单元电压累积放电的制作方法
交叉参考
本专利申请案主张2018年5月9日提交的标题为“单元电压累积放电(cellvoltageaccumulationdischarge)”的美国专利申请案第15/975,624号的优先权，所述专利申请案转让给本发明的受让人且以全文引用的方式明确并入本文中。
技术领域涉及单元电压累积放电。
背景技术：
以下通常涉及操作存储器阵列，且更具体地单元电压累积放电。
存储器装置广泛用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置具有两种状态，通常用逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储多于两个状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。
存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等。存储器装置可为易失性或非易失性。即使在没有外部电源的情况下，非易失性存储器(例如，feram)也可维持其所存储的逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如，dram)可能随时间丢失其存储状态，除非其被外部电源周期性地刷新。feram可使用与易失性存储器类似的装置架构，但由于使用铁电电容器作为存储装置，因此可能具有非易失性性质。因此，与其它非易失性及易失性存储器装置相比，feram装置可具有改进的性能。
通常，除其它度量外，改进存储器装置通常还可包含增加存储器单元密度、增加读/写速度、增加可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本。存储器架构或操作的改进可针对与使铁电存储器单元放电相关联的功率功率消耗相关的问题。
技术实现要素：
本发明描述一种方法。所述方法可包含通过去激活与多个第一存取线耦合的多个第一开关组件来将含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离，所述多个第一存取线与所述含多个区段的存储体的所述第一铁电存储器单元区段及所述第二铁电存储器单元区段耦合。所述方法可进一步包含通过在隔离所述第一铁电存储器单元区段之后将电压从电压源施加到所述第一铁电存储器单元区段来激活所述第一铁电存储器单元区段的每一铁电存储器单元的存取装置。
本发明描述另一方法。所述方法可包含确定已对存储体的第一铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目，且至少部分地基于确定存取操作的所述数目将所述存储体的所述第一铁电存储器单元子集与第二铁电存储器单元子集隔离。所述方法可进一步包含至少部分地基于隔离所述第一铁电存储器单元子集来激活所述第一铁电存储器单元子集中的每一存储器单元的存取装置。
本发明描述一种设备。所述设备可包含铁电存储器单元的存储体，所述存储体包括多个区段，每一区段与多个第一存取线中的至少一者耦合；及多个第一开关组件，每一第一开关组件与和所述复数个第一存取线耦合的多个存取线驱动器中的一者耦合，所述多个第一开关组件经配置以隔离所述多个区段的子集。所述设备可进一步包含电压源，所述电压源与多个区段耦合且经配置以在所述多个区段的所述子集被隔离时激活所述多个区段的所述子集的至少一个铁电存储器单元的存取装置。
本发明描述另一设备。所述设备可包含铁电存储器单元的存储体，其包括与多个第一存取线耦合的多个区段，多个第一开关组件，每一第一开关组件与所述多个第一存取线中的一者耦合，以及电压源，其与所述多个第一存取线耦合。所述设备可进一步包含与铁电存储器单元的所述存储体耦合的存储器控制器。所述存储器控制器可经配置以起始将第一铁电存储器单元区段与所述同一存储体的第二铁电存储器单元区段隔离，及起始向所述第一铁电存储器单元区段施加电压，其中至少部分地基于起始施加所述电压而激活所述第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。
附图说明
图1说明根据本发明的实例的支持单元电压累积放电的存储器阵列的实例。
图2说明根据本发明的实例的支持单元电压累积放电的实例电路。
图3到5说明根据本发明的实例的支持单元电压累积的实例设备图。
图6a及6b说明根据本发明的实例的支持单元电压累积放电的实例装置及电路。
图7展示根据本发明的实例的支持单元电压累积放电的装置的框图。
图8说明根据本发明的实例的包含支持单元电压累积放电的铁电存储器单元的区段的系统的框图。
图9到12说明根据本发明的实例的用于单元电压累积放电的方法。
具体实施方式
在铁电存储器单元的存储体中，(例如，铁电存储器单元的存储体的)一或多个区段内的存储器单元可通过将电压施加到与含有存储器单元的一或多个区段的一或多个存取线而被存取。
在一些实例中，可能期望存取区段的一个存储器单元或存储器单元的子集。换句话说，可对小于特定区段中的存储器单元的总量的多个存储器单元执行存取操作。因此，在存取操作期间，区段中的一些存储器单元可保持在非活动(例如，“关闭”)状态，而区段中的其它单元可被激活。当存取区段中的特定存储器单元子集时，将电压施加到存取线，且将对应的电荷存储在与所存取的单元相关联的电容器处。尽管一些存储器单元在存取操作期间处于非活动状态，但施加到共用存取线的电压可能干扰非活动单元。具体地，非预期电荷可存储在非活动单元的电容器处，这可被称作为单元泄漏。随着时间，单元泄漏可能导致一或多个存储器单元被破坏。因此，可能需要平衡所有非活动存储器单元(例如，到0v)以防止单元泄漏。通过隔离存储器单元的一或多个区段并将电压施加到与隔离区段的每一单元耦合的存取线，可平衡一或多个区段内的每一存储器单元。因此，此操作可能不需要对与存储器阵列相关联的驱动器进行任何实质性改变，且可能需要更少的控制线来使非活动存储器单元放电。使用相同的驱动器结构及更少的控制线可导致存储器阵列的功率消耗降低。
在第一实例中，可将第一铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离。这些区段可例如，通过激活一或多个开关组件来隔离，所述开关组件与一或多个存取线耦合，所述一或多个存取线与第一区段及第二区段耦合或为其所共用。当经隔离时，可激活第一区段中的每一存储器单元的存取装置。可例如通过将电压(例如，来自电压源)施加到与第一隔离区段耦合的存取线来激活存取装置。在激活存取装置时，可使与区段中的每一存储器单元相关联的电容器放电。因此，隔离区段中的每一存储器单元可经平衡(例如，设置为电压，例如ov)。通过平衡(例如，均衡)单元，可防止或至少延迟单元的损坏，同时存储器阵列可使用更少的功率。
在其它实例中，铁电存储器单元的多个区段可同时经隔离。例如，可隔离铁电存储器单元的第二区段及第三区段。如上文所述，区段可通过激活一或多个开关组件来隔离，一或多个开关组件与一或多个存取线耦合，所述一或多个存取线与所述区段耦合或为其所共用。当经隔离时，可通过向与隔离区段耦合的一或多个存取线施加电压来激活经隔离区段中的每一存储器单元的存取装置。在激活每一存取装置时，可使与每一存储器单元相关联的电容器放电，如上文所描述，这可防止或至少延迟单元的损坏。
上文所介绍的本发明的特征在下文在图1的上下文中的示范性存储器阵列进一步描述。然后，在图2的上下文中描述一或多个电路的实例。在图3到5的上下文中描述一或多个存储器装置的具体实例。参考图6a及6b的装置及电路图进一步说明及描述了本发明的这些及其它特征，以及图7和8的设备及系统图，以及图9到12的关于单元电压累积放电的流程图。
图1说明根据本发明的各种实例的实例存储器阵列100。存储器阵列100还可被称作为电子存储设备。存储器阵列100包含可编程以存储不同状态的存储器单元105。每一存储器单元105可为可编程以存储两个状态，表示为逻辑0及逻辑1。在一些状况下，存储器单元105经配置以存储多于两个的逻辑状态。存储器单元105可将表示可编程状态的电荷存储在电容器中；例如，充电及不充电电容器可分别代表两个逻辑状态。dram架构通常可使用此设计，且所采用电容器可包含作为绝缘体的具有线性或顺电电极化性质的电介质材料。相反，铁电存储器单元可包含具有铁电体作为绝缘材料的电容器。铁电电容器的不同电荷水平可表示不同逻辑状态。铁电材料具有非线性极化特性；下面论述铁电存储器单元105的一些细节及优点。
可通过激活或选择存取线110及数字线115对存储单元105执行例如读取及写入的操作。存取线110也可被称作为字线110，且位线115也可被称作为数字线115。对字线及危险或其类似物的提及为可互换而不损失理解或操作。激活或选择字线110或数字线115可包含向相应的线施加电压。字线110及数字线115可由导电材料例如金属(例如，铜(cu)、铝(al)、金(au)、钨(w)等)、金属合金、碳、导电掺杂的半导体，或其它导电材料、合金、化合物，或类似物制成。
根据图1的实例，每行存储器单元105与单个字线110耦合，且每列存储器单元105与单个数字线115耦合。通过激活一个字线110及一个数字线115(例如，对字线110或数字线115施加电压)，可在其交叉点处存取单个铁电存储器单元105。存取铁电存储器单元105可包含读取或写入存储器单元105。
存储器阵列100可为二维(2d)存储器阵列或三维(3d)存储器阵列。3d存储器阵列可包含彼此重叠形成的二维(2d)存储器阵列。与2d阵列相比，这可增加可在单个裸片或衬底上放置或形成的存储器单元的数目，这反过来可降低生产成本或提高存储器阵列的性能，或两者。存储器阵列100可包含任何数目个级别。可对准或定位每一级别，使得存储器单元105可跨越每一级别彼此大致对准。
