电子式熔丝装置以及电子式熔丝阵列的制作方法

本发明是有关于一种资讯存储装置，特别是有关于一种电子式熔丝装置以及电子式熔丝阵列。

背景技术：

随着存储器工艺不断微缩，传统的激光式熔丝修补装置已经因为光学与机械上的限制而无法再跟着继续微缩下去，因此电子式的熔丝修补装置也跟着因应而生。由于电子式的熔丝乃利用mos技术所生产的元件来制作，因此技术上可以将此元件尽可能采用工艺上可接受的最小尺寸来制作，进一步地，已知技术里将此元件排列为阵列以达成最小面积的需求。

虽然采用阵列架构理论上可以达成最小面积，但是熔丝本身的烧熔与否及信息读取速度却也因为此阵列架构的限制而无法达成即时与高速的要求。考虑到这个限制与存储器高速操作的需求，这样的阵列往往还需搭配另一个静态随机存取存储器来将阵列熔丝信息作预存储的动作。虽然静态随机存取存储器理论上可以达成高速的需求，但也往往付出更大的功率消耗作为其高速存取的代价，因此这类产品基本上无法满足低功耗的要求。再者，静态随机存取存储器也将耗费更大的面积，整体而言虽然阵列式熔丝可以缩小面积，但若搭配上静态随机存取存储器，整体的面积其实并无法有效减低。而且为了将熔丝装置的信息读取出来并存储到静态随机存取存储器，还需搭配灵敏度极高的电压或电流检测电路，因而又增加不少面积与功率的消耗。

技术实现要素：

本发明提出的电子式熔丝装置除了电子式熔丝元件之外，更包括了检测与输出电路与转移电路。由于全部均以mos元件实现，使得电路面积更小且消耗更低功耗。本发明更提出了电子式熔丝阵列，由多个电子式熔丝装置相互串接而成。

有鉴于此，本发明提出一种电子式熔丝装置包括：一转移电路、一检测与输出电路、一烧熔电路以及一开关元件。转移电路耦接于一输入节点与一数据节点之间，用以将输入节点所接收的一输入信号提供至数据节点。检测与输出电路，耦接于数据节点与一输出节点之间，用以检测并根据数据节点的逻辑位准于输出节点产生一输出信号。烧熔电路耦接至数据节点，烧熔电路包括：一电子式熔丝元件、一第一晶体管以及一第二晶体管。电子式熔丝元件耦接于一高压节点以及一第一节点之间，其中高压节点耦接至一高电压或一接地端。第一晶体管耦接于第一节点与一第二节点之间且栅极端接收输出信号，第二晶体管耦接于第二节点与接地端之间且栅极端接收一烧熔信号。开关元件耦接于第一节点与数据节点之间，且栅极端接收一开关信号。其中，电子式熔丝装置操作于一烧熔模式、一数据转移模式以及一数据检测模式之一，当电子式熔丝装置操作于数据转移模式时，开关元件不导通，转移电路结合检测与输出电路，以根据输入信号产生输出信号。

根据本发明的一实施例，当电子式熔丝装置操作于烧熔模式时，高压节点耦接至高电压、开关元件不导通以及第二晶体管导通，烧熔电路根据烧熔信号以及输出信号烧熔电子式熔丝元件，其中烧熔电路更包括一保护元件，耦接于电子式熔丝元件以及第一节点之间，当高压节点耦接至高电压时，保护元件用以保护第一晶体管、第二晶体管以及开关元件。

根据本发明的一实施例，当电子式熔丝装置操作于数据检测模式时，高压节点耦接至接地端、开关元件导通以及第二晶体管不导通，检测与输出电路检测数据节点的逻辑位准，并输出输出信号，以判断电子式熔丝元件处于一高阻抗状态或一低阻抗状态。

根据本发明的一实施例，上述检测与输出电路包括：一第三晶体管、一第四晶体管、一检测反相器以及一第五晶体管。第三晶体管耦接于一供应电压与一第三节点之间且栅极端接收输出信号，第四晶体管耦接于第三节点与数据节点之间且栅极端接收一评估电压，其中评估电压不大于供应电压。检测反相器包括一检测输入端以及一检测输出端，其中检测输入端耦接至数据节点，检测输出端输出输出信号。第五晶体管耦接于数据节点与接地端之间且栅极端接收输出信号。

