技术领域本发明实施例涉及阻变存储装置的测试方法。
背景技术：
具有阻变存储单元阵列的阻变存储装置被认为是最有潜力的下一代高密度存储技术之一。交叉点阵型的阻变存储单元阵列包括一组并行的字线和与其相垂直的一组并行位线。阻变存储单元位于字线和位线的交叉点处。图1示意性示出一个阻变存储单元阵列中的串扰现象。四个阻变存储单元R1至R4呈2行2列阵列排布，其中，R2为高阻状态，而R1、R3和R4均为低阻状态。如果想读取流经R2的电流，但由于存在流经R1→R3→R4的泄漏电流通路，使得最后读出的电流并不是真正经过R2的电流，造成误读操作。这现象可称为串扰现象。
技术实现要素：
本发明的一个实施例提供一种阻变存储装置的测试方法，所述阻变存储装置包括成阵列排布的多个阻变存储单元，所述阵列包括在第一方向上交替排布的至少一个奇数行和至少一个偶数行；以及在不同于所述第一方向的第二方向上交替排布的至少一个奇数列和至少一个偶数列，所述多个阻变存储单元可分为第一存储单元组和第二存储单元组，其中，所述第一存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为偶数，所述第二存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为奇数，每个阻变存储单元设计为具有初始状态、高阻状态和低阻状态，所述测试方法包括以下步骤：编程步骤：在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态的情况下，对所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组进行编程操作以改变所述组中的阻变存储单元的阻态，其中，在所述编程操作期间未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态；以及检测步骤：对上述编程步骤中经历了所述编程操作的至少一个阻变存储单元执行读出操作以得到指示该至少一个所述阻变存储单元是否合格的信息，其中，在执行所述读出操作期间，未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态，其中，所述编程操作为形成操作、重置操作或设置操作，所述形成操作设计为将所述阻变存储单元由初始状态切换到低阻状态；所述重置操作设计为将所述阻变存储单元由低阻状态切换到高阻状态；所述设置操作设计为将所述阻变存储单元由高阻状态切换到低阻状态，其中，在所述低阻状态的所述阻变存储单元的阻值小于在所述高阻状态或所述初始状态的所述阻变存储单元的阻值。在一个示例中，在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组均处于初始状态的情况下，或者在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组其中一组处于所述初始状态且其中另一组中的阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态，对处于初始状态的一组执行形成操作以将所述组中的阻变存储单元切换至所述低阻状态，其中在所述形成操作期间未经历所述形成操作的另一组保持为所述初始状态或所述高阻状态；且对经历了所述形成操作的存储单元组执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否形成合格的信息，其中，在执行所述读出操作期间，未经历所述形成操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。在一个示例中，在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组其中一组处于所述高阻状态或所述初始状态且其中另一组处于低阻状态的情况下，对处于所述低阻状态的一组进行重置操作以将所述组中的阻变存储单元切换至所述高阻状态，其中在所述重置操作期间未经历所述重置操作的另一组保持为所述高阻状态或所述初始状态；且对经历了所述重置操作的存储单元组执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否重置合格的信息，其中，在执行所述读出操作期间，未经历所述重置操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。在一个示例中，在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组均处于所述高阻状态的情况下，对所述第一存储单元组和所述第二存储单元中的一组进行设置操作以将所述组中的阻变存储单元切换至所述低阻状态，其中在所述设置操作期间未经历所述设置操作的阻变存储单元保持为所述高阻状态；且对经历了所述设置操作的阻变存储单元执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否设置合格的信息，其中，在执行所述读出操作期间，未经历所述设置操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。在一个示例中，所述阻变存储装置的测试方法还包括：在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组并非均处于高阻状态或初始状态的情况下，对所述多个阻变存储单元中的至少一个执行重置操作或修复操作使得所述第一存储单元组和所述第二存储单元组两组中的每个阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态。在一个示例中，所述的阻变存储装置的测试方法还包括：执行完所述检测步骤之后再次执行所述编程步骤。在一个示例中，所述的阻变存储装置的测试方法在所述编程步骤之前还包括：状态判断步骤：判断所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中是否有至少一组处于高阻状态或初始状态。在一个示例中，所述状态判断步骤包括：基于所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中至少有一组处于制备完成后的未激活状态而确定该至少一组处于初始状态。在一个示例中，所述状态判断步骤包括：对该第一存储单元组和该第二存储单元组中的至少一组执行读出操作，以得到指示所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中是否有至少一组处于高阻状态或初始状态的信息。