存储阵列的操作方法和存储器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种存储阵列的操作方法和存储器。
【背景技术】
[0002]电熔丝(efuse)技术是根据多晶硅熔丝特性发展起来的一种技术。电熔丝的初始电阻值很小，当有大电流经过电熔丝时，电熔丝被熔断，其电阻值倍增。因此，由电熔丝构成的储存单元以判断电熔丝是否被熔断来得知其内部储存的数据。
[0003]如图1所示，现有电熔丝存储器包括:m条字线、η个列选晶体管、η条位线、η个灵敏放大器和电熔丝存储阵列，m和η均为正整数。
[0004]m条字线包括:第I条字线WLl、第2条字线WL2、…、第m条字线WLm。
[0005]η个列选晶体管包括:第I个列选晶体管Ml、第2个列选晶体管M2、第3个列选晶体管M3、…、第η个列选晶体管Mn，所述η个列选晶体管的源极均连接电源电压VDD。
[0006]η条位线包括??第I条位线BLl、第2条位线BL2、第3条位线BL3、…、第η条位线BLn,所述η条位线与所述η个列选晶体管的漏极一一对应连接。
[0007]η个灵敏放大器包括:第I个灵敏放大器SAl、第2个灵敏放大器SA2、第3个灵敏放大器SA3、…、第η个灵敏放大器SAn,所述η个灵敏放大器与所述η条位线--对应连接。
[0008]电熔丝存储阵列包括:呈m行η列排布的存储单元。所述m条字线与所述m行存储单元--对应，所述η条位线与所述η列存储单元--对应,一条字线和一条位线对应一个存储单元。
[0009]每个存储单元包括:行选晶体管和电熔丝。所述行选晶体管的栅极连接与所述存储单元对应的字线，所述行选晶体管的漏极连接所述电熔丝的第一端，所述行选晶体管的源极接地GND，所述电熔丝的第二端连接与所述存储单元对应的位线。以第I行I列的存储单元10为例，存储单元10对应第I条字线WLl和第I条位线BLl。存储单元10包括行选晶体管MO和电熔丝F0，行选晶体管MO的栅极连接第I条字线WLl，行选晶体管MO的漏极连接电熔丝H)的第一端，行选晶体管MO的源极接地GND，电熔丝H)的第二端连接第I条位线 BLl。
[0010]通过对列选晶体管的栅极施加相应的电压可以控制列选晶体管导通或截止，通过对字线施加相应的电压可以控制一行存储单元中的行选晶体管导通或截止。当存储单元中的行选晶体管导通且与该存储单元对应的列选晶体管也导通时，位于该存储单元中的电熔丝会被熔断。存储单元中的电熔丝被熔断的操作可以称之为对该存储单元进行烧写操作。电熔丝是否被熔断可以根据电阻值来判断，当电阻值大于一定的电阻阈值时视为电熔丝被熔断，当电阻值该电阻阈值时视为电熔丝未被熔断。
[0011 ] 存储单元中的电熔丝被熔断后无法就再进行烧写操作，所以存储单元在编程操作过程中只能被烧写一次。通常将数据I视为需进行烧写操作的数据，即，对数据I进行编程操作时需熔断保存数据I的存储单元中的电熔丝，对数据O进行编程操作时无需熔断保存数据O的存储单元中的电熔丝。
[0012]然而，存储单元容易出现编程操作失败，即烧写操作之后电熔丝仍未被熔断，这导致存储单元保存的数据出现错误，从而读取结果错误，存储器的生产良率变低。
【发明内容】
[0013]本发明解决的问题是现有存储器的生产良率较低。
[0014]为解决上述问题，本发明提供一种存储阵列的操作方法，所述存储阵列包括呈M行N列排布的数据存储单元，所述存储阵列的操作方法包括:
[0015]对第m行数据存储单元进行第一编程操作或第二编程操作，
[0016]所述对第m行数据存储单元进行第一编程操作包括:将第m行数据存储单元对应的第一待编程数据进行取反操作以获得所述第m行数据存储单元对应的第二待编程数据，基于所述第m行数据存储单元对应的第二待编程数据对所述第m行数据存储单元进行编程操作，将所述第m行数据存储单元对应的标识数据设置为数据I ;
[0017]所述对第m行数据存储单元进行第二编程操作包括:基于所述第m行数据存储单元对应的第一待编程数据对所述第m行数据存储单元进行编程操作，将所述第m行数据存储单元对应的标识数据设置为数据O ;
[0018]对所述第m行数据存储单元进行读取操作；
