基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体测试领域，更具体地说，本发明涉及一种基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法。
【背景技术】
[0002]为了减少工艺变化对闪存等电路性能的影响，越来越多的模拟电压需要修整(trimming)，即测量和调节。为了降低嵌入式快闪记忆体(EFlash)测试成本，同测数越来越多，而模拟电压的量测只能顺序执行。
[0003]而且，测试趋势在于，模拟电路的测量和调节在测试流程中所占成本的比重越来越高。所以，为了控制测试成本，降低模拟电压测量和调节的时间势在必行。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够降低模拟电压测量和调节的时间的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法。
[0005]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，包括:将模拟电压的输出端口当作存储器的输出连接至存储器测试仪的测试输入端口 ；在存储器测试仪中设定第一比较电压和第二比较电压作为模拟电压调节的目标范围；使得模拟电压的输出端口输出多个模拟电压值，并且按顺序依次输入存储器测试仪，以读取输入的模拟电压值在存储器测试仪中测得的结果，而且将读取的结果存入预定文档；从所述预定文档里取出读取的结果，查找出读O和读I都失败的结果所对应的模拟电压值输入范围；将模拟电压值输入范围内的中间电压值选择为最佳测试电压值。
[0006]优选地，第一比较电压大于第二比较电压。
[0007]优选地，存储器测试仪在输入的模拟电压值大于第一比较电压时输出结果I。
[0008]优选地，存储器测试仪在输入的模拟电压值小于第二比较电压时输出结果O。
[0009]优选地，存储器测试仪在输入的模拟电压值小于第一比较电压且大于第二比较电压时输出读O和读I都失败的结果。
[0010]优选地，按顺序为由低到高的顺序
[0011]优选地，按顺序为由低到高的顺序。
[0012]优选地，所述多个模拟电压值中的相邻两个模拟电压值之间的电压差相等。
[0013]根据本发明优选实施例的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法能够替代复杂的精密测量单元测量把，复杂的量测动作变成简单的功能测试；而且能够有效地降低大约90%以上的测试时间。
【附图说明】
[0014]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0015]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法的流程图。
[0016]图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法的示意图。
[0017]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0018]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0019]图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法的流程图，图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法的示意图。
[0020]如图1和图2所示，根据本发明优选实施例的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法包括:
[0021]第一步骤S1:将模拟电压的输出端口当作存储器的输出连接至存储器测试仪的测试输入端口；
[0022]第二步骤S2:在存储器测试仪中设定第一比较电压VOH和第二比较电压VOL作为模拟电压调节的目标范围；其中，第一比较电压VOH大于第二比较电压VOL。
[0023]第三步骤S3:使得模拟电压的输出端口输出多个模拟电压值，并且按顺序(例如，由低到高的顺序或者由低到高的顺序)依次输入存储器测试仪，以读取输入的模拟电压值在存储器测试仪中测得的结果(读O或I)，而且将读取的结果存入预定文档；优选地，所述多个模拟电压值中的相邻两个模拟电压值之间的电压差相等。
[0024]具体地，存储器测试仪在输入的模拟电压值大于第一比较电压VOH时输出结果I。存储器测试仪在输入的模拟电压值小于第二比较电压VOL时输出结果O。存储器测试仪在输入的模拟电压值小于第一比较电压VOH且大于第二比较电压VOL时输出读O和读I都失败的结果。
[0025]第四步骤S4:从所述预定文档里取出读取的结果，查找出读O和读I都失败的结果所对应的模拟电压值输入范围；
[0026]第五步骤S5:将模拟电压值输入范围内的中间电压值选择为最佳测试电压值。
[0027]由此，后续的模拟电路的测量和调节就可以使用该最佳测试电压值。
[0028]具体地，如图2所示，前6个档位都是读O通过(P)，后5个档位都是读I通过(P);档位6、7、8、9、10处于模拟电压的目标范围，读O读I都失败(F)，则中间档位8为最佳档位。
[0029]根据本发明优选实施例的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法至少具有下述优势:
[0030](I)能够替代复杂的PMU(Precis1n Measurement Unit，精密测量单元)测量；
[0031](2)把复杂的量测动作变成简单的功能测试；
[0032](3)能够有效地降低大约90%以上的测试时间。
[0033]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0034]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，其特征在于包括: 将模拟电压的输出端口当作存储器的输出连接至存储器测试仪的测试输入端口； 在存储器测试仪中设定第一比较电压和第二比较电压作为模拟电压调节的目标范围； 使得模拟电压的输出端口输出多个模拟电压值，并且按顺序依次输入存储器测试仪，以读取输入的模拟电压值在存储器测试仪中测得的结果，而且将读取的结果存入预定文档； 从所述预定文档里取出读取的结果，查找出读O和读I都失败的结果所对应的模拟电压值输入范围； 将模拟电压值输入范围内的中间电压值选择为最佳测试电压值。2.根据权利要求1所述的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，其特征在于，其中第一比较电压大于第二比较电压。3.根据权利要求1或2所述的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，其特征在于，存储器测试仪在输入的模拟电压值大于第一比较电压时输出结果I。4.根据权利要求1或2所述的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，其特征在于，存储器测试仪在输入的模拟电压值小于第二比较电压时输出结果O。5.根据权利要求1或2所述的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，其特征在于，存储器测试仪在输入的模拟电压值小于第一比较电压且大于第二比较电压时输出读O和读I都失败的结果。6.根据权利要求1或2所述的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，其特征在于，按顺序为由低到高的顺序。7.根据权利要求1或2所述的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，其特征在于，按顺序为由低到高的顺序。8.根据权利要求1或2所述的基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，其特征在于，所述多个模拟电压值中的相邻两个模拟电压值之间的电压差相等。
【专利摘要】本发明提供了一种基于存储器测试仪的模拟电压测量和调节的方法，包括：将模拟电压的输出端口当作存储器的输出连接至存储器测试仪的测试输入端口；在存储器测试仪中设定第一比较电压和第二比较电压作为模拟电压调节的目标范围；使得模拟电压的输出端口输出多个模拟电压值，并且按顺序依次输入存储器测试仪，以读取输入的模拟电压值在存储器测试仪中测得的结果，而且将读取的结果存入预定文档；从所述预定文档里取出读取的结果，查找出读0和读1都失败的结果所对应的模拟电压值输入范围；将模拟电压值输入范围内的中间电压值选择为最佳测试电压值。
【IPC分类】G11C29/08, G11C29/50
【公开号】CN105225697
【申请号】CN201510694983
【发明人】索鑫
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年10月22日