一种减弱芯片和存储器之间的辐射强度的方法与流程

文档序号:13474228阅读:525来源:国知局
一种减弱芯片和存储器之间的辐射强度的方法与流程
本发明涉及芯片电路领域,尤其涉及一种减弱芯片和存储器之间的辐射强度的方法。
背景技术
:在soc芯片(集成电路的芯片)与ddr存储器(双倍速率同步动态随机存储器)之间一般连接有信号线,具体包括指令线、地址线以及数据线。指令线、地址线对应的指令信号、地址信号以及数据线的数据都是同时从soc芯片输出,因此对电源供电能力要求高,并且由此产生的高能量信号会辐射到空间,导致辐射发射超标或者余量不足。为了克服以上缺陷现有的做法是加强芯片电源面积和增加电源电容,在信号线上串联电阻,增加屏蔽罩。而上述的这些做法存在以下缺陷,对电源性能要求高,需要增加走线空间,以及需增加滤波电容;ddr走线面积增大pcb(印制电路板)无法适合小结构;增加屏蔽罩成本。技术实现要素:针对现有技术中芯片与存储器之间的信号线传输信号时存在的上述问题,现提供一种旨在减少电源端高频电流的需求,减少存储器电源部分的电容数量,避免瞬态电流过大,导致芯片内部的电源地陷现象,减少存储器产生高能量信号辐射到空间的减弱芯片和存储器之间的辐射强度的方法。具体技术方案如下一种减弱芯片和存储器之间的辐射强度的方法,其中,包括,芯片与存储器,所述芯片与所述存储器之间通过信号线进行连接,所述信号线包括多个数据线、多个地址线以及多个指令线连接;具体包括以下步骤:将所述多个数据线根据数据位顺序均分为m组第一类信号线组;将所述多个指令线以及多个地址线根据指令位及地址位的顺序均分为n组第二类信号线组;所述芯片通过n组第二类信号线组,按照第二类信号线组的顺序传输指令信号及地址信号至所述存储器,每组所述第二类信号线之间具有一第一预定时间的传输间隔;所述芯片通过m组第一类信号线组,按照第一类信号线组的顺序传输数据至所述存储器,每组所述第一类信号线之间具有一第二预定时间的传输间隔。优选的,每个所述信号线上均设置有电容负载。优选的,所述电容负载为15pf。优选的,所述信号线的传输电压为1.5v。优选的,将所述电容负载从0v驱动至所述传输电压所需的时间值为0.8ns。优选的,所述数据线总共设置有32根,和/或m=4。优选的,所述地址线总共设置有16根以及所述指令线有8根,和/或n=3。优选的,所述存储器为双倍速率同步动态随机存储器。优选的,所述芯片为soc芯片。优选的,每组第一类信号线数量为8根,和/或每组第二类信号线数量为8根。上述技术方案具有如下优点或有益效果:可减少电源端高频电流的需求,减少存储器电源部分的电容数量,避免瞬态电流过大,导致芯片内部的电源地陷现象,减少存储器产生高能量信号辐射到空间,克服了现有技术中通过在信号线上串联电阻,增加屏蔽罩,存在的需要增加滤波电容,存储器走线面积增大pcb(印制电路板)无法适合小结构;增加屏蔽罩带来成本上升的问题。附图说明参考所附附图,以更加充分的描述本发明的实施例。然而,所附附图仅用于说明和阐述,并不构成对本发明范围的限制。图1为现有的soc芯片与存储器之间的传输指令信号、地址信号以及数据的结构示意图;图2为本发明中一种减弱芯片和存储器之间的辐射强度的方法的实施例中,soc芯片与存储器之间指令信号、地址信号以及数据的传输方式。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,但不作为本发明的限定。本发明包括一种减弱芯片和存储器之间的辐射强度的方法,其中,包括,芯片与存储器,芯片与存储器之间通过信号线进行连接,信号线包括多个数据线、多个地址线以及多个指令线连接;具体包括以下步骤:将所述多个数据线根据数据位顺序均分为m组第一类信号线组;将所述多个指令线以及多个地址线根据指令位及地址位的顺序均分为n组第二类信号线组;所述芯片通过n组第二类信号线组,按照第二类信号线组的顺序传输指令信号及地址信号至所述存储器,每组所述第二类信号线之间具有一第一预定时间的传输间隔;所述芯片通过m组第一类信号线组,按照第一类信号线组的顺序传输数据至所述存储器,每组所述第一类信号线之间具有一第二预定时间的传输间隔。针对现有技术中,芯片输出地址信号指令信号以及数据信号电源供电能力要求高,并且直接产生高能量信号辐射到空间,导致辐射发射超标或者余量不足测问题,采用加强芯片电源面积和增加电源电容,在信号线上串联电阻,增加屏蔽罩,导致对电源性能要求高,需要增加走线空间,需要增加滤波电容;ddr走线面积增大pcb(印制电路板)无法适合小结构;增加屏蔽罩成本的问题。