一种存储器及其时序追踪电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及时序追踪技术领域，特别是涉及一种存储器及其时序追踪电路。
【背景技术】
[0002]存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。按用途存储器可分为主存储器(内存)和辅助存储器(外存)，也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。
[0003]时序追踪，是指获取与实际电路对应的t旲拟电路的读与时序的过程。其中，获取丰旲拟所述存储器中的存储阵列读写时序的过程，为存储器的时序追踪过程。现有技术中，存储器的时序追踪，通常采用将追踪单元的驱动和负载与待追踪的存储器的驱动和负载一致的方式，实现追踪单元与存储器之间工作时序的匹配。
[0004]但是，随着工艺的进步，晶体管的尺寸不再连续可调，使得晶体管的驱动能力也不再连续可调，采用调节驱动能力的时序追踪方法，难以精确地追踪存储器的时序，因此，存在着时序追踪不准确的问题。
【发明内容】
[0005]本发明实施例解决的是如何提闻时序追踪的准确性。
[0006]为解决上述问题，本发明实施例提供了一种时序追踪电路，所述电路包括:
[0007]包括追踪单元和负载调节单元，所述负载调节单元连接在所述追踪单元的输出端上，其中:
[0008]所述追踪单元，适于对存储阵列的读写时序进行追踪；
[0009]所述负载调节单元，适于调节所述追踪单元的负载，直至所述追踪单元的负载与所述存储阵列的负载相匹配。
[0010]可选地，所述追踪单元与所述存储阵列的结构相同。
[0011]可选地，所述可调节单元由电容或者电阻组成。
[0012]本发明实施例还提供了一种存储器，所述存储器包括存储阵列、控制电路和追踪所述存储阵列的读写时序的时序追踪电路，所述控制电路分别与所述存储阵列对应的灵敏放大器和所述时序追踪电路的输出端连接，其中:
[0013]所述时序追踪电路包括追踪单元和负载调节单元，所述负载调节单元连接在所述追踪单元的输出端上；
[0014]所述追踪单元，适于对存储阵列的读写时序进行追踪；
[0015]所述负载调节单元，适于调节所述追踪单元的负载，直至所述追踪单元的负载与所述存储阵列的负载相匹配；
[0016]所述控制电路，适于根据所述时序追踪电路输出的模拟所述存储阵列的读写时序信号，控制所述存储阵列中的灵敏放大器的开启或者关闭，以控制所述存储阵列的读写时序。
[0017]可选地，所述追踪单元与所述存储阵列的结构相同。
[0018]可选地，所述可调节单元由电容或者电阻组成。
[0019]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下的优点:
[0020]由于在追踪单元的输出端上增加负载调节单元，将时序追踪电路的负载调节至于存储器中的存储阵列的负载相匹配，因此，可以提高时序追踪的准确性。
【附图说明】
[0021]图1是现有技术中的一种时序追踪电路的结构不意图；
[0022]图2是本发明实施例中的时序追踪电路的结构示意图；
[0023]图3是本发明实施例中的一种存储器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]现有技术中，存储器的时序追踪，通常采用将追踪单元的驱动和负载与待追踪的存储器的驱动和负载一致的方式，实现追踪单元与存储器之间工作时序的匹配。由于设计偏差和工艺的波动的存在，使得时序追踪电路的驱动能力无法与存储阵列的驱动能力完全匹配。
[0025]为了解决上述问题，通常根据待追踪的存储阵列的驱动能力，时序追踪电路设计不同尺寸的晶体管作为可选项，根据测试结果，确定最终使用的可选项。
[0026]如图1所示，例如，在存储阵列101所采用的金属-氧化层半导体场效晶体管(简称金氧半场效晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)的长宽比为0.5:0.128时，通常会在时序追踪电路102中设计不同长宽比的MOSFET作为可选项，例如，时序追踪电路102中可以包括长宽比分别为0.75:0.128,0.5:0.128,0.25:
0.128 的第一 M0SFET102a、第二 M0SFET102b 和第三 M0SFET102c 作为可选的 M0SFET，其中，时序追踪电路的追踪位线102TBL1与为存储阵列的位线BL1对应设置。在实际使用时，通过测试选取第一 M0SFET102a、第二 M0SFET102b或第三M0SFET102c，或者他们的组合，以与存储阵列中M0SFET的驱动能力相匹配，进行准确地时序追踪。
[0027]但是，随着工艺的进步，MOSFET的尺寸不再是连续可调，而是分散在几个离散的区域内，使得M0SFET的驱动能力也被束缚在几个离散的范围内，不再连续可调。
[0028]相应地，追踪电路的驱动能力也将不再连续可调，而是基于MOSFET的尺寸，被约束在几个离散的区域内。这样追踪电路将很难精确追踪普通存储单元的工作时序，通常采用放长追踪电路的时序的方式以保证存储器读写的正确性，但是这样会降低存储器的读写速度。
[0029]另外，MOSFET的驱动能力会同时受到多种因素的影响，例如，工作电压，工作环境的温度等。不同尺寸的M0SFET，在不同的电压、温度下，其驱动能力的变化幅度及变化比例也会不同。
[0030]换句话说，如果时序追踪电路的驱动电路部分采用的MOSFET和普通存储单元采用MOSFET尺寸不一致,或者尺寸一致,但是图案画法不一致，时序追踪电路的驱动能力也难以与存储单元的驱动能力在各种工作条件下均保持一致。因此，采用调节驱动能力的方法进行存储器的时序追踪，存在着追踪准确性低的问题。
[0031]为解决现有技术中存在的上述问题，本发明实施例采用的技术方案由于采用在追踪单元的输出端增加负载调节单元，将时序追踪电