技术总结
本发明提供了一种闪速存储器器件和系统。闪速存储器器件包括n‑沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)、耦合到nMOSFET的硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物硅(SONOS)和耦合到nMOSFET和SONOS晶体管的被隔离的p‑阱。闪速存储器系统包括被分为多个成对的扇区的存储器器件的阵列、耦合到所述多个扇区中的每一个的被配置为在擦除和编程操作期间向每个各自的扇区提供高电压的全局位线(GBL)、和被耦合在扇区各自的对之间的多个读出放大器。本发明还提供用于操作闪速存储器的方法。方法包括在擦除和编程操作期间经由GBL向成对的扇区提供高电压，以及在读取操作期间经由局部位线向每个存储器器件提供低电压。
技术研发人员：赖安·T·希罗斯;波格丹·乔盖斯库;克里斯堤涅·松特;阿希什·阿芒卡;维贾伊·拉加万;肖恩·马尔霍兰;
受保护的技术使用者：赛普拉斯半导体公司;
技术研发日：2012.09.04
技术公布日：2016.07.13