铁电存储器极板功率减小的制作方法

文档序号:19179095发布日期:2019-11-20 00:49阅读:193来源:国知局
铁电存储器极板功率减小的制作方法

相关申请的交叉引用

本专利申请主张el-mansouri等人在2018年5月9日提交的名称为“铁电存储器极板功率减小(ferroelectricmemoryplatepowerreduction)”的第15/975,628号美国专利申请的优先权,所述申请让渡给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。

本技术领域涉及铁电存储器极板功率减小。



背景技术:

下文大体上涉及操作存储器阵列,且更具体来说涉及铁电存储器极板功率减小。

存储器装置在各种电子装置中广泛地用于存储信息,例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等。信息通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储。例如,二进制装置具有两个状态,通常表示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中,可以存储超过两个状态。为了存取所存储信息,电子装置的组件可读取或感测在存储器装置中存储的状态。为了存储信息,电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。例如feram的非易失性存储器可将它们存储的逻辑状态保存很长一段时间,即使在不存在外部电源的情况下也如此。例如dram的易失性存储器装置可随着时间推移而丢失它们存储的状态,除非它们通过外部电源定期更新。feram可使用类似于易失性存储器的装置架构,但是可因为将铁电电容器用作存储装置而具有非易失性性质。因此,相比于其它非易失性和易失性存储器装置,feram装置可具有改进的性能。

一般来说,改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、减小功率消耗或减小制造成本,以及其它度量。存储器架构或操作的改进可针对与和铁电存储器阵列的存取操作相关联的功率消耗相关的问题。



技术实现要素:

描述一种设备。所述设备可包含:铁电存储器单元,其与板线耦合;第一电容器,其通过所述板线和第一切换组件而与所述铁电存储器单元耦合,所述第一电容器经配置以在第一切换组件启动时通过板线向铁电存储器单元施加第一电压;以及电压源,其通过第二切换组件而与板线耦合。电压源可经配置以在第二切换组件启动时向板线施加第二电压。

描述一种方法。所述方法可包含:从与板线耦合的铁电存储器单元对电容器充电,所述电容器与第一电压源耦合;至少部分地基于从铁电存储器单元对电容器充电,通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向铁电存储器单元施加第一电压;以及至少部分地基于施加第一电压,通过启动与第一电压源耦合的第二切换组件而向铁电存储器单元施加第二电压。

描述另一方法。所述方法可包含:使第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电到板线;至少部分地基于铁电存储器单元的第一子集中的铁电存储器单元放电而在与板线耦合的电容器处接收第一电荷;以及至少部分地基于接收第一电荷,向第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元施加第一电压。

描述另一设备。所述设备可包含:多个铁电存储器单元,其与板线耦合;电容器,其与板线耦合;电压源,其与电容器和板线耦合;以及存储器控制器,其与板线耦合。存储器控制器可用来起始从多个铁电存储器单元对电容器充电,起始通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向多个铁电存储器单元中的至少一个施加第一电压,以及起始至少部分地基于施加第一电压,通过启动与电压源耦合的第二切换组件而向多个铁电存储器单元中的所述至少一个施加第二电压。

附图说明

图1说明根据本公开的实例的支持铁电存储器极板功率减小的存储器阵列的实例。

图2说明根据本公开的实例的支持铁电存储器极板功率减小的实例电路。

图3a和3b说明根据本公开的实例的支持铁电存储器极板功率减小的实例电路和时序图。

图4到6说明根据本公开的实例的支持铁电存储器极板功率减小的实例电路。

图7示出根据本公开的实例的支持铁电存储器极板功率减小的装置的框图。

图8说明根据本公开的实例的包含铁电存储器阵列的区段且支持铁电存储器极板功率减小的系统的框图。

图9到10说明根据本公开的实例的用于铁电存储器极板功率减小的方法。

具体实施方式

在一组铁电存储器单元中,板线可用于对存储器单元起始存取操作。因为板线可起始多种类型的存取操作(例如,读取操作或写入操作),所以板线可被称作动态板线。换句话说,跨板线施加的电压的值可依据所执行的存取操作的类型而不同。因此,通常跨板线施加一系列电压。由于板线可经受一系列电压,所以存取操作之间的转变(例如,从读取操作转变到写入操作)可引起跨板线的电压增加,从而可引起存储器阵列的功率消耗增加。通过耦合板线与电容器,可以重复使用来自存取操作的电荷的一部分。因此,在随后的存取操作中,重复使用的电荷可施加到板线(且有可能被补充)以实现执行各种操作所需的跨板线的电压。因此,此类操作可使得存储器阵列的功率消耗减小。

在第一实例中,电容器可与板线和电压源耦合。板线可另外与一组铁电存储器单元耦合。通过启动和停用一或多个切换组件,电压源可对电容器进行充电。电容器的电荷随后可通过启动和停用一或多个切换组件而放电到板线上。使电容器放电到板线上可跨板线产生第一电压。在一些实例中,当跨板线的电压大于第一电压(例如,大于致使电容器放电的电压)时,可执行和与板线耦合的铁电存储器单元中的一或多个相关联的存取操作(例如,写入操作)。因此,板线的电压可通过启动与板线和电压源耦合的第二一或多个切换组件而增加到第二(例如,所要)电压。因此,可使用比其它方法小的功率来对与板线耦合的一或多个铁电存储器单元执行存取操作,且所得电荷可存储在相应存储器单元的电容器处以用于其它操作。

在一些实例中,上文所描述的电荷(例如,存储在相应存储器单元的电容器处的电荷)可用于随后的存取操作。例如,电容器可放电到板线上,并在与板线耦合的电容器处通过启动上文所描述的切换组件的组合存储(例如,再循环)。为了进行存取操作,电容器可放电到板线上并由电压源补充(例如,增加到第二电压)。通过利用存储(例如,再循环)的电荷,存储器阵列可经受功率消耗减小来执行一或多个存取操作。

上文介绍的本公开的特征在下面图1的上下文中的示例性存储器阵列处进一步描述。接着在图2到6的上下文中描述一或多个电路的具体实例。另外通过描述了各种组件的图7和8的装置和系统图以及与铁电存储器极板功率减小有关的图9和10的流程图来说明并参考这些图描述本公开的这些和其它特征。

图1说明根据本公开的各种实例的实例存储器阵列100。存储器阵列100还可被称作电子存储器设备。存储器阵列100包含可编程成存储不同状态的存储器单元105。每一存储器单元105可编程成存储两个状态,表示为逻辑0和逻辑1。在一些情况下,存储器单元105经配置以存储超过两个逻辑状态。存储器单元105可在电容器中存储表示可编程状态的电荷;例如带电荷和不带电荷的电容器可分别表示两个逻辑状态。dram架构通常可使用此类设计,且所采用的电容器可包含具有线性或顺电性电极化性质的介电材料作为绝缘体。相比之下,铁电存储器单元可包含具有铁电作为绝缘材料的电容器。铁电电容器的不同电荷水平可表示不同逻辑状态。铁电材料具有非线性极化性质;下文论述铁电存储器单元105的一些细节和优点。

可通过启动或选择存取线110和数字线115来对存储器单元105执行例如读取和写入等操作。存取线110还可称为字线110,且数字线115还可为已知数字线115。对字线和位线或其类似物的参考可互换,而不影响理解或操作。启动或选择字线110或数字线115可包含将电压施加到相应线。字线110和数字线115可由导电材料制成,例如金属(例如,铜(cu)、铝(al)、金(au)、钨(w)等)、金属合金、碳、导电掺杂半导体或其它导电材料、合金、化合物等。

根据图1的实例,每一行存储器单元105连接到单个字线110,每一列存储器单元105连接到单个数字线115。通过启动一个字线110和一个数字线115(例如,向字线110或数字线115施加电压),可在它们的相交点处存取单个存储器单元105。存取存储器单元105可包含读取或写入存储器单元105。

存储器阵列100可以是二维(2d)存储器阵列或三维(3d)存储器阵列。3d存储器阵列可包含在彼此顶部上形成的二维(2d)存储器阵列。相比于2d阵列,这可以增加在单个裸片或衬底上能够放置或形成的存储器单元的数目,继而可以降低生产成本或增加存储器阵列的性能,或这两者。存储器阵列100可包含任何数目个层级。每一层级可对准或定位成使得存储器单元105可跨每一层级彼此大致对准。

每一行存储器单元105可连接到单个字线110,且每一列存储器单元105可连接到单个数字线115。在图1中所描绘的实例中,存储器阵列100包含一个/两个层级的存储器单元105,并因此可被视为二维/三维存储器阵列;然而,层级的数目不受限制。通过启动一个字线110和一个数字线115(例如,向字线110或数字线115施加电压),可在它们的相交点处存取单个存储器单元105。另外,例如,在3d存储器阵列中,一行中的每一层级可具有公共导电线,使得每一层级可以共享字线110或数字线115或含有单独的字线110或数字线115。因此,在3d配置中,可启动同一层级的一个字线110和一个数字线115以在它们的相交点处存取单个存储器单元105。在2d或3d配置中,字线110和数字线115的相交点均可被称作存储器单元的地址。

