1.一种平衡位线漏电流的静态存储单元，其特征在于包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、写字线、读字线、读位线、反相读位线、写位线和反相写位线；
所述的第一PMOS管的源极、所述的第二PMOS管的源极、所述的第六NMOS管的漏极和所述的第八NMOS管的漏极连接且其连接端为所述的静态存储单元的电源端，所述的静态存储单元的电源端用于接入电源电压，所述的第一PMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的漏极、所述的第五NMOS管的栅极和所述的第八NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的静态存储单元的反相输出端，所述的第一PMOS管的漏极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第二PMOS管的栅极、所述的第二NMOS管的栅极、所述的第三NMOS管的漏极、所述的第七NMOS管的栅极和所述的第六NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的静态存储单元的输出端，所述的第一NMOS管的源极和所述的第二NMOS管的源极均接地，所述的第三NMOS管的栅极、所述的第四NMOS管的栅极和所述的写字线连接，所述的第三NMOS管的源极和所述的写位线连接，所述的第四NMOS管的源极和所述的反相写位线连接，所述的第五NMOS管的漏极、所述的第六NMOS管的源极和所述的反相读位线连接，所述的第五NMOS管的源极、所述的第七NMOS管的源极和所述的读字线连接，所述的第七NMOS管的漏极、所述的第八NMOS管的源极和所述的读位线连接，所述的第一NMOS管、所述的第二NMOS管、所述的第三NMOS管和所述的第四NMOS管均为普通阈值的NMOS管，所述的第一PMOS管和所述的第二PMOS管均为低阈值的PMOS管，所述的第五NMOS管、所述的第六NMOS管、所述的第七NMOS管和所述的第八NMOS管均为低阈值的NMOS管。
2.根据权利要求1所述的一种平衡位线漏电流的静态存储单元，其特征在于所述的电源电压为0.3V。