存储器单元105中的每一行可与单个字线110耦合，且存储器单元105中的每一列可与单个数字线115耦合。在图1中所描绘的实例中，存储器阵列100包含一个/两个电平的存储器单元105且因此可被认为是二维/三维存储器阵列；然而，级别的数目不受限制。通过激活一个字线110及一个数字线115(例如，将电压施加到字线110或数字线115)，可在其交叉点处存取单个铁电存储器单元105。另外，例如，在3d存储器阵列中，行中的每一级别可具有共用导线，使得每一级别可共享字线110或数字线115或包含单独的字线110或数字线115。
因此在3d配置中，可激活相同电平的一个字线110及一个数字线115以在其交叉点处存取单个铁电存储器单元105。以2d或3d配置的字线110及数字线115的交叉点可被称作为存储器单元的地址。
在一些架构中，单元的逻辑存储装置，例如，电容器，可通过选择组件与数字线电隔离。字线110可与选择组件耦合并可控制选择组件。例如，选择组件可为晶体管，且字线110可与晶体管的栅极耦合。激活字线110导致存储器单元105的电容器与其对应的数字线115之间的电连接或闭合电路。然后可存取数字线以读取或写入存储器单元105。
在一些实例中，铁电存储器单元(例如，存储器单元105)的一或多个区段可与字线110耦合。如上文所述，每一存储器单元可包含电容器，且激活字线110可导致激活的存储器单元与其对应的数字线115之间的电连接。当存取区段中的一或多个存储器单元时，施加到字线110的电压可能干扰不活动的单元。因此，使区段的存储器单元周期性地放电以防止一或多个单元被破坏可能为有益的。
在一些实例中，铁电存储器单元的区段可与多个第一存取线(例如，字线110)接触。多个第一存取线可包含多个第一开关组件，使得可隔离一或多个区段。在其它实例中，多个第一存取线可包含多个第二开关组件。因此，在一些实例中，可去激活第一多个开关组件及第二开关组件的组合以隔离一或多个特定区段。例如，通过激活第一多个开关组件(与激活第二多个开关组件一起或分开)，可将第一铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离。在隔离所述区段时，可将电压施加到所述区段分以激活每一存储器单元的存取装置。激活存取装置可能导致每一铁电存储器单元的电容器被放电。此操作可平衡至少一些或在一些状况下平衡区段内的每一单元，且防止单元由于相应电容器的过度充电而被破坏或受到影响。可使用存储器阵列100的现有存取线来实施此操作，这可导致降低的功率消耗以使单元放电。可存在其它线(图1中未展示)。例如，板线，至少参考本文中图2更详细地描述，可耦合到存储器单元105。
存取存储器单元105可通过行解码器120、列解码器130及在一些状况下板线解码器(未展示)控制。例如，行解码器120可从存储器控制器140接收行地址，且基于所接收的行地址来激活适当的字线110。类似地，列解码器130从存储器控制器140接收列地址并激活适当的数字线115。例如，存储器阵列100可包含多个字线110(经标记为wl_1到wl_m)及多个数字线115(经标记为dl_1到dl_n)，其中m及n取决于阵列大小。因此，通过激活字线110及数字线115(例如，wl_2及dl_3)，可存取其交叉点处的存储器单元105。另外或替代地，如上文所描述，字线110wl_1到wl_m中的每一者可包含多个第一开关组件。可激活多个第一开关组件以隔离存储器单元的一或多个区段。通过隔离存储器单元的区段，可使所述区段的每一铁电存储器单元的电容器放电。
在存取时，存储器单元105可被感测组件125读取或感测以确定存储器单元105的所存储状态。例如，在存取存储器单元105之后，存储单元105的铁电电容器可对其对应数字线115放电。使铁电电容器放电可能是由对铁电电容器加偏压或施加电压引起的。放电可造成数字线115的电压的改变，所述感测部件125可比较参考电压(未展示)，以便确定存储器单元105的存储状态。例如，如果数字线115具有高于参考电压的电压，那么感测组件125可确定存储器单元105中存储的状态为逻辑1，且反之亦然。感测组件125可包含各种晶体管或放大器，以便检测及放大信号中的差异，此可被称作为锁存。然后，可通过列解码器130将所检测到的存储器单元105的逻辑状态作为输出135。在一些状况下，感测组件125可为列解码器130或行解码器120的部分。或者，感测组件125可与列解码器130或行解码器120耦合或进行电子通信。
存储器单元105可经设置，或写入，通过类似地激活相关的字线110及位线115—即，逻辑值可被存储在存储器单元105中。列解码器130或行解码器120可接受数据，例如输入/输出135，以写入到存储器单元105。可通过跨越铁电电容器施加电压来写入铁电存储器单元105。下文更详细地论述此过程。
在一些存储器架构中，存取存储器单元105可降级或破坏所存储的逻辑状态，且可执行重写或刷新操作以返回原来的逻辑状态到存储器单元105。例如，在dram中，电容器可在感测操作期间部分或完全放电，从而破坏所存储的逻辑状态。因此，可在感测操作之后重写逻辑状态。另外，激活单个字线110可导致行中所有存储器单元的放电；因此，所述行中的几个或所有存储器单元105可能需要经重写。在一些实例中，如上文所描述，在存取操作期间可将非预期的电荷存储在非活动单元的电容器处，这可能随时间使单元降级。因此，通过周期性地隔离存储器单元的区段并使与每一单元相关联的电容器放电，可延长或防止单元的降级。另外，存储器阵列100可通过使用现有存取线进行此操作来利用更少的功率。
一些存储器架构(包含dram)可能随时间丢失其存储状态，除非其被外部电源周期性地刷新。例如，充电电容器可能通过泄漏电流随时间放电，导致存储信息的丢失。这些所谓的易失性存储装置的刷新速率可相对高，例如，每秒几十刷新操作用于dram阵列，此可能导致在显著功率消耗。随着越来越大的存储器阵列，增加的功率消耗可能抑制存储器阵列的部署或操作(例如，电源、发热、材料的限制，等)，特别对依赖有限电源(例如电池)的移动装置。如下文所论述，铁电存储器单元105可具有有益性质，其可导致相对于其它存储器架构的改进性能。例如，与其它放电操作相比，周期性地隔离存储器单元的区段并使用现有存取线使与每一单元相关联的电容器放电可延迟或防止降级，同时消耗更少的功率。
存储器控制器140可通过各种组件(例如，行解码器120、列解码器130及感测组件125)控制存储器单元105的操作(例如，读取、写入、重写、刷新、放电，等)。在一些状况下，行解码器120、列解码器130及感测组件125中的一或多者可与存储器控制器140共同定位。存储器控制器140可产生行及列地址信号，以便激活所要的字线110及数字线115。存储器控制器140还可产生及控制在存储器阵列100的操作期间所使用的各种电压或电流。例如在存取一或多个存储器单元105之后，其可将放电电压施加到字线110或数字线115。通常，本文中所论述的所施加电压或电流的振幅、形状或持续时间可经调整或改变，且可对于操作存储器阵列100中所论述的各种操作而不同。此外，可同时存取存储器阵列100内的一者、多者或所有存储器单元105；例如，可在重设操作期间同时存取存储器阵列100的多个或全部单元，在重设操作中所有存储器单元105或一群组存储器的那样105经设置为单一逻辑状态。
如上文所论述，铁电存储器单元的截面可经隔离，且每一单元的电容器可随后放电。因此，存储器控制器140可在一或多个相关操作中实施或被利用。例如，存储器控制器140可起始将第一铁电存储器单元区段与同一存储体的第二铁电存储器单元区段隔离。在一些实例中，存储器控制器140可开始向第一铁电存储器单元区段施加电压。可至少部分地基于起始施加电压来激活第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。在其它实例中，组件(例如，存储器控制器140)可确定已对第一铁电存储器单元区段执行的存取操作的数目(例如，使用计数器作为一个实例)。在一些实例中，起始隔离第一铁电存储器单元区段可至少部分地基于超过阈值的存取操作的数目。如上所述，隔离铁电存储器单元的区段并使与每一单元相关联的电容器放电可导致存储器阵列100的功率消耗降低。
图2说明根据本发明的各种实例的实例电路200。电路200包含存储器单元105-a、字线110-a、数字线115-a及感测组件125-a，其可分别为存储器单元105、字线110、数字线115及感测组件125的实例，如参考图1所述。存储器单元105-a可包含逻辑存储组件，例如电容器205，其具有第一板(单元板230)及第二板(单元底部215)。单元板230及单元底部215可通过位于其之间的铁电材料电容器耦合。可翻转单元板230及单元底部215的定向而不改变存储器单元105-a的操作。电路200还包含选择组件220及参考线225。可经由板线210存取单元板230，且可经由数字线115-a存取单元底部215。如上文所描述，各种状态可通过充电或放电电容器205来存储。在一些实例中，存储器单元105-a可为铁电存储器单元的区段的一个铁电存储器单元的实例。例如，(例如，存储器阵列的)含多个存储器单元的存储体可包含多个区段，且每一区段可包含多个单元。因此，在一些实例中，字线110-a可与铁电存储器单元的一或多个区段耦合。
可通过操作电路200中表示的各种元件来读取或感测电容器205的存储状态。电容器205可与数字线115-a进行电子通信。例如，当选择组件220被去激活时，电容器205可与数字线115-a隔离，且当选择组件220被激活时，电容器205可与数字线115-a耦合。激活选择组件220可被称为选择存储器单元105-a。在一些状况下，选择组件220为晶体管，且通过向晶体管栅极施加电压来控制其操作，其中电压量级大于晶体管的阈值幅度。字线110-a可激活选择组件220；例如，施加到字线110-a的电压施加到晶体管栅极，将电容器205与数字线115-a耦合。
在其它实例中，可切换选择组件220及电容器205的位置，使得选择组件220连接在板线210与单元板230之间，且使得电容器205在数字线115-a与选择组件220的另一端子之间。在此实例中，选择组件220可保持与数字线115-a到电容器205电子通信。此配置可与用于读取及写入操作的替代定时及偏置相关联。