在一些架构中,单元的逻辑存储装置(例如,电容器)可通过选择组件而与数字线电隔离。字线110可连接到选择组件并且可控制选择组件。例如,选择组件可以是晶体管,且字线110可连接到晶体管的栅极。启动字线110使得存储器单元105的电容器和其对应的数字线115之间形成电连接或闭路。接着,可存取数字线以读取或写入存储器单元105。可存在其它线(图1中未示出)。例如,至少参考图2更详细地描述的板线可耦合到存储器单元105。

在一些实例中,铁电存储器单元105的区段(例如,存储器阵列100的区段)可与板线耦合。板线可与电容器和至少一个电压源耦合,使得电压可以从电容器和电压源施加到板线。如下所述,电容器可放电到板线上以将板线的电压增加到第一值,且接着可进一步使板线的电压增加——通过电压源——到第二值(例如,第二值大于第一值)。因此,通过在从电压源施加电压之前使电容器的至少一部分放电到板线,存储器阵列100可以使用更小的功率来执行一或多个操作。

存取存储器单元105可通过行解码器120、列解码器130及在一些情况下的板线解码器(未示出)控制。例如,行解码器120可从存储器控制器140接收行地址,并基于接收到的行地址启动适当的字线110。类似地,列解码器130从存储器控制器140接收列地址并启动适当的数字线115。例如,存储器阵列100可包含标记为wl_1到wl_m的多个字线110和标记为dl_1到dl_n的多个数字线115,其中m和n取决于阵列大小。因此,通过启动字线110和数字线115,例如,wl_2和dl_3,可以存取在它们的相交点处的存储器单元105。

在存取后,可通过感测组件125读取或感测存储器单元105以确定存储器单元105的所存储状态。例如,在存取存储器单元105之后,存储器单元105的铁电电容器可放电到其对应的数字线115上。对铁电电容器进行放电可通过对铁电电容器加偏压或将电压施加到铁电电容器引起。放电可引起数字线115的电压改变,感测组件125可比较所述电压与参考电压(未示出)以便确定存储器单元105的所存储状态。例如,如果数字线115的电压高于参考电压,那么感测组件125可确定存储器单元105中存储的状态为逻辑1,且反之亦然。感测组件125可包含各种晶体管或放大器以便检测和放大信号差,其可称为锁存。存储器单元105的检测到的逻辑状态可接着通过列解码器130作为输出135而输出。在一些情况下,感测组件125可为列解码器130或行解码器120的部分。或者,感测组件125可连接到列解码器130或行解码器120或与其成电子连通。

存储器单元105可通过以类似方式启动相关字线110和数字线115来设置或写入——即,逻辑值可存储于存储器单元105中。列解码器130或行解码器120可接受数据,例如输入/输出135,以写入到存储器单元105。铁电存储器单元105可通过跨铁电电容器施加电压来写入。在下文更详细地论述这一过程。在一些实例中,电容器可与板线(例如,参考图2所描述的板线210)耦合,并且可在存取操作期间向板线施加第一电压。在存取操作期间,板线的电压可能需要达到特定值(例如,vdd)。使电容器放电到板线上可使板线的电压增加到大于0v但小于vdd的值。随后,可从与板线耦合的电压源(例如,从vdd)将第二(例如,额外)电压施加到板线。如上文所描述,通过使电容器放电到板线上,跨板线的第一电压可大于0v但小于vdd。因此,(例如,从可具有电压vdd的电压源)施加到板线的第二电压可充当补充电压,并且可使跨板线的电压增加到所要值(例如,vdd)。因此,在向板线施加第二电压之前使电容器放电可使得与写回操作相关联的总功率节省。

在一些存储器架构中,存取存储器单元105可使所存储的逻辑状态降级或毁坏,并且可执行重新写入或刷新操作以使原始逻辑状态返回到存储器单元105。例如,在dram中,可在感测操作期间使电容器部分或完全地放电,这会破坏所存储的逻辑状态。因此,可在感测操作之后重新写入逻辑状态。另外,启动单个字线110可导致行中的所有存储器单元放电;因此,可能需要重新写入行中的数个或所有存储器单元105。

包含dram的一些存储器架构可能会随着时间推移而丢失它们存储的状态,除非它们通过外部电源定期更新。例如,带电荷电容器可随着时间推移因为漏电流而放电,使得所存储信息损失。这些所谓的易失性存储器装置的刷新速率可能相对较高,例如,对于dram阵列来说为每秒数十次刷新操作,这可导致大量的功率消耗。随着存储器阵列越来越大,增加的功率消耗可能会抑制存储器阵列的部署或操作(例如,电力供应、热量产生、材料限制等),特别是对于依赖有限电源(例如,电池)的移动装置来说。如下文所论述,铁电存储器单元105可具有相对于其它存储器架构可使得性能改进的有益性质。另外地或可替代地,通过在写回操作期间使电容器放电到板线上,存储器阵列100可经受减小的功率消耗。

存储器控制器140可通过各种组件(例如,行解码器120、列解码器130和感测组件125)控制存储器单元105的操作(例如,读取、写入、重新写入、刷新、放电等)。在一些情况下,行解码器120、列解码器130和感测组件125中的一或多个可与存储器控制器140共址。存储器控制器140可产生行地址信号和列地址信号以便启动所要字线110和数字线115。存储器控制器140还可产生和控制在操作存储器阵列100期间使用的各种电压或电流。例如,它可在存取一或多个存储器单元105之后向字线110或数字线115施加放电电压。一般来说,本文所论述的所施加电压或电流的幅度、形状或持续时间可进行调整或变化,并且可针对在操作存储器阵列100时所论述的各种操作而不同。另外,可同时存取存储器阵列100内的一个、多个或所有存储器单元105;例如存储器阵列100的多个或所有单元可在其中所有存储器单元105或一组存储器单元105设置成单个逻辑状态的复位操作期间同时存取。

如上文所论述,电容器可放电到板线上,从而跨板线产生可大于0v但小于vdd的第一电压。随后,第二电压可(例如,从电压源)施加到板线,并且可充当补充电压将跨板线的电压增加到所要值。因此,存储器控制器140可实行或用于一或多个相关操作。例如,存储器控制器140可启动或停用一或多个切换组件以便电容器放电到板线上、电压(例如,从vdd)施加到板线或这两者。在一些实例中,存储器控制器可起始对电容器进行充电。存储器控制器140可起始通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向多个铁电存储器单元中的至少一个施加第一电压(例如,从电容器)。在其它实例中,存储器控制器140可起始通过启动与电压源耦合的第二切换组件而向多个铁电存储器单元中的所述至少一个施加第二电压(例如,从电压源)。如上文所论述,从电容器和从电压源向板线施加电压可使得存储器阵列100的功率消耗减小。

图2说明根据本公开的各种实例的实例电路200。电路200包含存储器单元105-a、字线110-a、数字线115-a和感测组件125-a,它们可分别为参考图1所描述的存储器单元105、字线110、数字线115和感测组件125的实例。存储器单元105-a可包含逻辑存储组件,例如电容器205,其具有第一板,即单元板230,和第二板,即单元底部215。单元板230和单元底部215可通过定位在它们之间的铁电材料电容耦合。单元板230和单元底部215的定向可翻转,而不改变存储器单元105-a的操作。电路200还包含选择组件220和参考线225。单元板230可通过板线210存取,且单元底部215可通过数字线115-a存取。如上文所描述,各种状态可通过对电容器205进行充电或放电来存储。在一些实例中,存储器单元105-a可为铁电存储器单元的区段的一个铁电存储器单元的实例。例如,(例如,存储器阵列的)一组存储器单元可包含多个区段,且每一区段可包含多个单元。因此,在一些实例中,板线210可与铁电存储器单元的一或多个区段耦合。

电容器205的所存储状态可通过操作在电路200中表示的各种元件读取或感测。电容器205可与数字线115-a成电子连通。例如,当选择组件220停用时,电容器205可与数字线115-a隔离,并且当选择组件220启动时,电容器205可连接到数字线115-a。启动选择组件220可被称作选择存储器单元105-a。在一些情况下,选择组件220是晶体管,且它的操作通过向晶体管栅极施加电压来控制,其中电压量值大于晶体管的阈值量值。字线110-a可启动选择组件220;例如将施加到字线110-a的电压施加到晶体管栅极,从而将电容器205与数字线115-a连接。

在其它实例中,可切换选择组件220与电容器205的位置,使得选择组件220连接在板线210和单元板230之间,且使得电容器205在数字线115-a和选择组件220的另一端子之间。在本实例中,选择组件220可通过电容器205保持与数字线115-a成电子连通。此配置可与用于读取和写入操作的替代时序和偏压相关联。

由于电容器205的极板之间的铁电材料且如下文更详细地论述,电容器205可能不在连接到数字线115-a后放电。在一个方案中,为了感测由铁电电容器205存储的逻辑状态,可对字线110-a加偏压以选择存储器单元105-a,且可将电压施加到板线210。在一些情况下,在对板线210和字线110-a加偏压之前,使数字线115-a虚拟接地,且接着与虚拟接地隔离,这可称为“浮动”。对板线210加偏压可导致跨电容器205的电压差(例如,板线210的电压减数字线115-a的电压)。所述电压差可引起电容器205上的存储电荷的改变,其中存储电荷的改变的量值可取决于电容器205的初始状态——例如,初始状态是存储逻辑1还是存储逻辑0。这可基于电容器205上存储的电荷而引起数字线115-a的电压的改变。通过改变单元板230的电压来操作存储器单元105-a可被称为“移动单元板”。

