括磁记录介质111以及用于将信息记录 在磁记录介质111上的记录磁头113。硬盘设备100还包括半导体激光器116，在记录时钟时段控制其发光以照射光点 在磁记录介质111上，以便执行热辅助磁记录。硬盘设备100还包括用于在根据发光定时信号的定时以及以根据激光功率控制 信号的光功率驱动半导体激光器的激光器驱动电路117以及系统控制器140。系统控制器140响应于磁记录介质、半导体激光器以及记录磁头中的至少一个设 置激光功率。然后，系统控制器140输出激光器功率控制信号到激光器驱动电路，以使得响 应于线速度以及通道时钟频率自适应地改变激光功率。相应的，本实施例的优点在于即使线速度或者通道时钟频率变化时也可以获得好 的记录特性。本申请包含与于2009年9月29日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-224473中公开的相关的主题，在此将其全部内容通过引用并入。本领域技术人员应该理解，只要在所附的权利要求或者其等价物范围内，取决于 设计要求及其它因素，可以进行多种修改、组合、部分组合以及变更。
权利要求
1.一种硬盘设备，包括 磁记录介质；记录磁头，适于将信息记录到所述磁记录介质上；半导体激光器，适于被控制来用于以记录时钟的周期的发光，以便将光点照射到所述 磁记录介质上，从而在所述记录磁头的磁记录中执行热辅助；激光器驱动电路，适于以根据发光定时信号和激光器功率控制信号的定时和光功率来 驱动所述半导体激光器；以及控制器，适于根据所述磁记录介质、半导体激光器以及记录磁头的特性中的至少一个 设置激光器功率，并且输出激光器功率控制信号到所述激光器驱动电路，以便根据线速度 以及通道时钟频率中的至少一个来自适应地改变激光器功率。
2.根据权利要求1所述的硬盘设备，还包括可变延迟电路，适于施加可调节延迟到记录时钟，并将所产生的时钟作为发光定时信 号输出到所述激光器驱动电路，所述控制器可操作以从记录时钟吸收到所述记录磁头和所述半导体激光器的延迟差， 以调节相对于记录磁场的发光定时，并根据线速度和通道时钟频率中的至少一个自适应地 改变所述半导体激光器的发光定时。
3.根据权利要求1所述的硬盘设备，还包括脉冲生成电路，适于生成与记录时钟同步的脉冲序列并且将该脉冲序列输出到所述激 光器驱动电路，并能够根据脉冲宽度控制信号改变脉冲宽度，所述控制器可操作以根据所述磁记录介质、半导体激光器以及记录磁头的特性中的至 少一个设置脉冲宽度，并且输出脉冲宽度控制信号到所述脉冲生成电路，以根据线速度和 通道时钟频率中的至少一个自适应地改变发光脉冲宽度。
4.根据权利要求1所述的硬盘设备，还包括可变延迟电路，适于根据延迟量控制信号施加可调节延迟到记录时钟并输出所产生的 时钟；以及脉冲生成电路，适于生成与由所述可变延迟电路延迟的记录时钟同步的脉冲序列和将 所产生的脉冲序列作为发光定时信号输出到所述激光器驱动电路，并且能够根据脉冲宽度 控制信号改变脉冲宽度；所述控制器可操作以从记录时钟吸收到所述记录磁头和所述半导体激光器的延迟差， 以调节用于记录磁场的发光定时，并根据线速度和通道时钟频率中的至少一个自适应地改 变所述半导体激光器的发光定时，所述控制器可操作以根据所述磁记录介质、半导体激光器以及记录磁头的特性中的至 少一个设置延迟量和脉冲宽度，并根据线速度和通道时钟频率中的至少一个输出延迟量控 制信号到所述可变延迟电路以便改变该延迟量，此外输出延迟量控制信号以及脉冲宽度控 制信号到所述脉冲生成电路以便自适应地改变发光脉冲宽度。
5.根据权利要求4所述的硬盘设备，其中，所述控制器基于线速度以及通道时钟频率 从包括在伺服数据内的地址信息产生用于控制激光器驱动功率的激光器功率控制信号、用 于控制发光定时信号的脉冲宽度的脉冲宽度控制信号以及用于控制记录时钟的延迟量的 延迟量控制信号。
6.根据权利要求4所述的硬盘设备，其中，所述控制器产生激光器功率控制信号、延迟 量控制信号以及脉冲宽度控制信号，以便响应于线速度的增加提高光功率并增加相对于记 录磁场的延迟量，而减小脉冲宽度。
7.根据权利要求4所述的硬盘设备，其中，所述控制器控制延迟量，以便在记录磁场饱 和的定时发射光点。
8.根据权利要求4所述的硬盘设备，其中，在使用通道时钟频率不使得记录磁场饱和 的地方，所述控制器控制延迟量以便相对于记录磁场的延迟减小。
9.一种用于硬盘设备的驱动方法，该硬盘设备包括磁记录介质；适于将信息记录在 磁记录介质上的记录磁头；适于被控制来用于以记录时钟的周期的发光以便将光点照射到 磁记录介质上，从而在记录磁头的磁记录中执行热辅助的半导体激光器；以及适于以根据 发光定时信号和激光器功率控制信号的定时和光功率驱动半导体激光器的激光器驱动电 路，所述驱动方法，包括以下步骤当驱动硬盘设备的半导体激光器时，根据磁记录介质、半导体激光器以及记录磁头的 特性中的至少一个设置激光器功率，并根据线速度以及通道时钟频率中的至少一个自适应 地改变激光功率。
10.根据权利要求9所述的用于硬盘设备的驱动方法，其中，吸收从记录时钟到记录磁 头以及半导体激光器的延迟差，以调节相对于记录磁场的发光定时，并根据线速度和通道 时钟频率中的至少一个自适应地改变半导体激光器的发光定时。
11.根据权利要求9所述的用于硬盘设备的驱动方法，其中，根据磁记录介质、半导体 激光器以及记录磁头的特性中的至少一个设置脉冲宽度，并根据线速度和通道时钟频率中 的至少一个自适应地改变发光脉冲宽度。
全文摘要
在此公开了硬盘设备及其控制方法。硬盘设备包括磁记录介质；适于将信息记录在磁记录介质上的记录磁头；适于被控制来用于以记录时钟的周期的发光以便将光点照射到磁记录介质上，从而在记录磁头的磁记录中执行热辅助的半导体激光器；适于以根据发光定时信号和激光器功率控制信号的定时和光功率来驱动半导体激光器的激光器驱动电路；以及适于根据磁记录介质、半导体激光器以及记录磁头的特性中的至少一个设置激光器功率，并输出激光器功率控制信号到激光器驱动电路以便自适应地改变激光器功率的控制器。
文档编号G11B5/02GK102034485SQ20101029436
公开日2011年4月27日 申请日期2010年9月21日 优先权日2009年9月29日
发明者木村基 申请人:索尼公司