用于补偿字线电压增加的设备、感测电路及方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例大体上涉及电子存储器，且更特定来说，在一或多个所说明的实施例中，涉及补偿由来自存储器单元选择器的泄漏电流导致的增大的字线电压。
【背景技术】
[0002]在存储器存取操作期间，某些存储器架构易发生从位线通过双极选择器装置到字线的电流泄漏。通过双极选择器装置到字线的电流泄漏可导致增加的字线电压，其可导致在位线上提供的感测信号的电流的波动。即，增加的字线电压可减少用以准确地读取用于感测由存储器单元存储的数据的感测信号的电压容限。其结果是降低的电压容限可导致存储器单元的不准确读取。
【发明内容】
[0003]本文揭示实例设备、感测电路及方法。实例设备可包含位线、耦合到所述位线的存储器单元及耦合到所述存储器单元的选择器装置。所述实例设备可进一步包含耦合到双极选择器装置的基极的字线及耦合到字线的字线驱动器。所述实例设备可进一步包含模型字线电路及感测电路，所述模型字线电路经配置以将所述字线的阻抗及所述字线驱动器的阻抗建模；所述感测电路耦合到所述位线及所述模型字线电路。所述感测电路可经配置以基于单元电流感测所述存储器单元的状态且提供指示所述存储器单元的状态的感测信号。所述感测电路可经进一步配置以响应于如由所述模型字线电路建模的字线电压的增加调整位线电压。
[0004]实例感测电路可包含放大器，其经配置以提供第一信号及第二信号。所述第一信号及所述第二信号可基于位线电压及基于字线的至少部分的阻抗而调整的感测参考电压。可在第一输入处接收所述位线电压且在第二输入处接收可基于字线的至少部分的阻抗而调整的所述感测参考电压。所述第一信号可被反馈回到所述第二输入。所述实例感测电路可进一步包含比较器，所述比较器经配置以基于所述第二信号的电压及所述位线电压提供指示存储器单元状态的输出信号。
[0005]实例方法可包含对所述存储器装置的位线预充电至预充电电压。所述预充电电压可基于基于字线电压的增加而受到调整的感测参考电压。所述实例方法可进一步包含启用耦合到所述位线的选择器装置。所述双极装置的启用可导致单元电流流过所述位线。所述实例方法可进一步包含基于由所述单元电流产生的位线电压确定耦合到所述位线的存储器单元的状态。
[0006]另一实例方法可包含在模型字线电路处接收感测参考电压。所述模型字线电路的阻抗可约等于字线的至少部分及存储器阵列的字线驱动器的阻抗。所述另一实例方法可进一步包含提供通过所述模型字线电路的模型单元电流，及基于所述感测参考电压加基于流过所述模型字线电路的所述模型单元电流的电压调整所述感测参考电压。
【附图说明】
[0007]图1为包含模型字线电路及感测电路的设备的特定说明性实施例的框图；
[0008]图2为包含模型字线电路及感测电路的设备的特定说明性实施例的框图；
[0009]图3为双输出放大器电路的特定说明性实施例的框图；
[0010]图4为模型字线驱动器的特定说明性实施例的框图；及
[0011]图5为根据本发明的实施例的包含模型字线电路及感测电路的存储器的框图。
【具体实施方式】
[0012]下文阐述的某些细节提供对本发明的实施例的充分理解。然而，所属领域的技术人员将清楚本发明的实施例可脱离这些特定细节而实施。此外，本文描述的本发明的特定实施例是以实例的形式提供且不应被用于将本发明的范围限制于这些特定实施例。
[0013]参考图1，揭示包含模型字线电路及感测电路的设备的特定说明性实施例且大体上将其指定为100。所述设备可为集成电路、存储器装置、存储器系统、电子装置或系统、智能手机、平板电脑、计算机、服务器等等。设备100可补偿在读取操作期间由于通过选择器装置(例如，双极选择器装置)的电流泄漏的字线上的电压增加。设备100可包含多个位线124 (O-N)。如图1中所说明，每一位线124 (O-N)耦合到相应存储器单元130 (O-N)，所述存储器单元与相应选择器装置HO(O-N)串联耦合。图1中说明选择器装置HO(O-N)为PNP双极结晶体管。在不脱离本发明的范围的情况下，可将其它类型的电路用于选择器装置140 (O-N)。尽管图1说明用于每一位线124 (O-N)的一个存储器单元130 (O-N)，但多个存储器单元可耦合到每一位线。可与耦合到一或多个存储器单元的位线一起使用本发明的实施例。每一选择器装置HO(O-N)的基极可耦合到字线160。设备100可进一步包含多个感测电路120 (O-N)，其各自经配置以感测流过相应位线124 (O-N)的相应单元电流ICELL(O-N)。相应ICELL(O-N)电流指示对应存储器单元130 (O-N)的状态。感测电路120 (O-N)中的每一者比较相应ICELL(O-N)电流与基于参考电压SVREF(O-N)产生的电流。SVREF(O-N)电压可基于字线和字线驱动器的阻抗而予以调整。SVREF(O-N)电压可由模型字线电路110调整。