在一些实例中,写回操作可在一或多个存储器单元(例如,存储器单元105-a)上进行。例如,如上文参考图1所描述,在写回操作期间,板线210的电压可能需要达到特定值(例如,vdd)。因此,与板线210耦合的电容器可进行放电,这可以使板线210的电压增加到第一电压。在一些实例中,可从与板线耦合的电压源(例如,从vdd)向板线210施加第二(例如,额外)电压以进一步增加板线210的电压。因此,通过利用这两个电压(例如,来自电容器和电压源),板线210可增加到所要值以实行写回操作。此类操作可使得存储器阵列(例如,参考图1所描述的存储器阵列100)的总功率节省。

数字线115-a的电压改变可取决于其本征电容。也就是说,在电荷流过数字线115-a时,一些有限电荷可存储在数字线115-a中,且所得电压取决于本征电容。本征电容可取决于数字线115-a的物理特征,包含尺寸。数字线115-a可连接许多存储器单元105,因此数字线115-a的长度可产生不可忽略的电容(例如,约若干皮法(pf))。接着,数字线115-a的所得电压可通过感测组件125-a与参考(例如,参考线225的电压)进行比较,以便确定存储器单元105-a中存储的逻辑状态。可使用其它感测过程。

感测组件125-a可包含各种晶体管或放大器以检测和放大信号差,这可称为锁存。感测组件125-a可包含感测放大器,其接收并比较数字线115-a与参考线225的电压,参考线225的电压可为参考电压。可基于所述比较将感测放大器输出驱动到较高(例如,正)或较低(例如,负或接地)供电电压。举例来说,如果数字线115-a具有的电压高于参考线225,那么可将感测放大器输出驱动到正供电电压。在一些情况下,感测放大器可另外将数字线115-a驱动到供电电压。感测组件125-a可接着锁存感测放大器的输出和/或数字线115-a的电压,其可用以确定存储器单元105-a中存储的状态,例如逻辑1。可替代地,如果数字线115-a具有的电压低于参考线225,那么可将感测放大器输出驱动到负或接地电压。感测组件125-a可以类似方式锁存感测放大器输出以确定存储器单元105-a中存储的状态,例如逻辑0。接着,存储器单元105-a的锁存逻辑状态可例如通过列解码器130作为输出135(参考图1)输出。

为了写入存储器单元105-a,可跨电容器205施加电压。可使用各种方法。在一个实例中,选择组件220可通过字线110-a启动以便将电容器205电连接到数字线115-a。可通过控制单元板230(通过板线210)和单元底部215(通过数字线115-a)的电压而跨电容器205施加电压。为了写入逻辑0,单元板230可为高,也就是说,可向板线210施加正电压,且单元底部215可为低,例如,虚拟接地或向数字线115-a施加负电压。执行相反过程以写入逻辑1,其中单元板230为低且单元底部215为高。如上文所描述,在一些实例中,跨电容器205施加的电压可来源于两个源。电容器可放电到板线210上以使板线210的电压增加到第一电压。在一些实例中,第二电压(例如,来自电压源)可使板线210的电压增加到第二电压,第二电压可以是跨电容器205施加的电压。如上文所描述,电压可通过控制单元板230(通过板线210)和单元底部215(通过数字线115-a)的电压而跨电容器205施加。

图3a说明根据本公开的各种实例的实例电路300-a。电路300-a包含存储器组(例如,参考图1所描述的一组存储器阵列100)的区段340。区段340可包含块345、345-a和345-b,它们可各自包含一或多个存储器单元(例如,参考图2所描述的存储器单元105-a)。例如,块345、345-a、345-b中的每一个可包含分别具有铁电电容器350、350-a和350-b(例如,第二电容器350、350-a、350-b)的一个铁电存储器单元。在一些实例中,区段340可与板线210-a耦合,板线210-a可为参考图2所描述的板线210的实例。板线210-a可与电容器330(例如,第一电容器330)、电压源335和电压源335-a耦合。电容器330、电压源335和335-a中的每一个可与第一切换组件305、第二切换组件310、第三切换组件315、第四切换组件320和/或第五切换组件325中的一或多个耦合。

在一些实例中,电容器330、电压源335和335-a可用于相对于块345、345-a和350-b的一或多个存储器单元进行存取操作(例如,写入操作、写回操作)。在一些实例中,写入操作可开始于向电容器330施加初始电荷(例如,开始于电容器具有来自先前存取操作的初始电荷)。初始电荷可基于区段340的本征电容而施加到电容器330。为了向电容器330施加初始电荷,可以启动和/或停用一或多个切换组件(例如,切换组件305、310、315、320和325)。例如,可以启动第一切换组件305和第四切换组件320,且可以停用第三切换组件315。通过启动第一切换组件305和第四切换组件320并停用第三切换组件315,可以基于区段340的本征电容将初始电荷施加到电容器330,从而使得一电压施加到板线210-a。

在对电容器330进行充电(例如,基于区段340的本征电容)之后,板线210-a的电压可通过启动第三切换组件315并停用第四切换组件320来增加(例如,增加到第一电压)。因此,电压可从电容器330施加到板线210-a。在一些实例中,从电容器330施加到板线210-a的电压可小于用于执行存取操作的电压。例如,进行写入操作需要的电压可取决于写入到存储器单元的逻辑状态。换句话说,向存储器单元写入逻辑“1”的板线210-a的电压可高于写入逻辑“0”的电压。例如,为了将逻辑“1”写入到与铁电电容器350相关联的存储器单元,板线可能需要达到电压vdd。尽管电压vdd可能已经从电压源335-a施加到电容器330,但是从电容器330施加到板线210-a的电压可能由于电路组件(例如,电容器(例如,泄漏))的某些性质而小于vdd。因此,可能需要向板线210-a施加额外电压以将施加到板线210-a的电压增加到vdd。

为了向板线210-a施加额外电压,可以停用第一切换组件305并且可以启动第二切换组件(例如,同时第五切换组件325保持停用)。额外电压可从电压源335施加到板线210-a,电压源335可以是与电压源335-a相同的电压源。因此,电压源335可向板线210-a施加额外电压,从而可以使板线210-a的电压增加到vdd。因此,在一些实例中,所述额外电压可以是或可被称作补充电压(例如,以使板线210-a的电压增加到所要电压)。通过使板线210-a增加到vdd,可对区段340的一或多个存储器单元进行写入操作。例如,写入操作可在与块345相关联且具有铁电电容器350的存储器单元上进行。因此,与板线210-a的电压相关联的电荷可在写入操作期间存储在铁电电容器350处。

在一些实例中,写回操作可在上文所描述的写入操作之后进行。例如,在上文所描述的写入操作期间,与板线210-a的电压相关联的电荷中的至少一些可存储在铁电电容器350处。电荷可以是板线210-a的寄生电容或可与板线210-a的寄生电容相关联。因此,电容器350(和电容器350-a和350-b)可根据板线210-a的寄生电容进行大小设定。

为了开始写回操作,电容器350可放电到板线210-a上,从而跨板线210-a产生电压。在一些实例中,由于电容器350的性质(例如,泄漏),从电容器350施加到板线210-a的电压可小于施加到电容器350的电压。在电容器350放电之后,所得电荷(例如,第二电荷)可通过停用第二切换组件310并启动第一切换组件305而存储在电容器330处。在一些实例中,第三切换组件315和第五切换组件325可保持停用。在其它实例中,可以启动第四切换组件320以将电容器330(例如,电容器330的后侧)接地(例如,0v)。使电容器330的后侧接地可改进电容器330的充电操作。

在对电容器330进行充电之后,写回操作可在与块345、345-a和345-b中的一或多个相关联的铁电存储器单元上进行。例如,写回操作可在与块345-a的铁电电容器350-a相关联的铁电存储器单元上进行。为了开始写回操作,电容器330可放电到板线210-a上。这可被称作向板线210-a施加第一电压。为了使电容器330放电到板线上,可以启动第一切换组件305,并且可以停用第二切换组件310和第五切换组件325。因此,第一电压可从电容器330施加到板线210-a。在一些实例中,第一电压可小于进行写回操作需要的电压。如上文关于写入操作所描述,进行写回操作需要的电压可取决于写入到存储器单元的逻辑状态。例如,在实例写回操作期间,跨板线210-a的电压可能需要达到电压电平vdd。因为施加到板线210-a的第一电压可小于vdd(例如,由于电容器330的泄漏),所以可能需要向板线210-a施加第二电压以使所述电压增加到vdd。

为了向板线210-a施加第二电压,可以停用第一切换组件305并且可以启动第二切换组件310(例如,同时第五切换组件325保持停用)。第二电压可从电压源335施加到板线210-a。因此,电压源335可向板线210-a施加第二电压以使板线210-a的电压增加到vdd。通过使板线210-a增加到vdd,可以在区段340的一或多个存储器单元上进行写回操作。通过利用电容器330和电压源335两者,写入操作和写回操作消耗的功率都可减小(例如,相比于其它写入或写回操作)。