由于电容器205的板之间的铁电材料，且如下文更详细地论述，电容器205在连接到数字线115-a时可能不放电。在一种方案中，为了感测由铁电电容器205存储的逻辑状态，可对字线110-a加偏压以选择存储器单元105-a，且可将电压施加到平面线210。在一些状况下，数字线115-a在对板线210及字线110-a加偏压之前经以虚拟方式接地且与虚拟接地隔离，其可被称作为“浮动”。对板线210加偏压可能导致跨电容器205的电压差(例如，板线210电压减去数字线115-a的电压)。电压差可产生电容器205上存储电荷的改变，其中存储电荷的变化量级可取决于电容器205的初始状态—例如，初始状态是否存储逻辑1或逻辑0。此可基于存储在电容器205上的电荷引起数字线115-a的电压的改变。通过改变到单元板230的电压来操作存储器单元105-a的操作可被称作为“移动单元板。”
在一些实例中，电容器205可在连接到数字线115-a时放电。如上文所论述，多条存取线(例如，字线110-a)可与多个铁电存储器单元部分耦合。通过激活至少一个开关组件(例如，第一多个开关组件)，第一铁电存储器单元区段可与第二铁电存储器单元区段隔离。例如，存储器单元105-a可包含在隔离的铁电存储器单元的区段中。可将电压施加到存储器单元105-a，致使电容器205放电。在一些实例中，多个存储器单元可同时放电，致使每一存储器单元的电容器被平衡。
数字线115-a的电压的改变可取决于其固有电容。也就是说，当电荷流过数字线115-a时，一些有限电荷可存储在数字线115-a中，且所得到电压取决于固有电容。固有电容可取决于数字线115-a的物理特性，包含尺寸。数字线115-a可连接许多存储器单元105，因此数字线115-a可具有导致不可忽略电容的长度(例如，大约为微微法拉(pf))。然后可通过感测组件125-a将数字线115-a的所得电压与参考(例如，参考线225的电压)进行比较，以便确定存储器单元105-a中的所存储逻辑状态。可使用其它感测过程。
感测组件125-a可包含各种晶体管或放大器，以检测及放大信号中的差异，此可被称作为锁存。感测组件125-a可包含感测放大器，其接收并比较数字线115-a的电压与参考线225(其可以是参考电压)。基于比较，可将感测放大器输出驱动到更高(例如，正)或更低(例如，负或接地)电源电压。例如，如果数字线115-a具有比参考线225更高的电压，那么感测放大器输出可经驱动到正电源电压。在一些状况下，感测放大器可另外将数字线115-a驱动到电源电压。感测组件125-a可然后锁存感测放大器的输出及/或数字线115-a的电压，其可用于确定存储单元105-a中的存储状态，例如，逻辑1。替代地，如果数位线115-a具有比参考线225低的电压，那么感测放大器输出可经驱动到负或接地电压。感测组件125-a可类似地锁存感测放大器输出以确定存储器单元105-a中的存储状态，例如，逻辑0。参考图1，然后可例如通过列解码器130输出存储器单元105-a的锁存逻辑状态作为输出135。
为了写入存储器单元105-a，可跨越电容器205施加电压。可使用各种方法。在一个实例中，可通过字线110-a激活选择组件220，以便将电容器205电连接到数字线115-a。通过控制单元板230(通过板线210)及单元底部215(通过数字线115-a)的电压，可在电容器205上施加电压。为写入逻辑0，单元板230可采取高，即，可将正电压施加到板线210，且单元底部215可采取低，例如，以虚拟方式接地或施加负电压到数字线115-a。执行相反的过程以写入逻辑1，其中单元板230采取低且单元底部215采取高。在一些实例中，跨电容器205施加的电压可源自单个电压源(例如，vdd)。通过隔离铁电存储器单元的区段，可从电压源施加电压以激活隔离区段中的每一存储器单元的存取组件。如上文所描述，施加电压可导致每一电容器放电(例如，放电到接地)，使得隔离区段的每一电容器平衡。
图3说明根据本发明的各种实例的实例存储器装置300。存储器装置300可包含存储体的多个阵列305、310、315、320、325及330。在一些状况下，每一阵列305、310、315、320、325及330可与一组相应的驱动器(例如，驱动器302-a、302-b、302-c、302-d、302-e及302-f)耦合。阵列及相应的一组驱动器(例如，驱动器302-a及阵列305)的组合可被称作为区段。另外或替代地，每一阵列可经由相应的存取线(例如，存取线303-a、303-b、303-c、303-d、303-e及303-f)与一组相应的驱动器耦合。存取线303-a、303-b、303-c、303-d、303-e及303-f中的每一者可为如参考图1所描述的字线110的实例且可与单个驱动器耦合。
在一些实例中，每一驱动器可与负字线(例如，负字线380-a、380-b、380-c、380-d、380-e及380-f)耦合。每一负字线可通过相应的开关组件(例如，开关组件345、350、355、360、365及370)与电压源340(例如，vdd)耦合。另外或替代地，每一阵列(例如，阵列305、310、315、320、325及330)可经由区段启用线382-a、382-b、382-c、382-d、382-e及382-f与一或多个额外阵列隔离。每一区段启用线可经由相应的开关组件(例如，开关组件375-a、375-b、375-c、375-d、375-e及375-f)与负电压源342(例如，vnwl)耦合。例如，阵列310(例如，连同驱动器302-b)可通过去激活开关组件375-b及375-c而与阵列305及315隔离。开关组件375-b及375-c可分别通过区段启用线382-b及382-c去激活。当开关组件375-b及375-c被去激活时，可激活开关组件350以将驱动器302-b与电压源340耦合。当与电压源340耦合时，驱动器302-b可将存取线303-b驱动到vdd，其可导致存储器阵列310的存取装置被激活，从而使与阵列310相关联的存储器单元放电。
如上文所描述，存储器装置300可包含铁电存储器单元的区段(例如，包含阵列315及驱动器302-c的区段)。每一部分可包含铁电存储器单元阵列(例如，多个铁电存储器单元)，其可包含电容器及存取装置。区段中的每一者可与相应的存取线及/或负字线耦合。每一负字线可经由开关组件与电压源340耦合。例如，驱动器302-a可经由开关组件345与电压源340耦合，驱动器302-b可经由开关组件350与电压源340耦合，驱动器302-c可经由开关组件355与电压源340耦合，驱动器302-d可经由开关组件360与电压源340耦合，驱动器302-e可经由开关组件365与电压源340耦合，且驱动器302-f可经由开关组件370与电压源340耦合。为了将电压施加到相应存储器阵列的一或多个存储器单元，可激活及/或去激活一或多个开关组件。例如，为了向阵列305的铁电存储器单元施加电压，可停用开关组件375-a及375-b以将阵列305与负电压源342隔离，且开关组件345可被激活以将负字线380-a与电压源340耦合。在其它实例中，当开关组件375-a及375-b被激活时，且开关组件345被去激活时，阵列305的存储器单元的存取装置可保持在闲置状态。
在一些实例中，至少一些铁电存储器单元可包含电容器(例如，如参考图2所描述的电容器205)及存取装置。如上文所描述，在存取操作期间，可将电压施加到与多个存储器单元(例如，阵列)耦合的存取线。每一存储器单元可包含存取装置，以防止相应的电容器无意地放电(例如，泄漏)到存取线(例如，数字线)上。换句话说，存储器单元可包含存取装置以确保电容器存储期望的电荷。在一些实例中，存取装置可为或可包含晶体管。因此，可通过激活相应的存取装置来放电存储器单元的电容器。
如上文所描述，可能期望使一或多个铁电存储器单元的电容器，以防止与相应单元相关联的数据的降级。在一些实例中，可通过隔离所述区段并释放所述区段内的一或多个单元来放电区段(例如，阵列310及驱动器302-b)的一或多个存储器单元。例如，通过去激活开关组件375-b及375-c，可隔离阵列310(例如，与阵列305及阵列315隔离)。去激活开关组件375-b及375-c可将负字线380-b与负电压源342断开。在一些实例中，可部分地基于去激活多个开关组件(例如，开关组件375-b及375-c)来隔离阵列310。例如，可经由分别经由区段启用线382-b及382-c发射的信号来去激活开关组件375-b及375-c。在其它实例中，阵列310可部分地基于去激活一个开关组件(例如，开关组件375-b或开关组件375-c)而被隔离。在一些实例中，开关组件375-b可包含一或多个开关组件，且开关组件375-c可包含一或多个开关组件。如上文所描述，驱动器302-b可驱动存取线303-b，这可导致阵列310的存取装置保持在“关闭位置”中。因此，通过隔离阵列310(例如，从阵列305及阵列315)，负字线380-b可与电压源340耦合，且可激活阵列310中的每一存储器单元的存取装置。
在一些实例中，存储装置300可并入一或多个驱动器(例如，驱动器302-a及302-c)以确保非隔离区段保持被驱动(例如，相应存储器单元的存取装置保持在闲置状态中)。例如，激活开关组件375-b及375-c可隔离阵列310。因此，阵列305可保持由驱动器302-a驱动，且阵列315可保持由驱动器302-c驱动。因此，当阵列310的存取装置被放电时，阵列305及315的存取装置可保持闲置状态。因此，当隔离一或多个区段时，非隔离区段的存取装置可保持在不活动(例如，“关闭”)位置。因此，如文所描述，并入多个驱动器可确保非隔离区段保持被驱动，同时能够激活一或多个经隔离区段下面及上面的区段。