本发明另一实施例提供一种阻变存储装置的测试设备，所述阻变存储装置包括成阵列排布的多个阻变存储单元，所述阵列包括在第一方向上交替排布的至少一个奇数行和至少一个偶数行；以及在不同于所述第一方向的第二方向上交替排布的至少一个奇数列和至少一个偶数列，所述多个阻变存储单元可分为第一存储单元组和第二存储单元组，其中，所述第一存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为偶数，所述第二存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为奇数，每个阻变存储单元设计为包括初始状态、高阻状态和低阻状态，所述测试设备包括：编程检测部分，用于在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态的情况下，输出编程信号至所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组以进行编程操作以及输出读出信号到经历了所述编程操作的至少一个阻变存储单元而执行读出操作以得到指示所述至少一个阻变存储单元是否合格的信息，其中，在所述编程操作期间以及所述读出操作期间，未经历所述编程操作的另一组持为高阻状态或初始状态，其中，所述编程信号为用于形成操作的形成信号、用于重置操作的重置信号或用于设置操作的设置信号，所述形成操作设计为将所述阻变存储单元由初始状态切换到低阻状态；所述重置操作设计为将所述阻变存储单元由低阻状态切换到高阻状态；所述设置操作设计为将所述阻变存储单元由高阻状态切换到低阻状态，其中，在所述低阻状态的所述阻变存储单元的阻值小于在所述高阻状态或所述初始状态的所述阻变存储单元的阻值。在一个示例中，所述编程检测部分用于在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组均处于初始状态的情况下或者在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组其中一组处于所述初始状态且其中另一组中的阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态的情况下，输出形成信号到处于初始状态的一组而执行形成操作以将所述组中的阻变存储单元切换至所述低阻状态，以及输出读出信号到经历了所述形成操作的存储单元组而执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否形成合格的信息，其中，在所述形成操作期间以及所述读出操作期间，未经历所述形成操作的另一组保持为所述初始状态或所述高阻状态。在一个示例中，所述编程检测部分用于在该第一存储单元组和该第二存储单元组其中一组处于所述高阻状态或所述初始状态且其中另一组处于低阻状态的情况下，输出重置信号到处于所述低阻状态的一组而进行重置操作以将该组中的阻变存储单元切换至所述高阻状态，以及输出读出信号到经历了所述重置操作的存储单元组而执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否重置合格的信息，其中，在该重置操作期间以及该读出操作期间，未经历所述重置操作的另一组保持为所述高阻状态或所述初始状态。在一个示例中，所述编程检测部分用于在该第一存储单元组和该第二存储单元组均处于所述高阻状态的情况下，输出设置信号到该第一存储单元组和该第二存储单元中的一组而进行设置操作以将该组中的阻变存储单元切换至所述低阻状态，以及输出读出信号到经历了所述设置操作的存储单元组而执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否设置合格的信息，其中在该设置操作期间以及该读出操作期间，未经历所述设置操作的另一组保持为所述高阻状态。在一个示例中，所述阻变存储装置的测试设备还包括：状态调整部分，用于在该第一存储单元组和该第二存储单元组并非均处于高阻状态或初始状态的情况下，输出重置信号至所述多个阻变存储单元中的至少一个以执行重置操作，使得所述第一存储单元组和所述第二存储单元组两组中的每个阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态。在一个示例中，所述阻变存储装置的测试设备还包括：状态检测部分，用于输出读出信号至该第一存储单元组和该第二存储单元组中的至少一组以得到指示所述阻变存储单元的阻态的信息，根据指示所述阻变存储单元的阻态的所述信息来判断该第一存储单元组和该第二存储单元组中是否有至少一组处于高阻状态或初始状态，并且输出指示上述判断的结果的状态检测信号至所述编程检测部分，其中，所述编程检测部分响应于所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态的状态检测信号而输出编程信号至所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组以进行编程操作，其中，在执行所述编程操作期间未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。在一个示例中，所述阻变存储装置的测试设备还包括：状态检测部分，用于输出读出信号至该第一存储单元组和该第二存储单元组中的至少一组以得到指示所述阻变存储单元的阻态的信息，根据指示所述阻变存储单元的阻态的所述信息来判断该第一存储单元组和该第二存储单元组中是否有至少一组处于高阻状态或初始状态，并且输出指示所述判断的结果的状态检测信号至所述编程检测部分和所述状态调整部分，其中，所述状态调整部分用于响应于所述第一存储单元组和所述第二存储单元组并非均处于高阻状态或初始状态的状态检测信号而输出重置信号至所述多个阻变存储单元中的至少一个以执行重置操作，使得所述第一存储单元组和所述第二存储单元组两组中的每个阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态，所述编程检测部分用于响应于所述第一存储单元组和所述第二存储单元组两组均处于高阻状态或初始状态的状态检测信号而输出编程信号至所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组以进行编程操作，其中，在所述编程操作期间未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，并非对本发明的限制。图1为相关技术的阻变存储单元阵列中的串扰现象的示意图；图2为本发明实施例提供的阻变存储装置的平面结构示意图；图3为本发明实施例提供的阻变存储装置的测试方法流程图；图4为对图2所示的阻变储存储装置中的第一存储单元组执行形成操作后各个阻变存储单元的阻态分布的示意图。图5为对具有图4所示的阻态分布的阻变储存储装置中的第一存储单元组执行重置操作后各个阻变存储单元的阻态的示意图。