在一些实例中,每个块(例如,块345、345-a、345-b)可包含多个铁电存储器单元。写入或写回操作可同时在相同块的铁电存储器单元的任何组合上或同时在不同块的铁电存储器单元的任何组合上进行。例如,根据上文所描述的方法,电容器330可放电到板线210-a上,并且电压源335可使板线210-a的电压增加到vdd。所得电压(例如,第二电压)可施加到块345、345-a和345-b的铁电存储器单元中的任一者或组合。如上文所描述,此类操作消耗的功率可比其它写入或写回操作低。

图3b说明根据本公开的各种实例的实例时序图300-b。在一些实例中,时序图300-b可说明如关于图3a所描述的电路300-a的一或多个操作。时序图300-b可说明以下各项的一或多个操作:板线210-b,其可为参考图3a所描述的板线210-a的实例;第一切换组件305-a,其可为参考图3a所描述的第一切换组件305的实例;第二切换组件310-a,其可为参考图3a所描述的第二切换组件310的实例;第三切换组件315-a,其可为参考图3a所描述的第三切换组件315的实例;第四切换组件320-a,其可为参考图3a所描述的第四切换组件320的实例;以及第五切换组件325-a,其可为参考图3a所描述的第五切换组件325的实例。在一些实例中,时序图300-b可说明电容器(例如,电容器330-a的前侧和电容器330-b的后侧)的一或多个操作,所述电容器可为参考图3a所描述的电容器330的实例。在一些实例中,以下操作可完全或部分地由存储器控制器(例如,参考图1所描述的存储器控制器140)执行。

在时间355,可(例如,向参考图3所描述的电路300-a)发出第一命令。在一些实例中,第一命令可被称作预充电命令。在接收到第一命令后,电容器(例如,电容器330-a、330-b)可从先前存取操作充电。例如,第一命令(例如,至少一个命令、多个命令)可传输到第一切换组件305-a和第四切换组件320-a以启动所述切换组件。在一些实例中,第一命令可传输到第二切换组件310-a、第三切换组件315-a和第五切换组件325-a以停用所述切换组件。在一些实例中,第一命令可基于第一间隔355的开始(例如,在第一间隔355开始之后)而传输到第三切换组件315-a和第四切换组件320-a。通过基于第一间隔355的开始而将第一命令传输到第三切换组件315-a和第四切换组件320-a,存储器阵列(例如,参考图1所描述的存储器阵列100)的总功率消耗可以减小。因此,电压可(例如,从参考图3a所描述的电压源335-a)施加到电容器330-b的后侧。在一些实例中,板线210-b的电压可部分地基于电容器进行充电(例如,由于电容器到时间360才放电)而增加。

在时间360,电容器可放电到板线210-b上。在电容器放电完成后,命令(例如,第二命令、多个命令)可被发出并传输到各种切换组件。例如,第二命令可使得第一切换组件305-a和第三切换组件315-a停用。另外地或可替代地,第二命令可使得第二切换组件310-a和第四切换组件320-a启动。在一些实例中,第五切换组件325-a可保持处于停用状态。因此,电容器的电荷可放电到板线210-b上。

如上文所描述,在存取操作期间,跨板线(例如,板线210-b)的电压可能需要达到电压电平vdd以执行或启用一或多个存取操作。因为基于电容器放电而施加到板线210-b的电压可小于vdd,所以可能需要向板线210-b施加第二电压以使所述电压至少增加到vdd。因此,通过停用第一切换组件305-a和第三切换组件315-a并启动第二切换组件310-a和第四切换组件320-a,可(例如,从参考图3a所描述的电压源335)向板线210-b施加第二电压。因此,跨板线210-b的电压可达到电压电平vdd375。

在时间365,由跨板线210-b的电压(例如,电压电平vdd)产生的电荷可存储在(例如,参考图3a所描述的区段340的)一或多个存储器单元的电容器处。因此,跨板线210-b的电压可以减小。在一些实例中,在时间365,可传输第三命令(例如,至少一个命令、多个命令)以停用第二切换组件310-a并启动第一切换组件305-a。在一些实例中,第三切换组件315-a和第五切换组件325-a可保持停用。通过停用第二切换组件310-a并启动第一切换组件305-a,没有电压可从电压源(例如,参考图3a所描述的电压源335)施加到板线210-b。在一些实例中,在启动第一切换组件305-a之后,区段340的本征电容可基于启动第一切换组件305-a通过连接而与电容器330共享,并且因此,电容器330可被充电。随后,可以停用第一切换组件305-a并且可以启动第五切换组件325-a,这可使得板线210-b接地。在一些实例中,时间370可表示上文所描述的存取操作的结束。

图4说明根据本公开的各种实例的实例电路400。电路400可为替代性配置(例如,相比于参考图3a所描述的电路300),并且可包含存储器组(例如,参考图1所描述的一组存储器阵列100)的区段440。区段440可包含块445、445-a和445-b,它们可各自包含一或多个存储器单元(例如,参考图2所描述的存储器单元105-a)。例如,块445、445-a和445-b中的每一个可包含具有相应铁电电容器(未示出)的一个铁电存储器单元。在一些实例中,区段440可与板线210-c耦合,板线210-c可为参考图3a所描述的板线210-a的实例。在一些实例中,板线210-c可与电容器430和电压源435耦合。电容器430和电压源435中的每一个可与每个块的第一切换组件(例如,第一切换组件405、405-a、405-b)、每个块的第二切换组件(例如,第二切换组件410、410-a和410-b)和每个块的第五切换组件(例如,第五切换组件425、425-a、425-b)中的一或多个耦合。

在一些实例中,电容器430和电压源435可用于相对于块445、445-a和445-b的一或多个存储器单元进行存取操作(例如,写入操作、写回操作)。在一些实例中,写入操作可开始于通过启动或停用切换组件的组合(例如,从先前存取操作)向电容器430施加初始电荷。例如,可以启动每个块(例如,405、405-a、405-b)的第一切换组件和第四切换组件420,并且可以停用第三切换组件415。通过停用每个块的第一切换组件和第四切换组件420并启动第三切换组件415,基于区段440的本征电容,可向电容器430施加初始电荷,从而向板线210-c施加电压。

在对电容器430进行充电之后,电容器430可放电到板线210-c上。为了对电容器430进行放电,可以启动所要块的第一切换组件,并且可以停用相同块的第二切换组件。换句话说,如果写入到与块445相关联的铁电存储器单元,那么可以启动第一切换组件405并且可以停用第二切换组件410。另外地或可替代地,可以停用块445的第五切换组件425。因此,可以从电容器430向板线210-c施加电压。因为所述电压可小于进行写入操作需要的电压,如上文所描述,所以可能需要向板线210-c施加额外电压以使所述电压增加到vdd。

为了向块445的板线施加额外电压,可以停用所要块的第一切换组件(例如,块445的第一切换组件405),并且可以启动相同块的第二切换组件(例如,块445的第二切换组件410)(例如,同时第五切换组件425保持停用)。所述额外电压可从电压源435-a施加到块445的板线。因此,电压源435-a可向板线施加额外电压,这可使板线的电压增加到vdd。通过使板线增加到vdd,可对块445的一或多个存储器单元进行写入操作。

在一些实例中,第二存取操作(例如,写回操作)可在第一存取操作(例如,上文所描述的写入操作)之后进行。为了开始写回操作,与一或多个块(例如,块445、445-a、445-b)的一或多个存储器单元相关联的电容器可放电到板线210-c上,从而跨板线210-c产生电压。在电容器放电之后,板线210-c的所得电压可通过停用块的第二切换组件(例如,块445的第二切换组件410)并启动相同块的第一切换组件(例如,块445的第一切换组件405)而施加到电容器430。

在对电容器430进行充电(例如,基于区段440的本征电容)之后,板线210-c的电压可通过启动第三切换组件415并停用第四切换组件420增加(例如,增加到第一电压值)。因此,可从电容器430向板线210-c施加第一电压。在一些实例中,第一电压可小于进行写回操作需要的电压。因此,可能需要向板线210-c施加第二电压以使所述电压增加到vdd。

为了向块445-a的板线施加第二电压,可以停用块445-a的第一切换组件(例如,第一切换组件405-a),并且可以启动第二切换组件410-a(例如,同时第五切换组件425-a保持停用)。第二电压可从电压源435-b施加到块445的板线。因此,电压源435-b可向板线210-c施加第二电压以使板线的电压增加到vdd。在一些实例中,电压源435、435-a、435-b和435-c中的每一个可以是同一电压源。通过使每个块的板线增加到vdd,可对块445-a的一或多个存储器单元进行写回操作。如上文所描述,通过同时利用电容器430和特定块的电压源(例如,电压源435-a、435-b、435-c),写入操作和写回操作消耗的功率均可减小(例如,相比于其它写入或写回操作)。

在一些实例中,每个块(例如,块445、445-a、445-b)可包含多个铁电存储器单元。写入或写回操作可同时在相同区段的铁电存储器单元的任何组合上或同时在不同区段的铁电存储器单元的任何组合上进行。例如,根据上文所描述的方法,电容器430可放电到板线210-c上,且电压源435-a、435-b和435-c中的一或多个可使块板线的电压增加到vdd。所得电压(例如,第二电压)可施加到块445、445-a和445-b的铁电存储器单元中的任一者或组合。如上文所描述,相比于其它写入或写回操作,此类操作可消耗更小的功率。