[0014]模型字线电路110可包含第一模型字线驱动器112及第二模型字线驱动器114，其各自耦合到模型字线118。第一模型字线驱动器112及第二模型字线驱动器114可各自将第一字线驱动器及第二字线驱动器(例如，字线驱动器150及152)中的至少一者建模以驱动模型字线118上的电压。模型字线118可为类似材料及/或具有字线160的类似电特性。模型字线电阻组件116(0-N)可将沿字线160的至少部分的阻抗建模。
[0015]感测电路120 (O-N)中的每一者可耦合到相应位线124 (O-N)且可经配置以可沿相应位线124(0-N)驱动相应ICELL(O-N)电流。此外，感测电路120 (O-N)中的每一者可耦合到模型字线电路110且可经配置以提供相应模型感测电流ICELLM(O-N)到模型字线118。感测电路120(0-N)中的每一者也可提供相应感测输出信号SENSE OUT(O-N)，感测输出信号可指示相应存储器单元130 (O-N)的状态。
[0016]存储器单元130(0_N)中的每一者可经配置以存储数据。在实施例中，存储器单元130 (O-N)中的每一者可包含相变存储器材料。所述相变存储器材料可处于至少两个状态(举例来说，未编程状态和编程状态)中的一者中。所述相变存储器材料可具有针对每一状态的不同阻抗。在实施例中，所述相变存储器材料可包含硫族化合物合金(例如，锗、锑及碲的合金(GeSbTe)，称为GST)。
[0017]在操作中，在存储器存取操作期间，感测电路120 (O-N)中的每一者可在感测之前对每一相应位线124 (O-N)预充电至SVREF电压。此外，第一字线驱动器150及第二字线驱动器152沿字线160驱动存储器存取电压以启用选择器装置140 (O-N)中的每一者。当启用选择器装置140 (O-N)时，对应ICELL (O-N)电流流过相应存储器单元130 (O-N)。ICELL (O-N)电流的量值基于相应存储器单元130 (O-N)的状态(例如，阻抗)。基于相应ICELL(O-N)电流，感测电路120 (O-N)中的每一者可提供相应SENSE OUT(O-N)信号。SENSE OUT(O-N)信号的量值指示相应存储器单元130(0-N)的状态，且因此可指示由相应存储器单元130(0-N)存储的数据值。
[0018]选择器装置HO(O-N)可通过所述基极泄漏电流到字线160。举例来说，图1描绘单元电流ICELL L(O-N)及单元电流ICELL R(O-N)通过选择器装置140 (O-N)的基极泄漏到字线160。因为字线160、第一字线驱动器150及第二字线驱动器152具有非零阻抗，所以所述电流泄漏导致所述字线电压的增加。所述字线电压增加可减少选择器装置HO(O-N)的基极-发射极电压VEB。作为结果，可减少每一感测电路120 (O-N)的ICELL(O-N)电流。通过每一选择器装置140 (O-N)的基极的电流泄漏的量值可取决于选择器装置HO(O-N)的增益(β )、字线160的阻抗、第一字线驱动器150及第二字线驱动器152的阻抗及对应存储器单元130 (O-N)的状态。
[0019]在一些实施例中，对源自泄漏电流的字线电压增加的补偿可被动态调整且可基于若干相关性。举例来说，感测电路120 (O-N)中的每一者可使用模型字线电路110通过建模字线电压的增加且按基于所述电压增加的量补偿(例如，增加)SVREF电压来补偿所述增加的字线电压。补偿SVREF电压可增加ICELL电流，且因此提高用于感测ICELL电流的电压容限。
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