图6为对图5所示阻变储存储装置中的重置不合格的阻变存储单元进行修复之后各个阻变存储单元的阻态分布的示意图。图7为对具有图6所示的阻态分布的阻变储存储装置中的第二存储单元组执行形成操作后各个阻变存储单元的阻态分布的示意图。图8为对具有图7所示的阻态分布的阻变储存储装置中的第二存储单元组执行重置操作后各个阻变存储单元的阻态分布的示意图。图9为对具有图8所示的阻态分布的阻变储存储装置中的第二存储单元组执行设置操作后各个阻变存储单元的阻态分布的示意图。图10为对具有图9所示的阻态分布的阻变储存储装置中的第二存储单元组执行重置操作后各个阻变存储单元的阻态分布的示意图。图11为对具有图10所示的阻态分布的阻变储存储装置中的第一存储单元组执行设置操作后各个阻变存储单元的阻态分布的示意图。图12为对具有图11所示的阻态分布的阻变储存储装置中的第一存储单元组执行重置操作后各个阻变存储单元的阻态分布的示意图。图13为本发明实施例提供的阻变存储装置的测试设备的框图。具体实施方式下面将结合附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述参考在附图中示出并在以下描述中详述的非限制性示例实施例，更加全面地说明本发明的示例实施例和它们的多种特征及有利细节。应注意的是，图中示出的特征不是必须按照比例绘制。省略已知材料、组件和工艺技术的描述，从而不使本发明的示例实施例模糊。示例仅旨在有利于理解本发明示例实施例的实施，以及进一步使本领域技术人员能够实施示例实施例。因而，示例不应被理解为对本发明示例实施例的范围的限制。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。本发明实施例提供一种阻变存储装置的测试方法和测试设备，能够有效避免在测试阶段由于串扰现象引起的误读操作，进而能够准确识别出阻变存储装置中的各种不合格阻变存储单元。本发明实施例提供一种阻变存储装置10的测试方法。如图2所示，阻变存储装置10例如包括5条在水平方向上延伸的字线WL1～WL5，以及5条在竖直方向上延伸的位线BL1～BL5。任一条位线与所有字线绝缘且相交，任一条字线与所有位线绝缘且相交，从而形成25个交叉区域。在每个交叉区域形成有一个阻变存储单元Rnm，其中n表示该阻变存储单元所处的行号，m表示该阻变存储单元所处的列号。25个阻变存储单元R11～R55成5行5列的阵列排布。这里，并不限制阻变存储单元构成的阵列的行数和列数，只要所构成的阵列的行数和列数均为大于等于2的整数即可。在图2中，各个阻变存储单元Rnm以实线圆圈或虚线示出。同一行的阻变存储单元电连接到同一条字线，同一列的阻变存储单元电连接到同一位线。图2示出的所述5行5列的阻变存储单元的阵列包括在竖直方向上交替排布的3个奇数行和2偶数行，以及在水平方向上交替排布的3个奇数列和2个偶数列。在竖直方向上，第1行至第5行依次排列；在水平方向上，第1列至第5列依次排列。根据在该阵列中的位置，所述多个阻变存储单元可分为两组，即，第一存储单元组和第二存储单元组。第一存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为偶数，图2中以虚线圆圈示出了属于第一存储单元组的阻变存储单元；第二存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为奇数，图2中以实线圆圈示出了属于第二存储单元组的阻变存储单元。例如，对于阻变存储单元R23，由于其行号2与列号3之和等于5(为奇数)，因此，其属于第二存储单元组；对于阻变存储单元R24，由于其行号2与列号4之和等于6(为偶数)，因此其属于第一存储单元组。依次类推，每个阻变存储单元都可被划分到第一存储单元组或者第二存储单元组。在本实施例中，每个阻变存储单元例如仅包括一个阻变存储器件，即，1R类型。阻变存储器件例如包括上电极、下电极以及在上下电极之间能够发生可逆的电阻转变的阻变层材料。这里，字线和位线例如可分别用作阻变存储器件的上电极和下电极。在另一示例中，阻变存储单元例如可以包括串联连接的一个二极管和一个阻变存储器件，即，1D1R类型；在又一示例中，阻变存储单元例如可以包括串联连接的一个晶体管和一个阻变存储器件，即，1T1R类型；阻变存储器件在制造完成之后例如通常都处于初始的高电阻状态I。通常需要先执行一个电激活操作，以将阻变存储器件从初始的高阻状态I形成(FORMING)到低阻状态L。然后，例如，在外加偏压的作用下，阻变存储器件的电阻可以在高阻状态H和低状阻态L之间发生可逆转换，进而实现数据存储。对应于阻变存储器件的阻态，每个阻变存储单元设计为具有初始状态、高阻状态和低阻状态。也就是，阻变存储单元处于初始状态I是指其包括的阻变存储器件处于初始状态I；阻变存储单元处于低阻状态L是指其包括的阻变存储器件处于低阻状态L；阻变存储单元处于高阻状态H是指其包括的阻变存储器件处于高阻状态H。在所述低阻状态的所述阻变存储单元的阻值小于在所述高阻状态或所述初始状态的所述阻变存储单元的阻值。这里，阻变存储单元的电阻是指其包括的阻变存储器件的电阻。在一个示例中，在所述高阻状态或所述初始状态的所述阻变存储单元的阻值为在所述低阻状态的所述阻变存储单元的阻值的至少1000倍。例如，在所述高阻状态或所述初始状态的所述阻变存储单元的阻值为在所述低阻状态的所述阻变存储单元的阻值的1010倍。在所述初始状态的所述阻变存储单元的阻值大于在所述高阻状态的所述阻变存储单元的阻值。在外加偏压的作用下，阻变存储单元的电阻可以在高阻状态H和低状阻态L之间发生可逆转换阻变，从而实现写“0”和写“1”，进而实现数据存储。这里，写“0”是指将阻变存储单元从低阻状态L重置(RESET)到高阻状态H；写“1”是指将阻变存储单元从高阻状态H设置(SET)到低阻状态L。如图3所示，本发明实施例提供的阻变存储装置的测试方法例如包括以下步骤：编程步骤：在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态的情况下，对所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组进行编程操作以改变所述组中的阻变存储单元的阻态，其中，在执行所述编程操作期间未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态；以及检测步骤：对上述编程步骤中经历了所述编程操作的阻变存储单元执行读出操作以得到指示所述阻变存储单元是否合格的信息，其中，在执行所述读出操作期间，未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。这里，所述编程操作是指形成操作、重置操作和设置操作中的任一个。