图5说明根据本公开的各种实例的实例电路500。电路500可为替代性配置(例如,相比于参考图3a所描述的电路300),并且可包含组545(例如,一组铁电存储器单元的区段),组545包含区段540、540-a和540-b(例如,铁电存储器单元的区段)。区段540、540-a和540-b中的每一个可包含一或多个块(未示出),所述块各自包含一或多个存储器单元(例如,参考图2所描述的存储器单元105-a)。例如,区段540、540-a和540-b中的每一个可包含具有铁电电容器的一个铁电存储器单元。在一些实例中,区段540可通过切换组件550与板线210-d耦合,区段540-a可通过切换组件555与板线210-d耦合,且区段540-b可通过切换组件560与板线210-d耦合。板线210-d可与电容器530、电压源535和电压源535-a耦合。电容器530、电压源535和535-a中的每一个可与第一切换组件505、第二切换组件510、第三切换组件515、第四切换组件520、第五切换组件525、第六切换组件550、第七切换组件555和第八切换组件560中的一或多个耦合。

在一些实例中,电容器530、电压源535和535-a可用于相对于区段540、540-a和540-b的一或多个存储器单元进行一或多个存取操作(例如,写入操作、写回操作)。在一些实例中,写入操作可开始于电容器530通过启动或停用切换组件的组合而放电到板线210-d上。例如,可以启动第一切换组件505和第四切换组件520,并且可以停用第三切换组件515。通过启动第一切换组件505和第四切换组件520并停用第三切换组件515,可从电压源535-a(例如,从vdd)向电容器530(例如,电容器530的后侧)施加电压。这可使电容器530充电到所要值(例如,直到电容器530达到带电荷状态为止)。

为了向板线210-d施加第一电压,可以停用第二切换组件510和第五切换组件525。另外地或可替代地,可以启动第六切换组件550、第七切换组件555和第八切换组件560中的一或多个(例如,依据写入的存储器单元)。因此,可从电容器530向板线210-d施加电压。因为所述电压可小于进行写入操作需要的电压,如上文所描述,所以可能需要向板线210-d施加额外电压以使所述电压增加到vdd。

为了向板线210-d施加额外电压,可以停用第一切换组件505,并且可以启动第二切换组件(例如,同时第五切换组件525保持停用)。额外电压可从电压源535施加到板线210-d。因此,电压源535可向板线210-d施加额外电压,这可使板线210-d的电压增加到vdd。通过使板线210-d增加到vdd,可对区段540、540-a或540-b中的一个的一或多个存储器单元进行写入操作。例如,为了写入到与区段540相关联的存储器单元,可以启动第六切换组件550,并且可以停用第七切换组件555和第八切换组件560。在其它实例中,可以启动和/或停用第六切换组件550、第七切换组件555和第八切换组件560的任何组合。依据写入的存储器单元,与板线210-d的电压相关联的电荷可存储在与相应区段的存储器单元相关联的铁电电容器处。

在一些实例中,第二存取操作(例如,写回操作)可在第一存取操作(例如,上文所描述的写入操作)之后进行。为了开始写回操作,与一或多个区段(例如,区段540、540-a、540-b)的一或多个存储器单元相关联的电容器可放电到板线210-d上,从而跨板线210-d产生电压。电容器可通过启动第六切换组件550、第七切换组件555和第八切换组件560中的一或多个来放电。在电容器放电之后,板线210-d的所得电压可通过停用第二切换组件510并启动第一切换组件505和第四切换组件520而施加到电容器530。

在对电容器530进行充电之后,写回操作可在与区段540、540-a和540-b中的一或多个相关联的铁电存储器单元上进行。例如,写回操作可在与区段540-a的铁电存储器单元相关联的铁电存储器单元上进行。为了开始写回操作,电容器530可放电到板线210-d上。这可被称作向板线210-d施加第一电压。为了使电容器530放电到板线上,可以启动第一切换组件505,并且可以停用第二切换组件510和第五切换组件525。另外地或可替代地,可以启动第七切换组件555,并且可以停用第六切换组件550和第八切换组件560。因此,可从电容器530向板线210-d施加第一电压。在一些实例中,第一电压可小于进行写回操作需要的电压。因此,可能需要向板线210-d施加第二电压以使所述电压增加到vdd。

为了向板线210-d施加第二电压,可以停用第一切换组件505,并且可以启动第二切换组件(例如,同时第五切换组件525保持停用)。第二电压可从电压源535施加到板线210-d。因此,电压源535可向板线210-d施加第二电压以使板线210-d的电压增加到vdd。通过使板线210-d增加到vdd,可对区段540-a的一或多个存储器单元进行写回操作。如上文所描述,通过同时利用电容器530和电压源535,写入操作和写回操作消耗的功率均可减小(例如,相比于其它写入或写回操作)。

在其它实例中,每一区段(例如,区段540、540-a、540-b)可包含多个铁电存储器单元。写入或写回操作可同时在相同区段的铁电存储器单元的任何组合上或同时在不同区段的铁电存储器单元的任何组合上进行。例如,根据上文所描述的方法,电容器530可放电到板线210-d上,并且电压源535可使板线210-d的电压增加到vdd。所得电压(例如,第二电压)可施加到区段540、540-a和540-b的铁电存储器单元中的任一者或组合。如上文所描述,此类操作消耗的功率可比其它写入或写回操作低。

图6说明根据本公开的各种实例的实例电路600。电路600可为替代性配置(例如,相比于参考图3a所描述的电路300),并且可包含组645(例如,一组铁电存储器单元的区段),组645包含区段640、640-a和640-b(例如,铁电存储器单元的区段)。区段640、640-a和640-b中的每一个可为参考图4所描述的区段440的实例。另外地或可替代地,区段640、640-a和640-b中的每一个可包含一或多个块(例如,参考图4所描述的块445),所述块各自包含一或多个存储器单元(例如,参考图2所描述的存储器单元105-a)。例如,区段640、640-a和640-b中的每一个可包含具有铁电电容器的一个铁电存储器单元。在一些实例中,区段640、640-a和640-b中的每一个可与板线210-e耦合。在一些实例中,板线210-e可与电容器630和电压源635耦合。电容器630和电压源635中的每一个可与每一区段的第一控制线(例如,第一控制线605、605-a、605-b)、每一区段的第二控制线(例如,第二控制线610、610-a和610-b)和每一区段的第三控制线(例如,第三控制线625、625-a、625-b)中的一或多个耦合。在其它实例(未示出)中,区段640、640-a和640-b中的每一个可通过一或多个切换组件(例如,参考图4所描述的切换组件405、410和420)与板线210-e耦合。

在一些实例中,电容器630和电压源635可用于相对于区段640、640-a和640-b的一或多个存储器单元进行一或多个存取操作(例如,写入操作、写回操作)。在一些实例中,写入操作可开始于通过启动或停用切换组件的组合(例如,从先前存取操作)向电容器630施加初始电荷。例如,可以(例如,通过第二控制线610)启动每一区段的第一切换组件(例如,参考图4所描述的第一切换组件405、可与区段相关联或内在区段内的切换组件)。另外地或可替代地,可以启动第四切换组件620,并且可以停用第三切换组件615。通过启动每一区段的第一切换组件和第四切换组件620并停用第三切换组件615,基于区段640的本征电容,可向电容器630施加初始电荷,从而向板线210-e施加电压。

在对电容器630进行充电之后,电容器630可放电到板线210-e上。为了对电容器630进行放电,可以(例如,通过第二控制线610)启动所要区段的第一切换组件,并且可以(例如,通过第一控制线605)停用相同区段的第二切换组件(例如,参考图4所描述的第二切换组件410、可与区段相关联或在区段内的切换组件)。换句话说,如果写入到与区段640相关联的铁电存储器单元,那么可以启动第一切换组件并且可以停用第二切换组件。另外地或可替代地,可以(例如,通过第三控制线625)停用区段640的第五切换组件(例如,参考图4所描述的第五切换组件425、425-a、425-b、可与区段相关联或在区段内的切换组件)。因此,可从电容器630向板线210-e施加电压。因为所述电压可小于进行写入操作需要的电压,如上文所描述,所以可能需要向块445的板线施加额外电压以使电压增加到vdd。

为了向块445的板线施加额外电压,可以停用所要区段的第一切换组件,并且可以启动相同区段的第二切换组件(例如,同时第五切换组件保持停用)。额外电压可从与每一区段(未示出)耦合的相应电压源施加到块445的板线。在其它实例中,一个电压源可与多个区段耦合。因此,电压源可向块445的板线施加额外电压,这可使块445的板线的电压增加到vdd。通过使块445的板线增加到vdd,可对区段640的一或多个存储器单元进行写入操作。

在一些实例中,第二存取操作(例如,写回操作)可在第一存取操作(例如,上文所描述的写入操作)之后进行。为了开始写回操作,与一或多个区段(例如,区段640、640-a、640-b)的一或多个存储器单元相关联的电容器可放电到板线210-e上,从而跨板线210-e产生电压。在电容器放电之后,板线210-e的所得电压可通过停用(例如,通过第一控制线605)区段的第二切换组件并启动(例如,通过第二控制线610)相同区段的第一切换组件而施加到电容器630。