在隔离阵列310之后，开关组件350可经激活以连接负字线380-b到电压源340。因此，可将电压(例如，vdd)施加到阵列310。电压的施加可激活阵列310的至少一个铁电存储器单元的存取装置。因此，可使阵列310中的每一存储器单元放电(例如，放电到接地)。换句话说，将电压施加到阵列310可导致每一存取装置被激活(例如，处于“开启”位置)。当存取装置处于激活位置时，可使每一存储器单元的电容器放电，导致每一存储器单元平衡到0v。在使单元放电之后，阵列310可通过激活开关组件375-b及375-c以及去激活开关组件350而与负电压源342重新耦合。因此，阵列310的存储器单元可与驱动器302-b耦合(例如，由其驱动)，导致去激活所述区段的每一存取装置(例如，保持在“关闭位置”)。
在其它实例中，多个区段可同时被隔离。例如，存储装置300可包含与多个负字线及多个区段使能线耦合的多个开关组件。因此，每一部分可单独隔离或隔离作为一组区段的部分。例如，阵列310及315可通过去激活直接在阵列310上面的开关组件(例如，在阵列305与阵列310之间)及直接在阵列315下面的开关组件(例如，在阵列315与阵列320之间)来同时隔离。
一旦经隔离，电压(例如，vdd)可通过分别激活开关元件350及355从电压源340施加到阵列310及阵列315。
因此，可将电压(例如，vdd)施加到阵列310及阵列315。电压的施加可激活两个阵列中的每一存储器单元的存取装置。因此，可使阵列310及阵列315中的每一存储器单元放电(例如，放电到接地)。在使单元放电之后，阵列310及阵列315可通过激活先前去激活的开关组件(例如，在阵列305与310及阵列315与320之间)与负电压源342重新耦合。因此，阵列310及315的存储器单元可重新连接驱动器302-b及302-c(例如，由其驱动)，导致区段的每一存取装置被去激活(例如，保持在“关闭位置”)。
图4说明根据本发明的各种实例的实例存储器装置400。存储器装置400可包含存储体的多个阵列405、410、415、420及425。每一阵列可与驱动器(例如，驱动器402-a、402-b、402-c、402-d及402-e)耦合。在一些实例中，每一驱动器可经由字线(例如，字线403-a、403-b、403-c、403-d及403-e)与相应的阵列耦合。另外或替代地，每一驱动器可与相应的负字线耦合(例如，负字线480-a、480-b、480-c、480-d及480-e)，且每一负字线可与相应均衡组件(eq组件；例如，均衡组件445、450、455、460及465)耦合，且每一eq组件可与均衡命令行490耦合。另外或替代地，每一阵列可包含或可与板线(例如，板线482-a、482-b、482-c、482-d及482-e)耦合。如上面参考图3所描述，阵列及相应驱动器(例如，阵列405及驱动器402-a)的组合可被称作为区段。
如上文所描述，驱动器402-a及402-b可分别与存取线403-a及403-b耦合。驱动器402-a及402-b可各自与负字线(例如，负字线480-a及负字线480-b)耦合，且可驱动存取线403-a及403-b，其可为导致特定区段(例如，经驱动区段)的存取装置被去激活(例如，保持在“关闭位置”)。当经去激活时，存取装置可防止相关联的电容器放电。
在一些实例中，存储器装置400的每一阵列可包含一或多个存储器单元(例如，如参考图1所描述的存储器单元105)，其可包含电容器及存取装置。阵列中的每一者可与相应的存取线、相应的驱动器、相应的负字线及相应的eq组件耦合。在一些实例中，每一阵列可包含与相应的eq组件耦合的板线(未展示)。例如，阵列405可与eq组件445耦合，阵列410可与eq组件450耦合，阵列415可与eq组件455耦合，阵列420可与eq组件460耦合，且阵列425可与eq组件465耦合。在一些实例中，相应的eq组件可将电压施加到阵列的一或多个存储器单元。在一些实例中，电压的此施加可基于先前对相应阵列的一或多个存储器单元执行的存取操作的数目。例如，为了将电压施加到阵列405的铁电存储器单元，eq组件445可首先确定已对阵列405的一或多个存储器单元执行阈值数目的存取操作。在其它实例中，存储器控制器(例如，如参考图1所描述的存储器控制器140)可首先确定已对阵列405的一或多个存储器单元执行阈值数目个存取操作。
在一些实例中，每一铁电存储器单元可包含电容器(例如，如参考图2所描述的电容器205)及存取装置。在存取操作期间，将电压施加到与多个存储器单元耦合的存取线。因为每以存储器单元可包含存取装置，且存取装置可确保当处于“关闭位置”时电容器存储期望的电荷，可通过激活(例如，“打开”)相应存取装置来使存储器单元的电容器放电。
在一些实例中，可期望使一或多个铁电存储器单元的电容器放电以防止单元的降级。在一些实例中，可通过隔离所述区段且使所述区段内的一或多个单元放电来使阵列(例如，阵列415)的一或多个存储器单元放电。在一些实例中，可通过在相应eq组件处从均衡命令行490接收的命令来起始一或多个区段的隔离。因此，例如，阵列415及驱动器402-c(例如，包含阵列415及驱动器402-c的区段)可分别由eq组件450及460隔离(例如，与阵列410及阵列420隔离)。
在一些实例中，阵列(例如，阵列415)可基于与所述阵列相关联的存取操作的数目而隔离。例如，与区段相关联的存取操作的相对高数目可指示所述区段的一或多个电容器接近过度充电状态。因此，eq组件或者在一些状况下存储器控制器(例如，如参考图1所描述的存储器控制器140)可监视与阵列关联的存取操作的数目。例如，当在阵列的一或多个存储器单元上发生存取操作时，相应的存取组件可基于操作的发生来递增计数器。在一些实例中，响应于从均衡命令行490接收均衡命令，相应的eq组件可监视与阵列相关联的存取操作的数目。
例如，eq组件455可接收来自均衡命令行490的均衡命令，且随后可确定已对阵列415执行的存取操作的数目。基于存取操作的数目过预定阈值的(例如，在无放电操作的情况下10个存取操作)，eq组件455可隔离阵列415。在其它实例中，eq组件455可发射指示到存储器控制器以隔离阵列415。
在隔离阵列415之后，eq组件455可使与区段中的每一存储器单元耦合的板线(未展示)放电。例如，可使板线放电到与eq组件455相关联(例如，位于其内)的电容器。然后可将存储在电容器处的所得电荷施加到阵列415。由所存储的电荷产生的电压的施加可激活阵列415中的每一存储器单元的存取装置。因此，可使阵列415中的每一存储器单元放电(例如，放电到接地)。
换句话说，将电压施加到阵列415可导致每一存取装置被激活(例如，处于“开启”位置)。当存取装置经激活时，可使每一存储器单元的电容器放电，导致每一存储器单元平衡到0v。在使单元放电之后，阵列415可与负电压源(例如，如参考图3所描述的负电压源342)重新耦合，例如，通过eq组件455激活一或多个开关组件。因此，阵列415的存储器单元可重新连接(例如，由其驱动)到负电压源，导致所述区段的每一存取装置保持在“关闭位置”。
如上文所描述，多个区段可同时被隔离。例如，存储器装置400可包含多个开关组件。因此，通过激活及/或去激活一或多个开关组件，每一区段可经单独隔离隔或离为一组区段的部分。
例如，阵列410及415可分别在eq部件450及455分别接收来自均衡命令行490的均衡命令时经同时隔离。
eq组件450及455可然后去激活直接在阵列410上面的开关组件(例如，在阵列405与阵列410之间)及直接在阵列415下面的开关组件(例如，在阵列415与阵列420之间)。另外或替代地，可去激活直接在阵列410上面(例如，在阵列405与阵列410之间)的开关组件，且可去激活直接在阵列415下面(例如，在阵列415与阵列420之间)的存取组件。此可隔离阵列410及415(例如，从阵列305及阵列320)。
一旦经隔离，eq部件450及455可分别使阵列410及415的板线放电。可使板线放电到与每一eq组件相关联的电容器。然后可将存储在电容器处的所得电荷施加到阵列410及415，以激活每一相应区段的存取装置。因此，可使阵列410及415中的每一存储器单元放电(例如，放电到接地)。在使单元放电之后，阵列410及阵列415可与负电压源重新耦合。因此，阵列410及阵列415的存储器单元可经驱动到相应的电压(例如，vnwl)，导致区段中的每一存取装置保持在“关闭位置”。
图5说明根据本发明的各种实例的实例存储器装置500。存储器装置500可包含eq组件545，其可为如参考图4所描述的eq组件(例如，eq组件445)的实例。在一些实例中，eq组件545可包含计数器505、板放电线510、开关组件激活线515(例如，515-a及515-b)、电压施加线520、电容器525、电压源540、均衡命令行590及信号控制线(未展示)。
如上文所描述，eq组件(例如，eq组件545)可监视与铁电存储器单元的特定阵列相关联的存取操作的数目。例如，eq组件545可监视与一个阵列(例如，如参考图4所描述的阵列415)相关联的存取操作的数目。在一些实例中，可基于与相应区段相关联的存取操作的发生来递增计数器505。因此，可基于计数器达到阈值(例如，一旦发生预定数目的存取操作)来释放区段中的每一存储器单元的存取装置。
在一些实例中，eq组件545可响应于从均衡命令行590接收均衡命令而确定与阵列相关联的存取操作的数目。例如，eq组件545可从均衡命令行590接收均衡命令，且可随后确定已对相应区段执行的存取操作的数目。基于存取操作的数目超过预定阈值的确定，eq组件545可隔离所述区段。例如，可基于eq组件545经由开关组件激活线515-a将命令发射到第一组开关组件且经由开关组件激活线515-b将命令发发射到第二组开关组件而隔离所述区段。
在每次存取操作期间，例如，在相应的板线上的电荷累积可再循环到电容器525以用于与所述存储器单元相关联的均衡操作。因此，eq组件545可使与经隔离阵列中的每一存储器单元耦合的板线放电。可例如经由板放电线510使板线放电到电容器525。因此板放电线510可从板线接收电压(例如，第一电压)且相应的电荷可存储在电容器525处。在一些实例中，存储在电容器525处的电荷将最终用于激活与经隔离区段的铁电存储器单元相关联的开关组件。然而，在一些实例中，存储在电容器525处的电荷可能不足以激活存取装置中的每一者(例如，由于电容器525的泄漏)。在此实例中，电压源540可补充(例如，填充)电容器525以确保所存储的电荷足以激活经隔离区段的每一存取装置。