所述形成操作设计为将所述阻变存储单元由初始状态切换到低阻状态；所述重置操作设计为将所述阻变存储单元由低阻状态切换到高阻状态；所述设置操作设计为将所述阻变存储单元由高阻状态切换到低阻状态。第一存储单元组处于(或保持为)高阻状态或初始状态是指所述第一存储单元组中的每个阻变存储单元均处于(或保持为)高阻状态或初始状态；类似地，第二存储单元组处于(或保持为)高阻状态或初始状态是指所述第二存储单元组中的每个阻变存储单元均处于(或保持为)高阻状态或初始状态。对所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组进行编程操作是指对该组中每一个阻变存储单元进行编程操作。以下，参照图4，描述本发明实施例提供的测试图2所示阻变存储装置的中是否存在形成不合格的阻变存储单元的测试方法。例如，图2所示的阻变存储装置的25个阻变存储单元均制备完成后未激活的初始状态I，且一高阻状态。为了测试第一存储单元组中是否存在形成不合格的阻变存储单元，可包括步骤P1和C1。在步骤P1中，对第一存储单元组执行一次形成操作以将第一存储单元组中的阻变存储单元(图4中虚线圆圈所示)由初始的高阻态I变为低阻态L。例如，通过对第一存储单元组中的每个所述第一存储单元组提供一形成电压以执行该形成操作。在该形成操作期间，第二存储单元组中的每个阻变存储单元保持为初始的高阻状态I。因此，该形成操作完成后，第二存储单元组中的每个阻变存储单元仍处于初始的高阻状态I，而第一存储单元组中的各个阻变存储单元在正常情况下应均处于低阻状态L。这里，正常情况是指被执行编程操作(这里是形成操作)的存储单元组中没有不合格的阻变存储单元的情况。倘若，第一存储单元组中存在形成不合格的阻变存储单元，例如，第2行第4列的阻变存储单元R24为形成不合格的阻变存储单元，则其阻态仍保持为初始的高阻状态I(如图4中填充了斜线阴影的虚线圆圈所示)。接着，执行检验步骤C1。在步骤C1中，对第一存储单元组中的每个阻变存储单元执行读出操作，以得到指示第一存储单元组中是否存在形成不合格的阻变存储单元的信息。在读出操作期间，第二存储单元组保持为初始的高阻状态I。例如，通过对第一存储单元组中的每个阻变存储单元提供一读出电压以执行该读出操作。这里，在对第一存储单元组中的任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于初始的高阻状态I，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地读出指示第一存储单元组中的每一个阻变存储单元的阻态的信息，该信息同时能够指示被执行读出操作的阻变存储单元是否为形成不合格的阻变存储单元。例如，该信息为一电流值。当对上述阻变存储单元R24执行读出操作得到的读出电流值小于一预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元R24为形成不合格的阻变存储单元。当对第一存储单元组中阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值大于等于该预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为形成合格的阻变存储单元。以下，参照图5，描述本发明实施例提供的测试具有图4所示阻态分布的阻变存储装置的第一存储单元组中是否存在重置不合格的阻变存储单元的测试方法。该测试方法例如可包括步骤P2和C2。在步骤P2中，对第一存储单元组执行一次重置操作以将第一存储单元组中的阻变存储单元由低阻状态L变为高阻状态H(参见图4和图5中虚线圆圈)。例如，通过对第一存储单元组中的每个所述第一存储单元组提供一重置电压以执行该重置操作。在该重置操作期间，第二存储单元组中的每个阻变存储单元保持为初始的高阻状态I。因此，该重置操作完成后，第二存储单元组中的每个阻变存储单元仍处于初始的高阻状态I，而第一存储单元组中的各个阻变存储单元在不考虑前次形成不合格的阻变存储单元R24的正常情况下应均处于高阻状态H。倘若，第一存储单元组中存在重置不合格的阻变存储单元，例如，第1行第1列的阻变存储单元R11为重置不合格的阻变存储单元，则其阻态仍保持为低阻状态L(如图5中填充了格子阴影的虚线圆圈所示)。接着，执行检验步骤C2。在步骤C2中，对第一存储单元组中的每个阻变存储单元执行读出操作，以得到指示第一存储单元组中是否存在重置不合格的阻变存储单元的信息。在读出操作期间，第二存储单元组保持为初始的高阻状态I。例如，通过对第一存储单元组中的每个阻变存储单元提供一读出电压以执行该读出操作。这里，在对第一存储单元组中的任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于初始的高阻状态I，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地读出指示第一存储单元组中的每一个阻变存储单元的阻态的信息，该信息同时能够指示被执行读出操作的阻变存储单元是否为重置不合格的阻变存储单元。例如，该信息为一电流值。当对上述阻变存储单元R11执行读出操作得到的读出电流值大于一预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元R11为重置不合格的阻变存储单元。当对第一存储单元组中的阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值小于等于该预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为重置合格的阻变存储单元。应该注意的是，尽管图5所示的阻变存储装置中存在形成不合格的阻变存储单元R24，但是由于阻变存储单元R24处于初始高阻状态I，故，同样可以起到避免读出操作中的漏电流的作用，因此不影响测试结果。在存在重置不合格的阻变存储单元R11的情况下，可以对其进行修复以使得其具有高阻状态H。修复完之后的阻变存储装置的各个阻变存储单元的阻态分布如图6所示。以下，参照图7，描述本发明实施例提供的测试具有图6所示阻态分布的阻变存储装置的第二存储单元组中是否存在形成不合格的阻变存储单元的测试方法。该测试方法例如可包括步骤P3和C3。在步骤P3中，对第二存储单元组执行一次形成操作以将第二存储单元组中的阻变存储单元由初始高阻状态I变为低阻状态L(参见图6和7中实线圆圈)。例如，通过对第一存储单元组中的每个阻变存储单元提供一形成电压以执行该形成操作。在该形成操作期间，由于重置不合格的阻变存储单元R11已经修复为具有高阻状态，因此第一存储单元组中的每个阻变存储单元保持为高阻状态H或初始高阻状态I。