在对电容器630进行充电(例如,基于区段440的本征电容)之后,板线210-e的电压可通过启动第三切换组件615并停用第四切换组件620而增加(例如,增加到第一电压值)。因此,可从电容器630向板线210-e施加第一电压。在一些实例中,第一电压可小于进行写回操作需要的电压。因此,可能需要向块445的板线施加第二电压以使所述电压增加到vdd。

为了向块445的板线施加第二电压,可以(例如,通过第二控制线610-a)停用区段640-a的第一切换组件,并且可以(例如,通过第一控制线605-a)启动第二切换组件。第二电压可从与区段640-a(未示出)耦合的电压源施加到块445的板线。如上文所描述,电压源可与区段640、640-a和640-b中的一或多个相关联。因此,电压源可向块445、445-a和445-b的板线施加第二电压以使每个块的板线的电压增加到vdd。通过使每个块的板线增加到vdd,可对区段640-a的一或多个存储器单元进行写回操作。如上文所描述,通过同时利用电容器630和特定区段的电压源,写入操作和写回操作消耗的功率可减小(例如,相比于其它写入或写回操作)。

在一些实例中,每一区段(例如,区段640、640-a、640-b)可包含多个铁电存储器单元。写入或写回操作可同时在相同区段的铁电存储器单元的任何组合上或同时在不同区段的铁电存储器单元的任何组合上进行。例如,根据上文所描述的方法,电容器630可放电到板线210-e上,并且一或多个电压源可使板线210-e的电压增加到vdd。所得电压(例如,第二电压)可施加到区段640、640-a和640-b的铁电存储器单元中的任一者或组合。如上文所描述,此类操作消耗的功率可比其它写入或写回操作低。

在一些实例中,如上文所描述,图3a到6可为与板线耦合的铁电存储器单元的实例。第一电容器可通过板线和第一切换组件而与铁电存储器单元耦合。在一些实例中,第一电容器可经配置以在第一切换组件启动时通过板线向铁电存储器单元施加第一电压。另外地或可替代地,电压源可通过第二切换组件而与板线耦合。在一些实例中,电压源可经配置以在第二切换组件启动时向板线施加第二电压。

在一些实例中,如上文所描述,电压源可通过第三切换组件而与第一电容器耦合。在一些实例中,电压源可经配置以在第三电容器启动时对第一电容器进行充电。在其它实例中,第四切换组件可与第一电容器耦合。在一些实例中,电压源可经配置以在第四切换组件停用时对第一电容器进行充电。另外地或可替代地,第一切换组件可与第一电容器的第一侧耦合,且第三切换组件和第四切换组件可与第一电容器的第二侧耦合。

在一些实例中,第五切换组件可与板线耦合。电压源可经配置以在第五切换组件停用时向板线施加第二电压。在一些实例中,接地电压源可经配置以在第五切换组件启动时对板线进行放电。在其它实例中,第二铁电存储器单元可与板线耦合。第一电容器可通过板线和第六切换组件而与第二铁电存储器单元耦合,所述第六切换组件与第二铁电存储器单元相关联。在一些实例中,第一切换组件可与所述铁电存储器单元相关联。

另外地或可替代地,电压源可经配置以在第二切换组件启动时向板线施加第二电压。在一些实例中,多个铁电存储器单元可与板线耦合。第一电容器可经配置以向多个铁电存储器单元施加第一电压,且电压源可经配置以在第二切换组件启动时向多个铁电存储器单元施加第二电压。在其它实例中,第七切换组件可与板线耦合。第一电容器可经配置以向板线施加第一电压,且电压源可经配置以在第七切换组件启动时向板线施加第二电压。

图7示出根据本公开的实例的支持铁电存储器极板功率减小的存储器控制器715的框图700。存储器控制器715可为参考图8所描述的存储器控制器815的方面的实例。存储器控制器715可包含偏压组件720、定时组件725、充电组件730、施加组件735、放电组件740、接收组件745、起始组件750、隔离组件755、停用组件760和启动组件765。这些模块中的每一个可彼此直接或间接(例如,通过一或多个总线)连通。

充电组件730可从与板线耦合的铁电存储器单元对电容器进行充电。在一些实例中,电容器可与第一电压源耦合。在一些实例中,充电组件730可在电容器处接收电荷之前,通过启动与第一电压源耦合的第三切换组件从第一电压源对电容器进行充电。在其它实例中,充电组件730可通过(例如,部分地基于)启动第一切换组件从铁电存储器单元对电容器进行充电。

施加组件735基于从铁电存储器单元对电容器进行充电,通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向铁电存储器单元施加第一电压。在其它实例中,施加组件735可通过(例如,部分地基于)启动第三切换组件并停用第五切换组件来施加第一电压。在一些实例中,施加第三电压可包含启动第四切换组件并停用第三切换组件和第五切换组件。在一些实例中,施加组件735可在启动第三切换组件之后向铁电存储器单元施加第三电压。

在一些实例中,施加组件735可向与板线耦合的第二铁电存储器单元施加第一电压。在一些实例中,电容器可通过板线和第五切换组件而与第二铁电存储器单元耦合,所述第五切换组件与第二铁电存储器单元相关联。施加组件735可基于施加第一电压,通过启动与第一电压源耦合的第二切换组件而向铁电存储器单元施加第二电压。在一些实例中,施加组件735可基于接收第一电荷而向第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元施加第一电压。

在一些实例中,施加组件735可在铁电存储器单元放电之前从与板线耦合的第一电压源向电容器施加第二电压。在其它实例中,施加组件735可基于接收第一电荷而向第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元施加第三电压。另外地或可替代地,施加组件735可基于向第二铁电存储器单元施加第一电压而向第二铁电存储器单元施加第二电压。在一些实例中,第一切换组件可与所述铁电存储器单元相关联。在一些实例中,第二电压可通过电容器与板线解耦合而施加到铁电存储器单元。在其它实例中,施加第二电压可包含停用与电容器和第一电压源耦合的第一切换组件。

放电组件740可使第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电到板线。在一些实例中,使第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电到板线可包含启动第二切换组件。

接收组件745可基于第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电而在与板线耦合的电容器处接收第一电荷。

起始组件750可起始从多个铁电存储器单元对电容器进行充电。在一些实例中,起始组件750可起始通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向多个铁电存储器单元中的至少一个施加第一电压。在其它实例中,起始组件750可起始至少部分地基于施加第一电压,通过启动与电压源耦合的第二切换组件而向多个铁电存储器单元中的所述至少一个施加第二电压。另外地或可替代地,起始组件750可起始在电容器处接收电荷之前,通过启动与电压源耦合的第三切换组件对电容器进行充电。在其它实例中,起始组件750可起始在启动第三切换组件之后向多个铁电存储器单元中的所述至少一个施加第三电压。

隔离组件755可通过停用第一切换组件和第二切换组件而使铁电存储器单元与电容器和第一电压源隔离。

停用组件760可在第一切换组件启动时停用第三切换组件。在一些实例中,停用组件760可停用第三切换组件。在其它实例中,停用组件760可停用与板线和第一电压源耦合的第四切换组件。另外地或可替代地,停用组件760可停用第五切换组件。

启动组件765可在第三切换组件停用时启动第四切换组件。在一些实例中,启动组件765可启动与电容器和虚拟接地耦合的第二切换组件。在其它实例中,启动组件765可启动与电容器和板线耦合的第三切换组件。另外地或可替代地,启动组件765可启动与板线和虚拟接地耦合的第五切换组件。在一些实例中,启动第五切换组件可对板线进行放电。在其它实例中,启动组件765可启动第三切换组件。

图8示出根据本公开的实例的包含支持铁电存储器极板功率减小的装置805的系统800的图。装置805可为如上文(例如)参考图1所描述的铁电存储器阵列100的区段的组件的实例或包含所述组件。装置805可包含用于双向语音和数据通信的组件,包含用于传输和接收通信的组件,包含存储器控制器815、存储器单元820、基本输入/输出系统(bios)组件825、处理器830、i/o控制器835和外围组件840。这些组件可通过一或多个总线(例如,总线810)成电子连通。

存储器控制器815可操作如本文中所描述的一或多个存储器单元。确切地说,存储器控制器815可经配置以支持铁电存储器极板功率减小。在一些情况下,存储器控制器815可包含行解码器、列解码器或这两者,如本文中所描述(未示出)。

存储器单元820可存储信息(即,呈逻辑状态形式),如本文中所描述。

bios组件825可为包含操作为固件的bios的软件组件,其可初始化和运行各种硬件组件。bios组件825还可管理处理器与各种其它组件(例如,外围组件、输入/输出控制组件等)之间的数据流。bios组件825可包含存储在只读存储器(rom)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。

处理器830可包含智能硬件装置(例如,通用处理器、dsp、中央处理单元(cpu)、微控制器、asic、fpga、可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑组件、离散硬件组件或其任何组合)。在一些情况下,处理器830可经配置以使用存储器控制器操作存储器阵列。在其它情况下,存储器控制器可集成到处理器830中。处理器830可经配置以执行存储于存储器中的计算机可读指令以执行各种功能(例如,支持铁电存储器极板功率减小的功能或任务)。

i/o控制器835可管理用于装置805的输入和输出信号。i/o控制器835还可管理不集成到装置805中的外围设备。在一些情况下,i/o控制器835可表示通往外部外围设备的物理连接或端口。在一些情况下,i/o控制器835可使用操作系统,例如或另一已知操作系统。在其它情况下,i/o控制器835可表示调制解调器、键盘、鼠标、触摸屏或类似装置或与这些装置交互。在一些情况下,i/o控制器835可实施为处理器的部分。在一些情况下,用户可通过i/o控制器835或通过受i/o控制器835控制的硬件组件与装置805交互。

