Flash存储装置、擦除方法及编程方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种FLASH存储装置及FLASH存储装置的擦除方法和编程方法。
【背景技术】
[0002]FLASH存储装置的使用主要是反复的擦除与编程，以及对FLASH存储装置中存储数据进行读取的过程。
[0003]FLASH存储装置的擦除或编程是指根据FLASH存储装置中预设的擦除条件和编程条件，改变存储单元阈值电压，进而改变存储单元存储数据状态的过程。擦除条件或编程条件指使存储单元阈值电压变化的条件，例如存储单元控制栅极(CG)电压、源极(S)电压、存储单元所在阱区电压、以及擦除或编程时时间步长或步长的变化频率等；以此，改变存储单元的阈值电压，进而改变存储单元数据存储状态，存储数据O或存储数据I。
[0004]现有技术中，FLASH存储装置预设的擦除条件或编程条件固化在存储装置中，随着FLASH存储装置使用周期的延续，并不会发生改变。但随着使用周期的延续，现有技术中FLASH存储装置中存储单元由于受擦除、编程或读取时电压等的影响，存储单元中电荷的分布状态会产生变化，进而改变存储单元的阈值电压，使得FLASH存储装置中预设的擦除或编程条件不能对FLASH存储装置中存储单元进行有效的擦除或编程，进而使得FLASH存储装置的擦除或编程性能降低，影响FLASH存储装置的可靠性。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提出一种FLASH存储装置及FLASH存储装置的擦除方法和编程方法，以提升FLASH存储装置的可靠性。
[0006]在第一方面，本发明实施例提供了一种FLASH存储装置，包括:
[0007]存储阵列；
[0008]所述存储阵列包括数据存储模块和快表模块；
[0009]所述数据存储模块包括m个子数据存储模块；
[0010]所述快表模块包括m个子快表模块，所述m个子快表模块分别存储所述m个子数据存储模块的擦除条件和/或编程条件；所述擦除条件或编程条件指施加于子数据存储模块，以使子数据存储模块中存储单元阈值电压变化的条件；
[0011]对存储阵列中预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除或编程时，获取与所述预擦除或预编程子数据存储模块对应的子快表模块中存储的擦除或编程条件，根据所述子快表模块存储的擦除或编程条件对所述预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除操作或编程操作；
[0012]其中，m为正整数，I彡m。
[0013]进一步的，所述的FLASH存储装置，所述m个子快表模块分别存储有所述m个子数据存储模块的擦除条件；
[0014]擦除时，获取擦除指令中预擦除子数据存储模块的地址；
[0015]根据所述预擦除子数据存储模块的地址，获取所述预擦除子数据存储模块所对应子快表模块中存储的擦除条件；
[0016]根据所述擦除条件对预擦除子数据存储模块进行擦除操作；以及；
[0017]擦除完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应子快表模块中的擦除条件。
[0018]进一步的，所述的FLASH存储装置，所述m个子快表模块分别存储有所述m个子数据存储模块的编程条件；
[0019]编程时，获取编程指令中预编程子数据存储模块的地址；
[0020]根据所述编程除子数据存储模块的地址，获取所述预编程子数据存储模块所对应子快表模块中存储的编程条件；
[0021]根据所述编程条件对预编程子数据存储模块进行编程操作；以及；
[0022]编程完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应子快表模块中的编程条件。
[0023]进一步的，所述的FLASH存储装置，还包括:
[0024]位线选择电路，所述位线选择电路电连接于所述存储阵列的数据存储模块中存储单元的漏极；以选择数据存储模块中的存储单元；
[0025]字线驱动电路，所述字线驱动电路电连接于所述数据存储模块中存储单元的控制栅极，以提供擦除或编程时数据存储模块中存储单元所需电压；
[0026]逻辑控制单元；提供所述FLASH存储装置工作时所需的逻辑控制。
[0027]进一步的，所述的FLASH存储装置所述m个子数据存储模块大小相同。
[0028]在第二方面，本发明实施例还提供了一种FLASH存储装置的擦除方法，包括:
[0029]FLASH存储装置接收擦除指令；
[0030]根据所述擦除指令，获取预擦除子数据存储模块的地址；
[0031]根据所述预擦除子数据存储模块的地址，获取与所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的擦除条件；
[0032]根据所述擦除条件对所述预擦除子数据存储模块进行擦除操作。
[0033]进一步的，所述的FLASH存储装置的擦除方法，还包括:当擦除操作完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件。
[0034]进一步的，所述的FLASH存储装置的擦除方法，所述当擦除操作完成后，根据所述擦除操作更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件；包括:
[0035]当擦除操作完成后，根据所述擦除操作执行的难易程度，更新所述预擦除子数据存储模块所对应的子快表模块中的擦除条件
[0036]在第三方面，本发明实施例还提供了一种FLASH存储装置的编程方法，包括:
[0037]FLASH存储装置接收编程指令；
[0038]根据所述编程指令，获取预编程子数据存储模块的地址；
[0039]根据所述预编程子数据存储模块的地址，获取与所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的编程条件；
[0040]根据所述编程条件对所述预编程子数据存储模块进行编程操作。
[0041]进一步的，所述的FLASH存储装置的编程方法，还包括:当编程操作完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件。
[0042]进一步的，所述的FLASH存储装置的编程方法，所述当编程操作完成后，根据所述编程操作更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件；包括:
[0043]当编程操作完成后，根据所述编程操作执行的难易程度，更新所述预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中的编程条件。
[0044]本发明实施例提供的FLASH存储装置，擦除方法及编程方法；根据FLASH存储装置快表模块中每个子快表存储的擦除或编程条件对FLASH存储装置中预擦除或预编程子存储数据模块进行擦除操作或编程操作；同时，当FLASH存储装置擦除或编程完成后，根据擦除操作或编程操作进行的难易程度，更新擦除或编程的预擦除或预编程子数据存储模块所对应的子快表模块中存储的擦除条件或编程条件。当再次对预擦除或预编程子数据存储模块进行擦除或编程时，根据新形成的擦除条件或编程条件进行擦除或编程。因此，本发明技术方案，FLASH存储装置的擦除条件或编程条件在每次擦除或编程完成后实时更新，使得随着FLASH存储装置使用周期的延续，相应的擦除条件或编程条件也相应改变，以适应FLASH存储装置中随着使用周期的延续而引起的电荷分布的变化，保证了 FLASH存储装置的擦除或编程的性能，进而提升了 FLASH存储装置的可靠性。
【附图说明】
[0045]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，并不构成对本发明的限定。在附图中:
[0046]图1示出的是本发明实施例一中FLASH存储装置结构示意图；
[0047]图2示出的是本发明实施例二中FLASH存储装置擦除方法流程示意图；
[0048]图3示出的是本发明实施例三中FLASH存储装置编程方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0049]下面结合附图及具体实施例对本发明进行更加详细与完整的说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0050]图1示出的是本发明实施例一中FLASH存储装置结构示意图；参考图1，本实施例中FLASH存储装置，包括:
[0051 ] 存储阵列11 ;存储阵列11包括数据存储模块111和快表模块112。快表模块112包括可以根据预擦除或预编程子数据存储模块的地址映射当前地址所对应子数据存储模块的擦除条件或编程条件的一个查找表；同时这个查找表是一个非挥发存储表，不会因为系统掉电而失去信息；以