该形成操作完成后，第一存储单元组中的每个阻变存储单元仍处于高阻状态H或初始高阻状态I，而第二存储单元组中的各个阻变存储单元在的正常情况下应均处于低阻状态L。接着，执行检验步骤C3。在步骤C3中，对第二存储单元组中的每个阻变存储单元执行读出操作，以得到指示第二存储单元组中是否存在形成不合格的阻变存储单元的信息。在读出操作期间，第一存储单元组保持为高阻状态H或初始高阻状态I。例如，通过对第一存储单元组中的每个所述第一存储单元组提供一读出电压一执行该读出操作。这里，在对第二存储单元组中的任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于高阻状态H或初始高阻状态I，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地读出指示第二存储单元组中的每一个阻变存储单元的阻态的信息，该信息同时能够指示被执行读出操作的阻变存储单元是否为形成不合格的阻变存储单元。例如，该信息为一电流值。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值小于一预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为形成不合格的阻变存储单元。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值大于等于该预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为形成合格的阻变存储单元。如上所述，如果存在形成不合格的阻变存储单元，由于其仍保持初始高阻状态，因此并不影响后续测试。以下，参照图8，描述本发明实施例提供的测试具有图7所示阻态分布的阻变存储装置的第二存储单元组中是否存在重置不合格的阻变存储单元的测试方法。该测试方法例如可包括步骤P4和C4。在步骤P4中，对第二存储单元组执行一次重置操作以将第二存储单元组中的阻变存储单元由低阻状态L变为高阻状态H(参见图7和8中实线圆圈)。例如，通过对第二存储单元组中的每个所述阻变存储单元组提供一重置电压以执行该重置操作。在该重置操作期间，第一存储单元组中的每个阻变存储单元保持为高阻状态H或初始高阻状态I。该重置操作完成后，第一存储单元组中的每个阻变存储单元仍处于高阻状态H或初始高阻状态I，而第二存储单元组中的各个阻变存储单元在的正常情况下应均处于高阻状态H。接着，执行检验步骤C4。在步骤C4中，对第二存储单元组中的每个阻变存储单元执行读出操作，以得到指示第二存储单元组中是否存在重置不合格的阻变存储单元的信息。在读出操作期间，第一存储单元组保持为高阻状态H或初始高阻状态I。例如，通过对第二存储单元组中的每个阻变存储单元提供一读出电压而执行该读出操作。这里，在对第二存储单元组中的任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于高阻状态H或初始高阻状态I，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地读出指示第二存储单元组中的每一个阻变存储单元的阻态的信息，该信息同时能够指示被执行读出操作的阻变存储单元是否为重置不合格的阻变存储单元。例如，该信息为一电流值。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值大于一预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为重置不合格的阻变存储单元。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值小于等于该预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为重置合格的阻变存储单元。如上所述，如果存在重置不合格的阻变存储单元，可将其修复为处于高阻状态。以下，参照图9，描述本发明实施例提供的测试具有图8所示阻态分布的阻变存储装置的第二存储单元组中是否存在设置不合格的阻变存储单元的测试方法。该测试方法例如可包括步骤P5和C5。在步骤P5中，对第二存储单元组执行一次设置操作以将第二存储单元组中的阻变存储单元由高阻状态H变为低阻状态L(参见图8和9中实线圆圈)。例如，通过对第二存储单元组中的每个所述阻变存储单元组提供一设置电压以执行该重置操作。在该设置操作期间，第一存储单元组中的每个阻变存储单元保持为高阻状态H或初始高阻状态I。该设置操作完成后，第一存储单元组中的每个阻变存储单元仍处于高阻状态H或初始高阻状态I，而第二存储单元组中的各个阻变存储单元在的正常情况下应均处于低阻状态L。接着，执行检验步骤C5。在步骤C5中，对第二存储单元组中的每个阻变存储单元执行读出操作，以得到指示第二存储单元组中是否存在设置不合格的阻变存储单元的信息。在读出操作期间，第一存储单元组中各阻变存储单元保持为高阻状态H或初始高阻状态I。例如，通过对第二存储单元组中的每个阻变存储单元提供一读出电压而执行该读出操作。这里，在对第二存储单元组中的任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于高阻状态H或初始高阻状态I，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地读出指示第二存储单元组中的每一个阻变存储单元的阻态的信息，该信息同时能够指示被执行读出操作的阻变存储单元是否为设置不合格的阻变存储单元。例如，该信息为一电流值。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值小于一预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为设置不合格的阻变存储单元。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值大于等于该预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为设置合格的阻变存储单元。如果存在设置不合格的阻变存储单元，由于其仍保持高阻状态，因此并不影响后续测试。以下，参照图10，描述本发明实施例提供的测试具有图9所示阻态分布的阻变存储装置的第二存储单元组中是否存在重置不合格的阻变存储单元的测试方法。该测试方法例如可包括步骤P6和C6。在步骤P6中，对第二存储单元组执行一次重置操作以将第二存储单元组中的每个阻变存储单元由低阻状态L变为高阻状态H(参见图9和10中实线圆圈)。例如，通过对第二存储单元组中的每个所述阻变存储单元组提供一重置电压以执行该重置操作。