根据本发明的一实施例，上述第一晶体管、上述第二晶体管与上述第五晶体管为n型晶体管，且上述第三晶体管与上述第四晶体管为p型晶体管。

根据本发明的一实施例，转移电路包括：一第一传输栅、一第一转移反相器、一第二转移反相器以及一第二传输栅。第一传输栅根据一第一时脉信号以及一第一反相时脉信号，将输入信号传输至一第四节点。第一转移反相器，包括一第一输入端以及一第一输出端，其中第一输入端耦接至第四节点，第一输出端耦接至一第五节点。第二转移反相器包括一第二输入端以及一第二输出端，其中第二输入端耦接至第五节点，第二输出端耦接至第四节点。第二传输栅根据一第二时脉信号以及一第二反相时脉信号而将第五节点耦接至数据节点。

本发明更提出一种电子式熔丝阵列，包括多个上述电子熔丝装置，其中上述电子熔丝装置的其中一个的输出节点于数据转移模式中更耦接至电子熔丝装置的另一个的输入节点。

本发明更提出一种电子式熔丝阵列，包括多个上述电子熔丝装置，其中上述电子熔丝装置的其中一个的第二晶体管的栅极端所接收的烧熔信号为上述电子熔丝装置的另一个于数据转移模式中所产生的输出信号。

本发明可通过工艺微缩而将整体电路最小化，并且不需额外搭配静态随机存取存储器以及独立的电压电流检测电路。

附图说明

图1是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝装置的方块图；

图2是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝阵列的方块图；

图3是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝阵列操作于数据转移模式的时序图；

图4是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝阵列操作于烧熔模式的时序图；

图5是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝阵列操作于数据检测模式的时序图；以及

图6是根据本发明的另一实施例所述的电子式熔丝阵列的方块图；以及

图7是根据本发明的另一实施例所述的电子式熔丝阵列的方块图。

附图标号

100、20_1～20_n电子式熔丝装置

110烧熔电路

111电子式熔丝元件

112保护元件

113第一晶体管

114第二晶体管

115开关元件

120检测与输出电路

121第三晶体管

122第四晶体管

123检测反相器

124第五晶体管

130转移电路

131第一传输栅

132第一转移反相器

133第二转移反相器

134第二传输栅

200、600电子式熔丝阵列

601第一电子式熔丝装置

602第二电子式熔丝装置

clk1第一时脉信号

clkb1第一反相时脉信号

clk2第二时脉信号

clkb2第二反相时脉信号

h高逻辑位准

l低逻辑位准

n1第一节点

n2第二节点

n3第三节点

n4第四节点

n5第五节点

nd数据节点

nh高压节点

ni输入节点

no输出节点

si输入信号

si1第一输入信号

si2第二输入信号

sin第n输入信号

sf烧熔信号

sf1第一烧熔信号

sf2第二烧熔信号

sf3第三烧熔信号

sfn第n烧熔信号

so输出信号

sw开关信号

gnd接地端

ven评估电压

vh高电压

vm中间电压

vs供应电压

700电子式熔丝阵列

700-1第一电子式熔丝装置

700-2第二电子式熔丝装置

700-n第n电子式熔丝装置

so_1第一输出信号

so_2第二输出信号

so_(n-1)第(n-1)输出信号

so_n第n输出信号

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特例举一较佳实施例，并配合所附图式，来作详细说明如下：

以下将介绍根据本发明所述的较佳实施例。必须要说明的是，本发明提供了许多可应用的发明概念，在此所提供的特定实施例，仅是用于说明达成与运用本发明的特定方式，而不可用以局限本发明的范围。

图1是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝装置的方块图。如图1所示，电子式熔丝装置100包括烧熔电路110、开关元件115、检测与输出电路120以及转移电路130。烧熔电路110与检测与输出电路120之间具有数据节点nd。烧熔电路110包括电子式熔丝元件111、第一晶体管113以及第二晶体管114。其中，第一晶体管113与第二晶体管114可皆为n型晶体管。

电子式熔丝元件111耦接于高压节点nh与第一节点n1之间，其中高压节点nh根据不同的操作模式，而耦接至高电压vh或接地端gnd，详细动作将于下文中叙述。电子式熔丝元件111可包括熔丝元件或反熔丝元件。熔丝元件在起初时处于低阻抗状态，当被施加了高压后转变为处于高阻抗状态。相反地，反熔丝元件在起初时处于高阻抗状态，当被施加了高压后转变为处于低阻抗状态。根据本发明的一实施例，电子式熔丝元件111包括反熔丝元件，例如为一晶体管电容元件。当尚未烧熔时，电子式熔丝元件111相当于电容元件而处于高阻抗状态。当电子式熔丝元件111耦接至高电压vh而烧熔时，电子式熔丝元件111相当于电阻元件而处于低阻抗状态。根据本发明的其他实施例，电子式熔丝元件111可为其他适合的电子式熔丝元件，并非以任何形式限定于此。

