硬盘恒温加热装置的制作方法

本实用新型涉及温度采样硬件模块、硬盘加热硬件模块，具体是一种硬盘恒温加热装置。

背景技术：

硬盘(大容量存储设备)作为一种存储设备，或存储了重要的数据，或存储了操作系统，在一些设备中，如果硬盘不能正常工作，则整个系统也无法正常运行。所以在一个需要硬盘工作的系统中，我们必须设法保护硬盘，使其稳定可靠的工作。

通过我们大量设备的运行情况可得知，硬盘工作受温度的影响特别大，在中国北方或者俄罗斯等北方国家冬天的温度可能会达到零下20℃，然而硬盘的安全工作温度在0～60摄氏度，如果在低温的情况下使用硬盘可能出现以下故障：

1.系统初始启动，硬盘初始化失败，无法工作。

2.系统运行时工作不稳定，经常丢失数据，出现系统死机等现象。

技术实现要素：

针对现有技术中的缺陷，本实用新型目的在于提供一种提高硬盘工作的稳定性的硬盘恒温加热装置。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种硬盘恒温加热装置，包括：单片机；温度传感器，所述温度传感器设置在硬盘上，所述温度传感器通过I/O线与所述单片机连接；加热机构，所述加热机构设置在硬盘上，所述加热机构与所述单片机连接；其中所述加热机构包括：三极管Q14，所述三极管Q14的基极与所述单片机连接；场效应晶体管U31，所述场效应晶体管U31的栅极与所述三极管Q14的集电极连接，所述场效应晶体管U31的源极连接系统电源，所述场效应晶体管U31的漏极与所述加热电源连接。

优选地，所述加热机构包括电阻R308，所述电阻R308的一端与所述单片机连接，所述电阻R308的另一端与所述三极管Q14的基极连接。

优选地，所述加热机构包括电阻R309，所述电阻R309的一端与所述三极管Q14的基极连接，所述电阻R309的另一端接地。

优选地，所述加热机构包括电阻R310，所述电阻R310的一端与所述三极管Q14的集电极连接，所述电阻R310的另一端与所述场效应晶体管U31的栅极连接。

优选地，所述加热机构包括电阻R307，所述电阻R307的一端与所述场效应晶体管U31的栅极连接，所述电阻R308的另一端与所述场效应晶体管U31的源极连接。

优选地，所述场效应晶体管U31的型号为NTMS4176PR2G。

优选地，所述单片机的型号为新唐NUC100RDN1。

优选地，所述温度传感器采用DS18B20模块。

优选地，所述三极管Q14的型号为MMBT3904。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：使系统硬盘(存储设备)工作在安全的温度范围，提高系统的稳定性。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征目的和优点将会变得更明显。

图1为本实用新型硬盘恒温加热装置原理图；

图2为本实用新型硬盘恒温加热装置加热机构原理图。

图中：

1-温度传感器 2-硬盘 3-加热机构

4-单片机。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变化和改。

如图1、图2所示，本实用新型提供一种硬盘2恒温加热装置，包括：单片机4；温度传感器1，温度传感器1设置在硬盘2上，温度传感器1通过I/O线与单片机4连接；加热机构3，加热机构3设置在硬盘2上，加热机构3与单片机4连接；其中加热机构3包括：三极管Q14，三极管Q14的基极与单片机4连接；场效应晶体管U31，场效应晶体管U31的栅极与三极管Q14的集电极连接，场效应晶体管U31的源极连接系统电源，场效应晶体管U31的漏极与加热电源连接。加热机构3包括电阻R308，电阻R308的一端与单片机4连接，电阻R308的另一端与三极管Q14的基极连接。加热机构3包括电阻R309，电阻R309的一端与三极管Q14的基极连接，电阻R309的另一端接地。加热机构3包括电阻R310，电阻R310的一端与三极管Q14的集电极连接，电阻R310的另一端与场效应晶体管U31的栅极连接。加热机构3包括电阻R307，电阻R307的一端与场效应晶体管U31的栅极连接，电阻R308的另一端与场效应晶体管U31的源极连接。场效应晶体管U31的型号为NTMS4176PR2G。单片机4的型号为新唐NUC100RDN1。温度传感器1采用DS18B20模块。

单片机4为是新唐NUC100RDN1，单片机4模块主要用来采集硬盘2的温度，负责硬盘2的加热，并在温度达到安全值得时候打开主系统运行，在硬盘2正常工作中保持硬盘2温度的恒定。

温度传感器1是DS18B20模块，通过一根IO线连接到单片机4，根据1-wire协议和单片机4之间进行通信。

加热机构3是硅橡胶加热片，其特点是可以贴在硬盘2背面上，实现均匀加热，并且其加热功率根据输入电压不同可调，故而通过单片机4的PWM引脚来控制输入电压，达到加热功率可调，实现恒温功能。

具体流程：加热硅胶贴在硬盘2的一面，温度传感器1贴在硬盘2的另一面。单片机4定时通过PC0脚采用1-wire协议采集温度传感器1温度，从而得知硬盘2当前的温度。当温度低于安全温度时，打开PWM(1K频率)引脚信号加热硬盘2，当检测到温度过高时关闭PWM，或者降低PWM的占空比，调节加热硅胶的输出功率。在PWM占空比高电平时，通过R308、R309限流接入三极管Q14的基极，打开三极管，此时开关三极管Q14导通，CMOSU31栅极经过R307和R310分压为低电平，此时U31处于导通状态，加热模块开始加热。在PWM占空比低电平时，通过R308、R309限流接入三极管Q14的基极，关闭三极管，此时开关三极管Q14截止，CMOSU31栅极经过R307和R310分压为高电平，此时U31处于截止状态，加热模块不工作。在定时采集温度传感器1的同时，通过调节单片机4PWM引脚的占空比来控制加热模块的输出功率，可以起到使硬盘2工作在安全温度范围，提高系统的安全性，减低系统启动故障。

以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本实用新型的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。