在接收隔离相应区段的均衡命令之后，可使电容器525放电到电压施加线520。从存储在电容器525处的电荷产生的电压的施加(例如，经由电压施加线520)可激活经隔离阵列中的每一存储器单元的存取装置。因此，可使阵列中的每一存储器单元放电(例如，放电到接地)。在使单元放电之后，经隔离阵列可经由开关组件激活线515-a及515-b与负字线电压源442重新耦合。例如，开关组件激活线515-a可将命令发射到第一组开关组件，且开关组件激活线515-b可将命令发射到第二组开关组件以重新连接阵列。
在其它实例(未展示)中，eq组件545可与多个存储器单元的阵列耦合。因此，eq组件545可包含多个计数器、多个电容器、多个激活线及多个电压源，以支持隔离铁电存储器单元的一或多个阵列，且同时使每个经隔离阵列的存储器单元放电。
图6a说明根据本发明的各种实例的实例存储器装置600-a。存储器装置600-a可包含一或多个字线驱动器605。在一些实例中，铁电存储器单元的每一区段(例如，如参考图3所描述的阵列305及驱动器302-a；如参考图4所描述的阵列405及驱动器402-a)可与字线驱动器605的阵列字线625耦合。在一些实例中，每一字线驱动器605可与接地(例如，0v)610耦合，专用输入控制信号615及处于闲置状态的负字线620。
如文所描述，存储器阵列的每一区段可包含多个铁电存储器单元，其可各自包含电容及存取装置。在一些实例中，字线驱动器605可用负电压值(例如，来自负字线620)驱动阵列字线625。例如，阵列字线625可与存储器单元阵列耦合。字线驱动器605可利用来自负字线620的负电压值驱动阵列字线625，这可导致经驱动部分的每一存取装置保持为去激活(例如，处于“关闭位置”)。当经去激活时，存取装置可防止相关联的电容器放电。
在一些实例中，存储器阵列的一或多个区段可经隔离(例如，与一或多个额外区段隔离)。例如，可通过停止从负字线620施加负电压值来隔离区段。当经隔离时，字线驱动器605可将电压(例如，来自如参考图3所描述的电压源340)施加到阵列字线625。每一驱动器可具有专用输入控制信号615，其可在存取操作期间激活相应的存取线。当存储器阵列闲置时，可去激活每一控制信号615。如上文所描述，将电压施加到与多个存储器单元耦合的字线可激活每一存储器单元的存取装置。随后，例如，字线驱动器605可激活(例如，经由与vdd耦合的负字线620)阵列字线625，这可导致每一存储器单元的存取装置被放电。在一些实例中，这可被称为平衡区段的存储器单元。在一些实例中，隔离区段可用一或多个存取线重新耦合，且字线驱动器605可利用来自与电源电压(例如，如参考图3所述的负电压源342)耦合的负字线620的负电压值驱动阵列字线625以将每一存取装置保持在“关闭位置”。
图6b说明根据本发明的各种实例的实例电路600-b。电路600-b可用于激活及去激活字线625-a。在一些实例中，驱动器电路可隔离铁电存储器单元的一或多个区段，且如本文中所述使经隔离阵列的单元放电。在一些实例中，铁电存储器单元的每一阵列(例如，如参考图3所描述的阵列305；如参考图4所描述的阵列405)可与阵列字线625-a耦合。在一些实例中，电路600-b可为如参考图6a所描述的字线驱动器605的实例，且可包含信号610-a，其可为处于闲置状态的接地信号(例如，0v)，控制信号615-a及615-b，以及负字线620-a。
如文所描述，存储器阵列的每一阵列可包含多个铁电存储器单元，其可包含电容及存取装置。在一些实例中，电路600-b可用于将负电压值(例如，从负字线620-a)施加到阵列字线625-a。负电压值可从负字线620-a施加到字线625-a，这可导致特定的每一存取装置保持在“关闭位置”。如上文所描述，当处于“关闭位置”时，存取装置可防止相关联的电容器放电。
在一些实例中，铁电存储器单元的区段可通过从负字线620-a停止负电压值的施加来隔离。当经隔离时，可将电压(例如，来自如参考图3描述的电压源340)施加到阵列字线625-a，同时激活控制信号615-a且去激活(例如，接地)控制信号610-a。将电压施加到与多个存储器单元耦合的字线可激活每一存储器单元的存取装置。随后，例如，阵列字线625-a可经由电源电压(例如，如参考图3所描述的电压源340)耦合到vdd，这可导致每一存储器单元的存取装置被放电。在一些实例中，这可被称为平衡区段的存储器单元。在一些实例中，隔离区段可为在与一或多个存取线重新耦合时，字线625-a可用来自负字线620-a的负电压值驱动，以使每一存取装置保持在“关闭位置”。
图7展示根据本发明的实例的支持单元电压累积放电的存储器控制器715的框图700。存储器控制器715可为参考图1所描述的存储器控制器815的各方面的实例。存储器控制器715可包含加偏压组件720、定时组件725、隔离组件730、激活组件735、确定组件740、起始组件745、连接组件750及放电组件755。这些模块中的每一者可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
隔离组件730可通过去激活与一组第一存取线耦合的一组第一开关元件使含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离。在一些实例中，所述组第一存取线可与所述含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段耦合。在一些实例中，隔离组件730可通过去激活与所述组第一存取线耦合的所述组第一开关组件来将第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段与所述含多个区段的存储体的第三铁电存储器单元区段隔离。
在其它实施例中，隔离组件730可将第三铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离同时将第一存储器单元区段与所述含多个区段的存储体的第二铁电存储器单元区段隔离。另外或替代地，隔离组件730可基于确定存取操作的数目来将第一铁电存储器单元子集与所述存储体的第二铁电存储器单元子集隔离。
在其它实例中，隔离组件730可基于确定存取操作的数目将第二铁电存储器单元自己与铁电存储器单元的同一存储体的第三铁电存储器单元子集隔离。隔离组件730可基于计数器超过阈值来隔离第一铁电存储器单元子集。在一些实例中，隔离组件730可通过去激活与存取线耦合的一组开关组件来隔离第一铁电存储器单元子集，所述存取线与铁电存储器单元的相同存储体的铁电存储器单元的一组子集进行电子通信。
激活组件735可通过在隔离所述第一铁电存储器单元区段之后将电压从电压源施加到所述第一铁电存储器单元区段来激活所述第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。在一些实例中，激活组件735可通过在施加电压到第一铁电存储器单区段之前激活与电压源及第一铁电存储器单元区段耦合的至少一个第二开关组件来激活第一铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置。另外或替代地，激活组件735可通过在隔离第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段之后将电压施加到第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段来激活第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置。
在一些实例中，激活组件735可通过在施加电压到第一铁电存储器单区段之前激活与电压源及第一铁电存储器单元区段耦合的至少一个第三开关组件来激活第一铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置。在一些实例中，通过在施加电压到第二铁电存储器单区段之前激活与电压源及第二铁电存储器单元区段耦合的至少一个第四开关组件来激活第二铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置。在其它实例中，激活组件735可激活第三铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置，同时激活第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。激活组件735可通过在第一铁电存储器单元区段及第三铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离时将电压施加到第三铁电存储器单元区段来激活存取装置。
在一些实例中，激活组件735可通过使所述组的第一存取线的经隔离部分短路到与所述组第一存取线耦合的电压源来激活第一铁电存储器中区段的每一铁电存储器单元的存取装置。在其它实例中，激活组件735可基于隔离第一铁电存储器单元子集来激活第一铁电存储器单元子集中的每一存储器单元的存取装置。另外或替代地，激活组件735可响应于隔离第二铁电存储器单元子集而激活第二铁电存储器单元子集的每一铁电存储器单元的存取装置。在一些实例中，激活组件735可基于第一铁电存储器单元子集的电压的调整来激活第一铁电存储器单元子集中的每一铁电存储器单元的存取装置。
确定组件740可确定已对存储体的第一铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目，且确定多个存取操作已对第二铁电存储器单元子集执行存取操作的数目。在一些状况下，使用计数器确定已对第一铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目。