外围组件840可包含任何输入或输出装置,或用于此类装置的接口。实例可包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(usb)控制器、串行或并行端口,或外围设备卡槽,例如外围组件互连(pci)或加速图形端口(agp)槽。

输入845可表示装置805外部的装置或信号,其提供到装置805或其组件的输入。这可包含用户接口或与其它装置的介面或其它装置之间的介面。在一些情况下,可通过i/o控制器835管理输入845,且所述输入845可通过外围组件840与装置805交互。

输出850也可表示装置805外部的装置或信号,其经配置以从装置805或其组件中的任一个接收输出。输出850的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置、另一处理器或印刷电路板等。在一些情况下,输出850可为通过外围组件840与装置805介接的外围元件。在一些情况下,输出850可由i/o控制器835管理。

装置805的组件可包含设计成实行它们的功能的电路系统。这可包含各种电路元件,例如,导电线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器或其它有源或非有源元件,它们经配置以实行本文中所描述的功能。装置805可以是计算机、服务器、膝上型计算机、笔记本电脑、平板电脑、移动电话、可穿戴电子装置、个人电子装置等等。或者,装置805可以是此类装置的一部分或一方面。

图9示出根据本公开的实例的说明用于铁电存储器极板功率减小的方法900的流程图。方法900的操作可通过本文中所描述的方法和/或装置实施。例如,方法900的操作可由参考图1所描述的存储器控制器执行。

在905处,可从与板线耦合的铁电存储器单元对电容器进行充电,所述电容器与第一电压源耦合。905的操作可根据本文所描述的方法来执行。在某些实例中,905的操作的方面可由参考图7所描述的充电组件执行。

在910处,可至少部分地基于从铁电存储器单元对电容器进行充电,通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向铁电存储器单元施加第一电压。910的操作可根据本文所描述的方法来执行。在某些实例中,910的操作的方面可由参考图7所描述的施加组件执行。

在915处,可通过启动与第一电压源耦合的第二切换组件而向铁电存储器单元施加第二电压。915的操作可根据本文所描述的方法来执行。在某些实例中,915的操作的方面可由参考图7所描述的施加组件执行。

在一些情况下,方法可包含从与板线耦合的铁电存储器单元对电容器进行充电,所述电容器与第一电压源耦合。在其它情况下,方法可包含至少部分地基于向第二铁电存储器单元施加第一电压而向第二铁电存储器单元施加第二电压,其中第一切换组件与所述铁电存储器单元相关联。另外地或可替代地,方法可包含至少部分地基于施加第一电压,通过启动与第一电压源耦合的第二切换组件而向铁电存储器单元施加第二电压。

在一些情况下,方法可包含通过停用第一切换组件和第二切换组件而使铁电存储器单元与电容器和第一电压源隔离。在其它情况下,第二电压可通过电容器与板线解耦合而施加到铁电存储器单元。在一些情况下,方法可包含在电容器处接收电荷之前,通过启动与第一电压源耦合的第三切换组件从第一电压源对电容器进行充电。在其它实例中,方法可包含在启动第三切换组件之后向铁电存储器单元施加第三电压。

在一些情况下,方法可包含至少部分地基于从铁电存储器单元对电容器进行充电,通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向铁电存储器单元施加第一电压。在一些实例中,方法可包含在第一切换组件停用时停用与电容器耦合的第四切换组件。另外地或可替代地,方法可包含至少部分地基于启动第一切换组件从铁电存储器单元对电容器进行充电。在其它情况下,方法可包含在第一切换组件启动时停用第三切换组件。

在一些实例中,方法可包含在第三切换组件停用时启动第四切换组件。在一些情况下,方法可包含向与板线耦合的第二铁电存储器单元施加第一电压,其中电容器通过板线和第五切换组件而与第二铁电存储器单元耦合,所述第五切换组件与第二铁电存储器单元相关联。

在一些实例中,如本文中所描述的设备可执行方法,例如方法900。所述设备可包含用于进行以下操作的特征、构件或指令(例如,存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体):从与板线耦合的铁电存储器单元对电容器进行充电,所述电容器与第一电压源耦合;至少部分地基于从铁电存储器单元对电容器进行充电,通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向铁电存储器单元施加第一电压;以及至少部分地基于施加第一电压,通过启动与第一电压源耦合的第二切换组件而向铁电存储器单元施加第二电压。

本文中所描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于通过停用第一切换组件和第二切换组件而使铁电存储器单元与电容器和第一电压源隔离的操作、特征、构件或指令。

在本文中所描述的方法900和设备的一些实例中,第二电压可至少部分地基于电容器与板线解耦合而施加到铁电存储器单元。

本文中所描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、构件或指令:在电容器处接收电荷之前,通过启动与第一电压源耦合的第三切换组件从第一电压源对电容器进行充电,及在启动第三切换组件之后向铁电存储器单元施加第三电压。

在本文中所描述的方法900和设备的一些实例中,从铁电存储器单元对电容器进行充电可至少部分地基于启动第一切换组件,在第一切换组件启动时停用第三切换组件,以及在第三切换组件停用时启动第四切换组件。

本文中所描述的方法900和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、构件或指令:向与板线耦合的第二铁电存储器单元施加第一电压,所述电容器通过板线和第五切换组件而与第二铁电存储器单元耦合,所述第五切换组件与第二铁电存储器单元相关联;及至少部分地基于向第二铁电存储器单元施加第一电压而向第二铁电存储器单元施加第二电压,其中第一切换组件与所述铁电存储器单元相关联。

在一些情况下,本文中所描述的设备可包含:铁电存储器单元,其与板线耦合;第一电容器,其通过所述板线和第一切换组件而与所述铁电存储器单元耦合,所述第一电容器经配置以在第一切换组件启动时通过板线向铁电存储器单元施加第一电压;以及电压源,其通过第二切换组件而与板线耦合,其中所述电压源经配置以在第二切换组件启动时向板线施加第二电压。

在所述设备的一些实例中,电压源通过第三切换组件而与第一电容器耦合。在一些其它实例中,电压源可经配置以在第三切换组件启动时对第一电容器进行充电。

所述设备的一些实例可另外包含与第一电容器耦合的第四切换组件,其中电压源可经配置以在第四切换组件停用时对第一电容器进行充电。

在所述设备的一些实例中,第一切换组件可与第一电容器的第一侧耦合,且第三切换组件和第四切换组件可与第一电容器的第二侧耦合。

所述设备的一些实例可另外包含与板线耦合的第五切换组件,其中电压源可经配置以在第五切换组件停用时向板线施加第二电压,并且其中接地电压源可经配置以在第五切换组件启动时对板线进行放电。

所述设备的一些实例可另外包含与板线耦合的第二铁电存储器单元,第一电容器通过板线和第六切换组件而与第二铁电存储器单元耦合,所述第六切换组件与第二铁电存储器单元相关联,其中第一切换组件与所述铁电存储器单元相关联。

在所述设备的一些实例中,电压源可经配置以在第二切换组件启动时向板线施加第二电压。

所述设备的一些实例可另外包含与板线耦合的多个铁电存储器单元,在第二切换组件启动时,第一电容器经配置以向多个铁电存储器单元施加第一电压且电压源经配置以向多个铁电存储器单元施加第二电压。

所述设备的一些实例可另外包含与板线耦合的第七切换组件,在第七切换组件启动时,第一电容器经配置以向板线施加第一电压且电压源经配置以向板线施加第二电压,其中第七切换组件可与第二铁电存储器单元相关联。

图10示出根据本公开的实例的说明用于铁电存储器极板功率减小的方法1000的流程图。方法1000的操作可通过本文中所描述的方法和/或装置实施。例如,方法1000的操作可由参考图1所描述的存储器控制器执行。

在1005处,可使第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电到板线。1005的操作可根据本文所描述的方法来执行。在某些实例中,1005的操作的方面可由参考图7所描述的放电组件执行。

在1010处,可至少部分地基于第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电而在与板线耦合的电容器处接收第一电荷。1010的操作可根据本文所描述的方法来执行。在某些实例中,1010的操作的方面可由参考图7所描述的接收组件执行。

在1015处,可至少部分地基于接收第一电荷而向第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元施加第一电压。1015的操作可根据本文所描述的方法来执行。在某些实例中,1015的操作的方面可由参考图7所描述的施加组件执行。

在一些情况下,方法可包含使第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电到板线。在一些实例中,方法可包含通过启动第三切换组件并停用第五切换组件而施加第一电压,且施加第三电压包含启动第四切换组件并停用第五切换组件。在一些情况下,方法可包含至少部分地基于接收第一电荷而向第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元施加第一电压。