在该重置操作期间，第一存储单元组中的各个阻变存储单元保持为高阻状态H或初始高阻状态I。该重置操作完成后，第一存储单元组中的每个阻变存储单元仍处于高阻状态H或初始高阻状态I，而第二存储单元组中的各个阻变存储单元在的正常情况下应均处于高阻状态H。接着，执行检验步骤C6。在步骤C6中，对第二存储单元组中的每个阻变存储单元执行读出操作，以得到指示第二存储单元组中是否存在重置不合格的阻变存储单元的信息。在读出操作期间，第一存储单元组中各阻变存储单元保持为高阻状态H或初始高阻状态I。例如，通过对第二存储单元组中的每个阻变存储单元提供一读出电压而执行该读出操作。这里，在对第二存储单元组中的任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于高阻状态H或初始高阻状态I，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地读出指示第二存储单元组中的每一个阻变存储单元的阻态的信息，该信息同时能够指示被执行读出操作的阻变存储单元是否为重置不合格的阻变存储单元。例如，该信息为一电流值。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值大于一预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为重置不合格的阻变存储单元。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值小于等于该预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为重置合格的阻变存储单元。如果存在重置不合格的阻变存储单元，可将其修复为处于高阻状态。在一个示例中，上述步骤P5、C5、P6、C6可顺次重复执行多次，以测试被执行设置/重置操作的第二存储单元组中的各个阻变存储单元的阻变稳定性。以下，参照图11，描述本发明实施例提供的测试具有图10所示阻态分布的阻变存储装置的第一存储单元组中是否存在设置不合格的阻变存储单元的测试方法。该测试方法例如可包括步骤P7和C7。在步骤P7中，对第一存储单元组执行一次设置操作以将第一存储单元组中的阻变存储单元由高阻状态H变为低阻状态L(参见图10和11中虚线圆圈)。例如，通过对第一存储单元组中的每个所述阻变存储单元组提供一设置电压以执行该设置操作。在该设置操作期间，第二存储单元组中的各个阻变存储单元保持为高阻状态H。该设置操作完成后，第二存储单元组中的每个阻变存储单元仍处于高阻状态H，而第一存储单元组中，除了形成不合格的阻变存储单元R24之外，各个阻变存储单元在的正常情况下应均处于低阻状态L。接着，执行检验步骤C7。在步骤C7中，对第一存储单元组中的每个阻变存储单元执行读出操作，以得到指示第一存储单元组中是否存在设置不合格的阻变存储单元的信息。在读出操作期间，第二存储单元组中各阻变存储单元保持为高阻状态H。例如，通过对第一存储单元组中的每个阻变存储单元提供一读出电压而执行该读出操作。这里，在对第一存储单元组中的任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于高阻状态H，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地读出指示第一存储单元组中的每一个阻变存储单元的阻态的信息，该信息同时能够指示被执行读出操作的阻变存储单元是否为设置不合格的阻变存储单元。例如，该信息为一电流值。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值小于一预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为设置不合格的阻变存储单元。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值大于等于该预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为设置合格的阻变存储单元。如果存在设置不合格的阻变存储单元，由于其仍保持高阻状态，因此并不影响后续测试。以下，参照图12，描述本发明实施例提供的测试具有图11所示阻态分布的阻变存储装置的第一存储单元组中是否存在重置不合格的阻变存储单元的测试方法。该测试方法例如可包括步骤P8和C8。在步骤P8中，对第一存储单元组执行一次重置操作以将第一存储单元组中的阻变存储单元由低阻状态L变为高阻状态H(参见图11和12中虚线圆圈)。例如，通过对第一存储单元组中的每个所述阻变存储单元组提供一重置电压以执行该设置操作。在该重置操作期间，第二存储单元组中的各个阻变存储单元保持为高阻状态H。该重置操作完成后，第二存储单元组中的每个阻变存储单元仍处于高阻状态H，而第一存储单元组中，除了形成不合格的阻变存储单元R24之外，各个阻变存储单元在的正常情况下应均处于高阻状态H。接着，执行检验步骤C8。在步骤C8中，对第一存储单元组中的每个阻变存储单元执行读出操作，以得到指示第一存储单元组中是否存在重置不合格的阻变存储单元的信息。在读出操作期间，第二存储单元组中各阻变存储单元保持为高阻状态H。例如，通过对第一存储单元组中的每个阻变存储单元提供一读出电压而执行该读出操作。这里，在对第一存储单元组中的任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于高阻状态H，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地读出指示第一存储单元组中的每一个阻变存储单元的阻态的信息，该信息同时能够指示被执行读出操作的阻变存储单元是否为重置不合格的阻变存储单元。例如，该信息为一电流值。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值大于一预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为重置不合格的阻变存储单元。当对某个阻变存储单元执行读出操作得到的读出电流值小于等于该预定电流值时，则可以确定该阻变存储单元为重置合格的阻变存储单元。如果存在重置不合格的阻变存储单元，可将其修复为处于高阻状态。在一个示例中，上述步骤P7、C7、P8、C8可顺次重复执行多次，以测试被执行设置/重置操作的第一存储单元组中的各个阻变存储单元的阻变稳定性。在一个示例中，所述测试方法可以顺次包括上述步骤P1、C1、P2、C2、P3、C3、P4、C4、P5、C5、P6、C6、P7、C7、P8、C8。在此情况下，第一和第二存储单元组中的各种类型的不合格阻变存储单元(例如，形成不合格阻变存储单元、重置不合格阻变存储单元和设置不合格阻变存储单元)均可被有效地测试出来。