起始组件745可起始将电压施加到铁电存储器单元的第一区段。在一些实例中，可基于起始施加电压来激活第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。
连接组件750可在激活第一铁电存储器单元中的每一存储器单元的存取装置之后将第一铁电存储器单元区段耦合到所述组第一存取线。在一些实例中，耦合第一铁电存储器单元区段可包含激活位于第一铁电存储器单元区段与驱动器之间的第一开关组件组。
放电组件755可在激活每一存取装置之后使第一铁电存储器单元子集中的每一铁电存储器单元的电容器放电到板线。在一些实例中，当板线和与第一铁电存储器单元子集耦合的存取线处于相等电势时，可使每一电容器放电。
图8展示根据本发明的实例的包含支持单元电压累积放电的装置805的系统800的图。装置805可为如上文(例如，参考图1)所描述的铁电存储器单元的区段的组件的实例或包括所述组件。装置805可包含用于双向语音及数据通信的组件，包含用于发射及接收通信的组件，包含存储器控制器815、存储器单元820、基本输入/输出系统(bios)组件825、处理器830、i/o控制器835及外围组件840。这些组件可经由一或多个总线(例如，总线810)进行电子通信。
存储器控制器815可如本文中所述操作一或多个存储器单元。具体地，存储器控制器815可经配置以支持单元电压累积放电。在一些状况下，存储器控制器815可包含行解码器、列解码器或两者，如本文中所描述(未展示)。
存储器单元820可如本文所述存储信息(即，以逻辑状态的形式)。
bios组件825为包含作为固件操作的bios的软件组件，其可初始化并运行各种硬件组件。bios组件825还可管理处理器与各种其它组件(例如，外围组件、输入/输出控制组件等)之间的数据流。bios组件825可包含存储在只读存储器(rom)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。
处理器830可包含智能硬件装置(例如，通用处理器、dsp、中央处理单元(cpu)、微控制器、asic、fpga、可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑组件、离散硬件组件或其任何组合)。在一些状况下，处理器830可经配置以使用存储器控制器来操作存储器阵列。在其它状况下，存储器控制器可集成到处理器830中。处理器830可经配置以执行存储在存储器中的计算机可读指令以执行各种功能(例如，支持单元电压累积放电的功能或任务)。
i/o控制器835可管理装置805的输入及输出信号。i/o控制器835还可管理未集成到装置805中的外围装置。在一些状况下，i/o控制器835可表示到外部外围装置的物理连接或端口。在一些状况下，i/o控制器835可使用例如
外围组件840可包含任何输入或输出装置，或用于此些装置的接口。实例可包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(usb)控制器、串行或并行端口或外围卡插槽、例如外围组件互连(pci)或加速图形端口(agp)槽。
输入845可表示装置805外部的装置或信号，其向装置805或其组件提供输入。此可包含用户接口或与其它装置的接口或其它装置之间的接口。在一些状况下，输入845可由i/o控制器835管理，且可经由外围组件840与装置805交互。
输出850还可表示装置805外部的装置或信号，其经配置以为从装置805或其任何组件接收输出。输出850的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置、另一处理器或印刷电路板等。在一些状况下，输出850可为经由外围组件840与装置805介接的外围元件。在一些状况下，输出850可由i/o控制器835管理。
装置805的组件可包含经设计以执行其功能的电路。这可包含经配置以实施本文中所描述的功能的各种电路元件，例如，导线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器，或其它有源或无源元件。装置805可为计算机、服务器、膝上型计算机、笔记本计算机、平板计算机、移动电话、可穿戴电子装置、个人电子装置等。或者装置805可为此装置的部分或方面。
图9展示说明根据本发明的实例的用于单元电压累积放电的方法900的流程图。方法900的操作可通过本文中所描述的方法及/或组件来实施。举例而言，方法900的操作可由如参考图1所描述的存储器控制器执行。
在905处，可通过去激活与多个第一存取线耦合的多个第一开关组件来将含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离。在一些实例中，所述多个第一存取线可与所述含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段耦合。可根据本文中所描述的方法执行905的操作。在某些实例中，905的操作的各方面可由如参考图7所描述的隔离组件执行。
在910处，可通过在隔离所述第一铁电存储器单元区段之后将电压从电压源施加到所述第一铁电存储器单元区段来激活所述第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。可根据本文中所描述的方法执行910的操作。在某些实例中，910的操作的各方面可由如参考图7所描述的激活组件执行。
在一些状况下，参考图9所描述的方法的操作可由设备来执行。例如，所述设备可包含用于通过去激活与多个第一存取线耦合的多个第一开关组件来将含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离的装置，所述多个第一存取线与所述含多个区段的存储体的所述第一铁电存储器单元区段及所述第二铁电存储器单元区段耦合。所述设备还可包含用于通过在隔离所述第一铁电存储器单元区段之后将电压从电压源施加到所述第一铁电存储器单元区段来激活所述第一铁电存储器单元区段的每一铁电存储器单元的存取装置的装置。
用于激活第一铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置的装置可包含用于在施加电压到第一铁电存储器单区段之前激活与电压源及第一铁电存储器单元区段耦合的至少一个第二开关组件的装置。
在一些实例中，所述设备可包含用于在激活第一铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置之后将第一铁电存储器单元区段耦合到所述多个第一存取线的装置，其中耦合第一铁电存储器单元区段包括激活与相应驱动器耦合的多个第一开关组件。
在一些实例中，所述设备可包含用于通过去激活与所述多个第一存取线耦合的所述多个第一开关组件来将第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段与所述含多个区段的存储体的第三铁电存储器单元区段隔离的装置。所述设备可进一步包含用于通过在隔离第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段之后将电压施加到第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段来激活第一铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置及第二铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置的装置。
用于激活所述第一铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置的装置可包含用于在将电压施加到第一铁电存储器单元区段之前激活与电压源及第一铁电存储器单元区段耦合的至少一个第三开关组件的装置，且其中激活第二铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置包括在将电压施加到第二铁电存储器单元区段之前激活与电压源及第二铁电存储器单元区段耦合的至少一个第四开关组件。
在一些状况下，所述设备可包含用于将第三铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离同时将第一铁电存储器单元区段与所述含多个区段的存储体的第二铁电存储器单元区段隔离的装置。所述设备可进一步包含用于通过在将第一铁电存储器单元区段及第三铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离时将电压施加到第三铁电存储器单元区段来激活第三铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置同时激活第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置的装置。
用于激活第一铁电存储器单元区段的每一铁电存储器单元的存取装置的装置可包含用于使所述多个第一存取线路的经隔离部分短路到与多个第一存取线耦合的电压源的装置。
图10展示说明根据本发明的实例的用于单元电压累积放电的方法1000的流程图。方法900的操作可通过本文中所描述的方法及/或组件来实施。举例而言，方法900的操作可由如参考图7所描述的存储器控制器执行。
在1005处，可通过去激活与多个第一存取线耦合的多个第一开关组件来将含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离。在一些实例中，所述多个第一存取线可与所述含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段耦合。可根据本文中所描述的方法执行1005的操作。在某些实例中，1005的操作的各方面可由如参考图7所描述的隔离组件执行。