在一些实例中,方法可包含在铁电存储器单元放电之前向与板线耦合的电容器施加第二电压,所述第二电压至少部分地基于施加施加到第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元的第一电压。在一些实例中,第二电压可从初始通过第一电压源充电的带电荷铁电存储器单元施加到电容器。在一些实例中,施加第二电压可包含停用与电容器和第一电压源耦合的第一切换组件,启动与电容器和虚拟接地耦合的第二切换组件,及启动与电容器和板线耦合的第三切换组件。另外地或可替代地,方法可包含至少部分地基于接收第一电荷而向第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元施加第三电压。在一些情况下,施加第二电压可包含启动与电容器和第一电压源耦合的第一切换组件。在一些实例中,方法可包含停用第三切换组件并启动与板线和虚拟接地耦合的第五切换组件。在一些实例中,启动第五切换组件可对板线进行放电。

在一些实例中,方法可包含至少部分地基于第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电而在与板线耦合的电容器处接收第一电荷。在一些情况下,方法可包含停用与电容器和板线耦合的第三切换组件。在其它情况下,第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元向板线放电可包含启动第三切换组件。

另外地或可替代地,方法可包含停用与板线和第一电压源耦合的第四切换组件。在一些情况下,方法可包含停用与板线和虚拟接地耦合的第五切换组件。在其它实例中,方法可包含停用与电容器和虚拟接地耦合的第二切换组件。

在一些实例中,如本文中所描述的设备可执行方法,例如方法1000。所述设备可包含用于进行以下操作的特征、构件或指令(例如,存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体):使第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电到板线,至少部分地基于第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电而在与板线耦合的电容器处接收第一电荷,及至少部分地基于接收第一电荷而向第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元施加第一电压。

本文中所描述的方法1000和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、构件或指令:在铁电存储器单元放电之前向与板线耦合的电容器施加第二电压,所述第二电压至少部分地基于施加施加到第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元的第一电压,及至少部分地基于接收第一电荷而向第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元施加第三电压。

在本文中所描述的方法1000和设备的一些实例中,施加第二电压包含停用与电容器和第一电压源耦合的第一切换组件,启动与电容器和虚拟接地耦合的第二切换组件,及启动与电容器和板线耦合的第三切换组件。

本文中所描述的方法1000和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、构件或指令:停用第三切换组件,及启动与板线和虚拟接地耦合的第五切换组件,其中启动第五切换组件对板线进行放电。

在本文中所描述的方法1000和设备的一些实例中,使第一铁电存储器单元子集中的铁电存储器单元放电到板线包含启动第二切换组件,启动第三切换组件,停用与板线和第一电压源耦合的第四切换组件,及停用第五切换组件。

在本文中所描述的方法1000和设备的一些实例中,施加第一电压包含启动第三切换组件并停用第五切换组件。在一些实例中,施加第三电压包含启动第四切换组件并停用第三切换组件和第五切换组件。

在一些情况下,本文中所描述的设备可包含:多个铁电存储器单元,其与板线耦合;电容器,其与板线耦合;电压源,其与电容器和板线耦合;以及存储器控制器,其与板线耦合。在一些实例中,存储器控制器可用来或配置成起始从多个铁电存储器单元对电容器充电,起始通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向多个铁电存储器单元中的至少一个施加第一电压,以及起始至少部分地基于施加第一电压,通过启动与电压源耦合的第二切换组件而向多个铁电存储器单元中的所述至少一个施加第二电压。

在一些实例中,所述设备可用来或配置成起始在电容器处接收电荷之前,通过启动与电压源耦合的第三切换组件对电容器进行充电,并起始在启动第三切换组件之后向多个铁电存储器单元中的所述至少一个施加第三电压。

在所述设备的一些实例中,起始从多个铁电存储器单元对电容器进行充电可包含启动第一切换组件,停用第二切换组件,停用第三切换组件,启动与电容器和虚拟接地耦合的第四切换组件,及停用与板线和虚拟接地耦合的第五切换组件。

在所述设备的一些实例中,起始施加第一电压包含启动第三切换组件并停用第五切换组件。

在一些情况下,本文中所描述的设备可包含:多个铁电存储器单元,其与板线耦合;电容器,其与板线耦合;及电压源,其与电容器和板线耦合。在一些实例中,所述设备可包含用于进行以下操作的特征、构件或指令(例如,存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体):起始从多个铁电存储器单元对电容器进行充电,起始通过启动与电容器耦合的第一切换组件而向多个铁电存储器单元中的至少一个施加第一电压,及起始至少部分地基于施加第一电压,通过启动与电压源耦合的第二切换组件而向多个铁电存储器单元中的所述至少一个施加第二电压。

在一些实例中,所述设备可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、构件或指令:起始在电容器处接收电荷之前,通过启动与电压源耦合的第三切换组件对电容器进行充电,及起始在启动第三切换组件之后向多个铁电存储器单元中的所述至少一个施加第三电压。

在所述设备的一些实例中,起始从多个铁电存储器单元对电容器进行充电可包含启动第一切换组件,停用第二切换组件,停用第三切换组件,启动与电容器和虚拟接地耦合的第四切换组件,及停用与板线和虚拟接地耦合的第五切换组件。

在所述设备的一些实例中,起始施加第一电压包含启动第三切换组件并停用第五切换组件。

应注意,上文所描述的方法描述可能实施方案,且所述操作和所述步骤可重新布置或或以其它方式修改,且其它实施方案是可能的。另外,可组合来自所述方法中的两个或更多个的实例。

可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。例如,可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号说明为单个信号;然而,所属领域的一般技术人员将理解,所述信号可表示信号总线,其中总线可具有多种位宽度。

如本文中所使用,术语“虚拟接地”是指保持为大致零伏特(0v)的电压但不与接地直接连接的电路节点。因此,虚拟接地的电压在时间上可为波动的且在稳定状态下返回到大致0v。可使用例如由运算放大器和电阻器组成的分压器的各种电子电路元件来实施虚拟接地。其它实施方案也是可能的。“虚拟接地”或“虚拟地接地”意味着连接到大约0v。

术语“电子连通”和“耦合”是指支持组件之间的电子流的组件之间的关系。这可包含组件之间的直接连接或可包含中间组件。彼此成电子连通或耦合的组件可以主动地交换电子或信号(例如,在通电电路中),也可以不主动地交换电子或信号(例如,在断电电路中),但可配置成且用来在电路通电后交换电子或信号。举例来说,通过开关(例如,晶体管)物理连接的两个组件成电子连通,或者不管开关的状态如何(即,打开或关闭)均可耦合。

如本文中所使用,术语“大体上”是指经修饰特征(例如由术语大体上修饰的动词或形容词)不必是绝对的但要足够接近以便获得特性的优点。

术语“隔离”是指其中电子当前无法在组件之间流动的所述组件之间的关系;如果组件之间存在开路,那么所述组件彼此隔离。例如,通过开关物理连接的两个组件可在开关打开时彼此隔离。

如本文中所使用,术语“短接”是指其中在组件之间通过启动所讨论的两个组件之间的单个中间组件来建立导电路径的组件之间的关系。例如,短接到第二组件的第一组件可在这两个组件之间的开关关闭时与第二组件交换电子。因此,短接可以是实现电子通信的组件(或线路)之间的电荷流动的动态操作。

本文中所论述的包含存储器阵列100的装置可形成于半导体衬底上,例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些情况下,衬底是半导体晶片。在其它情况下,衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底,例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop),或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含(但不限于)磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间,通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。

本文中所论述的晶体管可表示场效应晶体管(fet),且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的,且可包括经重掺杂(例如简并)半导体区。源极与漏极可通过轻掺杂的半导体区或沟道分隔开。如果沟道是n型(即,大部分载体为电子),那么fet可被称作n型fet。如果沟道是p型(即,大部分载体为电洞),那么fet可被称作p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如,将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时,晶体管可“接通”或“启动”。当小于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时,晶体管可“断开”或“停用”。

本文结合附图阐述的实施方式描述实例配置,且并不表示可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或说明”,且不比其它实例“优选”或“有利”。出于提供对所描述的技术的理解的目的,具体实施方式包含特定细节。然而,这些技术可在没有这些特定细节的情况下实践。在一些情况下,以框图的形式展示众所周知的结构和装置以免混淆所描述实例的概念。

在附图中,类似组件或特征可以具有相同参考标记。另外,可以通过在参考标记后面跟着短划线和区分类似组件的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记,那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一个,而与第二参考标记无关。

可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。例如,可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。

结合本文中的公开内容所描述的各种说明性块和模块可使用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器,但在替代方案中,处理器可为任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合(例如,数字信号处理器(dsp)和微处理器的组合、多个微处理器、与dsp核心结合的一或多个微处理器,或任何其它此类配置)。

本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施。如果以由处理器执行的软件来实施,那么可以将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体来传输。其它实例和实施方案在本公开和所附权利要求书的范围内。例如,由于软件的本质,上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合来实施。实施功能的特征也可物理上位于各个位置处,包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。并且,如本文中(包含在权利要求书中)所使用,项目的列表(例如,以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语结尾的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表,使得(例如)a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即,a和b和c)。并且,如本文中所使用,短语“基于”不应被理解为提及一组封闭条件。例如,在不脱离本发明的范围的情况下,描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说,如本文中所使用,短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。

提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够制作或使用本发明。所属领域技术人员将容易清楚对本公开的各种修改,且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此,本发明不限于本文中所描述的实例和设计,而是赋予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

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