烧熔电路110可更包括保护元件112，保护元件112耦接于电子式熔丝元件111以及第一节点n1之间，当高压节点nh耦接至高电压vh时，保护元件112用以保护第一晶体管113、第二晶体管114以及开关元件115。根据本发明的一实施例，保护元件112为高压n型晶体管，栅极端耦接至高逻辑位准以保持导通状态。根据本发明的其他实施例，保护元件112可为任何高压耐受元件，在此并非以任何形式限定于此。需要注意的是，保护元件112为选择性设置，根据本发明的另一实施例，当第一晶体管113、第二晶体管114以及开关元件115的崩溃电压大于高电压vh时，可不需要设置保护元件112。根据本发明的又一实施例，当高压节点nh耦接至高电压vh的时间短暂(例如小于一秒)而不足以伤害第一晶体管113、第二晶体管114以及开关元件115时，可不需要设置保护元件112。

第一晶体管113耦接于第一节点n1与第二节点n2之间，且第一晶体管113的栅极端接收检测与输出电路120的输出信号so。第二晶体管114耦接于第二节点n2与接地端gnd之间，且第二晶体管114的栅极端接收烧熔信号sf。开关元件115耦接于第一节点n1与数据节点nd之间，且开关元件115的栅极端接收开关信号sw。

检测与输出电路120根据数据节点nd的逻辑位准而于输出节点no产生输出信号so，其中检测与输出电路120包括第三晶体管121、第四晶体管122、检测反相器123以及第五晶体管124。第三晶体管121与第四晶体管122可皆为p型晶体管；第五晶体管124可为n型晶体管。

第三晶体管121耦接于供应电压vs与第三节点n3之间，且第三晶体管121的栅极端接收输出信号so。第四晶体管122耦接于第三节点n3与数据节点nd之间，且第四晶体管122的栅极端接收评估电压ven。评估电压ven用以控制上述第三晶体管121以及第四晶体管122对数据节点nd充电的能力，以增加数据节点nd的电压灵敏度。根据本发明的一实施例，高电压vh大于供应电压vs。根据本发明的另一实施例，当电子熔丝元件111完成烧熔所需的电压较低时，高电压vh可不大于供应电压vs时，保护元件112亦可移除。

检测反相器123包括检测输入端以及检测输出端，其中检测反相器123的检测输入端耦接至数据节点nd，检测输出端产生输出信号so并耦接至输出节点no。第五晶体管124耦接于数据节点nd与接地端gnd之间，第五晶体管124的栅极端接收输出信号so。

转移电路130用以将输入节点ni的输入信号si提供至上述数据节点nd，其中转移电路130包括第一传输栅131、第一转移反相器132、第二转移反相器133以及第二传输栅134。第一传输栅131与第一转移反相器132之间具有第四节点n4。第一转移反相器132与第二传输栅134之间具有第五节点n5。第一传输栅131根据第一时脉信号clk1以及第一反相时脉信号clkb1，将输入信号si传输至第四节点n4。第一转移反相器132包括第一输入端以及第一输出端，第一转移反相器132的第一输入端耦接至第四节点n4，第一转移反相器132的第一输出端耦接至第五节点n5。

第二转移反相器133包括第二输入端以及第二输出端，第二转移反相器133的第二输入端耦接至第五节点n5，第二转移反相器133的第二输出端耦接至第四节点n4。第二传输栅134根据第二时脉信号clk2以及第二反相时脉信号clkb2而将第五节点n5耦接至数据节点nd。

根据本发明的一实施例，电子式熔丝装置100操作于数据转移模式、烧熔模式以及数据检测模式之一，详细操作将于下文中叙述。起初，电子式熔丝装置100操作于数据转移模式，通过转移电路130与检测与输出电路120，将输入节点ni所接收的输入信号si提供至数据节点nd并在输出节点no产生输出信号so。此时，开关信号sw、评估电压ven、高压节点nh以及烧熔信号sf皆为低逻辑位准。开关元件115根据低逻辑位准的开关信号sw而不导通，第一传输栅131根据第一时脉信号clk1以及第一反相时脉信号clkb1，而将输入信号si传输至第四节点n4。