在一个示例中，由于阻变存储单元的特性，可以不执行形成操作。在此情况下，所述测试方法例如可以顺次包括上述步骤P5、C5、P6、C6、P7、C7、P8、C8。这样，第一和第二存储单元组中的各种类型的不合格阻变存储单元(例如，重置不合格阻变存储单元和设置不合格阻变存储单元)均可被有效地测试出来。在一个示例中，在所述编程步骤之前，所述测试方法还包括一个状态判断步骤：判断所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中是否有至少一组处于高阻状态或初始状态。例如，在上述实施例中，在步骤P1之前，可以基于所述阻变存储装置的所述第一存储单元组和所述第二存储单元组均处于制备完成后的未激活状态而确定所述第一存储单元组和所述第二存储单元组两组均处于初始状态。类似地，在上述实施例中，在步骤P2之前，可以基于所述阻变存储装置的所述第二存储单元组处于制备完成后的未激活状态而确定所述第二存储单元组处于初始状态。在步骤P3之前，可以基于所述阻变存储装置的所述第二存储单元组处于制备完成后的未激活状态而确定所述第二存储单元组处于初始状态。例如，在上述实施例中，在步骤P4之前，可以基于步骤C2中对该第一存储单元组执行的读出操作，来判断所述第一存储单元组是否处于高阻状态。类似的，在步骤P5之前，可以基于步骤C2中对该第一存储单元组执行的读出操作和步骤C4中对该第二存储单元组执行的读出操作，来判断所述第一和第二存储单元组是否处于高阻状态。类似的，在步骤P6之前，可以基于步骤C2中对该第一存储单元组执行的读出操作，来判断所述第一存储单元组是否处于高阻状态。类似的，在步骤P7之前，可以基于步骤C2中对该第一存储单元组执行的读出操作和步骤C6中对该第二存储单元组执行的读出操作，来判断所述第一和第二存储单元组是否处于高阻状态。类似的，在步骤P8之前，可以基于步骤C6中对该第二存储单元组执行的读出操作，来判断所述第二存储单元组是否处于高阻状态。在一个示例中，所述测试方法还包括：在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中没有一组处于高阻状态或初始状态的情况下，对所述多个阻变存储单元中的至少一个执行重置操作或修复操作使得所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的至少一组中的每个阻变存储单元处于所述高阻状态。例如，在待测阻变存储装置中各个阻变存储单元的阻态情况未知的情况下，可以先对所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的每个阻变存储单元施加一重置电压，在此情况下，处于低阻状态的阻变存储单元则经历重置操作而切换到高阻状态，从而使得所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的每个阻变存储单元处于高阻状态或初始状态。例如，所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的每个阻变存储单元的阻态已知但并不满足所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的至少一组处于所述高阻状态或初始状态的情况下，则对其中至少一个处于低阻状态的阻变存储单元执行重置操作以使得所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的至少一组中的每个阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态。例如，在上述实施例中，参见图5和6，在步骤C2中发现第一存储单元组中的阻变存储单元R11为重置不合格的阻变存储单元，则通过修复操作将其改变为高阻状态。这样，在执行步骤P3时就能够保证第一存储单元组中的每个阻变存储单元均处于高阻状态H。在本发明实施例提供的上述测试方法中，对任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于高阻状态或初始高阻状态，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地判断该阻变存储单元是否为不合格的阻变存储单元。在阻变存储单元为1D1R类型的情况下，可以减低或消除对于选择管性能的要求。本发明另一实施例提供一种阻变存储装置10的测试设备20。参见图13，测试设备20例如包括：与所述多个阻变存储单元R11～R55通信连接的编程检测部分21，用于在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态的情况下，输出编程信号Sp至所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组以进行编程操作以及输出读出信号Sr到经历了所述编程操作的至少一个阻变存储单元而执行读出操作以形成指示至少一个所述阻变存储单元是否合格的信息，其中，在所述编程操作期间以及所述读出操作期间，未经历所述编程操作的存储单元组保持为高阻状态或初始状态。这里，所述编程信号为形成信号、重置信号和设置信号中的任一者。形成信号、重置信号和设置信号分别用于形成操作、重置操作和设置操作。这里，未经历所述编程操作的存储单元组是指其中每个阻变存储单元均没有接收到编程信号而未经历所述编程操作的一组。编程信号Sp例如为形成电压信号Vf、重置电压信号Vreset或设置电压信号Vset。在编程检测部分21提供形成电压信号Vf至所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组的情况下使得该组能够从初始状态切换成低阻状态；在编程检测部分21提供重置电压信号Vreset至所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组的情况下使得该组能够从低阻状态切换成高阻状态；在编程检测部分21提供设置电压信号Vset至所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组的情况下使得该组能够从高阻状态切换成低阻状态；这里，可以理解的是，编程信号Sp和读出信号Sr也可以是电流信号。