技术总结
本文中公开了一种电子器件、SRAM单元和SRAM阵列。该电子器件包括位线和互补位线、交叉耦合的第一反相器和第二反相器、耦合在互补位线与第一反相器之间的第一传输门、以及耦合在位线与第二反相器之间的第二传输门。电子器件还包括交叉耦合的第三反相器和第四反相器、耦合在互补位线与第三反相器之间的第三传输门、以及耦合在位线与第四反相器之间的第四传输门。第一、第二和第四反相器在电源节点与参考节点之间被供电，并且第三反相器在浮置节点与参考节点之间被供电。第一传输门和第三传输门并联耦合。
技术研发人员：H·拉瓦特;A·帕沙克
受保护的技术使用者：意法半导体国际有限公司
技术研发日：2017.11.16
技术公布日：2018.07.10