本发明中,通过将所有的地址线以及指令线按照数据位由低至高的顺序据分为n组第二类信号线组,芯片按照一第一预定时间的传输间隔按照由低至高的数据位,对每组第二类信号线的地址信号以及指令信号进行传输;通过将所有的数据线按照数据位由低至高的顺序分为m组第一类信号线组,芯片按照一第二预定时间的传输间隔,按照由低至高的数据位,对每组第一类信号线的数据进行传输,其中第一预定时间的传输间隔可选择为1/20~1/10的ddr时钟周期,第二预定时间周期的传输间隔可选择为1/20~1/10的ddr时钟周期。上述技术方案中,克服了现有技术中对芯片电源供电能力要求高,以及产生高能量的辐射到空间的问题。在一种较优的实施方式中,每个信号线上均设置有电容负载在一种较优的实施方式中,电容负载为15pf。在一种较优的实施方式中,芯片的输出电压为1.5v。在一种较优的实施方式中,将电容负载从0v驱动至芯片的输出电压所需的时间值为0.8ns。在一种较优的实施方式中,数据线总共可设置有32根,此时第一类信号线组可选择为4组。在一种较优的实施方式中,m组第一类信号线组,其中m=4。在一种较优的实施方式中,地址线和指令线可设置有24根,此时第二类信号线组可选择为3组。在一种较优的实施方式中,n组第二类信号线组,n=3。在一种较优的实施方式中,存储器为双倍速率同步动态随机存储器。在一种较优的实施方式中,芯片为soc芯片。在一种较优的实施方式中,每组第一类信号线数量为8根。在一种较优的实施方式中,每组第二类信号线数量为8根。以下以一种具体的实施例进行说明,如图1所示,假设数据线3设置为32根,地址线4为16根,指令线5为8根;现有技术中需要同时指令线5以及地址线4需要同时输出指令信号以及地址信号,soc芯片1的传输电压在1.5v,单根信号线的电容负载为15pf,将电容负载从0v驱动至芯片1的1.5v所需的时间值为0.8ns;单根信号线所需的电流为,i=cload*(dv/dt)=15pf*(1.5v/0.8ns)=28ma;cload表示电容负载;16根地址线4以及8根指令线5同时输出地址信号以及指令信号所需的电流为,28ma*24=0.672a;32根数据线3同时输出数据所需的电流为,28ma*32=0.896a;芯片1的传输电压从0v上升至1.5v,数据线3从电源系统出所需的电流最大,此时计算所需的退耦电容的电容量如下:c=i×(dt/dv)=0.896a×(0.8ns/50mv)=14.33nf;其中,c表示退耦电容的电容量,i表示激活信号线的所需的电流值,dt表示将电容负载从0v驱动至芯片1的传输电压所需的时间值,dv表示芯片1的传输电压。因此我们应在靠近电源脚上设置一个15nf和220pf并联的电容,并上一个小电容的原因是考虑其自身的自谐振频率对高频信号的滤波性能。电容器在高频时相当于一个电阻,电感,电容的串联。此时其本身有个谐振频率点,当被滤波处的频率高于其谐振频率时,电容器的阻抗就变成了感性,不能起到滤波作用。ddr的工作频率在1000mhz左右所以选用15pf电容。电容谐振频率表电容值dip(mhz)smt(mhz)1.0μf2.550.1μf8160.01μf25501000pf80160100pf25050010pf8001600如图2所示,而本发明soc芯片1按照第一类信号线组的顺序传输数据至存储器2,每组第一类信号线之间具有一第二预定时间的传输间隔;soc芯片1的传输电压从0v上升至1.5v时,地址信号线以及指令线5输出的电流为,28ma*24*1/3=0.224a;其中的1/3指的是,原来的8根指令线5和16根地址线4,按照8根分为三组第一类信号线,每一组的输出电流较原来的8根指令线和16根地址线同时输出的输出电流,只需原来24根同时输出的输出电流即0.672a的三分之一。soc芯片1按照第二类信号线组的顺序传输指令信号及地址信号至存储器2,每组第二类信号线之间具有一第一预定时间的传输间隔;soc芯片1的传输电压从0v上升至1.5v时,数据线3输出的电流为,28ma*32*1/4=0.224a;其中的1/4指的是,原来的32根数据线3,按照8根分为四组第二类信号线,每一组的输出电流较原来的32根同时输出的输出电流,只需原来32根同时输出的输出电流即0.896a的四分之一。由此可见,采用本发明中的方法可减少芯片1电源端的高频电流需求,将原数据线3需要的电流降低为原来的四分之一,将原地址线4以及指令线5需要的电流降低为原来的三分之一,克服了现有技术中通过在信号线上串联电阻,增加屏蔽罩,存在的需要增加滤波电容,存储器2走线面积增大pcb(印制电路板)无法适合小结构;增加屏蔽罩待来成本上升的问题。以上所述仅为本发明较佳的实施例,并非因此限制本发明的实施方式及保护范围,对于本领域技术人员而言,应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案,均应当包含在本发明的保护范围内。当前第1页12
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