一种DDR4DIMM的VREF供电电路的制作方法

本发明涉及DDR技术领域，特别是涉及一种DDR4 DIMM的VREF供电电路。

背景技术：

DDR(Double Data Rate SDRAM，双倍数据流SDRAM)可在一个时钟周期内传送两次数据，其总线的传输能力比普通SDRAM提高一倍。DDR4是第四代DDR，在功耗和传输速度方面比前几代有所提高。DDR4 DIMM(Dual-Inline-Memory-Modules，双列直插式存储模块)是由多颗DDR4内存颗粒组成的DIMM，也即通常所说的内存条。

DDR4采用的是SSTL电平标准，请参照图1，图1为DDR4的输入输出方式原理图，其供电电源可分为三类：1、主电源VDD和VDDQ；2、用于终端匹配的VTT；3、参考电源VREF。其中，VREF作为参考电压，用于判断输入信号的电平高低。当输入的信号电平高于VREF时被认为是高电平，输入信号低于VREF时被认为是低电平。参考电源VREF要求跟随VDDQ，并且数值上VREF＝VDDQ/2。由于VREF只是作为参考电压，VREF的电流一般较小，一般采用电阻分压电路获得，具体地，请参照图2，图2为现有技术中的一种VREF供电电路的结构示意图。

但对于DDR4 DIMM来说，采用电阻分压方案的可靠性会降低。因为DDR4 VDDQ的工作电压为1.2V，当DDR4 VDDQ的工作电压降低到1.2V时，VREF的标准值也降低到了0.6V，精度要求为±1％，即精度低至±6mV，这对输出VREF的供电电源质量提出了很高要求。然而，随着DDR4时钟速度的提高，总线频率动辄工作在1.2GHz，各种数据线，时钟线产生的高频噪声也会对分压电路得到的VREF产生干扰，降低了电阻分压电路的可靠性。另外，在DDR4 DIMM中，一般由4片或8片DDR4颗粒构成64位总线，这就意味着VREF同时要为4片或8片颗粒中的数十条地址和命令线提供参考电压，电流消耗增加，使得分压输出的VREF≠VDDQ/2，可靠性进一步降低。

因此，如何提供一种解决上述技术问题的DDR4 DIMM的VREF供电电路是本领域技术人员目前需要解决的问题。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种DDR4 DIMM的VREF供电电路，在电阻分压电路的基础上还增加了一个电压跟随器，电压跟随器使得VREF供电电路的输出阻抗降低，驱动电流增大，驱动能力增强，抗干扰能力增加，从而提高了DDR4 DIMM的VREF供电电路的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种DDR4 DIMM的VREF供电电路，包括：

电阻分压电路，用于输出初始参考电压；

与所述电阻分压电路的输出端连接的电压跟随器，用于对所述初始参考电压进行电压跟随得到参考电压VREF。

优选地，所述电阻分压电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相等，其中：

所述第一电阻的第一端接主电源VDDQ，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接，其公共端作为所述电阻分压电路的输出端输出所述初始参考电压，所述第二电阻的第二端接地；所述第一电容和所述第一电阻并联，所述第二电容和所述第二电阻并联。

优选地，所述电压跟随器包括运算放大器，其中：

所述运算放大器的正相输入端与所述电阻分压电路的输出端连接，所述运算放大器的反相输入端与所述运算放大器的输出端连接，所述运算放大器的输出端作为所述电压跟随器的输出端输出所述参考电压VREF。

优选地，所述电压跟随器还包括第一端与所述电压跟随器的输出端连接、第二端接地的滤波电容。

优选地，所述滤波电容的容值为0.1uF。

优选地，所述电压跟随器还包括第一端与所述电阻分压电路的输出端连接、第二端与所述运算放大器的正相输入端连接、用于限流的第三电阻。

优选地，所述第三电阻的阻值为10kΩ。

优选地，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值为100Ω。

本发明提供了一种DDR4 DIMM的VREF供电电路，包括电阻分压电路，用于输出初始参考电压；与电阻分压电路的输出端连接的电压跟随器，用于对初始参考电压进行电压跟随得到参考电压VREF。可见，本发明在电阻分压电路的基础上还增加了一个电压跟随器，电压跟随器使得VREF供电电路的输出阻抗降低，驱动电流增大，驱动能力增强，抗干扰能力增加，从而提高了DDR4 DIMM的VREF供电电路的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为DDR4的输入输出方式原理图；