在1010处，可通过在隔离所述第一铁电存储器单元区段之后将电压从电压源施加到所述第一铁电存储器单元区段来激活所述第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。可根据本文中所描述的方法执行1010的操作。在某些实例中，1010的操作的各方面可由如参考图7所描述的激活组件执行。
在1015处，第一铁电存储器单元区段可在激活第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置之后与多个第一存取线耦合。在一些实例中，耦合第一铁电存储器单元区段包括激活位于第一铁电存储器单元区段与驱动器之间的多个第一开关组件。可根据本文中所描述的方法执行1015的操作。在某些实例中，1015的操作的各方面可由如参考图7所描述的连接组件执行。
在一些状况下，方法可包含通过去激活与多个第一存取线耦合的多个第一开关元件使含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离。在一些实例中，所述多个第一存取线可与所述含多个区段的存储体的第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段耦合。
在一些状况下，所述方法可通过在隔离所述第一铁电存储器单元区段之后将电压从电压源施加到所述第一铁电存储器单元区段来激活所述第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。在一些实例中，所述方法可包含激活第一铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置，包括在施加电压到第一铁电存储器单区段之前激活与电压源及第一铁电存储器单元区段耦合的至少一个第二开关组件。
在一些实例中，所述方法可包含在激活第一铁电存储器单元中的每一存储器单元的存取装置之后将第一铁电存储器单元区段耦合到所述多个第一存取线。耦合第一铁电存储器单元区段可包含激活位于第一铁电存储器单元区段与驱动器之间的多个第一开关组件。在一些状况下，所述方法可包含通过去激活与所述多个第一存取线耦合的所述多个第一开关组件来将第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段与所述含多个区段的存储体的第三铁电存储器单元区段隔离。
在其它实例中，所述方法可包含通过在隔离第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段之后将电压施加到第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段来激活第一铁电存储器单元区段及第二铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置。在一些状况下，所述方法可包含将第三铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离同时将第一存储器单元区段与所述含多个区段的存储体的第二铁电存储器单元区段隔离。
在一些状况下，所述方法可包含通过在第一铁电存储器单元的区段及第三铁电存储器单元区段与第二铁电存储器单元区段隔离时将电压施加到第三铁电存储器单元区段来激活第三铁电存储器单元区段中的每一铁电存储器单元的存取装置，同时激活第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。
图11展示说明根据本发明的实例的用于单元电压累积放电的方法1100的流程图。方法900的操作可通过本文中所描述的方法及/或组件来实施。举例而言，方法900的操作可由如参考图1所描述的存储器控制器执行。
在1105处，可确定已对存储体的第一铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目。可根据本文中所描述的方法执行1105的操作。在某些实例中，1105的操作的各方面可由如参考图7所描述的确定组件执行。
在1110处，可至少部分地基于确定存取操作的数目来将存储体的第一铁电存储器单元子集与第二铁电存储器单元子集隔离。可根据本文中所描述的方法执行1110的操作。在某些实例中，1110的操作的各方面可由如参考图6所描述的隔离组件执行。
在1115处，可至少部分地基于隔离所述第一铁电存储器单元子集来激活所述第一铁电存储器单元子集中的每一存储器单元的存取装置。可根据本文中所描述的方法执行1115的操作。在某些实例中，1115的操作的各方面可由如参考图7所描述的激活组件执行。
在一些状况下，参考图11所描述的方法的操作可由设备来执行。例如，所述设备可包含用于确定已对存储体的第一铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目，且至少部分地基于确定存取操作的所述数目将所述存储体的所述第一铁电存储器单元子集与第二铁电存储器单元子集隔离的装置。所述设备可进一步包含用于至少部分地基于隔离所述第一铁电存储器单元子集来激活所述第一铁电存储器单元子集中的每一存储器单元的存取装置的装置。
所述设备还可包含用于进行以下操作的装置：确定已对第二铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目，至少部分地基于确定存取操作的数目来将第二铁电存储器单元子集与铁电存储器单元的同一存储体的第三铁电存储器单元子集隔离，及响应于隔离第二铁电存储器单元子集来激活第二铁电存储器单元子集中的每一铁电存储器单元的存取装置。
用于隔离第一铁电存储器单元子集的装置可包含用于去激活与存取线耦合的多个开关组件，所述存取线与铁电存储器单元的同一存储体的多个铁电存储器单元子集电子通信。
所述设备可包含用于使用来自存取操作的电荷来对电容器进行充电且使用来自所述电容器的电荷来执行单元均衡操作的装置。
图12展示说明根据本发明的实例的用于单元电压累积放电的方法1200的流程图。方法900的操作可通过本文中所描述的方法及/或组件来实施。举例而言，方法900的操作可由如参考图1所描述的存储器控制器执行。
在1205处，可确定已对存储体的第一铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目。可根据本文中所描述的方法执行1205的操作。在某些实例中，1205的操作的各方面可由如参考图7所描述的确定组件执行。
在1210处，可至少部分地基于确定存取操作的数目来将存储体的第一铁电存储器单元子集与第二铁电存储器单元子集隔离。可根据本文中所描述的方法执行1210的操作。在某些实例中，1210的操作的各方面可由如参考图7所描述的隔离组件执行。
在1215处，可至少部分地基于隔离所述第一铁电存储器单元子集来激活所述第一铁电存储器单元子集中的每一存储器单元的存取装置。可根据本文中所描述的方法执行1215的操作。在某些实例中，1215的操作的各方面可由如参考图7所描述的激活组件执行。
在1220处，可确定已对第二铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目。可根据本文中所描述的方法执行1220的操作。在某些实例中，1220的操作的各方面可由如参考图7所描述的确定组件执行。
在1225处，可至少部分地基于确定存取操作的数目来将铁电存储器单元的同一存储体的第二铁电存储器单元子集与第三铁电存储器单元子集隔离。可根据本文中所描述的方法执行1225的操作。在某些实例中，1225的操作的各方面可由如参考图7所描述的隔离组件执行。
在1230处，可响应于隔离所述第二铁电存储器单元子集来激活所述第二铁电存储器单元子集中的每一铁电存储器单元的存取装置。可根据本文中所描述的方法执行1230的操作。在某些实例中，1230的操作的各方面可由如参考图7所描述的激活组件执行。
在一些状况下，所述方法可包含确定已对存储体的第一铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目。在一些状况下，所述方法可包含在激活每一存取装置之后将第一铁电存储器单元子集的每一铁电存储器单元的电容器放电到板线，其中在与第一铁电存储器单元子集耦合的板线及存取线处于相同电势时使每一电容器放电。在一些实例中，所述方法可包含至少部分地基于隔离所述第一铁电存储器单元子集来激活所述第一铁电存储器单元子集中的每一存储器单元的存取装置。
在一些实例中，所述方法可包含确定已对第二铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目。另外或替代地，所述方法可包含至少部分地基于确定存取操作的数目将第二铁电存储器单元子集与铁电存储器单元的同一存储体的第三铁电存储器单元子集隔离。在一些状况下，所述方法可包含至少部分地基于确定存取操作的数目来将第一铁电存储器单元子集与所述存储体的第二铁电存储器单元子集隔离。在一些实例中，使用计数器确定已对第一铁电存储器单元子集执行的存取操作的数目。
在其它实例中，所述方法可包含至少部分地基于计数器超过阈值将第一铁电存储器单元子集隔离。在一些状况下，所述方法可包含通过去激活与存取线耦合的多个开关组件来隔离第一铁电存储器单元子集，所述存取线与铁电存储器单元的同一存储体的多个铁电存储器单元子集电子通信。
在一些实例中，所述方法可包含至少部分地基于所述第一铁电存储器单元子集的电压的调整来激活所述第一铁电存储器单元子集中的每一铁电存储器单元的存取装置。在其它实例中，所述方法可包含响应于隔离第二铁电存储器单元子集而激活第二铁电存储器单元子集的每一铁电存储器单元的存取装置。
本发明描述一种设备。在一些状况下，所述设备可包含铁电存储器单元的存储体，所述存储体包括多个区段，每一区段与多个第一存取线中的至少一者耦合，多个第一开关组件，每一者与多个存取线驱动器中的一者耦合，所述多个存取线驱动器与多个第一存取线耦合，所述多个第一开关组件经配置以隔离多个区段的子集，以及电压源，其与多个区段耦合且经配置以在隔离多个区段的子集时激活多个区段的子集中的至少一个铁电存储器单元的存取装置。