第一转移反相器132以及第二转移反相器133形成一闩锁电路，用以将第四节点n4的数据锁定，并将第四节点n4的数据反相后提供至第五节点n5。第二传输栅134再根据第二时脉信号clk2以及第二反相时脉信号clkb2，将第五节点n5的数据提供至数据节点nd。

根据上述，转移电路130经由数据节点nd耦接检测与输出电路120。因此，于数据转移模式中，转移电路130根据时脉信号clk1、第一反相时脉信号clkb1、第二时脉信号clk2以及第二反相时脉信号clkb2并结合检测与输出电路120，而于输出节点no产生根据输入信号si的输出信号so。接着，于烧熔模式中，根据数据转移模式中所产生的输出信号so以及烧熔信号sf而决定是否烧熔电子式熔丝元件111。根据本发明的一实施例，转移电路130结合检测与输出电路120形成一d型正反器。

当电子式熔丝装置100操作于烧熔模式时，高压节点nh耦接至高电压vh，并且第二晶体管114根据烧熔信号sf而导通。此外，开关信号sw、评估电压ven、第一时脉信号clk1以及第二时脉信号clk2为低逻辑位准，输入信号si则不再改变。开关元件115根据低逻辑位准的开关信号sw而不导通。

于烧熔模式中，当输出信号so为高逻辑位准时，第一晶体管113接收输出信号so而将第一节点n1耦接至第二节点n2，第二晶体管114的栅极端接收烧熔信号sf而将第二节点n2耦接至接地端gnd。藉此，将电子式熔丝元件111耦接于高电压vh以及接地端gnd之间而烧熔。根据本发明的一实施例，烧熔信号sf用以控制电子式熔丝元件111的烧熔时间。当电子式熔丝元件111烧熔而为低阻抗状态时，高压节点vh的高电压vh会沿着低阻抗状态的电子式熔丝元件111而提供至第一节点n1，保护元件112用以调节高压节点vh提供至第一节点n1的电压，避免第一晶体管113、第二晶体管114以及开关元件115因高电压vh而损毁。

于烧熔模式中，当输出信号so为低逻辑位准时，第一晶体管113根据输出信号so而不导通，因此第一节点n1操作于浮接状态，使得电子式熔丝元件111不会被烧熔，而维持高阻抗状态。

根据本发明的一实施例，通过设置转移电路130，可将是否烧熔电子式熔丝元件111的信号预存于检测与输出电路120。通过在烧熔电路110中设置通过输出信号so控制开关的第一晶体管113，于烧熔模式中，根据预存于检测与输出电路120的输出信号so决定是否烧熔电子式熔丝元件111。因此，无须额外配置静态随机存取存储器来预存是否烧熔电子式熔丝元件111的信号，以降低整体面积与功耗。

当电子式熔丝装置100操作于数据检测模式时，高压节点nh耦接至接地端gnd，开关元件115根据处于高逻辑位准的开关信号sw而导通，并且第二晶体管114根据处于低逻辑位准的烧熔信号sf而不导通。也就是，数据节点nd经由电子式熔丝元件111而耦接至接地端gnd。此外，第一时脉信号clk1以及第二时脉信号clk2皆为低逻辑位准。评估电压ven为中间电压vm，其中中间电压vm位于供应电压vs以及接地端gnd之间的任意电压。

根据本发明的一实施例，于数据检测模式中，通过开关元件115，检测与输出电路120可耦接电子式熔丝元件111以检测电子式熔丝元件111处于高阻抗状态或低阻抗状态，而产生对应的输出信号so。于数据转移模式中，转移电路130通过检测与输出电路120将输入信号si转移至输出节点no，而产生用以控制第一晶体管113开关的输出信号so。因此，于数据检测模式与数据转移模式中，共用检测与输出电路120，以达到降低晶体管数目的功效。

