技术特征:
技术总结
一种用于操作存储系统的方法,所述存储系统包括随机访问存储器RAM和三维非易失性存储器,所述三维非易失性存储器包括页缓冲器和布置在第一行中并被配置为将第一页数据和第二页数据存储为多比特数据的多级存储单元,所述方法包括:擦除第一行的多级存储单元;从外部设备接收第一页数据和第二页数据;将第一页数据存储到RAM;将第二页数据存储到RAM;将第一页数据加载到页缓冲器;将第二页数据加载到页缓冲器;以及通过将存储在页缓冲器中的第一页数据和存储在页缓冲器中的第二页数据同时编程到所述第一行的经擦除的多级存储单元,来执行对多比特数据的一次性编程过程。
技术研发人员:全昺熙;郭东勋
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:2013.05.06
技术公布日:2017.08.25