所述设备可进一步包含：多个存取线驱动器中的第一驱动器与多个第一存取线中的至少一者耦合，第一驱动器经配置以当隔离多个区段的子集时驱动多个区段中的第一区段，所述第一区段包括所述第一驱动器及第一铁电存储器单元阵列，且所述多个存取线驱动器中的第二驱动器与所述多个第一存取线中的至少一个耦合，所述第二驱动器经配置以当多个区段的子集被隔离时，驱动多个区段的第二区段，第二区段包括第二驱动器及第二铁电存储器单元阵列。
在一些实例中，所述设备可包含与电压源及多个区段中的每一者耦合的开关组件，其中电压源经配置以当开关组件被激活时激活子集中的至少一个铁电存储器单元的存取装置。
在一些实例中，所述设备可包含与多个区段中的每一者的负字线耦合的均衡组件，所述均衡组件经配置以使得能够激活多个区段的子集中的至少一个铁电存储器单元的存取装置。
在一些状况下，设备的均衡组件可经配置以从相应的板线接收第一电压，且经配置以至少部分地基于接收来自相应板线的第一电压来激活子集中的至少一个铁电存储器单元的存取装置。
在一些实例中，设备可包含计数器，其中多个区段的子集的均衡组件经配置以至少部分地基于计数器达到阈值而激活所述子集的至少一个铁电存储器单元的存取装置。
在一些实例中，设备的均衡组件的计数器可经配置以至少部分地基于多个区段的子集中的铁电存储器单元子集的存取操作来递增，其中均衡组件经配置以确定存取操作的发生。
所述设备可进一步包含多个第二开关组件，每一第二开关组件与多个第一存取线中的一者耦合，其中多个第二开关组件经配置以隔离多个铁电存储器单元区段的子集。
在一些实例中，所述设备的多个开关组件可位于多个区段的子集与多个区段中的第一区段之间，且其中多个第二开关组件位于多个区段子集与多个区段中的第二区段之间。
本发明描述另一设备。所述设备可包含铁电存储器单元的存储体，其包括与多个第一存取线耦合的多个区段，多个第一开关组件，每一第一开关组件与所述多个第一存取线中的一者耦合，以及电压源，其与所述多个第一存取线耦合。所述设备可经一部包含与铁电存储器单元的存储体耦合的存储器控制器，所述存储器控制器经配置以起始将第一铁电存储器单元区段与所述同一存储体的第二铁电存储器单元区段隔离，及起始向所述第一铁电存储器单元区段施加电压，其中至少部分地基于起始施加所述电压而激活所述第一铁电存储器单元区段中的每一存储器单元的存取装置。
在一些实例中，所述设备的存储器控制器可操作以确定已对第一铁电存储器单元区段执行的存取操作的数目，其中起始隔离第一铁电存储器单元区段至少部分地基于存取操作的数目超过阈值。
应注意，上文所描述方法描述可能实施方案，且可重新配置或以其它方式修改操作及步骤，且其它实施方案为可能的。此外，可组合来自方法中的两个或多于两个的实例。
可使用多种不同技术及技艺中的任一者来表示本文中所描述的信息及信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示可贯穿以上描述所参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，所属领域的技术人员将理解，信号可代表信号总线，其中总线可具有各种位宽度。
如本文中所使用，术语“虚拟接地”是指保持在大约零伏(0v)的电压但不与接地直接连接的电路的节点。因此，虚拟接地的电压可暂时波动且在稳定状态下返回到大约0v。可使用各种电子电路元件来实施虚拟接地，例如由运算放大器及电阻器组成的分压器。其它实施方案也是可能的。“虚拟接地”或“以虚拟方式接地”意味着连接到大约0v。
术语“电子通信”及“耦合”是指支持组件之间的电子流的组件之间的关系。这可包含组件之间的直接连接，或可包含中间组件。彼此电子通信或耦合的组件可主动地交换电子或信号(例如，在激励电路中)或可不主动地交换电子或信号(例如，在去激励电路中)，但可经配置及可操作以在激励电路时交换电子或信号。举例来说，经由开关(例如，晶体管)物理连接的两个组件处于电子通信中，或可耦合而不管开关的状态(即，断开还是闭合)。
术语“隔离”指其中电子目前不能在其之间流动的组件之间的关系；如果组件之间存在开路，那么组件彼此隔离。例如，当开关断开时，通过开关物理连接的两个组件可彼此隔离。
如本文中所使用，术语“短路”指组件之间的关系，其中经由激活所讨论的两个组件之间的单个中间组件在组件之间建立导电路径。例如，当两个组件之间的开关闭合时，短接到第二组件的第一组件可与第二组件交换电子。因此，短路可为动态操作，其实现在电子通信的组件(或线路)之间进行电荷流动。
本文所论述的装置，包含存储器阵列100，可形成在半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些状况下，衬底为半导体晶片。在其它状况下，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用各种化学物质(包含但不限于磷、硼或砷)掺杂来控制衬底或衬底的子区域的导电性。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子注入或通过任何其它掺杂手段进行。
本文中所论述的(多个)晶体管可表示场效应晶体管(fet)且包括三端子装置，包含源极、漏极及栅极。端子可通过导电材料(例如，金属)与其它电子元件耦合。源极及漏极可为导电的且可包括重掺杂(例如，退化)半导体区域。源极及漏极可由轻掺杂半导体区域或沟道分开。如果沟道为n型(即，多数载流子为电子)，那么fet可被称作为n型fet。如果沟道为p型(即，多数载流子为空穴)，那么fet可被称作为p型fet。沟道可由绝缘栅氧化物覆盖。可通过向栅极施加电压来控制沟道导电率。例如，分别将正电压或负电压施加到n型fet或p型fet可能导致沟道变为导电。当将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“撤销激活”。
本文中所阐明的描述结合随附图式描述实例配置，且并不表示可被实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”意谓“用作实例、例项或说明”，而非意谓“较佳”或“优于其它实例”。出于提供对所描述技术的理解的目的，详细描述包含特定细节。然而，可在无这些特定细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以块图形式展示熟知的结构及装置以便避免混淆所描述实例的概念。
在附图中，相似组件或特征可具有相同参考标签。此外，可通过在参考标签后接着破折号及在类似组件当中进行区分的第二标签而区分同一类型的各种组件。如果在本说明书中仅仅使用第一参考标签，那么描述适用于具有相同第一参考标签的相似组件中的任一者，而不管第二参考标签。
可使用多种不同技术及技艺中的任一者来表示本文中所描述的信息及信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示可贯穿以上描述所参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片。
因此，结合本文中的揭示内容所描述的各种说明性块及模块可运用经设计以执行本文中所描述的功能的以下各项来实施或执行：通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或其任何组合。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何习知处理器、控制器、微控制器或状态机。还可将处理器实施为计算装置的组合(例如数字信号处理器(dsp)与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器或任何其它此类配置)。
本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任一组合来实施。如果以由处理器执行的软件予以实施，那么所述功能可作为一或多个指令或代码而存储于计算机可读媒体上或经由非暂时性计算机可读媒体进行传输。其它实例及实施方案在本发明及随附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一者的组合来实施上文所描述的功能。实施功能的特征也可实际上位于各种位置处，包含经分布使得在不同实体部位处实施功能的部分。此外，如本文中(包括在权利要求书中)所使用，如在物项列表(例如，后面接以例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语的物项列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一者的列表意谓a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。如本文中所使用，短语“基于”不应被认作对条件的闭集的参考。举例来说，被描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件甲及条件乙两者而不脱离本发明的范围。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应在方式上应被认作与短语“至少部分地基于”相同。
提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制作或使用本发明。在不脱离本发明的范围的情况下，对这些实施方案的各种修改对于所属领域的技术人员来说将易于显而易见，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式。因此，本发明并不限于本文中所描述的实例及设计，而是应符合与本文中所揭示的原理及新颖特征相一致的最广泛范围。
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