并行接口铁电存储器的制作方法

自主设计研发的并行接口铁电存储器，适用于军用航空、航天、兵器等领域。

背景技术：

铁电存储器是集合了随机存取存储器和非易失性存储器两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力。与随机存取存储器相比，铁电存储器不需要检测其电池状态，且掉电后数据不丢失。与传统的非易失性存储器相比，铁电存储器具有更快的写入、更高的耐久力。

技术实现要素：

256k×16bit容量并行接口铁电存储器的设计制造；采用先进的65nm工艺设计，单电源3.3v供电；读写耐力十万亿次/字节；具有非易失性存储器掉电数据不丢失的特点；csop44线金属陶瓷封装(见说明书附图)，温度范围-55℃～125℃。

附图说明

图1为csop44线金属陶瓷封装正视图；

图2为csop44线金属陶瓷封装侧视图。

图中，1、csop44线金属陶瓷封装外壳。

具体实施方式

参照图1和图2，一种高可靠并行接口铁电存储器，包括高可靠并行接口铁电存储器芯片、键合丝、csop44线金属陶瓷封装外壳1以及16biti/o并行接口，高可靠并行接口铁电存储器芯片容量为4mbit，键合丝的材质设置为au，且键合丝的直径设置为25um，16biti/o并行接口的读写耐力十万亿次/字节，csop44线金属陶瓷封装外壳1是中空的，高可靠并行接口铁电存储器芯片粘接于csop44线金属陶瓷封装外壳1的芯片粘接区中，且csop44线金属陶瓷封装外壳1的外引线电阻小于1欧姆，1支高可靠并行接口铁电存储器芯片和1支csop44线金属陶瓷封装外壳1由44根键合丝相连，高可靠并行接口铁电存储器芯片通过键合丝与csop44线金属陶瓷封装外壳1的外引线相连，csop44线金属陶瓷封装外壳1可耐温度范围-55℃～125℃。

高可靠并行接口铁电存储器芯片设置有非易失性存储单元，实现掉电数据不丢失，无需备用电池即可保持数据；高可靠并行接口铁电存储器芯片内集成设置有电压擦除发生器、命令寄存器、编程电压发生器、输入/输出缓冲器、译码器、解码器以及数据锁存器，集成在高可靠并行接口铁电存储器芯片的译码器和解码器使得并行接口铁电存储器与传统的i2c接口铁电存储器相比通信更直接，效率更高。

技术特征：

1.一种并行接口铁电存储器，包括并行接口铁电存储器芯片、键合丝、csop44线金属陶瓷封装外壳(1)以及16biti/o并行接口，其特征在于，所述16biti/o并行接口的读写耐力十万亿次/字节，所述csop44线金属陶瓷封装外壳(1)是中空的，所述并行接口铁电存储器芯片粘接在csop44线金属陶瓷封装外壳(1)上，所述并行接口铁电存储器芯片通过键合丝与csop44线金属陶瓷封装外壳(1)的外引线相连，所述csop44线金属陶瓷封装外壳(1)可耐温度范围-55℃～125℃。

2.根据权利要求1所述的并行接口铁电存储器，其特征在于，所述并行接口铁电存储器芯片容量为4mbit。

3.根据权利要求1所述的并行接口铁电存储器，其特征在于，1支所述并行接口铁电存储器芯片和1支csop44线金属陶瓷封装外壳(1)由44根键合丝相连。

4.根据权利要求1所述的并行接口铁电存储器，其特征在于，所述并行接口铁电存储器芯片设置有非易失性存储单元，且所述并行接口铁电存储器芯片内集成设置有电压擦除发生器、命令寄存器、编程电压发生器、输入/输出缓冲器以及数据锁存器。

5.根据权利要求1所述的并行接口铁电存储器，其特征在于，所述键合丝的材质设置为au，且所述键合丝的直径设置为25um。

6.根据权利要求1所述的并行接口铁电存储器，其特征在于，所述并行接口铁电存储器芯片粘接于所述csop44线金属陶瓷封装外壳(1)的芯片粘接区中，且所述csop44线金属陶瓷封装外壳(1)的外引线电阻小于1欧姆。

技术总结
一种并行接口铁电存储器，包括高可靠并行接口铁电存储器芯片、键合丝、CSOP44线金属陶瓷封装外壳以及16bit I/O并行接口，其特征在于，所述16bit I/O并行接口的读写耐力十万亿次/字节，所述CSOP44线金属陶瓷封装外壳是中空的，所述高可靠并行接口铁电存储器芯片粘接在CSOP44线金属陶瓷封装外壳上，所述高可靠并行接口铁电存储器芯片通过键合丝与CSOP44线金属陶瓷封装外壳的外引线相连，所述CSOP44线金属陶瓷封装外壳可耐温度范围‑55℃～125℃，解决了国内高可靠并行接口铁电存储器的空白。独特的CSOP44线金属陶瓷封装使该产品可应用在航空航天等特殊领域。

技术研发人员：周宗辉
受保护的技术使用者：北京华芯微半导体有限公司
技术研发日：2019.10.11
技术公布日：2020.08.04