1.一种存储器装置，包括：
一第一存储单元串，耦接至一第一位线以及多条字线；以及
一第二存储单元串，耦接至一第二位线以及这些字线；其中
当这些字线被施加一擦除电压，该第一位线被施加一第一电压以擦除储存于该第一存储单元串上的数据，该第二位线被施加一第二电压，使该第二存储单元串被设为浮接(floating)。
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该第一存储单元串包括一第一串选择晶体管，该第一串选择晶体管耦接至该第一位线，该第二存储单元串包括一第二串选择晶体管，该第二串选择晶体管耦接至该第二位线，其中，
当这些字线被施加该擦除电压，该第一串选择晶体管产生一栅极引发漏极漏(Gate-InducedDrainLeakage)电流，且该第二串选择晶体管被关闭。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中当这些字线被施加该擦除电压，是由该擦除电压的一耦合量决定该第二存储单元串的通道电压。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该第一存储单元串与该第二存储单元串同属于一存储器区块，该擦除电压是透过这些字线施加至该存储器区块。
5.一种存储器装置，包括：
多条第一存储单元串，耦接至多条第一位线；以及
多条第二存储单元串，耦接至多条第二位线；其中
当一擦除电压透过多条字线施加至这些第一存储单元串以及这些第二存储单元串，这些第一位线被施加一第一电压以擦除储存于这些第一存储单元串上的数据，这些第二位线被施加一第二电压，使这些第二存储单元串被设为浮接(floating)。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中各该第一存储单元串包括一第一串选择晶体管，该第一串选择晶体管耦接至一对应的第一位线，各该第二存储单元串包括一第二串选择晶体管，该第二串选择晶体管耦接至一对应的第二位线，其中，
当这些字线被施加该擦除电压，这些第一串选择晶体管产生栅极引发漏极漏(Gate-InducedDrainLeakage)电流，且这些第二串选择晶体管被关闭。
7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中当这些字线被施加该擦除电压，是由该擦除电压的一耦合量决定各该第二存储单元串的通道电压。
8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中这些第一存储单元串与这些第二存储单元串同属于一存储器区块，该擦除电压是透过这些字线施加至该存储器区块。
9.根据权利要求5所述的存储器装置，其中这些第一存储单元串与这些第二存储单元串是交错排列。
10.根据权利要求5所述的存储器装置，其中这些第一存储单元串与这些第二存储单元分别位于一第一区域以及一第二区域，该第一区域邻接该第二区域。