在一个示例中，所述编程检测部分21用于在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组均处于初始状态的情况下或者在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组其中一组处于所述初始状态且其中另一组中的阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态的情况下，输出形成信号到处于初始状态的一组而执行形成操作以将所述组中的阻变存储单元切换至所述低阻状态，以及输出读出信号到经历了所述形成操作的存储单元组而执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否形成合格的信息，其中，在所述形成操作期间以及所述读出操作期间，未经历所述形成操作的另一组保持为所述初始状态或所述高阻状态。在一个示例中，所述编程检测部分21用于在该第一存储单元组和该第二存储单元组其中一组处于所述高阻状态或所述初始状态且其中另一组处于低阻状态的情况下，输出重置信号到处于所述低阻状态的一组而进行重置操作以将该组中的阻变存储单元切换至所述高阻状态，以及输出读出信号到经历了所述重置操作的存储单元组而执行读出操作以得到指示该组中所述阻变存储单元是否重置合格的信息，其中，在该重置操作期间以及该读出操作期间，未经历所述重置操作的阻变存储单元保持为所述高阻状态或所述初始状态。在一个示例中，所述编程检测部分21用于在该第一存储单元组和该第二存储单元组均处于所述高阻状态的情况下，输出设置信号到该第一存储单元组和该第二存储单元中的一组而进行设置操作以将该组中的阻变存储单元切换至所述低阻状态，以及输出读出信号到经历了所述设置操作的存储单元组而执行读出操作以得到指示该组中阻变存储单元是否设置合格的信息，其中在该设置操作期间以及该读出操作期间，未经历所述设置操作的阻变存储单元保持为所述高阻状态。如图13所示，阻变存储装置10的测试设备20，还可包括：状态调整部分22，用于在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组并非均处于高阻状态或初始状态的情况下，输出重置信号至所述多个阻变存储单元中的至少一个以执行重置操作，使得所述第一存储单元组和所述第二存储单元组两组中的每个阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态。如图13所示，阻变存储装置10的测试设备20，还可包括：连接的状态检测部分23。所述状态检测部分23用于输出读出信号至该第一存储单元组和该第二存储单元组中的至少一组以得到指示所述阻变存储单元的阻态的信息，根据指示所述阻变存储单元的阻态的所述信息来判断该第一存储单元组和该第二存储单元组中是否有至少一组处于高阻状态或初始状态，并且输出指示上述判断的结果的状态检测信号至所述编程检测部分21和所述状态调整部分22。所述编程检测部分21响应于所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态的状态检测信号而输出编程信号至所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组以进行编程操作。所述状态调整部分22响应于所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中没有一组处于高阻状态或初始状态的状态检测信号而输出重置信号至所述多个阻变存储单元中的至少一个以执行重置操作。例如，在待测的阻变存储装置并非处于制造完成且未被激活的状态，而是处于一未知其阻态分布的情况下，可以首先通过测试设备20的状态检测部分23输出读出信号至该第一存储单元组和该第二存储单元组两组以得到指示每个阻变存储单元的阻态的多个电流值；例如，测试设备20的状态检测部分23根据该多个电流值判断得到该第一存储单元组和该第二存储单元组中仅第一存储单元组中的阻变存储单元R22处于低阻状态，第二存储单元组中的R43处于初始高阻状态，其余所有阻变存储单元均处于高阻状态；然后，测试设备20的状态检测部分23输出指示上述判断结果的状态检测信号至所述编程检测部分21和所述状态调整部分22。所述状态调整部分22响应于上述状态检测信号而输出重置信号至第一存储单元组中的阻变存储单元R22以执行重置操作使得阻变存储单元R22由低阻状态切换到高阻状态。或者，所述状态调整部分22响应于上述状态检测信号而输出重置信号至第一和第二存储单元组中的每个阻变存储单元以执行重置操作使得阻变存储单元R22由低阻状态切换到高阻状态。此时，所述状态检测部分23再次通过测试设备20的状态检测部分23输出读出信号至该第一存储单元组和该第二存储单元组两组以得到指示每个阻变存储单元的阻态的多个电流值；例如，测试设备20的状态检测部分23根据该多个电流值判断得到所述第一存储单元组和所述第二存储单元组两组中的每个阻变存储单元处于所述高阻状态或初始状态，并输出指示上述判断结果的状态检测信号至所述编程检测部分21和所述状态调整部分22。所述编程检测部分21基于该状态检测信号例如可以开始顺次执行上述实施例描述的步骤P5、C5、P6、C6、P7、C7、P8、C8。这样，第一和第二存储单元组中的各种类型的不合格阻变存储单元(例如，重置不合格阻变存储单元和设置不合格阻变存储单元)均可被有效地测试出来。可以理解的是，尽管本申请图13中示出的测试设备20包括了所述编程检测部分21、所述状态调整部分22和状态检测部分23，但是在另一示例中，测试设备20可仅包括所述编程检测部分21。在测试设备20仅包括所述编程检测部分21的情况下，各存储单元组的阻态例如可以通过人工判断或者通过另外的测试装置判断，然后通过人工操作的方式启动所述编程步骤、测试步骤和状态调整步骤。在另一示例中，测试设备20可仅包括所述编程检测部分21和状态检测部分23。在此情况下，各存储单元组的阻态例如可以通过状态检测部分23来判断。在第一和第二存储单元组中没有一组处于高阻状态或初始状态的情况下，可以通过人工操作的方式启动对所述多个阻变存储单元中的至少一个执行重置操作或修复操作使得第一和第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态。这里，所述编程检测部分21、所述状态调整部分22和状态检测部分23例如可分别包括各种控制电路、驱动电路和选择电路等，以实现其上述功能。本发明实施例提供的上述测试设备在对阻变存储装置执行测试的过程中，对任一个阻变存储单元执行读出操作时，选中的阻变存储单元的上下左右四个相邻位置上的阻变存储单元均处于高阻状态或初始高阻状态，因此有效地避免了在该选中的阻变存储单元周围产生漏电流，从而能够准确地判断该阻变存储单元是否为不合格的阻变存储单元。在阻变存储单元为1D1R类型的情况下，可以减低或消除对于选择管性能的要求。虽然上文中已经用一般性说明及具体实施方式，对本发明作了详尽的描述，但在本发明实施例基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。