单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法与流程

技术总结
本发明涉及单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法，通过调节晶体管参数来确定SRAM单元上电后的初值，确保电路的状态的稳定性，增强电路的可靠性的设计。本发明可以实现CMOS器件六管结构的SRAM单元伴随电源上电而确定固定初始态的作用。实现带有该SRAM单元的大规模集成电路内部线网建立明确的电位，提升器件的可靠性、稳定性。

技术研发人员：李瑞
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十七研究所
技术研发日：2017.12.18
技术公布日：2018.06.12