[0019]所述对所述第m行数据存储单元进行读取操作包括:获得所述第m行数据存储单元保存的已编程数据，将所述已编程数据和所述第m行数据存储单元对应的标识数据进行异或运算，将所述异或运算后的结果作为所述第m行数据存储单元的读取结果。
[0020]可选的，所述对第m行数据存储单元进行第一编程操作在满足以下条件时执行:[0021 ] 基于第m行η列数据存储单元对应的第一待编程数据对所述第m行η列数据存储单元进行编程操作失败，I < η < N。
[0022]可选的，所述第m行η列数据存储单元对应的第一待编程数据为所述第m行数据存储单元对应的第一待编程数据中的第一个需进行烧写操作的数据。
[0023]可选的，所述对第m行数据存储单元进行第一编程操作在满足以下条件时执行:
[0024]所述第m行数据存储单元对应的第一待编程数据中需进行烧写操作的数据数量大于所述第m行数据存储单元对应的第一待编程数据的数据总量的一半。
[0025]可选的，所述需进行烧写操作的数据为数据I。
[0026]本发明实施例还提供一种存储器，包括:存储阵列、N+1个数据获得单元和N个异或计算器，所述存储阵列包括呈M行N+1列排布的存储单元；
[0027]第j个数据获得单元适于获得第I行j列至第M行j列存储单元保存的已编程数据，I彡j彡N+1 ；
[0028]第k个异或计算器的第一输入端连接第k个数据获得单元的输出端，I ^ k ^ N,第k个异或计算器的第二输入端连接第N+1个数据获得单元的输出端。
[0029]与现有技术相比，本发明技术方案可以在基于待编程数据对数据存储单元进行编程操作失败时，仍能够获得正确的读取结果，提高了存储器的良率。
【附图说明】
[0030]图1是现有存储器的一结构示意图；
[0031]图2是本发明存储器的一结构示意图；
[0032]图3是本发明存储器的另一结构示意图；
[0033]图4是本发明存储阵列的操作方法的流程示意图；
[0034]图5是本发明第一编程操作方法的流程示意图；
[0035]图6是本发明读取操作方法的流程示意图；
[0036]图7是本发明编程操作的示意图；
[0037]图8是本发明读取操作的示意图；
[0038]图9是本发明第二编程操作方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0039]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0040]如图2所示，本发明实施例提供一种存储器，所述存储器包括存储阵列、N+1个数据获得单元和N个异或计算器X0R，所述存储阵列包括呈M行N+1列排布的存储单元。M和N均为正整数。
[0041]第j个数据获得单元适于获得第I行j列至第M行j列存储单元保存的已编程数据，I < j < N+1 ;第k个异或计算器XOR的第一输入端连接第k个数据获得单元的输出端，I < k < N，第k个异或计算器XOR的第二输入端连接第N+1个数据获得单元的输出端。
[0042]所述存储阵列可以为电熔丝存储阵列，所述数据获得单元可以为灵敏放大器。
[0043]在所述存储阵列中，第I行至第M行存储单元中的第I列至第N列存储单元可以为数据存储单元，第I行至第M行存储单元中的第N+1列存储单元可以为标识存储单元。
[0044]下面结合图3对本实施例的存储器结构做进一步说明。如图3所示，所述存储器包括呈M行N+1列排布的存储单元、N+1个灵敏放大器和N个异或计算器。
[0045]所述N+1个灵敏放大器包括:第I个灵敏放大器11、第2个灵敏放大器12、第3个灵敏放大器13、…、第N个灵敏放大器IN和第N+1个灵敏放大器1N+1。
[0046]所述N个异或计算器包括:第I个异或计算器21、第2个异或计算器22、第3个异或计算器23…、第N个异或计算器2N。
[0047]第I个异或计算器21的第一输入端连接第I个灵敏放大器11的输出端，第I个异或计算器21的第二输入端连接第N+1个灵敏放大器1N+1的输出端；第2个异或计算器22的第一输入端连接第2个灵敏放大器12的输出端，第2个异或计算器22的第二输入端连接第N+1个灵敏放大器1N+1的输出端；第3个异或计算器23的第一输入端连接第3个灵敏放大器13的输出端，第3个异或计算器23的第二输入端连接第N+1个灵敏放