技术总结
本发明公开了一种平衡位线漏电流的静态存储单元，其特征在于包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、写字线、读字线、读位线、反相读位线、写位线和反相写位线，第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管均为普通阈值的NMOS管，第一PMOS管和第二PMOS管均为低阈值的PMOS管，第五NMOS管、所述的第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管均为低阈值的NMOS管；优点是在低工作电压条件下，读取操作速度快，功耗较低，且稳定性较高。
技术研发人员：汪鹏君;周可基;张跃军;张会红
受保护的技术使用者：宁波大学
技术研发日：2018.01.03
技术公布日：2018.07.10