图2为现有技术中的一种VREF供电电路的结构示意图；

图3为本发明提供的一种DDR4 DIMM的VREF供电电路的结构示意图；

图4为本发明提供的一种DDR4 DIMM的VREF供电电路的具体电路图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种DDR4 DIMM的VREF供电电路，在电阻分压电路的基础上还增加了一个电压跟随器，电压跟随器使得VREF供电电路的输出阻抗降低，驱动电流增大，驱动能力增强，抗干扰能力增加，从而提高了DDR4 DIMM的VREF供电电路的可靠性。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参照图3，图3为本发明提供的一种DDR4 DIMM的VREF供电电路的结构示意图，该VREF供电电路包括：

电阻分压电路1，用于输出初始参考电压；

作为优选地，电阻分压电路1包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1和第二电容C2，第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相等，其中：

第一电阻R1的第一端接主电源VDDQ，第一电阻R1的第二端与第二电阻R2的第一端连接，其公共端作为电阻分压电路1的输出端输出初始参考电压，第二电阻R2的第二端接地；第一电容C1和第一电阻R1并联，第二电容C2和第二电阻R2并联。

可以理解的是，因为需要电阻分压电路1的初始参考电压为主电源VDDQ的1/2。因此，这里要求第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相等，另外，这里的第一电容C1和第二电容C2起到滤波的作用。

作为优选地，第一电阻R1和第二电阻R2的阻值为100Ω。

当然，这里的第一电阻R1和第二电阻R2的阻值还可以为其他数值，本发明在此不做特别的限定，根据实际情况来定。

与电阻分压电路1的输出端连接的电压跟随器2，用于对初始参考电压进行电压跟随得到参考电压VREF。

具体地，请参照图4，图4为本发明提供的一种DDR4 DIMM的VREF供电电路的具体电路图。

本申请中，增加的电压跟随器2用于减小VREF输出阻抗，增加VREF的驱动能力，提高VREF的抗干扰能力，特别适用于DDR4 DIMM这种低电压，高主频，大负载的应用场合。具体地，电压跟随器2起着电流放大的作用，将电阻分压电路1输出的小电流放大成大电流，通过此来增加VREF的驱动能力。

作为优选地，电压跟随器2包括运算放大器21，其中：

运算放大器21的正相输入端与电阻分压电路1的输出端连接，运算放大器21的反相输入端与运算放大器21的输出端连接，运算放大器21的输出端作为电压跟随器2的输出端输出参考电压VREF。

由于运算放大器21的特点，由它实现的电压跟随器2可以显著降低VREF的输出阻抗，提高驱动能力，增强VREF的抗干扰能力就，比普通的电阻分压方式提供的VREF更适合于DDR4 DIMM的使用环境。

当然，这里的电压跟随器2还可以采用其他方式来实现，例如用MOS管来实现，本发明在此不做特别的限定，根据实际情况来定。

作为优选地，电压跟随器2还包括第一端与电压跟随器2的输出端连接、第二端接地的滤波电容C3。

作为优选地，滤波电容C3的容值为0.1uF。

作为优选地，电压跟随器2还包括第一端与电阻分压电路1的输出端连接、第二端与运算放大器21的正相输入端连接、用于限流的第三电阻R3。

作为优选地，第三电阻R3的阻值为10kΩ。

为了保证运算放大器21的安全，本发明还在运算放大器21的正相输入端的前端加入用于限流的第三电阻R3。

这里的第三电阻R3的阻值可以为10kΩ，当然，还可以为其他数值，本发明在此不做特别的限定，根据实际情况来定。

本发明提供了一种DDR4 DIMM的VREF供电电路，包括电阻分压电路，用于输出初始参考电压；与电阻分压电路的输出端连接的电压跟随器，用于对初始参考电压进行电压跟随得到参考电压VREF。可见，本发明在电阻分压电路的基础上还增加了一个电压跟随器，电压跟随器使得VREF供电电路的输出阻抗降低，驱动电流增大，驱动能力增强，抗干扰能力增加，从而提高了DDR4 DIMM的VREF供电电路的可靠性。

需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。