根据本发明的一实施例，电子式熔丝元件111的阻抗状态将于数据检测模式中进行检测。在数据检测模式开始之前，电子式熔丝装置100可先进入数据转移模式，以将数据节点nd初始化至高逻辑位准。接着，进入数据检测模式，此时检测反相器123将高逻辑位准的数据节点nd而产生为低逻辑位准的输出信号so，第三晶体管121根据低逻辑位准的输出信号so而将供应电压vs提供至第三节点n3，第四晶体管122根据评估电压ven而将第三节点n3耦接至数据节点nd。即，供应电压vs对数据节点nd充电使其维持高位准。而低逻辑位准的输出信号so将关闭第一晶体管113，使第一节点n1不耦接至第二节点n2。在电子式熔丝元件111在烧熔模式中被烧熔为低阻抗的情况下，数据节点nd将经由导通的开关元件115耦接至低阻抗的电子式熔丝元件111，从而耦接至gnd准位，使数据节点nd的位准被拉低。此时，检测反相器123将根据低逻辑位准的数据节点nd而产生为高逻辑位准的输出信号so，使得第五晶体管124根据输出信号so而对数据节点nd进行放电至gnd位准，以维持输出高逻辑位准的输出信号so。即，于本实施例中，当检测与输出电路120于数据检测模式中检测到输出信号so由低逻辑位准变成高逻辑位准，表示电子式熔丝元件111处于低阻抗状态。

另一方面，当电子式熔丝元件111于烧熔模式中未经过烧熔而维持高阻抗元件，于数据检测模式中，数据节点nd将通过开关元件115耦接至高阻抗的电子式熔丝元件而不致产生耦接至gnd准位的路径，因此将使数据节点nd维持在高逻辑位准，且输出信号so维持在低逻辑位准。即，于本实施例中，当检测与输出电路120于数据检测模式中检测到输出信号so的位准未改变时，表示电子式熔丝元件111处于高阻抗状态。

根据本发明的一实施例，对于未被烧熔的高阻抗电子熔丝，评估电压ven用以保留有微小对于nd节点充电的能力，才不至于让nd节点浮接。也就是，当电子式熔丝元件111因被烧熔而为低阻抗状态时，评估电压ven用以确保数据节点nd的放电电流大于通过第三晶体管121以及第四晶体管122的充电电流。当数据节点nd的电压确定后，检测反相器123随之产生输出信号so。

图2是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝阵列的方块图。如图2所示，电子式熔丝阵列200包括多个电子式熔丝装置20_1～20_n，其中电子式熔丝装置20_1～20_n的每一个为图1所示的电子式熔丝装置100，并且输出端点no与另一电子式熔丝装置的输入端点ni相耦接。再者，电子式熔丝装置20_1～20_n的评估电压ven、开关信号sw、第一时脉信号clk1以及第二时脉信号clk2分别耦接在一起，以减少输入针脚的需求。

根据本发明的一实施例，电子式熔丝装置20_1～20_n的第一反相时脉信号clkb1以及第二反相时脉信号clkb2亦耦接在一起，为了简化说明，图2中并未显示第一反相时脉信号clkb1以及第二反相时脉信号clkb2。再者，电子式熔丝装置20_1～20_n分别接收第一烧熔信号sf1、第二烧熔信号sf2、第三烧熔信号sf3、……、第n烧熔信号sfn。下文中将叙述电子式熔丝阵列200分别操作于数据转移模式、烧熔模式以及数据检测模式的详细动作。

图3是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝阵列操作于数据转移模式的时序图。如图3所示，当图2的电子式熔丝阵列200操作于数据转移模式时，电子式熔丝装置20_1～20_n的开关信号sw、评估电压ven、高压节点nh以及第一烧熔信号sf1～第n烧熔信号sfn皆为低逻辑位准l。

输入信号si根据第一时脉信号clk1以及第二时脉信号clk2，序列地传输至电子式熔丝装置20_1～20_n的每一输出节点no。根据本发明的一实施例，原来需要个别提供至电子式熔丝装置20_1～20_n的输出信号，可经由电子式熔丝装置20_1的输入节点ni序列输入。也就是，电子式熔丝阵列200先将预定写入至电子式熔丝装置20_n的输出信号传输至电子式熔丝装置20_n的输出节点no，最后才将输出信号写入至电子式熔丝装置20_1的输出节点no。

图4是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝阵列操作于烧熔模式的时序图。如图4所示，当电子式熔丝阵列200操作于烧熔模式时，开关信号sw、评估电压ven、第一时脉信号clk1以及第二时脉信号clk2为低逻辑位准l，输入信号si则不再改变。

根据本发明的一实施例，电子式熔丝阵列200将高压节点nh耦接至高电压vh后，序列地将第一烧熔信号sf1、第二烧熔信号sf2、第三烧熔信号sf3、……、第n烧熔信号sfn提高至高逻辑位准，使得电子式熔丝装置20_1～20_n的电子式熔丝元件序列地烧熔。根据本发明的另一实施例，当高电压vh的电流驱动能力够强时，第一烧熔信号sf1、第二烧熔信号sf2、第三烧熔信号sf3、……、第n烧熔信号sfn可同时改变至高逻辑位准，而将电子式熔丝装置20_1～20_n的电子式熔丝元件同时烧熔。根据本发明的一实施例，高电压vh大于供应电压vs。

图5是根据本发明的一实施例所述的电子式熔丝阵列操作于数据检测模式的时序图。如图5所示，当电子式熔丝阵列200操作于数据检测模式时，高压节点nh、第一烧熔信号sf1～第n烧熔信号sfn、第一时脉信号clk1以及第二时脉信号clk2皆为低逻辑位准l。

处于高逻辑位准h的开关信号sw用以将图1的检测与输出电路120耦接至电子式熔丝元件111，以检测电子式熔丝元件111的阻抗状态。评估电压ven为中间电压vm，用以调整第三晶体管121以及第四晶体管122对数据节点nd的充电能力，其中中间电压vm位于供应电压vs以及接地端gnd之间的任意电压。

图6是根据本发明的另一实施例所述的电子式熔丝阵列的方块图。如图6所示，电子式熔丝阵列600包括第一电子式熔丝装置601以及第二电子式熔丝装置602，其中第一电子式熔丝装置601以及第二电子式熔丝装置602的内部电路如图1所示。为了简化说明，第一电子式熔丝装置601以及第二电子式熔丝装置602的开关信号sw、评估电压ven、高压节点vh、第一时脉信号clk1以及第二时脉信号clk2并不在此显示。

如图6所示，第一电子式熔丝装置601于数据转移模式中在输出节点no所产生的输出信号so更提供至第二电子式熔丝装置602的第二晶体管的栅极端，以作为第二烧熔信号sf2。也就是，当第二电子式熔丝装置602操作于烧熔模式时，第一电子式熔丝装置601操作于数据转移模式，以根据第一时脉信号clk1、第一反相时脉信号clkb1、第二时脉信号clk2以及第二反相时脉信号clkb2，将输出信号so作为第二烧熔信号sf2提供至第二电子式熔丝装置602，可因此节省用以提供烧熔信号的针脚。

图7是根据本发明的另一实施例所述的电子式熔丝阵列的方块图。如图7所示，电子式熔丝阵列700包括第一电子式熔丝装置700-1、第二电子式熔丝装置700-2、……、以及第n电子式熔丝装置700-n，其中前级的输出信号为后级的烧熔信号。

也就是，输入第一电子式熔丝装置700-1的第一输入信号si1经由数据转移模式产生第一输出信号so_1，且第一输出信号so_1作为第二电子式熔丝装置700-2的第二烧熔信号sf2。输入第二电子式熔丝装置700-2的第二输入信号si2经由数据转移模式产生第二输出信号so_2，且第二输出信号so_2作为第三电子式熔丝装置700-3的第三烧熔信号sf3，……，以此类推，第(n-1)输出信号so_(n-1)为第n电子式熔丝装置700-n的第n烧熔信号sfn。并且，输入第n电子式熔丝装置700-n的第n输入信号sin经由数据转移模式产生第n输出信号so_n，且第n输出信号so_n作为第一电子式熔丝装置700-1的第一烧熔信号sf1。然而本发明并不以此为限，于未绘示的再一实施例中，任一个电子式熔丝装置的输出信号可为另一个电子式熔丝装置的烧熔信号。

本发明将烧熔电路、转移电路以及电压检测电路集中且最佳化而成为一独立型的电子式熔丝装置，可用以取代目前常用的激光式熔丝装置。本发明所提出的电子式熔丝装置可通过工艺微缩而将整体电路最小化，并且不需额外搭配静态随机存取存储器以及独立的电压电流检测电路。再者，由于本发明所提出的电子式熔丝装置已经具备烧熔电路、转移电路以及电压检测电路，因此能够因应布局需求而摆放在不同的位置，不需如阵列型的装置统一集中于某个特定布局范围内。另外，本发明所提出的电子式熔丝装置能够直接取代激光式熔丝装置，并且使用流程以及搭配电路的设计理念均可直接沿用，使得取代先前激光式熔丝装置更为容易。

以上叙述许多实施例的特征，使本领域技术人员能够清楚理解本说明书的形态。本领域技术人员能够理解其可利用本发明揭示内容为基础以设计或更动其他工艺及结构而完成相同于上述实施例的目的及/或达到相同于上述实施例的优点。本领域技术人员亦能够理解不脱离本发明的精神和范围的等效构造可在不脱离本发明的精神和范围内作任意的更动、替代与润饰。